JPH06209030A - ２ 層 ｔ ａ ｂ の 製 造 方 法 - Google Patents
２ 層 ｔ ａ ｂ の 製 造 方 法Info
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- JPH06209030A JPH06209030A JP1686593A JP1686593A JPH06209030A JP H06209030 A JPH06209030 A JP H06209030A JP 1686593 A JP1686593 A JP 1686593A JP 1686593 A JP1686593 A JP 1686593A JP H06209030 A JPH06209030 A JP H06209030A
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- polyimide resin
- mask
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 極めて精度良くポリイミド樹脂等の絶縁
体のエッチング加工を可能とする２層ＴＡＢの製造方法
の提供を目的とする。 【構成】 その両平面もしくは全面に金属層を有す
る絶縁板を基板とし、該基板の一平面の金属層をリード
形成用導通層として用い、反対平面の金属層を絶縁体エ
ッチング用マスクとして用いる。 【効果】 従来困難であった２層ＴＡＢのポリイミ
ド樹脂部を微細にかつ精度良く加工することが可能とな
る。
体のエッチング加工を可能とする２層ＴＡＢの製造方法
の提供を目的とする。 【構成】 その両平面もしくは全面に金属層を有す
る絶縁板を基板とし、該基板の一平面の金属層をリード
形成用導通層として用い、反対平面の金属層を絶縁体エ
ッチング用マスクとして用いる。 【効果】 従来困難であった２層ＴＡＢのポリイミ
ド樹脂部を微細にかつ精度良く加工することが可能とな
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、２層ＴＡＢの絶縁体の
エッチング法およびエッチング精度の改良に関する。
エッチング法およびエッチング精度の改良に関する。
【０００２】
【従来の技術】テープ自動ボンディング（ＴＡＢ）はリ
ードフレームとともにＩＣやＬＳＩの実装用フィルムキ
ャリアとして広く用いられている。このＴＡＢの一つに
いわゆる２層ＴＡＢがある。これはスパッタリング法、
蒸着法、イオンプレーティング法、無電解めっき法等に
よりポリイミド樹脂等の絶縁体表面に直接銅層を形成し
た基板を用いて製造したものである。
ードフレームとともにＩＣやＬＳＩの実装用フィルムキ
ャリアとして広く用いられている。このＴＡＢの一つに
いわゆる２層ＴＡＢがある。これはスパッタリング法、
蒸着法、イオンプレーティング法、無電解めっき法等に
よりポリイミド樹脂等の絶縁体表面に直接銅層を形成し
た基板を用いて製造したものである。
【０００３】この２層ＴＡＢの代表的な製造方法は以下
のようである。すなわち、ポリイミド樹脂１面に厚さ
1.0 μm程度の銅被膜を例えば無電解めっき法により形
成し、これを第１の銅層とした後、該第１の銅層上に所
望の厚みを持った感光性レジスト層を形成し、該レジス
ト層の表面に所望のリードパターンを有するマスクを施
し、光照射を行った後現像してレジスト層上にリードパ
ターンを形成し、露出した第１の銅層上に電気銅めっき
を施してリード部の形成を行う。その後、残留するレジ
スト層を除去し、露出した第１の銅層部分を溶解除去し
てリード間の絶縁状態を確保する。
のようである。すなわち、ポリイミド樹脂１面に厚さ
1.0 μm程度の銅被膜を例えば無電解めっき法により形
成し、これを第１の銅層とした後、該第１の銅層上に所
望の厚みを持った感光性レジスト層を形成し、該レジス
ト層の表面に所望のリードパターンを有するマスクを施
し、光照射を行った後現像してレジスト層上にリードパ
ターンを形成し、露出した第１の銅層上に電気銅めっき
を施してリード部の形成を行う。その後、残留するレジ
スト層を除去し、露出した第１の銅層部分を溶解除去し
てリード間の絶縁状態を確保する。
【０００４】次に、リード形成面に保護レジスト層を設
け、リード形成面と反対側のポリイミド樹脂面に感光性
レジスト層を形成して上記と同様の光学的な技法により
パターニング処理を行い、これによって露出した部分の
ポリイミド樹脂を化学的に溶解除去した後、残留レジス
トを除去してＩＣチップを登載するためのデバイスホー
ルやテープ送りのためのスプロケットホール等の形成を
行う。さらに該電気銅めっき層上にニッケル、はんだ、
金等を電気めっき、あるいは無電解めっきによって形成
する。
け、リード形成面と反対側のポリイミド樹脂面に感光性
レジスト層を形成して上記と同様の光学的な技法により
パターニング処理を行い、これによって露出した部分の
ポリイミド樹脂を化学的に溶解除去した後、残留レジス
トを除去してＩＣチップを登載するためのデバイスホー
ルやテープ送りのためのスプロケットホール等の形成を
行う。さらに該電気銅めっき層上にニッケル、はんだ、
金等を電気めっき、あるいは無電解めっきによって形成
する。
【０００５】あるいは、ポリイミド樹脂１面に厚さ 1.0
μm程度の銅被膜を例えば無電解めっき法により形成
し、これを第１の銅層とした後、該第１の銅層上に所望
の厚みを持った感光性レジスト層を形成し、他面のポリ
イミド樹脂面に所望の厚みの感光性レジスト層を形成し
各面に所定のマスクを設け、両面を同時に露光し、第１
の銅層側のレジスト層を現像し、露出した第１の銅層上
に電気銅めっきを施してリード部の形成を行い、その後
残留するレジスト層を除去し、露出した第１の銅層部分
を溶解除去してリード間の絶縁状態を確保し、次いでリ
ード形成面と反対側のポリイミド樹脂面のレジスト層を
現像し、これによって露出した部分のポリイミド樹脂を
化学的に溶解除去した後、残留レジストを除去してＩＣ
チップを登載するためのデバイスホールやテープ送りの
ためのスプロケットホール等の形成を行う。さらに該電
気銅めっき層上にニッケル、はんだ、金等を電気めっ
き、あるいは無電解めっきによって形成する。
μm程度の銅被膜を例えば無電解めっき法により形成
し、これを第１の銅層とした後、該第１の銅層上に所望
の厚みを持った感光性レジスト層を形成し、他面のポリ
イミド樹脂面に所望の厚みの感光性レジスト層を形成し
各面に所定のマスクを設け、両面を同時に露光し、第１
の銅層側のレジスト層を現像し、露出した第１の銅層上
に電気銅めっきを施してリード部の形成を行い、その後
残留するレジスト層を除去し、露出した第１の銅層部分
を溶解除去してリード間の絶縁状態を確保し、次いでリ
ード形成面と反対側のポリイミド樹脂面のレジスト層を
現像し、これによって露出した部分のポリイミド樹脂を
化学的に溶解除去した後、残留レジストを除去してＩＣ
チップを登載するためのデバイスホールやテープ送りの
ためのスプロケットホール等の形成を行う。さらに該電
気銅めっき層上にニッケル、はんだ、金等を電気めっ
き、あるいは無電解めっきによって形成する。
【０００６】このようにして得られた２層ＴＡＢは電気
的な信頼性が高く、配線の高密度化が可能な物である
が、これは基板用の絶縁体として良く用いられるポリイ
ミド樹脂の化学的安定性、機械的及び電気的特性の良好
さが大きく寄与している。しかしながら、この化学的安
定性はポリイミド樹脂を化学的に溶解し、加工する際に
大きな障害となっているのも事実である。と言うのは、
該ポリイミド樹脂をエッチングするためにはヒドラジン
等の強アルカリ性、強還元性の特殊な溶液をエッチング
液として用いなくてはならないが、該エッチング液の使
用は使用しうるレジストの選定余地を狭めてしまい、該
選定されたレジストの加工精度は通常必ずしも十分なも
のとは言えないからである。
的な信頼性が高く、配線の高密度化が可能な物である
が、これは基板用の絶縁体として良く用いられるポリイ
ミド樹脂の化学的安定性、機械的及び電気的特性の良好
さが大きく寄与している。しかしながら、この化学的安
定性はポリイミド樹脂を化学的に溶解し、加工する際に
大きな障害となっているのも事実である。と言うのは、
該ポリイミド樹脂をエッチングするためにはヒドラジン
等の強アルカリ性、強還元性の特殊な溶液をエッチング
液として用いなくてはならないが、該エッチング液の使
用は使用しうるレジストの選定余地を狭めてしまい、該
選定されたレジストの加工精度は通常必ずしも十分なも
のとは言えないからである。
【０００７】すなわち、上記代表的な方法に従い２層Ｔ
ＡＢを得る場合に使用されるレジストとしてゴム系樹脂
に感光性を付与させたものを用いるが、このゴム系樹脂
レジストでは最近の電子部品の高密度化、多機能化に伴
うビアホールの小径化、高密度化、即ち絶縁体のエッチ
ングの高精度化に対応しきれないからである。
ＡＢを得る場合に使用されるレジストとしてゴム系樹脂
に感光性を付与させたものを用いるが、このゴム系樹脂
レジストでは最近の電子部品の高密度化、多機能化に伴
うビアホールの小径化、高密度化、即ち絶縁体のエッチ
ングの高精度化に対応しきれないからである。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、極めて精度
良くポリイミド樹脂等の絶縁体のエッチング加工を可能
とする２層ＴＡＢの製造方法の提供を目的とする。
良くポリイミド樹脂等の絶縁体のエッチング加工を可能
とする２層ＴＡＢの製造方法の提供を目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、絶縁体の
エッチング精度は絶縁体表面に形成したエッチングレジ
ストと絶縁体の密着性に大きな影響を受けること、また
２層ＴＡＢの製造工程を改良することにより、絶縁体の
エッチングレジストとして感光性を有さないものでも使
用できることなどを見いだし本発明を完成させるに至っ
た。即ち、上記課題を解決するための本発明の方法は、
セミアディティブ法を用いて２層ＴＡＢを製造する工程
において、その両平面、あるいは全面に金属層を設けた
基板の一平面の金属層をリード形成用導通層として用
い、反対面の金属層を絶縁体用エッチングマスクとする
ものであり、好ましくは絶縁体の全面に金属層を設けて
基板とし、該基板の金属層上にレジスト層を設け、その
レジスト層の一面にリード形成用のマスクを設け、反対
面にポリイミド樹脂開孔用のマスクを設け、両面を同時
に露光し、リード形成用マスクを設けた面を現像し、露
出した金属層に電気めっきを施してリードを形成し、該
平面に残存するレジスト層を除去してポリイミド樹脂開
孔用マスクを設けた平面を現像した後、あるいはポリイ
ミド樹脂開孔用マスクを設けた平面を現像してリード形
成用マスクを設けた平面に残存するレジスト層を除去し
た後、露出している金属層を溶解除去し、ポリイミド樹
脂開孔用マスクを設けた平面に残存するレジストを除去
してポリイミド樹脂開孔用金属マスクを形成し、次いで
露出したポリイミド樹脂を溶解除去し、その後該金属マ
スクを溶解除去するものである。
エッチング精度は絶縁体表面に形成したエッチングレジ
ストと絶縁体の密着性に大きな影響を受けること、また
２層ＴＡＢの製造工程を改良することにより、絶縁体の
エッチングレジストとして感光性を有さないものでも使
用できることなどを見いだし本発明を完成させるに至っ
た。即ち、上記課題を解決するための本発明の方法は、
セミアディティブ法を用いて２層ＴＡＢを製造する工程
において、その両平面、あるいは全面に金属層を設けた
基板の一平面の金属層をリード形成用導通層として用
い、反対面の金属層を絶縁体用エッチングマスクとする
ものであり、好ましくは絶縁体の全面に金属層を設けて
基板とし、該基板の金属層上にレジスト層を設け、その
レジスト層の一面にリード形成用のマスクを設け、反対
面にポリイミド樹脂開孔用のマスクを設け、両面を同時
に露光し、リード形成用マスクを設けた面を現像し、露
出した金属層に電気めっきを施してリードを形成し、該
平面に残存するレジスト層を除去してポリイミド樹脂開
孔用マスクを設けた平面を現像した後、あるいはポリイ
ミド樹脂開孔用マスクを設けた平面を現像してリード形
成用マスクを設けた平面に残存するレジスト層を除去し
た後、露出している金属層を溶解除去し、ポリイミド樹
脂開孔用マスクを設けた平面に残存するレジストを除去
してポリイミド樹脂開孔用金属マスクを形成し、次いで
露出したポリイミド樹脂を溶解除去し、その後該金属マ
スクを溶解除去するものである。
【００１０】
【作用】本発明の方法はセミアディティブ法を用いたも
のであり、本発明の方法を構成する各単位操作に新規な
ものは無い。本発明を発明として特徴付けるところのも
のは、その両平面あるいは全面に金属層を有する基板を
用い、該基板の一平面の金属層をリード形成用導通層と
して用い、反対平面の金属層をエッチングレジスト層と
して用いることにある。
のであり、本発明の方法を構成する各単位操作に新規な
ものは無い。本発明を発明として特徴付けるところのも
のは、その両平面あるいは全面に金属層を有する基板を
用い、該基板の一平面の金属層をリード形成用導通層と
して用い、反対平面の金属層をエッチングレジスト層と
して用いることにある。
【００１１】本発明で用いる絶縁体の両平面あるいは全
面に金属層が設けられた基板はスパッタリング、イオン
プレーティング、真空蒸着、無電解めっき法等を用いて
作成でき、たとえば米国特許 5156731 号公報記載の方
法を用いることができる。
面に金属層が設けられた基板はスパッタリング、イオン
プレーティング、真空蒸着、無電解めっき法等を用いて
作成でき、たとえば米国特許 5156731 号公報記載の方
法を用いることができる。
【００１２】本発明に用いうる基板用の絶縁体として
は、化学的安定性、機械的強度、電気的特性の点よりポ
リイミド樹脂が好ましく、金属層として用いる金属の種
類は、絶縁体のエッチング液に対して耐性を持つもので
あれば良く特に限定されないが、この金属層は電気めっ
きの際に導通層としても用いるため電気伝導性に優れた
ものが好都合であること、パターニングの際のエッチン
グ性に優れたものが好都合であることを考慮すると銅、
ニッケル、コバルト、あるいはこれらの合金が好まし
い。また上記金属層の厚みは特に限定されず、電気めっ
きの導通層としての電気伝導性および絶縁体のエッチン
グレジストとしてのエッチング液に対する耐性を有する
厚みであればよい。
は、化学的安定性、機械的強度、電気的特性の点よりポ
リイミド樹脂が好ましく、金属層として用いる金属の種
類は、絶縁体のエッチング液に対して耐性を持つもので
あれば良く特に限定されないが、この金属層は電気めっ
きの際に導通層としても用いるため電気伝導性に優れた
ものが好都合であること、パターニングの際のエッチン
グ性に優れたものが好都合であることを考慮すると銅、
ニッケル、コバルト、あるいはこれらの合金が好まし
い。また上記金属層の厚みは特に限定されず、電気めっ
きの導通層としての電気伝導性および絶縁体のエッチン
グレジストとしてのエッチング液に対する耐性を有する
厚みであればよい。
【００１３】なお、本発明では絶縁体のエッチングレジ
ストとして金属層を用いるが、これは金属は一般にヒド
ラジン等の特殊な溶液に対する耐性が優れ、また金属と
絶縁体との密着性は、絶縁体表面に金属層を形成する方
法に依存し、例えば上記米国特許公報記載のように強固
な密着性を得ることも可能であるからである。金属層を
エッチングレジストとして用いるためには、金属層自身
をエッチングすることにより目的を達成することができ
る。
ストとして金属層を用いるが、これは金属は一般にヒド
ラジン等の特殊な溶液に対する耐性が優れ、また金属と
絶縁体との密着性は、絶縁体表面に金属層を形成する方
法に依存し、例えば上記米国特許公報記載のように強固
な密着性を得ることも可能であるからである。金属層を
エッチングレジストとして用いるためには、金属層自身
をエッチングすることにより目的を達成することができ
る。
【００１４】以上述べた本発明の方法を用いることによ
って、すなわち絶縁体のエッチングレジストとして感光
性有機物を用いず、上記金属層を用いることによってＴ
ＡＢの寸法精度を損なうことはない。以下実施例を用い
て本発明をさらに説明する。
って、すなわち絶縁体のエッチングレジストとして感光
性有機物を用いず、上記金属層を用いることによってＴ
ＡＢの寸法精度を損なうことはない。以下実施例を用い
て本発明をさらに説明する。
【００１５】
（実施例）東レ・デュポン社製ポリイミド樹脂「Kapton
200H」の全面を 30 体積％のヒドラジン一水和物水溶
液に 25 ℃で 2 分間浸漬し水洗した後、奥野製薬製「O
PC-80 キャタリスト M」を用い 25 ℃で 5 分間触媒付与を行
った後水洗し、奥野製薬製「OPC-555 アクセレーター」を用い
25 ℃で 7 分間促進化処理を行い水洗した。その後以下
に示す条件でポリイミド樹脂全面に無電解銅めっきを施
した。
200H」の全面を 30 体積％のヒドラジン一水和物水溶
液に 25 ℃で 2 分間浸漬し水洗した後、奥野製薬製「O
PC-80 キャタリスト M」を用い 25 ℃で 5 分間触媒付与を行
った後水洗し、奥野製薬製「OPC-555 アクセレーター」を用い
25 ℃で 7 分間促進化処理を行い水洗した。その後以下
に示す条件でポリイミド樹脂全面に無電解銅めっきを施
した。
【００１６】（めっき液の組成） CuSO4・5H2O ： 10 g/l EDTA・2Na ： 30 g/l 37%HCHO ： 5 ml/l PEG#1000 ： 0.5 g/l 2,2'-シ゛ヒ゜リシ゛ル ： 10 mg/l
【００１７】（めっき条件） 温 度 ： 65 ℃ 時 間 ： 10 分 攪はん ： 空気で攪
はん ｐＨ ： 12.5 （NaO
H で調節） その後得られた基板の銅表面に以下に示す条件で電気銅
めっきを行い、ポリイミド樹脂全面に厚さ 1 μmの銅被
膜（銅層Ａ）を形成した。
はん ｐＨ ： 12.5 （NaO
H で調節） その後得られた基板の銅表面に以下に示す条件で電気銅
めっきを行い、ポリイミド樹脂全面に厚さ 1 μmの銅被
膜（銅層Ａ）を形成した。
【００１８】（めっき液の組成） CuSO4・5H2O ： 80 g/l H2SO4 ： 180 g/l
【００１９】（めっき条件） 陰極電流密度 ： 3 A/dm2 温 度 ： 25 ℃ 攪 は ん ： 空気およ
びカソードロッカー 時 間 ： 2 分
びカソードロッカー 時 間 ： 2 分
【００２０】その後東京応化工業社製ネガ型フォトレジ
スト「PMER HC-600」を、銅層Ａのリード形成面に厚さ
45 μmになるように、また銅層Ａのポリイミド樹脂開孔
面に厚さ 2 μmになるように均一に塗布した後 70 ℃で
30 分間乾燥した。その後リード形成面の「PMER HC-60
0」層表面にはインナーリード部において幅 40 μm、間
隔 40 μmのリードが形成されるようなマスクを、また
ポリイミド開孔面の「PMER HC-600」層表面にはデバイ
スホール、スプロケットホールおよび外径 120 μmのビ
アホールが 100 個形成されるようなマスクをセット
し、各々のレジスト層に 800 mJ/cm2 および 40 mJ/cm2
の紫外線を照射した。次いでリード形成面の「PMER HC
-600」層の現像を行い、露出した銅層Ａ表面に以下に示
す条件で電気銅めっきを行いリードを形成した。
スト「PMER HC-600」を、銅層Ａのリード形成面に厚さ
45 μmになるように、また銅層Ａのポリイミド樹脂開孔
面に厚さ 2 μmになるように均一に塗布した後 70 ℃で
30 分間乾燥した。その後リード形成面の「PMER HC-60
0」層表面にはインナーリード部において幅 40 μm、間
隔 40 μmのリードが形成されるようなマスクを、また
ポリイミド開孔面の「PMER HC-600」層表面にはデバイ
スホール、スプロケットホールおよび外径 120 μmのビ
アホールが 100 個形成されるようなマスクをセット
し、各々のレジスト層に 800 mJ/cm2 および 40 mJ/cm2
の紫外線を照射した。次いでリード形成面の「PMER HC
-600」層の現像を行い、露出した銅層Ａ表面に以下に示
す条件で電気銅めっきを行いリードを形成した。
【００２１】（めっき液の組成） CuSO4・5H2O ： 80 g/l H2SO4 ： 180 g/l
【００２２】（めっき条件） 陰極電流密度 ： 3 A/dm2 温 度 ： 25 ℃ 攪 は ん ： 空気およ
びカソードロッカー 時 間 ： 1 時間
びカソードロッカー 時 間 ： 1 時間
【００２３】その後ポリイミド開孔面の「PMER HC-60
0」層を現像し、リード形成面の「PMER HC-600」層を剥
離した後、露出した銅層Ａを過硫酸アンモニウム 50 g/
l と硫酸 50 ml/l を含有する水溶液を用いて溶解除去
し、その後ポリイミド開孔面の「PMER HC-600」を剥離
した。
0」層を現像し、リード形成面の「PMER HC-600」層を剥
離した後、露出した銅層Ａを過硫酸アンモニウム 50 g/
l と硫酸 50 ml/l を含有する水溶液を用いて溶解除去
し、その後ポリイミド開孔面の「PMER HC-600」を剥離
した。
【００２４】以上の処理によって、ポリイミド開孔面に
は厚さ 1 μmの銅層Ａがポリイミド樹脂のエッチングレ
ジストとしてパターニングされた。その後露出したポリ
イミド樹脂部をヒドラジン一水和物を用い 50 ℃で 5
分間エッチングし、デバイスホール、スプロケットホー
ルおよびビアホール部を形成し、さらに残留している銅
層Ａを過硫酸アンモニウム 50 g/l と硫酸 50 ml/l を
含有する水溶液を用いて溶解除去して２層ＴＡＢを得
た。得られた２層ＴＡＢのビアホールの外径を測定した
ところ、最大で 124 μm、最小で 118 μm、平均 123
μmでありこれは充分寸法精度を満足するものであっ
た。
は厚さ 1 μmの銅層Ａがポリイミド樹脂のエッチングレ
ジストとしてパターニングされた。その後露出したポリ
イミド樹脂部をヒドラジン一水和物を用い 50 ℃で 5
分間エッチングし、デバイスホール、スプロケットホー
ルおよびビアホール部を形成し、さらに残留している銅
層Ａを過硫酸アンモニウム 50 g/l と硫酸 50 ml/l を
含有する水溶液を用いて溶解除去して２層ＴＡＢを得
た。得られた２層ＴＡＢのビアホールの外径を測定した
ところ、最大で 124 μm、最小で 118 μm、平均 123
μmでありこれは充分寸法精度を満足するものであっ
た。
【００２５】（従来例）実施例で用いたポリイミド樹脂
の片面に実施例と同様な手段で無電解銅めっきおよび電
気銅めっきを施し厚さ 1 μmの銅被膜（銅層Ｂ）を形成
した。その後、銅層Ｂには東京応化工業社製ネガ型フォ
トレジスト「PMER HC-600」を厚さ 45μmに均一に塗布
した後 70 ℃で30 分間乾燥し、ポリイミド樹脂上には
冨士薬品工業社製ゴム系ネガ型フォトレジスト「FSR-
S」を厚さ 10 μmに均一に塗布した後、70 ℃で 30 分
間乾燥処理した。その後「PMER HC-600」側にはインナ
ーリード部において幅 40 μm、間隔 40 μmのリードが
形成されるようなマスクを、また「FSR-S」側にはデバ
イスホール、スプロケットホールおよび外径 120 μmの
ビアホールが 100 個形成されるようなマスクをセット
し、各々のレジスト層に800 mJ/cm2 および 110 mJ/cm2
の紫外線を照射した後現像を行い、「PMER HC-600」側
には所定のリードパターンによる銅層Ｂを露出させ、
「FSR-S」側には化学的な溶解を行うためのデバイスホ
ール、スプロケットホールおよびビアホール部分のポリ
イミド樹脂を露出させた。上記処理を施して露出した銅
層Ｂ上に以下に示す条件で電気銅めっきを施してリード
を形成した。
の片面に実施例と同様な手段で無電解銅めっきおよび電
気銅めっきを施し厚さ 1 μmの銅被膜（銅層Ｂ）を形成
した。その後、銅層Ｂには東京応化工業社製ネガ型フォ
トレジスト「PMER HC-600」を厚さ 45μmに均一に塗布
した後 70 ℃で30 分間乾燥し、ポリイミド樹脂上には
冨士薬品工業社製ゴム系ネガ型フォトレジスト「FSR-
S」を厚さ 10 μmに均一に塗布した後、70 ℃で 30 分
間乾燥処理した。その後「PMER HC-600」側にはインナ
ーリード部において幅 40 μm、間隔 40 μmのリードが
形成されるようなマスクを、また「FSR-S」側にはデバ
イスホール、スプロケットホールおよび外径 120 μmの
ビアホールが 100 個形成されるようなマスクをセット
し、各々のレジスト層に800 mJ/cm2 および 110 mJ/cm2
の紫外線を照射した後現像を行い、「PMER HC-600」側
には所定のリードパターンによる銅層Ｂを露出させ、
「FSR-S」側には化学的な溶解を行うためのデバイスホ
ール、スプロケットホールおよびビアホール部分のポリ
イミド樹脂を露出させた。上記処理を施して露出した銅
層Ｂ上に以下に示す条件で電気銅めっきを施してリード
を形成した。
【００２６】（めっき液の組成） CuSO4・5H2O ： 80 g/l H2SO4 ： 180 g/l
【００２７】（めっき条件） 陰極電流密度 ： 3 A/dm2 温 度 ： 25 ℃ 攪 は ん ： 空気およ
びカソードロッカー 時 間 ： 1 時間
びカソードロッカー 時 間 ： 1 時間
【００２８】上記処理後「PMER HC-600」を剥離し、露
出した銅層Ｂを電気銅めっきで形成したリードをマスク
として過硫酸アンモニウム 50 g/l と硫酸 50ml/l を含
有する水溶液を用いて溶解除去し、露出したポリイミド
樹脂表面およびリード表面に、「FSR-S」を厚さ 20 μm
に均一に塗布し 100 ℃で 30 分間乾燥処理を行った。
その後露出したポリイミド樹脂部をヒドラジン一水和物
を用い 50 ℃で 5 分間エッチングし、デバイスホー
ル、スプロケットホールおよびビアホール部を形成し、
さらに「FSR-S」を剥離することによって２層ＴＡＢが
得られた。得られた２層ＴＡＢのデバイスホールおよび
スプロケットホールを観察したところ、ポリイミド開孔
部の直線性が喪失している部分が多数観察され、またビ
アホールの外径を測定したところ、最大で225 μm、最
小で 135 μm、平均 172 μmでありこれは寸法精度を満
足せず、電子部品として使用した場合著しく信頼性に欠
けるものとなる。以上述べたように、本発明の方法によ
れば信頼性の高い２層ＴＡＢが確実に得られる。
出した銅層Ｂを電気銅めっきで形成したリードをマスク
として過硫酸アンモニウム 50 g/l と硫酸 50ml/l を含
有する水溶液を用いて溶解除去し、露出したポリイミド
樹脂表面およびリード表面に、「FSR-S」を厚さ 20 μm
に均一に塗布し 100 ℃で 30 分間乾燥処理を行った。
その後露出したポリイミド樹脂部をヒドラジン一水和物
を用い 50 ℃で 5 分間エッチングし、デバイスホー
ル、スプロケットホールおよびビアホール部を形成し、
さらに「FSR-S」を剥離することによって２層ＴＡＢが
得られた。得られた２層ＴＡＢのデバイスホールおよび
スプロケットホールを観察したところ、ポリイミド開孔
部の直線性が喪失している部分が多数観察され、またビ
アホールの外径を測定したところ、最大で225 μm、最
小で 135 μm、平均 172 μmでありこれは寸法精度を満
足せず、電子部品として使用した場合著しく信頼性に欠
けるものとなる。以上述べたように、本発明の方法によ
れば信頼性の高い２層ＴＡＢが確実に得られる。
【００２９】
【発明の効果】本発明によれば、従来困難であった２層
ＴＡＢのポリイミド樹脂部を微細にかつ精度良く加工す
ることが可能となり、本発明で得られたＴＡＢを用いる
ことによってより高密度なＴＡＢ実装を高い信頼性で行
うことが可能となる。また本発明は樹脂の微細なエッチ
ング加工に応用が可能であり、その波及効果は極めて大
きい。
ＴＡＢのポリイミド樹脂部を微細にかつ精度良く加工す
ることが可能となり、本発明で得られたＴＡＢを用いる
ことによってより高密度なＴＡＢ実装を高い信頼性で行
うことが可能となる。また本発明は樹脂の微細なエッチ
ング加工に応用が可能であり、その波及効果は極めて大
きい。
Claims (4)
- 【請求項１】 セミアディティブ法を用いて２層ＴＡ
Ｂを製造する工程において、その両平面もしくは全面に
金属層を有する絶縁板を基板とし、該基板の一平面の金
属層をリード形成用導通層として用い、反対平面の金属
層を絶縁体エッチング用マスクとして用いることを特徴
とする２層ＴＡＢの製造方法。 - 【請求項２】 絶縁体の全面に金属層を設けた基板の
金属層上にレジスト層を設け、そのレジスト層の一面に
リード形成用のマスクを設け、反対面にポリイミド樹脂
開孔用のマスクを設け、両面を同時に露光し、リード形
成用マスクを設けた面を現像し、露出した金属層に電気
めっきを施してリードを形成し、該平面に残存するレジ
スト層を除去してポリイミド樹脂開孔用マスクを設けた
平面を現像した後、あるいはポリイミド樹脂開孔用マス
クを設けた平面を現像してリード形成用マスクを設けた
平面に残存するレジスト層を除去した後、露出している
金属層を溶解除去し、ポリイミド樹脂開孔用マスクを設
けた平面に残存するレジストを除去してポリイミド樹脂
開孔用金属マスクを形成し、次いで露出したポリイミド
樹脂を溶解除去し、その後該金属マスクを溶解除去する
ことを特徴とする２層ＴＡＢの製造方法。 - 【請求項３】 基板を構成する絶縁体がポリイミド樹
脂であることを特徴とする請求項１または２のいずれか
記載の２層ＴＡＢの製造方法。 - 【請求項４】 金属層が銅、ニッケル、コバルトある
いはこれらの合金のうちのいずれか一つであることを特
徴とする請求項１〜３のいずれかに記載された２層ＴＡ
Ｂの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1686593A JPH06209030A (ja) | 1993-01-08 | 1993-01-08 | ２ 層 ｔ ａ ｂ の 製 造 方 法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1686593A JPH06209030A (ja) | 1993-01-08 | 1993-01-08 | ２ 層 ｔ ａ ｂ の 製 造 方 法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06209030A true JPH06209030A (ja) | 1994-07-26 |
Family
ID=11928114
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1686593A Pending JPH06209030A (ja) | 1993-01-08 | 1993-01-08 | ２ 層 ｔ ａ ｂ の 製 造 方 法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06209030A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003077960A (ja) * | 2001-09-06 | 2003-03-14 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 半導体装置用テープキャリアの製造方法およびこれを用いて得られるテープキャリア |
-
1993
- 1993-01-08 JP JP1686593A patent/JPH06209030A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003077960A (ja) * | 2001-09-06 | 2003-03-14 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 半導体装置用テープキャリアの製造方法およびこれを用いて得られるテープキャリア |
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