JPH0620963A - 真空薄膜堆積装置 - Google Patents

真空薄膜堆積装置

Info

Publication number
JPH0620963A
JPH0620963A JP3333180A JP33318091A JPH0620963A JP H0620963 A JPH0620963 A JP H0620963A JP 3333180 A JP3333180 A JP 3333180A JP 33318091 A JP33318091 A JP 33318091A JP H0620963 A JPH0620963 A JP H0620963A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
heater
thin film
vacuum chamber
deposition apparatus
film deposition
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP3333180A
Other languages
English (en)
Inventor
Hiroaki Yonekura
広顕 米倉
Ryoichi Matsumoto
良一 松本
Hiroyoshi Takezawa
浩義 竹澤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority to JP3333180A priority Critical patent/JPH0620963A/ja
Publication of JPH0620963A publication Critical patent/JPH0620963A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 本発明は真空槽内にヒーターを有する真空薄
膜堆積装置のヒーターメンテナンス作業効率をヒーター
構造を改善することで大幅に向上させるもので、メンテ
ナンスに要する費用・時間を削減することを目的とす
る。 【構成】 ヒーター6を真空槽1壁から取り外すこと無
く止め具8等の操作で複数に分割し着脱可能な構造のヒ
ーターカバー7をヒーター6全面を覆うように取り付け
る。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は平行平板型プラズマ化学
気相堆積装置等の真空槽内にヒーターを有する真空薄膜
堆積装置において、ヒーターのメンテナンスの能率を向
上させるためのヒーター構造に関するものである。
【0002】
【従来の技術】従来の平行平板型プラズマ化学気相堆積
装置について説明する。プラズマ化学気相堆積装置は液
晶などと組み合わせて画像表示装置を形成するための薄
膜トランジスタの半導体膜やゲート絶縁膜を形成する装
置で真空槽内の不純物・パーティクルをいかに少なくす
るかが製品の性能・品質を安定確保するために非常に重
要である。
【0003】図3はプラズマ化学気相堆積装置の主要断
面構成図である。基板3上の薄膜の形成はSiを主成分
とする材料ガスをシャワー状にガスが出るように多数の
穴の設けられた放電電極4を通して真空槽1内に導入し
トレー2と放電電極4との間でプラズマ放電を行うこと
で得られる。トレー2にはヒーター6によって所望の温
度にコントロールされた基板3がセットされており、プ
ラズマ放電により生成された活性種が真空槽1内全体に
拡散し基板3、さらには真空槽内各部に薄膜を堆積す
る。真空槽1内に付着した堆積膜は累積された膜厚が増
加するに従って剥離を起こし真空槽1内を汚染して製品
の性能・品質を低下させる要因となり定期的に膜を除去
するためのクリーニングが必要である。膜の除去方法と
してはプラズマガスクリーニングが一般に用いられてお
り、材料ガスの代わりにクリーニングガスとして例えば
フロン系ガス(CF4、ClF3、SF6)に酸素(O2)を
混合したガスを放電電極4を通して真空槽1内に導入す
る。クリーニングガスはヒーター6、真空槽1の壁等接
地されている電極(図示せず)と放電電極4との間で高
周波プラズマ放電を起こし、生成された活性種を堆積膜
と反応させガス化させて真空槽1外へ排出する。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
技術では下記に示すような課題があった。
【0005】すなわち、ヒーターに付着した膜はガスク
リーニングだけでは完全に除去しきれず徐々に累積して
剥離し真空槽1内を汚染するパーティクルの発生源とな
る。また、真空槽1内に導入されたクリーニングガスの
活性種が温度の高いヒーター表面のステンレス材質中の
Fe成分をフッ素化し粒界腐食を起こす。この腐食生成
物が徐々に剥離を起こし真空槽内を汚染する。この残留
膜によるパーティクル、クリーニングガスによる腐食生
成物の発生を抑制するために定期的にヒーターを真空槽
1壁から取り外し交換する必要があり、莫大な交換材料
費用及び真空機密性を損なうためにメンテナンス後の真
空機密性テスト等の確認が必要なため多くの工数を必要
としていた。また、その期間設備停止のための装置稼働
率低下を生じていた。製品の大型化・量産化に伴い真空
薄膜堆積装置の寸法も年々大型化する傾向があり、装置
メンテナンスの効率向上は重要な課題となっている。
【0006】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
本発明の真空薄膜堆積装置は、ヒーターを真空槽壁から
取り外すこと無く、止め具等の操作で複数に分割し着脱
可能な構造のカバーをヒーター全面を覆うように取り付
けたものである。
【0007】
【作用】上記したようにヒーターをカバーで覆うこと
で、ヒーター表面にプラズマ放電時発生した活性種が到
達することを抑えてヒーター表面上の残留膜の累積・腐
食の発生を防止する。また、ヒーターをメンテナンスす
る際は、ヒーターを真空槽壁から取り外す必要はなくヒ
ーターカバーのみを止め金具を付け外しすることにより
容易に分解・取り外し交換することで代用できる。
【0008】
【実施例】図1は平行平板型プラズマ化学気相堆積装置
であり、SiH4とその他の材料ガスを用いて非晶質S
i膜・非晶質窒化Si膜等を基板上に堆積することがで
きる。また、真空槽内各部の堆積膜の除去にはCF4
スを用いたプラズマガスクリーニング方法が採用されて
いる。
【0009】以下、本発明の一実施例を図面に基づいて
説明する。図1において1は真空槽である。この真空槽
1の低部にはシャワー状にガスがでるように多数の穴の
設けられた一辺が800mm程度の正方形である放電電極
4が取り付けられている。また、上部には電気的に接地
された放電電極4とほぼ同サイズのトレー2にセットさ
れた基板3を所望の温度にコントロールするための、放
電電極4と同サイズで重量が100kgのヒーター6が設
置されている。ヒーター6には図中横方向に2分割し容
易に取り外すことのできるヒーターカバー7が取り付け
られている。堆積膜の除去の際にはクリーニングガスが
放電電極より真空槽1内に導入され、放電電極4と対向
電極(トレー)2との間で高周波放電を起こす。放電時
発生した活性種が堆積膜と反応し、膜をガス化して真空
槽外へ排気する。
【0010】次に本実施例における作用を説明する。薄
膜堆積時は、ヒーターカバー7によってヒーター6表面
に活性種が到達する度合いが著しく低下し、ヒーター表
面に直接膜が付着することはなく、メンテナンスが必要
な場合でもヒーター6自身を取り外す必要はない。ま
た、クリーニングにおいて放電時発生した腐食性のある
活性種は真空槽内全体に広がるが、ヒーターカバー7に
よって活性種にヒーター6がさらされる度合いが著しく
低下し、ヒーター6表面の腐食を抑えることが出来る。
ヒーターカバー7の堆積膜の累積・腐食がある程度進行
してカバーを交換せざるを得なくなった場合でも図2に
示すようにフック状の止め金具8を外してカバーを2分
割しヒーター6に対して水平方向にスライドして容易に
取り外せる構造になっており、ヒーター6を真空槽壁か
ら取り外す必要は無い。また、ヒーター6を外さないの
で工事後の真空槽壁とヒーター取付部分の真空機密性の
確認も必要なく、容易に短時間で行うことが出来る。そ
の結果、ヒーター関連のメンテナンス時間は(表1)に
示すように、従来は一つの真空槽あたり60Hr/名必
要としていたものがカバー取り付け改善後は4Hr/名
で行うことができるようになった。
【0011】
【表1】
【0012】
【発明の効果】本発明は、ヒーターのメンテナンスにお
いてヒーターの取り外しメンテナンスの代わりにヒータ
ーのカバー交換作業にて同様の性能を得てメンテナンス
作業時間を大幅に短縮するものである。なお、本発明の
一実施例として平行平板型プラズマ化学気相堆積装置に
ついて説明してきたが、本発明はその他の加熱機構を有
した真空堆積装置全般においてもその効果を損なうもの
ではない。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例における平行平板型プラズマ
化学気相堆積装置の部分拡大断面図
【図2】本発明の一実施例におけるカバー取り外し方法
を示す図
【図3】従来のプラズマ化学気相堆積装置の断面図
【符号の説明】
1 真空槽 2 トレー 3 基板 4 放電電極 5 トレー搬送ローラー 6 ヒーター 7 ヒーターカバー 8 止め金具

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】発熱体である熱素線を金属板で袋状に囲っ
    ているヒーターを真空槽内に有する真空薄膜堆積装置に
    おいて、着脱可能なカバーで前記ヒーターが完全に覆わ
    れていることを特徴とする真空薄膜堆積装置。
  2. 【請求項2】カバーがステンレス系の材質から成り、止
    め具等の操作により複数個に分割し、ヒーターから着脱
    が可能であることを特徴とする請求項1記載の真空薄膜
    堆積装置。
  3. 【請求項3】Siを主成分とする非晶質薄膜を形成する
    プラズマ化学気相堆積装置であることを特徴とする請求
    項1記載の真空薄膜堆積装置。
JP3333180A 1991-12-17 1991-12-17 真空薄膜堆積装置 Pending JPH0620963A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP3333180A JPH0620963A (ja) 1991-12-17 1991-12-17 真空薄膜堆積装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP3333180A JPH0620963A (ja) 1991-12-17 1991-12-17 真空薄膜堆積装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH0620963A true JPH0620963A (ja) 1994-01-28

Family

ID=18263200

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP3333180A Pending JPH0620963A (ja) 1991-12-17 1991-12-17 真空薄膜堆積装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH0620963A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6826973B2 (en) * 2002-12-20 2004-12-07 Kimberly-Clark Worldwide, Inc. Heated mechanical arm
JP2010159450A (ja) * 2009-01-07 2010-07-22 Ishikawa Seisakusho Ltd 触媒化学気相成長装置の触媒体支持構造

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6826973B2 (en) * 2002-12-20 2004-12-07 Kimberly-Clark Worldwide, Inc. Heated mechanical arm
JP2010159450A (ja) * 2009-01-07 2010-07-22 Ishikawa Seisakusho Ltd 触媒化学気相成長装置の触媒体支持構造

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5885356A (en) Method of reducing residue accumulation in CVD chamber using ceramic lining
JP6306030B2 (ja) シャドーフレームサポート
WO2008131402A1 (en) Structure and process to prevent peeling of reaction product in semiconductor device manufacture
JP2011233583A (ja) 気相成長装置及びシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法
KR100755804B1 (ko) 알루미늄 함유 금속막 및 알루미늄 함유 금속 질화막을증착하는 박막 증착 장치의 세정방법
JPS63246814A (ja) 薄膜形成装置
JPH0620963A (ja) 真空薄膜堆積装置
JP2010001554A (ja) 堆積物除去方法
JPH0568096B2 (ja)
JPH08153682A (ja) プラズマcvd装置
JPH0831752A (ja) Cvd装置の反応室のクリーニング方法およびコーティング方法
JPH0758016A (ja) 成膜処理装置
JP3820212B2 (ja) Cvdチャンバクリーニング後にcvdチャンバをコンディショニングする方法
JPH108269A (ja) ドライエッチング装置
JPS6323827B2 (ja)
JPS63215037A (ja) ケイ素系薄膜の製造方法
JPH11131239A (ja) プラズマcvd成膜方法および装置
US20250354258A1 (en) Dry clean module for cleaning gas distribution plates
EP1154037A1 (en) Methods for improving chemical vapor deposition processing
JP2641193B2 (ja) 堆積膜製造装置
JPS58208119A (ja) 薄膜シリコン生成方法
JP2891991B1 (ja) プラズマcvd装置
JPS5953211B2 (ja) 薄膜シリコン生成装置
TW202613349A (zh) 用於清洗氣體分配板的乾式清洗模組
CN116607123A (zh) 沉积方法及衬底处理设备