JPH0621012A - 半導体製造方法及び製造装置 - Google Patents
半導体製造方法及び製造装置Info
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- JPH0621012A JPH0621012A JP4174624A JP17462492A JPH0621012A JP H0621012 A JPH0621012 A JP H0621012A JP 4174624 A JP4174624 A JP 4174624A JP 17462492 A JP17462492 A JP 17462492A JP H0621012 A JPH0621012 A JP H0621012A
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- wafer
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は，半導体製造工程におけるウェハー
温度の制御技術に関し，工程中におけるウェハーの温度
をインプロセスで測定することが可能で, しかも不純物
による装置の汚染が生じることがない,ウェハー温度の
測定及び制御方法,並びにその装置を提供することをを
目的とする。 【構成】 ウェハー上にレジスト膜を形成する工程
と,処理工程における該ウェハー上の，該レジスト膜に
固有の赤外吸収スペクトル線強度を測定する工程とを有
するように，又，レジスト膜に固有の赤外吸収スペクト
ル線強度を測定する赤外線温度計出力を,ウェハー温度
制御機構にフィードバックする工程を有するように構成
し，並びに 処理工程におけるウェハー上のレジスト膜
温度測定装置と,該温度測定装置の出力によって, ウェ
ハー温度を制御する温度制御ユニットと該温度制御ユニ
ットによって制御されるウェハー温度制御機構とを有す
るように構成する。
温度の制御技術に関し，工程中におけるウェハーの温度
をインプロセスで測定することが可能で, しかも不純物
による装置の汚染が生じることがない,ウェハー温度の
測定及び制御方法,並びにその装置を提供することをを
目的とする。 【構成】 ウェハー上にレジスト膜を形成する工程
と,処理工程における該ウェハー上の，該レジスト膜に
固有の赤外吸収スペクトル線強度を測定する工程とを有
するように，又，レジスト膜に固有の赤外吸収スペクト
ル線強度を測定する赤外線温度計出力を,ウェハー温度
制御機構にフィードバックする工程を有するように構成
し，並びに 処理工程におけるウェハー上のレジスト膜
温度測定装置と,該温度測定装置の出力によって, ウェ
ハー温度を制御する温度制御ユニットと該温度制御ユニ
ットによって制御されるウェハー温度制御機構とを有す
るように構成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は，半導体製造工程におけ
るウェハー温度の制御技術に関する。近年，VLSIはより
微細化が進み, ドライエッチング処理等の各種ウェハー
処理において, 処理時のウェハー温度の制御は重要な技
術になってきている。特にドライエッチングにおいて
は，ウェハー表面での反応速度がウェハー温度に大きく
依存しているため, ウェハー温度の制御技術が重要不可
欠になってきている。
るウェハー温度の制御技術に関する。近年，VLSIはより
微細化が進み, ドライエッチング処理等の各種ウェハー
処理において, 処理時のウェハー温度の制御は重要な技
術になってきている。特にドライエッチングにおいて
は，ウェハー表面での反応速度がウェハー温度に大きく
依存しているため, ウェハー温度の制御技術が重要不可
欠になってきている。
【０００２】
【従来の技術】従来, プラズマエッチングにおいて, ブ
ラズマ中のウェハー温度を測定するためには二つの方法
があった。その一つは, 測定用ウェハー面上に黒体塗料
を塗布し, それからの黒体輻射を赤外線温度計によって
測定する方法であった。他の一つは, 測定用ウェハー裏
面に蛍光物質を塗布して蛍光物質層を形成しておき, 光
ファイバーを通してパルス光により該蛍光物質層を照射
する時, これに伴って発光する蛍光の減衰時定数を測定
することにより温度を求める方法であった。
ラズマ中のウェハー温度を測定するためには二つの方法
があった。その一つは, 測定用ウェハー面上に黒体塗料
を塗布し, それからの黒体輻射を赤外線温度計によって
測定する方法であった。他の一つは, 測定用ウェハー裏
面に蛍光物質を塗布して蛍光物質層を形成しておき, 光
ファイバーを通してパルス光により該蛍光物質層を照射
する時, これに伴って発光する蛍光の減衰時定数を測定
することにより温度を求める方法であった。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】これら従来の方法は何
れも, 温度を測定するために, 温度測定用ウェハーが特
別に必要である。即ち, この温度測定用ウェハーを, 例
えばプラズマエッチング装置にセットしてプラズマ中の
温度を測定し，そこで得られた温度をもって,プラズマ
エッチング工程における実際のウェハーの温度と見做す
ものである。
れも, 温度を測定するために, 温度測定用ウェハーが特
別に必要である。即ち, この温度測定用ウェハーを, 例
えばプラズマエッチング装置にセットしてプラズマ中の
温度を測定し，そこで得られた温度をもって,プラズマ
エッチング工程における実際のウェハーの温度と見做す
ものである。
【０００４】従って, これら従来の測定方法は所謂イン
プロセスの温度を測定するものではない。又, 温度測定
用ウェハーの黒体塗料或いは蛍光塗料に含まれる不純物
によって, 処理装置が汚染されるという問題があった。
プロセスの温度を測定するものではない。又, 温度測定
用ウェハーの黒体塗料或いは蛍光塗料に含まれる不純物
によって, 処理装置が汚染されるという問題があった。
【０００５】そこで, 本発明は, 工程中におけるウェハ
ーの温度をインプロセスで測定することが可能で, しか
も不純物による装置の汚染が生じることがない,ウェハ
ー温度の測定及び制御方法, 並びにその装置を提供する
ことを目的とする。
ーの温度をインプロセスで測定することが可能で, しか
も不純物による装置の汚染が生じることがない,ウェハ
ー温度の測定及び制御方法, 並びにその装置を提供する
ことを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記課題は, 下記方法及
び製造装置によって解決される。ウェハー上にレジスト
膜を形成する工程と,処理工程における該ウェハー上
の，該レジスト膜に固有の赤外吸収スペクトル線強度を
測定する工程とを有するウェハー温度の測定方法, 及び
レジスト膜に固有の赤外吸収スペクトル線強度を測定す
る赤外線温度計出力を,ウェハー温度制御機構にフィー
ドバックすることにより,ウェハー温度を制御する方法,
並びに処理工程におけるウェハー上のレジスト膜温度
測定装置と,該温度測定装置の出力によって, ウェハー
温度を制御する温度制御ユニットと該温度制御ユニット
によって制御されるウェハー温度制御機構とを有するウ
ェハー処理装置。
び製造装置によって解決される。ウェハー上にレジスト
膜を形成する工程と,処理工程における該ウェハー上
の，該レジスト膜に固有の赤外吸収スペクトル線強度を
測定する工程とを有するウェハー温度の測定方法, 及び
レジスト膜に固有の赤外吸収スペクトル線強度を測定す
る赤外線温度計出力を,ウェハー温度制御機構にフィー
ドバックすることにより,ウェハー温度を制御する方法,
並びに処理工程におけるウェハー上のレジスト膜温度
測定装置と,該温度測定装置の出力によって, ウェハー
温度を制御する温度制御ユニットと該温度制御ユニット
によって制御されるウェハー温度制御機構とを有するウ
ェハー処理装置。
【０００７】図１は本発明の原理説明図である。図１
(a) は半導体ウェハー温度測定装置の模式図である。図
において, 1 は半導体ウェハー, 2 は半導体ウェハー上
のレジスト膜, 3 はレンズ, 4 はスリット, 5 は赤外線
フィルター, 6 は赤外線センサー, 7 は赤外線温度計で
ある。又, 図1(b)は, レジスト膜の赤外吸収スペクトル
と赤外線フィルター5 の透過特性を模式的に示す図であ
る。図において8 はレジスト膜の赤外吸収スペクトル,
9 は赤外線フィルター5 の透過特性を表す。レジスト膜
の例えば8 μm の吸収波長に相当するバンドパスフィル
ター5 を赤外線温度計7 の赤外線センサー6 の前に設け
ることにより, 8 μm の吸収波長帯以外の輻射がカット
され, 8 μm の吸収スペクトル強度が精確に測定され
る。8 μm の吸収スペクトル強度はレジスト膜の温度に
依存することから, 8 μm の吸収スペクトル強度の測定
によって, レジスト膜2 の温度を測定することができ
る。レジスト膜2 はウェハー1 に密着しており, 又レジ
スト膜2 の厚さは約1 μm と薄いためにレジスト膜2 の
温度はウェハー1 の温度と略同一であると見做される。
(a) は半導体ウェハー温度測定装置の模式図である。図
において, 1 は半導体ウェハー, 2 は半導体ウェハー上
のレジスト膜, 3 はレンズ, 4 はスリット, 5 は赤外線
フィルター, 6 は赤外線センサー, 7 は赤外線温度計で
ある。又, 図1(b)は, レジスト膜の赤外吸収スペクトル
と赤外線フィルター5 の透過特性を模式的に示す図であ
る。図において8 はレジスト膜の赤外吸収スペクトル,
9 は赤外線フィルター5 の透過特性を表す。レジスト膜
の例えば8 μm の吸収波長に相当するバンドパスフィル
ター5 を赤外線温度計7 の赤外線センサー6 の前に設け
ることにより, 8 μm の吸収波長帯以外の輻射がカット
され, 8 μm の吸収スペクトル強度が精確に測定され
る。8 μm の吸収スペクトル強度はレジスト膜の温度に
依存することから, 8 μm の吸収スペクトル強度の測定
によって, レジスト膜2 の温度を測定することができ
る。レジスト膜2 はウェハー1 に密着しており, 又レジ
スト膜2 の厚さは約1 μm と薄いためにレジスト膜2 の
温度はウェハー1 の温度と略同一であると見做される。
【０００８】
【作用】図2 は本発明に使用されるレジスト膜の赤外吸
収スペクトルを示している。図2(a)はi 線レジスト,
図2(b)はg 線レジストと呼ばれるものの赤外吸収スペク
トルで, これらはいずれも8 μm 近傍( 正確には7.95μ
m , 波数では1257cm-1)にベンゼン環に起因する吸収線
を持つ。又3 μm 近傍にはOH基に起因する吸収線を持
つ。尚， 1250cm-1近傍に書かれている3 本の縦線は,
7.59μm を中心とする幅±0.15μm のフィルター性能を
示すものである。
収スペクトルを示している。図2(a)はi 線レジスト,
図2(b)はg 線レジストと呼ばれるものの赤外吸収スペク
トルで, これらはいずれも8 μm 近傍( 正確には7.95μ
m , 波数では1257cm-1)にベンゼン環に起因する吸収線
を持つ。又3 μm 近傍にはOH基に起因する吸収線を持
つ。尚， 1250cm-1近傍に書かれている3 本の縦線は,
7.59μm を中心とする幅±0.15μm のフィルター性能を
示すものである。
【０００９】これらの吸収線はレジスト一般に共通した
吸収線で, レジストが係わる温度測定には 8μm 吸収線
強度, 又は3 μm 吸収線強度の温度依存性のいずれを利
用することも可能である。しかし, 測定可能の温度範囲
としては, 前者は室温以上の温度で, 後者は約200 °C
以上の温度になる。本発明においては, 8 μm 吸収線を
利用し, これに対応するバンドパスフィルターを有する
赤外線温度計を用いてレジストの温度を測定する。
吸収線で, レジストが係わる温度測定には 8μm 吸収線
強度, 又は3 μm 吸収線強度の温度依存性のいずれを利
用することも可能である。しかし, 測定可能の温度範囲
としては, 前者は室温以上の温度で, 後者は約200 °C
以上の温度になる。本発明においては, 8 μm 吸収線を
利用し, これに対応するバンドパスフィルターを有する
赤外線温度計を用いてレジストの温度を測定する。
【００１０】図3 は赤外線温度計の読みを, 熱電対によ
る温度の読みと比較することによって赤外線温度計の精
度を示した図である。図3(a)は, レジスト膜の厚さが3.
6 μm 以上で, レジスト膜のエミッシビリティが1.00の
場合を示している。この場合, 赤外線温度計の読みと熱
電対による温度の読みとの差( ΔT ) は 2℃である。
又, 図3(b)はレジスト膜の厚さが1.2 μm で, レジスト
膜のエミッシビリティが0.60に相当する補正を行った場
合を示している。この場合においても, ΔT は 6℃以下
である。
る温度の読みと比較することによって赤外線温度計の精
度を示した図である。図3(a)は, レジスト膜の厚さが3.
6 μm 以上で, レジスト膜のエミッシビリティが1.00の
場合を示している。この場合, 赤外線温度計の読みと熱
電対による温度の読みとの差( ΔT ) は 2℃である。
又, 図3(b)はレジスト膜の厚さが1.2 μm で, レジスト
膜のエミッシビリティが0.60に相当する補正を行った場
合を示している。この場合においても, ΔT は 6℃以下
である。
【００１１】従って, 赤外線温度計による半導体ウェハ
ー温度測定は実用上, 熱電対による温度測定と同等であ
る。
ー温度測定は実用上, 熱電対による温度測定と同等であ
る。
【００１２】
【実施例】本発明の二つの実施例について図を参照しな
がら以下に説明する。それらの図及び前図において, 同
一の符号は同一部材を表すものとする。 第１の実施例 図4 は, 本発明による平行平板ドライエッチング装置を
示す模式図である。本装置は, 従来の平行平板ドライエ
ッチング装置に本発明の半導体ウェハー温度測定手段(
赤外線カメラ15)と, 温度制御ユニット16と,静電チャッ
ク電源17を設けた装置である。図において, 10はドライ
エッチングチャンバー, 11はRF印加電極, 12は対向電
極, 13は静電チャック，14は赤外線透過窓, 15は赤外線
カメラ(例えば, ミノルタカメラ (株)製, 004型 ), 16
は温度制御ユニット, 17は静電チャック電源, 20は冷却
水入り口, 21は冷却水出口である。
がら以下に説明する。それらの図及び前図において, 同
一の符号は同一部材を表すものとする。 第１の実施例 図4 は, 本発明による平行平板ドライエッチング装置を
示す模式図である。本装置は, 従来の平行平板ドライエ
ッチング装置に本発明の半導体ウェハー温度測定手段(
赤外線カメラ15)と, 温度制御ユニット16と,静電チャッ
ク電源17を設けた装置である。図において, 10はドライ
エッチングチャンバー, 11はRF印加電極, 12は対向電
極, 13は静電チャック，14は赤外線透過窓, 15は赤外線
カメラ(例えば, ミノルタカメラ (株)製, 004型 ), 16
は温度制御ユニット, 17は静電チャック電源, 20は冷却
水入り口, 21は冷却水出口である。
【００１３】ドライエッチング処理されるウェハー 1
は, 静電チャック13によって保持される。静電チャック
13の表面に吸着されるウェハー 1の接触面積は, 静電チ
ャック13の吸着力に依存し, 静電チャック13の吸着力は
吸着電圧に依存する。従って,ウェハー 1の熱抵抗は吸
着電圧により制御される。レジスト膜2 の輻射は赤外線
透過窓14を通して赤外線カメラ15へ導かれ, レジスト膜
2 の8 μm の吸収線強度を測定することにより, ウェハ
ー 1の温度は, インプロセスの状態で求められる。
は, 静電チャック13によって保持される。静電チャック
13の表面に吸着されるウェハー 1の接触面積は, 静電チ
ャック13の吸着力に依存し, 静電チャック13の吸着力は
吸着電圧に依存する。従って,ウェハー 1の熱抵抗は吸
着電圧により制御される。レジスト膜2 の輻射は赤外線
透過窓14を通して赤外線カメラ15へ導かれ, レジスト膜
2 の8 μm の吸収線強度を測定することにより, ウェハ
ー 1の温度は, インプロセスの状態で求められる。
【００１４】図5 は, 第１の実施例の装置を用いて半導
体ウェハーの温度制御を行う方法を示すブロック図であ
る。本方法によってウェハー 1の温度制御方法の手順を
示すブロック図である。
体ウェハーの温度制御を行う方法を示すブロック図であ
る。本方法によってウェハー 1の温度制御方法の手順を
示すブロック図である。
【００１５】先ず, パターンレジスト膜2が形成された
ウェハー 1を, チャンバー10内の静電チャック13によ
り, レジスト膜2が対向電極12に対向するように保持し,
所定のドライエッチングを開始する。
ウェハー 1を, チャンバー10内の静電チャック13によ
り, レジスト膜2が対向電極12に対向するように保持し,
所定のドライエッチングを開始する。
【００１６】レジスト膜2 からの輻射光を赤外線透過窓
14を通して赤外線カメラ14に導き,赤外線温度計により,
該輻射光の8 μm 吸収線強度を測定することによって
ウェハー 1の温度を求める。一方,赤外線温度計の出力
を温度制御ユニット16に入力する。
14を通して赤外線カメラ14に導き,赤外線温度計により,
該輻射光の8 μm 吸収線強度を測定することによって
ウェハー 1の温度を求める。一方,赤外線温度計の出力
を温度制御ユニット16に入力する。
【００１７】温度制御ユニット16において，設定温度に
対応する標準電圧と比較し, 差分を静電チャック電源17
にフィードバックさせる。 第２の実施例 図6 は, 図4 と同様に本発明による平行平板ドライエッ
チング装置を示す模式図である。但し, 本装置は, 従来
の平行平板ドライエッチング装置に本発明の半導体ウェ
ハー温度測定手段15と,温度制御ユニット16と,ガス冷却
圧力制御機構18を設けた装置である。
対応する標準電圧と比較し, 差分を静電チャック電源17
にフィードバックさせる。 第２の実施例 図6 は, 図4 と同様に本発明による平行平板ドライエッ
チング装置を示す模式図である。但し, 本装置は, 従来
の平行平板ドライエッチング装置に本発明の半導体ウェ
ハー温度測定手段15と,温度制御ユニット16と,ガス冷却
圧力制御機構18を設けた装置である。
【００１８】静電チャック13によって支持されるウェハ
ー 1の背面と静電チャック13の表面との間に間隙を設け
てこれをガスだまり19とし, このガスだまり19へ, ヘリ
ウム(He)ガスが流される。Heガスは, 全体で10 SCCMが
供給され, ガス圧力制御装置18によりその中の1 SCCM以
下がガスだまり19に供給され, 残りはニードルバルブ22
を経て真空排気口23より排出される。この様にガスだま
り19のHeガスの圧力は流量のバランスにより動的に制御
される。Heガスの熱伝導によってウェハー 1は冷却され
るが, Heガスの熱伝導はHeガスの圧力に依存するから,
ウェハー 1の温度は, Heガスの圧力を制御することによ
り制御される。
ー 1の背面と静電チャック13の表面との間に間隙を設け
てこれをガスだまり19とし, このガスだまり19へ, ヘリ
ウム(He)ガスが流される。Heガスは, 全体で10 SCCMが
供給され, ガス圧力制御装置18によりその中の1 SCCM以
下がガスだまり19に供給され, 残りはニードルバルブ22
を経て真空排気口23より排出される。この様にガスだま
り19のHeガスの圧力は流量のバランスにより動的に制御
される。Heガスの熱伝導によってウェハー 1は冷却され
るが, Heガスの熱伝導はHeガスの圧力に依存するから,
ウェハー 1の温度は, Heガスの圧力を制御することによ
り制御される。
【００１９】図7 は, 第２の実施例の装置を用いてウェ
ハーの温度制御を行う方法を示すブロック図である。先
ず, パターンレジスト膜2が形成されたウェハー 1を,
チャンバー10内の静電チャック13により, レジスト膜2
が対向電極12に対向するように保持し, 所定のドライエ
ッチングを開始する。
ハーの温度制御を行う方法を示すブロック図である。先
ず, パターンレジスト膜2が形成されたウェハー 1を,
チャンバー10内の静電チャック13により, レジスト膜2
が対向電極12に対向するように保持し, 所定のドライエ
ッチングを開始する。
【００２０】レジスト膜2 からの輻射光を赤外線透過窓
14を通して赤外線カメラ14に導き,赤外線温度計により,
該輻射光の8 μm 吸収線強度を測定することによって
ウェハー 1の温度を求める。一方,赤外線温度計の出力
を温度制御ユニット16に入力する。
14を通して赤外線カメラ14に導き,赤外線温度計により,
該輻射光の8 μm 吸収線強度を測定することによって
ウェハー 1の温度を求める。一方,赤外線温度計の出力
を温度制御ユニット16に入力する。
【００２１】温度制御ユニット16において，設定温度に
対応する標準電圧と比較し, 差分をガス冷却圧力制御装
置18にフィードバックさせる。実施例では, Si基板上に
は総てレジスト膜が設けられているが, レジスト膜の代
わりに, 例えばSOG ( Spin On Glass ) のような有機材
料膜が形成される場合にも本発明の原理は同様に適用さ
れる。
対応する標準電圧と比較し, 差分をガス冷却圧力制御装
置18にフィードバックさせる。実施例では, Si基板上に
は総てレジスト膜が設けられているが, レジスト膜の代
わりに, 例えばSOG ( Spin On Glass ) のような有機材
料膜が形成される場合にも本発明の原理は同様に適用さ
れる。
【００２２】
【発明の効果】本発明によって,工程中におけるウェハ
ーの温度をインプロセスで測定が可能で, しかも不純物
による装置の汚染が生じることがない,ウェハー温度の
測定・制御方法並びにその装置が提供される。その結
果, VLSI等高集積回路の製造における信頼性向上に寄与
するところは大きい。
ーの温度をインプロセスで測定が可能で, しかも不純物
による装置の汚染が生じることがない,ウェハー温度の
測定・制御方法並びにその装置が提供される。その結
果, VLSI等高集積回路の製造における信頼性向上に寄与
するところは大きい。
【図１】 本発明の原理説明図
【図２】 本発明に使用されるレジスト膜の赤外吸収ス
ペクトルを示す図
ペクトルを示す図
【図３】 赤外線温度計の読みと, 熱電対温度計の読み
とを比較するグラフ
とを比較するグラフ
【図４】 第１の実施例の平行平板ドライエッチング装
置を示す模式図
置を示す模式図
【図５】 第１の実施例の装置を用いてウェハーの温度
制御を行う方法を示すブロック図
制御を行う方法を示すブロック図
【図６】 第２の実施例の平行平板ドライエッチング装
置を示す模式図
置を示す模式図
【図７】 第２の実施例の装置を用いてウェハーの温度
制御を行う方法を示すブロック図
制御を行う方法を示すブロック図
1 半導体ウェーハ 2 レジスト膜 3 レンズ 4 スリット 5 赤外線フィルター 6 赤外線センサー 7 赤外線温度計 8 レジスト膜の赤外吸収スペクトル 9 赤外線フィルター5 の透過特性 10 チャンバー 11 RF印加電極 12 対向電極 13 静電チャック 14 赤外線透過窓 15 赤外線カメラ 16 温度制御ユニット 17 静電チャック電源 18 ガス冷却圧力制御装置 19 熱伝ガスだまり 20 冷却水入口 21 冷却水出口 22 ニードルバルブ 23 真空排気口
Claims (16)
- 【請求項１】 半導体ウェハー処理工程におけるインプ
ロセスのウェハー温度を測定するウェハー温度測定方法
において， 半導体ウェハー上にレジスト膜を形成する工程と， 該レジスト膜に固有の赤外吸収スペクトル線強度を測定
する工程とを有することを特徴とする半導体ウェハー温
度測定方法。 - 【請求項２】 前記，レジスト膜に固有の赤外吸収スペ
クトル線強度を測定する工程は，該赤外吸収スペクトル
線波長に相当するバンドパスフィルターを設ける工程を
有することを特徴とする請求項１記載の半導体ウェハー
温度測定方法。 - 【請求項３】 前記，レジスト膜に固有の赤外吸収スペ
クトル線はベンゼン環に起因する波長８μm 近傍の吸収
スペクトル線であることを特徴とする請求項１又は２記
載の半導体ウェハー温度測定方法。 - 【請求項４】 半導体ウェハー処理工程におけるウェハ
ー温度を制御するウェハー温度制御方法において， 半導体ウェハー上にレジスト膜を形成する工程と， 該レジスト膜に固有の赤外吸収スペクトル線強度を赤外
線温度計により測定する工程と， 該赤外線温度計出力を,ウェハー温度制御機構にフィー
ドバックする工程とを有することを特徴とする半導体ウ
ェハー温度制御方法。 - 【請求項５】 前記，レジスト膜に固有の赤外吸収スペ
クトル線強度を赤外線温度計により測定する工程は，該
赤外吸収スペクトル線波長に相当するバンドパスフィル
ターを設ける工程を有することを特徴とする請求項４記
載の半導体ウェハー温度制御方法。 - 【請求項６】 前記，レジスト膜に固有の赤外吸収スペ
クトル線はベンゼン環に起因する波長８μm 近傍の吸収
スペクトル線であることを特徴とする請求項４又は５記
載の半導体ウェハー温度制御方法。 - 【請求項７】 前記, ウェハー温度制御機構にはガス圧
力による熱伝導冷却制御手段を用いることを特徴とする
請求項４又は５記載の半導体ウェハー温度制御方法。 - 【請求項８】 前記，半導体ウェハー温度制御方法は更
に該半導体ウェハーを保持する静電チャック機構を有す
ることを特徴とする請求項４又は５記載の半導体ウェハ
ー温度制御方法。 - 【請求項９】 前記，ウェハー温度制御機構は，静電チ
ャック機構の吸着電圧による熱抵抗制御手段を用いるこ
とを特徴とする請求項８記載の半導体ウェハー温度制御
方法。 - 【請求項10】 半導体ウェハー処理工程におけるインプ
ロセスのウェハー温度を測定する半導体ウェハー温度測
定装置において， 半導体ウェハー上に形成されたレジスト膜と， 該レジスト膜に固有の赤外吸収スペクトル線強度を測定
する赤外線温度計とを有することを特徴とする半導体ウ
ェハー温度測定装置。 - 【請求項11】 前記，レジスト膜に固有の赤外吸収スペ
クトル線強度を測定する赤外線温度計は，該赤外吸収ス
ペクトル線波長に相当するバンドパスフィルターを有す
ることを特徴とする請求項10記載の半導体ウェハー温度
測定装置。 - 【請求項12】 前記，レジスト膜に固有の赤外吸収スペ
クトル線はベンゼン環に起因する波長８μm 近傍の吸収
スペクトル線であることを特徴とする請求項10又は11記
載の半導体ウェハー温度測定装置。 - 【請求項13】 半導体ウェハー処理を行う半導体製造装
置において， 処理工程時におけるウェハー上のレジスト膜固有の赤外
吸収スペクトル線強度を赤外線温度計により測定する温
度測定装置と, 該温度測定装置の出力によって, 該ウェハー温度を制御
する温度制御ユニットと， 該温度制御ユニットによって制御されるウェハー温度制
御機構とを有することを特徴とする半導体製造装置。 - 【請求項14】 前記, ウェハー温度制御機構はガス圧力
による熱伝導冷却制御機構であることを特徴とする請求
項13記載の半導体製造装置。 - 【請求項15】 前記, 半導体製造装置は更に, 該半導体
ウェハーを保持する静電チャック機構を有することを特
徴とする請求項13記載の半導体製造装置。 - 【請求項16】 半導体ウェハー処理工程におけるインプ
ロセスのウェハー温度を測定するウェハー温度測定方法
において， 半導体ウェハー上に有機材料膜を形成する工程と， 該有機材料膜に固有の赤外吸収スペクトル線強度を測定
する工程とを有することを特徴とする半導体ウェハー温
度測定方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4174624A JPH0621012A (ja) | 1992-07-02 | 1992-07-02 | 半導体製造方法及び製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4174624A JPH0621012A (ja) | 1992-07-02 | 1992-07-02 | 半導体製造方法及び製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0621012A true JPH0621012A (ja) | 1994-01-28 |
Family
ID=15981853
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4174624A Withdrawn JPH0621012A (ja) | 1992-07-02 | 1992-07-02 | 半導体製造方法及び製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0621012A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007178265A (ja) * | 2005-12-28 | 2007-07-12 | Yamatake Corp | 温度計測方法および温度計測装置 |
| JP2009518617A (ja) * | 2005-12-06 | 2009-05-07 | プラクスエア・テクノロジー・インコーポレイテッド | 磁気焼鈍装置の熱交換システム及び方法 |
| JP7625169B1 (ja) * | 2023-08-08 | 2025-01-31 | 三菱電機株式会社 | 電気回路基板 |
-
1992
- 1992-07-02 JP JP4174624A patent/JPH0621012A/ja not_active Withdrawn
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009518617A (ja) * | 2005-12-06 | 2009-05-07 | プラクスエア・テクノロジー・インコーポレイテッド | 磁気焼鈍装置の熱交換システム及び方法 |
| JP2007178265A (ja) * | 2005-12-28 | 2007-07-12 | Yamatake Corp | 温度計測方法および温度計測装置 |
| JP7625169B1 (ja) * | 2023-08-08 | 2025-01-31 | 三菱電機株式会社 | 電気回路基板 |
| WO2025032709A1 (ja) * | 2023-08-08 | 2025-02-13 | 三菱電機株式会社 | 電気回路基板 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19991005 |