JPH0621048A - シリコン窒化膜の選択成長方法 - Google Patents
シリコン窒化膜の選択成長方法Info
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Landscapes
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 シリコン窒化膜の選択成長を可能とし、この
方法をスタックキャパシタの形成に利用することで、そ
の製造工数及び製造コストの大幅な削減を可能にする。 【構成】 シリコン基板２にシリコン酸化膜３を選択的
に形成した後、シリコン基板２の表面に多結晶シリコン
３を選択成長し、この多結晶シリコン３の表面にシリコ
ン窒化膜４を選択成長し、更にこのシリコン窒化膜４の
表面に多結晶シリコン５を選択成長することで、スタッ
クキャパシタを形成する。シリコン窒化膜４の選択成長
技術は、ヒドラジンとジクロルシランと塩化水素とを原
料ガスとして反応を行い、シリコンの表面にのみ選択的
にシリコン窒化膜を成長させる。ヒドラジンとジクロル
シランと塩化水素の反応管中における体積比を、それぞ
れ２０〜４０％，３０〜５０％，１０〜５０％とするこ
とが好ましい。
方法をスタックキャパシタの形成に利用することで、そ
の製造工数及び製造コストの大幅な削減を可能にする。 【構成】 シリコン基板２にシリコン酸化膜３を選択的
に形成した後、シリコン基板２の表面に多結晶シリコン
３を選択成長し、この多結晶シリコン３の表面にシリコ
ン窒化膜４を選択成長し、更にこのシリコン窒化膜４の
表面に多結晶シリコン５を選択成長することで、スタッ
クキャパシタを形成する。シリコン窒化膜４の選択成長
技術は、ヒドラジンとジクロルシランと塩化水素とを原
料ガスとして反応を行い、シリコンの表面にのみ選択的
にシリコン窒化膜を成長させる。ヒドラジンとジクロル
シランと塩化水素の反応管中における体積比を、それぞ
れ２０〜４０％，３０〜５０％，１０〜５０％とするこ
とが好ましい。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置の製造方法に
関し、特にスタックキャパシタの絶縁膜に用いられるシ
リコン窒化膜の製造方法に関する。
関し、特にスタックキャパシタの絶縁膜に用いられるシ
リコン窒化膜の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】ダイナミックランダムアクセスメモリー
のセル部には、スタックキャパシタが用いられている。
スタックキャパシタの製造工程の概略を図２に示す。先
ず、図２（ａ）のように、シリコン基板２にロコス（Ｌ
ＯＣＯＳ）素子分離技術を用いて熱酸化膜１を選択的に
形成し、この熱酸化膜１の間にスタックキャパシタの下
部電極と導通をとるための開口部を形成する。次いで、
図２（ｂ）のように、全面にＣＶＤ法によって多結晶シ
リコン３を堆積する。続いて、図２（ｃ）のように、フ
ォトリソグラフィー技術とドライエッチング技術によっ
て多結晶シリコン３を選択エッチングし、スタックキャ
パシタの下部電極を形成する。
のセル部には、スタックキャパシタが用いられている。
スタックキャパシタの製造工程の概略を図２に示す。先
ず、図２（ａ）のように、シリコン基板２にロコス（Ｌ
ＯＣＯＳ）素子分離技術を用いて熱酸化膜１を選択的に
形成し、この熱酸化膜１の間にスタックキャパシタの下
部電極と導通をとるための開口部を形成する。次いで、
図２（ｂ）のように、全面にＣＶＤ法によって多結晶シ
リコン３を堆積する。続いて、図２（ｃ）のように、フ
ォトリソグラフィー技術とドライエッチング技術によっ
て多結晶シリコン３を選択エッチングし、スタックキャ
パシタの下部電極を形成する。
【０００３】次いで、図２（ｄ）のように、ＣＶＤ法に
よってシリコン窒化膜４を基板全面に堆積する。更に、
図２（ｅ）のように、ＣＶＤ法によって多結晶シリコン
５を基板全面に堆積させた後、フォトリソグラフィー技
術とドライエッチング技術によって前記多結晶シリコン
５とシリコン窒化膜４を同時にパターニングし、図２
（ｆ）のようなスタックキャパシタを完成する。尚、実
際の製造方法では、フォトリソグラフィー技術とドライ
エッチング技術の外に、洗浄，レジスト塗布，ベーキン
グ，露光，ドライエッチング，レジスト除去などが含ま
れる。
よってシリコン窒化膜４を基板全面に堆積する。更に、
図２（ｅ）のように、ＣＶＤ法によって多結晶シリコン
５を基板全面に堆積させた後、フォトリソグラフィー技
術とドライエッチング技術によって前記多結晶シリコン
５とシリコン窒化膜４を同時にパターニングし、図２
（ｆ）のようなスタックキャパシタを完成する。尚、実
際の製造方法では、フォトリソグラフィー技術とドライ
エッチング技術の外に、洗浄，レジスト塗布，ベーキン
グ，露光，ドライエッチング，レジスト除去などが含ま
れる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】最近、多結晶シリコン
の選択成長技術が開発され、スタックキャパシタの下部
電極を選択多結晶シリコン成長法で形成することができ
るようになった。多結晶シリコンの選択成長技術は、特
願平2-215544号公報で述べられている。多結晶シリコン
の選択成長技術では、表面がシリコンと酸化シリコンか
らなる基板上に、多結晶シリコンが成長する条件でシリ
コン膜を形成する際に、塩化水素ガスを添加することに
より、酸化シリコン上に核発生するシリコンをエッチン
グ除去し、シリコン表面上にのみシリコン膜を成長させ
る。
の選択成長技術が開発され、スタックキャパシタの下部
電極を選択多結晶シリコン成長法で形成することができ
るようになった。多結晶シリコンの選択成長技術は、特
願平2-215544号公報で述べられている。多結晶シリコン
の選択成長技術では、表面がシリコンと酸化シリコンか
らなる基板上に、多結晶シリコンが成長する条件でシリ
コン膜を形成する際に、塩化水素ガスを添加することに
より、酸化シリコン上に核発生するシリコンをエッチン
グ除去し、シリコン表面上にのみシリコン膜を成長させ
る。
【０００５】この多結晶シリコンの選択成長技術を用い
れば、図２（ｂ）および（ｃ）の工程を簡略化すること
ができ、スタックキャパシタ製造工程の簡略化を図るこ
とができる。しかし、誘電体膜としてのシリコン窒化膜
４を選択成長ができないため、上部電極としての多結晶
シリコン電極の選択成長を行うことができず、前記した
多結晶シリコンの選択成長技術を有効に利用できないと
いう問題がある。即ち、シリコン窒化膜の選択成長が可
能であれば、その上に形成する多結晶シリコン電極の選
択成長も可能になり、図２（ｅ）および（ｆ）に示した
スタックキャパシタ製造工程からリソグラフィー工程と
ドライエッチング工程を簡略化することができる。本発
明の目的は、シリコン窒化膜の選択成長を可能とし、こ
の方法をスタックキャパシタの形成に利用することで、
その製造工数及び製造コストの大幅な削減を可能にした
シリコン窒化膜の選択成長方法を提供することにある。
れば、図２（ｂ）および（ｃ）の工程を簡略化すること
ができ、スタックキャパシタ製造工程の簡略化を図るこ
とができる。しかし、誘電体膜としてのシリコン窒化膜
４を選択成長ができないため、上部電極としての多結晶
シリコン電極の選択成長を行うことができず、前記した
多結晶シリコンの選択成長技術を有効に利用できないと
いう問題がある。即ち、シリコン窒化膜の選択成長が可
能であれば、その上に形成する多結晶シリコン電極の選
択成長も可能になり、図２（ｅ）および（ｆ）に示した
スタックキャパシタ製造工程からリソグラフィー工程と
ドライエッチング工程を簡略化することができる。本発
明の目的は、シリコン窒化膜の選択成長を可能とし、こ
の方法をスタックキャパシタの形成に利用することで、
その製造工数及び製造コストの大幅な削減を可能にした
シリコン窒化膜の選択成長方法を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、ヒドラジンと
ジクロルシランと塩化水素とを原料ガスとして反応を行
い、シリコンの表面にのみ選択的にシリコン窒化膜を成
長させる。ヒドラジンとジクロルシランと塩化水素の反
応管中における体積比を、それぞれ２０〜４０％，３０
〜５０％，１０〜５０％とする。
ジクロルシランと塩化水素とを原料ガスとして反応を行
い、シリコンの表面にのみ選択的にシリコン窒化膜を成
長させる。ヒドラジンとジクロルシランと塩化水素の反
応管中における体積比を、それぞれ２０〜４０％，３０
〜５０％，１０〜５０％とする。
【０００７】
【実施例】次に、本発明について図面を参照して説明す
る。図１は本発明にかかるシリコン窒化膜の選択成長技
術を用いて、スタックキャパシタを構成するプロセスを
工程順に示す断面図である。先ず、図１（ａ）のよう
に、シリコン基板２の表面にＬＯＣＯＳ素子分離技術で
厚さ 200nmのシリコン酸化膜２を選択的に形成する。次
いで、図１（ｂ）のように、選択多結晶シリコン成長技
術により、シリコン酸化膜２の間のシリコン基板２の表
面に厚さ 400nmのスタックキャパシタの下部電極として
の多結晶シリコン３を選択的に形成する。
る。図１は本発明にかかるシリコン窒化膜の選択成長技
術を用いて、スタックキャパシタを構成するプロセスを
工程順に示す断面図である。先ず、図１（ａ）のよう
に、シリコン基板２の表面にＬＯＣＯＳ素子分離技術で
厚さ 200nmのシリコン酸化膜２を選択的に形成する。次
いで、図１（ｂ）のように、選択多結晶シリコン成長技
術により、シリコン酸化膜２の間のシリコン基板２の表
面に厚さ 400nmのスタックキャパシタの下部電極として
の多結晶シリコン３を選択的に形成する。
【０００８】次に、図１（ｃ）のように、本発明による
選択シリコン窒化膜成長技術によって、多結晶シリコン
３の表面上にのみ厚さ10nmのシリコン窒化膜４を形成す
る。この選択シリコン窒化膜成長技術については後述す
る。次に、図１（ｄ）のように、シリコン窒化膜４の表
面上にのみ選択多結晶シリコン成長技術によって厚さ 2
00nmのスタックキャパシタの上部電極としての多結晶シ
リコン５を形成し、スタックキャパシタを形成する。し
たがって、このスタックキャパシタの製造方法では、選
択シリコン窒化膜成長記述を用いることにより、誘電体
膜および上部電極を形成する際のフォトリソグラフィー
工程およびエッチング工程が省略でき、製造工数の削減
が可能となる。
選択シリコン窒化膜成長技術によって、多結晶シリコン
３の表面上にのみ厚さ10nmのシリコン窒化膜４を形成す
る。この選択シリコン窒化膜成長技術については後述す
る。次に、図１（ｄ）のように、シリコン窒化膜４の表
面上にのみ選択多結晶シリコン成長技術によって厚さ 2
00nmのスタックキャパシタの上部電極としての多結晶シ
リコン５を形成し、スタックキャパシタを形成する。し
たがって、このスタックキャパシタの製造方法では、選
択シリコン窒化膜成長記述を用いることにより、誘電体
膜および上部電極を形成する際のフォトリソグラフィー
工程およびエッチング工程が省略でき、製造工数の削減
が可能となる。
【０００９】前記選択シリコン窒化膜の成長技術は、ヒ
ドラジン，ジクロルシラン，塩化水素を原料ガスとした
化学的気相成長法であり、各ガスの組成をここでは 100
/400/500sccmとし、かつ成長圧力は0.18Torr，成長温度
は 800℃とする。ジクロルシランの濃度を体積比50％と
すると、気相でシリコンを多量に含む窒化シリコンの核
発生が起き、選択性が失われる。また、30％以下とする
と、成長速度が遅くなり実用性に欠ける。ヒドラジンの
濃度を高くすると成長速度は増すが、40％以上にすると
爆発の危険性が高まるので実用的でない。塩化水素の濃
度を10％以下とすると選択性が失われ、50％以上とする
とエッチング作用が増してシリコン窒化膜が成長しな
い。
ドラジン，ジクロルシラン，塩化水素を原料ガスとした
化学的気相成長法であり、各ガスの組成をここでは 100
/400/500sccmとし、かつ成長圧力は0.18Torr，成長温度
は 800℃とする。ジクロルシランの濃度を体積比50％と
すると、気相でシリコンを多量に含む窒化シリコンの核
発生が起き、選択性が失われる。また、30％以下とする
と、成長速度が遅くなり実用性に欠ける。ヒドラジンの
濃度を高くすると成長速度は増すが、40％以上にすると
爆発の危険性が高まるので実用的でない。塩化水素の濃
度を10％以下とすると選択性が失われ、50％以上とする
とエッチング作用が増してシリコン窒化膜が成長しな
い。
【００１０】また、成長圧力を低くすると、凹凸のある
表面上でも一様な膜厚の窒化シリコンを形成できるが、
排気系の設備が大型になり、装置コストが上昇する。成
長速度は成長圧力が低くなるとともに低下するが、 0.1
Torr以上であれば、１Ａ/min以上の成長速度が得られ
た。選択成長は、このガス組成で、 700〜850 ℃の範囲
で可能であった。 850℃以上では、アミノシランの分解
が促進され、気相で窒化シリコンの核発生が起きた。 7
00℃以下では、成長速度が１Ａ/min以下となった。
表面上でも一様な膜厚の窒化シリコンを形成できるが、
排気系の設備が大型になり、装置コストが上昇する。成
長速度は成長圧力が低くなるとともに低下するが、 0.1
Torr以上であれば、１Ａ/min以上の成長速度が得られ
た。選択成長は、このガス組成で、 700〜850 ℃の範囲
で可能であった。 850℃以上では、アミノシランの分解
が促進され、気相で窒化シリコンの核発生が起きた。 7
00℃以下では、成長速度が１Ａ/min以下となった。
【００１１】結局、実用的な成長速度を５Ａ/minとする
とき、凹凸のある基板に対しても膜厚の変動が10％以下
で、かつ選択性を失わずにシリコン窒化膜を成長させる
ためには、図３に示すガス組成を用いれば良い。すなわ
ち、ヒドラジンとジクロルシランと塩化水素の反応管中
における体積比を、それぞれ20〜40％、30〜50％、10〜
50％とし、成長圧力を 0.1−１Torrとし、成長温度を 7
50−800 ℃とすることが望ましい。
とき、凹凸のある基板に対しても膜厚の変動が10％以下
で、かつ選択性を失わずにシリコン窒化膜を成長させる
ためには、図３に示すガス組成を用いれば良い。すなわ
ち、ヒドラジンとジクロルシランと塩化水素の反応管中
における体積比を、それぞれ20〜40％、30〜50％、10〜
50％とし、成長圧力を 0.1−１Torrとし、成長温度を 7
50−800 ℃とすることが望ましい。
【００１２】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、シリコン
上へのシリコン窒化膜の選択成長が可能となるため、例
えばシリコン窒化膜を誘電体膜とするスタックキャパシ
タを製造する際にフォトリソグラフィー工程とドライエ
ッチング工程を省くことができる。又、これらの工程に
含まれる洗浄，レジスト塗布，ベーキング，露光，ドラ
イエッチング，レジスト除去等の工程も省略できるとと
もに、これらの工程において発生する偶発的な事故や良
品率低下をも低減でき、大幅な工数削減およびコスト低
減が実現できる効果がある。
上へのシリコン窒化膜の選択成長が可能となるため、例
えばシリコン窒化膜を誘電体膜とするスタックキャパシ
タを製造する際にフォトリソグラフィー工程とドライエ
ッチング工程を省くことができる。又、これらの工程に
含まれる洗浄，レジスト塗布，ベーキング，露光，ドラ
イエッチング，レジスト除去等の工程も省略できるとと
もに、これらの工程において発生する偶発的な事故や良
品率低下をも低減でき、大幅な工数削減およびコスト低
減が実現できる効果がある。
【図１】本発明の選択シリコン窒化膜成長技術を利用し
たスタックキャパシタの製造方法を工程順に示す断面図
である。
たスタックキャパシタの製造方法を工程順に示す断面図
である。
【図２】従来のスタックキャパシタの製造方法を工程順
に示す断面図である。
に示す断面図である。
【図３】本発明方法で用いられる原料ガスの組成比を示
す図である。
す図である。
１ シリコン酸化膜（熱酸化膜） ２ シリコン基板 ３ 多結晶シリコン（下部電極） ４ シリコン窒化膜 ５ 多結晶シリコン（上部電極）
Claims (2)
- 【請求項１】 表面に酸化シリコン膜とシリコンとを有
する基板上に、化学気層成長法によりシリコン窒化膜を
形成する方法において、ヒドラジンとジクロルシランと
塩化水素とを原料ガスとして反応を行い、前記シリコン
の表面にのみ選択的にシリコン窒化膜を成長することを
特徴としたシリコン窒化膜の選択成長方法。 - 【請求項２】 ヒドラジンとジクロルシランと塩化水素
の反応管中における体積比を、それぞれ２０〜４０％，
３０〜５０％，１０〜５０％とする請求項１のシリコン
窒化膜の選択成長方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4195991A JPH0621048A (ja) | 1992-06-30 | 1992-06-30 | シリコン窒化膜の選択成長方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4195991A JPH0621048A (ja) | 1992-06-30 | 1992-06-30 | シリコン窒化膜の選択成長方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0621048A true JPH0621048A (ja) | 1994-01-28 |
Family
ID=16350404
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4195991A Pending JPH0621048A (ja) | 1992-06-30 | 1992-06-30 | シリコン窒化膜の選択成長方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0621048A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6365231B2 (en) * | 1998-06-26 | 2002-04-02 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Ammonium halide eliminator, chemical vapor deposition system and chemical vapor deposition process |
-
1992
- 1992-06-30 JP JP4195991A patent/JPH0621048A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6365231B2 (en) * | 1998-06-26 | 2002-04-02 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Ammonium halide eliminator, chemical vapor deposition system and chemical vapor deposition process |
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