JPH062105A - 光導波膜及び光導波路の製造方法 - Google Patents
光導波膜及び光導波路の製造方法Info
- Publication number
- JPH062105A JPH062105A JP16300692A JP16300692A JPH062105A JP H062105 A JPH062105 A JP H062105A JP 16300692 A JP16300692 A JP 16300692A JP 16300692 A JP16300692 A JP 16300692A JP H062105 A JPH062105 A JP H062105A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- optical waveguide
- substrate
- refractive index
- film
- tablet
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims abstract description 55
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 28
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 55
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims abstract description 28
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 26
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 claims abstract description 25
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims abstract description 19
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 claims description 6
- 238000005253 cladding Methods 0.000 claims description 5
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 3
- 238000007731 hot pressing Methods 0.000 claims description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 claims description 2
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 abstract description 7
- 239000012535 impurity Substances 0.000 abstract description 5
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 20
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 15
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 12
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 9
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000012792 core layer Substances 0.000 description 6
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 6
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 6
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 4
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910005793 GeO 2 Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 3
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 3
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 description 3
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 description 3
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 3
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 3
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 3
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 2
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 2
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 2
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 2
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 2
- 229910013641 LiNbO 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
- 238000002230 thermal chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 238000004017 vitrification Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Optical Integrated Circuits (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明の目的は、高屈折率の光導波路用コア
膜を、低屈折率層を有する基板上に反りを小さく成膜で
き、かつその膜厚及び屈折率の制御が容易で、不純物含
有の虞のない透過率の良い膜を成膜する新規な光導波膜
及び光導波路の製造方法を提供するものである。 【構成】 本発明は真空チャンバー内上方部に基板を配
置してこれを加熱すると共に、該基板の下方部にＳｉ3
Ｎ4 のタブレットを収容した蒸発源を配置した後、上記
真空チャンバー内にＯ2 ガスを導入しつつ、上記タブレ
ットに電子ビームを照射してこれを蒸発させて上記基板
上にＳｉx Ｏy Ｎz の光導波膜を形成することを特徴と
している。
膜を、低屈折率層を有する基板上に反りを小さく成膜で
き、かつその膜厚及び屈折率の制御が容易で、不純物含
有の虞のない透過率の良い膜を成膜する新規な光導波膜
及び光導波路の製造方法を提供するものである。 【構成】 本発明は真空チャンバー内上方部に基板を配
置してこれを加熱すると共に、該基板の下方部にＳｉ3
Ｎ4 のタブレットを収容した蒸発源を配置した後、上記
真空チャンバー内にＯ2 ガスを導入しつつ、上記タブレ
ットに電子ビームを照射してこれを蒸発させて上記基板
上にＳｉx Ｏy Ｎz の光導波膜を形成することを特徴と
している。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は高屈折率の光導波路用コ
ア膜を電子ビーム蒸着法により製造する方法に関するも
のである。
ア膜を電子ビーム蒸着法により製造する方法に関するも
のである。
【０００２】
【従来の技術】従来、ガラス導波路の製造方法としては
図６に示すようにな方法が知られている。この方法は基
板上に火炎堆積法などによりバッファ層及びコア層を順
次堆積し、これらの層を焼結後、上記ガラス層をパター
ン化し、最後にコア層の屈折率よりも低いクラッド層を
上記パターン化したガラス層全面に形成するものであ
る。このコア層の材質にはＰ2 Ｏ5 、ＧｅＯ2 、ＴｉＯ
2 の屈折率制御用添加物の中から１種選ばれた添加物を
含むＳｉＯ2 が用いられている。
図６に示すようにな方法が知られている。この方法は基
板上に火炎堆積法などによりバッファ層及びコア層を順
次堆積し、これらの層を焼結後、上記ガラス層をパター
ン化し、最後にコア層の屈折率よりも低いクラッド層を
上記パターン化したガラス層全面に形成するものであ
る。このコア層の材質にはＰ2 Ｏ5 、ＧｅＯ2 、ＴｉＯ
2 の屈折率制御用添加物の中から１種選ばれた添加物を
含むＳｉＯ2 が用いられている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところで、本発明者は
上述した従来の製造方法を検討した結果、以下のような
欠点があることを見出だした ガラス多孔質膜を形成した後、１３００℃以上の高温
で焼結することにより透明ガラス化する方法であるた
め、屈折率制御用添加物の添加量によって焼結時のガラ
ス多孔質膜の収縮率が異なり、透明ガラス化した膜の厚
みが変化し、オンラインでガラス膜を制御することがで
きない。
上述した従来の製造方法を検討した結果、以下のような
欠点があることを見出だした ガラス多孔質膜を形成した後、１３００℃以上の高温
で焼結することにより透明ガラス化する方法であるた
め、屈折率制御用添加物の添加量によって焼結時のガラ
ス多孔質膜の収縮率が異なり、透明ガラス化した膜の厚
みが変化し、オンラインでガラス膜を制御することがで
きない。
【０００４】コアとクラッドとの屈折率差の大きいガ
ラス導波路を製造するために、屈折率制御用添加物を含
んだ屈折率の高いコアガラス膜をバッファ層の上に形成
すると、基板全体が熱膨張係数の違いによって反りを生
じ、その反り量が１０μｍをはるかに越える大きな値に
なるので、高寸法精度の光回路をパターニングすること
が難しい。この点で屈折率差を大きくするには限界があ
った。
ラス導波路を製造するために、屈折率制御用添加物を含
んだ屈折率の高いコアガラス膜をバッファ層の上に形成
すると、基板全体が熱膨張係数の違いによって反りを生
じ、その反り量が１０μｍをはるかに越える大きな値に
なるので、高寸法精度の光回路をパターニングすること
が難しい。この点で屈折率差を大きくするには限界があ
った。
【０００５】また、コアとクラッドとの屈折率差に限
界があることがわかった。すなわち、屈折率の高いコア
用多孔質膜を堆積させても焼結プロセスで屈折率制御用
添加物が揮散してしまい、屈折率の高いコア層を実現す
ることは難しく、最大でも１．４７を越えることはなか
った。そのため、比屈折率差は僅か１％程度が限界であ
った。
界があることがわかった。すなわち、屈折率の高いコア
用多孔質膜を堆積させても焼結プロセスで屈折率制御用
添加物が揮散してしまい、屈折率の高いコア層を実現す
ることは難しく、最大でも１．４７を越えることはなか
った。そのため、比屈折率差は僅か１％程度が限界であ
った。
【０００６】屈折率制御用添加物を多く含んだコア層
をドライエッチングプロセスによりパターニングする
と、コア層を構成するＳｉＯ2 と上記添加物とのエッチ
ング速度の違いによってエッチング側面が凹凸状に荒
れ、それが原因で散乱損失を増大させる。
をドライエッチングプロセスによりパターニングする
と、コア層を構成するＳｉＯ2 と上記添加物とのエッチ
ング速度の違いによってエッチング側面が凹凸状に荒
れ、それが原因で散乱損失を増大させる。
【０００７】焼結プロセスが２回もあり、そのため製
造時間がかかり、電気代、ガス代、水道代などのユーテ
ィリティコストもかかるため、低コスト化が難しい。
造時間がかかり、電気代、ガス代、水道代などのユーテ
ィリティコストもかかるため、低コスト化が難しい。
【０００８】焼結時に屈折率制御用添加物がガラス膜
中で拡散し、ガラス膜厚方向に屈折率分布をもち、ガラ
ス膜厚方向に一様な屈折率を得ることが困難である。
中で拡散し、ガラス膜厚方向に屈折率分布をもち、ガラ
ス膜厚方向に一様な屈折率を得ることが困難である。
【０００９】そこで、本発明は上述した問題点を有効に
解決するために案出されたものであり、その主な目的は
高屈折率の光導波路用コア膜を、低屈折率層を有する基
板上に反りを小さく成膜でき、かつその膜厚及び屈折率
の制御が容易で、不純物含有の虞のない透過率の良い膜
を成膜する新規な光導波膜及び光導波路の製造方法を提
供するものである。
解決するために案出されたものであり、その主な目的は
高屈折率の光導波路用コア膜を、低屈折率層を有する基
板上に反りを小さく成膜でき、かつその膜厚及び屈折率
の制御が容易で、不純物含有の虞のない透過率の良い膜
を成膜する新規な光導波膜及び光導波路の製造方法を提
供するものである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
の第一の発明は真空チャンバー内上方部に基板を配置し
てこれを加熱すると共に、該基板の下方部にＳｉ3 Ｎ4
のタブレットを収容した蒸発源を配置した後、上記真空
チャンバー内にＯ2 ガスを導入しつつ、上記タブレット
に電子ビームを照射してこれを蒸発させて上記基板上に
Ｓｉx Ｏy Ｎz の光導波膜を形成するものであり、ま
た、第二の発明は上記基板の下方部にＳｉ3 Ｎ4 のタブ
レットを収容した蒸発源と、屈折率制御用酸化物のタブ
レットを収容した蒸発源を配置した後、上記真空チャン
バー内にＯ2 ガスを導入しつつ、これらタブレットに電
子ビームを照射してこれらをそれぞれ蒸発させて上記基
板上に屈折率制御用酸化物を少なくとも１種含有したＳ
ｉx Ｏy Ｎz の光導波膜を形成するものである。また、
第三の発明は上記真空チャンバー内に配置した蒸発源内
に、ＳｉＯ2 とＳｉ3 Ｎ4 の粉末を所望重量比で混合し
てホットプレスによってタブレット状に固化したものを
収容して、上記真空チャンバー内にＯ2 ガスを導入しつ
つ、上記タブレットに電子ビームを照射してこれを蒸発
させて上記基板上にＳｉx Ｏy Ｎz の光導波膜を形成す
るものであり、さらに、第四の発明は上記製造方法によ
って形成される光導波膜の屈折率よりも低い値の屈折率
を有する基板、あるいは上記方法によって得られる光導
波膜の屈折率よりも低い値の屈折率を有する低屈折率層
を、その表面に予め形成した基板を用いるものである。
また、第五の発明は上記いずれかの製造方法によって得
られた光導波膜をフォトリゾグラフィ及びドライエッチ
ングにより略矩形状パターンに加工した後、該略矩形状
パターン表面上に、これより低い屈折率のクラッド膜を
被覆するものである。
の第一の発明は真空チャンバー内上方部に基板を配置し
てこれを加熱すると共に、該基板の下方部にＳｉ3 Ｎ4
のタブレットを収容した蒸発源を配置した後、上記真空
チャンバー内にＯ2 ガスを導入しつつ、上記タブレット
に電子ビームを照射してこれを蒸発させて上記基板上に
Ｓｉx Ｏy Ｎz の光導波膜を形成するものであり、ま
た、第二の発明は上記基板の下方部にＳｉ3 Ｎ4 のタブ
レットを収容した蒸発源と、屈折率制御用酸化物のタブ
レットを収容した蒸発源を配置した後、上記真空チャン
バー内にＯ2 ガスを導入しつつ、これらタブレットに電
子ビームを照射してこれらをそれぞれ蒸発させて上記基
板上に屈折率制御用酸化物を少なくとも１種含有したＳ
ｉx Ｏy Ｎz の光導波膜を形成するものである。また、
第三の発明は上記真空チャンバー内に配置した蒸発源内
に、ＳｉＯ2 とＳｉ3 Ｎ4 の粉末を所望重量比で混合し
てホットプレスによってタブレット状に固化したものを
収容して、上記真空チャンバー内にＯ2 ガスを導入しつ
つ、上記タブレットに電子ビームを照射してこれを蒸発
させて上記基板上にＳｉx Ｏy Ｎz の光導波膜を形成す
るものであり、さらに、第四の発明は上記製造方法によ
って形成される光導波膜の屈折率よりも低い値の屈折率
を有する基板、あるいは上記方法によって得られる光導
波膜の屈折率よりも低い値の屈折率を有する低屈折率層
を、その表面に予め形成した基板を用いるものである。
また、第五の発明は上記いずれかの製造方法によって得
られた光導波膜をフォトリゾグラフィ及びドライエッチ
ングにより略矩形状パターンに加工した後、該略矩形状
パターン表面上に、これより低い屈折率のクラッド膜を
被覆するものである。
【００１１】
【作用】本発明は上述したような製造方法であるため、
第一の発明によれば屈折率（波長０．６３μｍでの値）
が１．４６５から２．０に近い値の高屈折率膜を形成す
ることができ、しかもこの膜はＳｉＯ2 基板上に形成し
ても大きな反りが生じない。また、本発明は上述したよ
うな電子ビーム蒸着法で膜を形成するので、膜厚をモニ
タしながら形成することができ、その膜厚を制御性よく
形成することができる。さらに、膜形成中の真空度、す
なわちＯ2 分圧量を調節することにより、屈折率の制御
を容易に行うことができる。また、真空中で膜形成を行
うので、不純物の混入の少ない透過率の良い膜を形成す
ることができる。
第一の発明によれば屈折率（波長０．６３μｍでの値）
が１．４６５から２．０に近い値の高屈折率膜を形成す
ることができ、しかもこの膜はＳｉＯ2 基板上に形成し
ても大きな反りが生じない。また、本発明は上述したよ
うな電子ビーム蒸着法で膜を形成するので、膜厚をモニ
タしながら形成することができ、その膜厚を制御性よく
形成することができる。さらに、膜形成中の真空度、す
なわちＯ2 分圧量を調節することにより、屈折率の制御
を容易に行うことができる。また、真空中で膜形成を行
うので、不純物の混入の少ない透過率の良い膜を形成す
ることができる。
【００１２】また、第二の発明によれば第一の発明の膜
の屈折率よりもさらに高い値の屈折率の膜を形成するこ
とができ、しかも、屈折率制御用酸化物の添加は屈折率
の調節以外に、膜と基板との間の熱膨張係数の整合用と
しても作用する。
の屈折率よりもさらに高い値の屈折率の膜を形成するこ
とができ、しかも、屈折率制御用酸化物の添加は屈折率
の調節以外に、膜と基板との間の熱膨張係数の整合用と
しても作用する。
【００１３】次に、第三の発明によれば、Ｓｉx Ｏy Ｎ
z のｘ、ｙ、ｚを所望値に設定した光導波膜を容易に得
ることができ、しかも、ＳｉＯ2 とＳｉ3 Ｎ4 の融点は
１５００℃と１９００℃であり、比較的近い値をもって
いるので、電子ビームで蒸発させる上で好都合である。
z のｘ、ｙ、ｚを所望値に設定した光導波膜を容易に得
ることができ、しかも、ＳｉＯ2 とＳｉ3 Ｎ4 の融点は
１５００℃と１９００℃であり、比較的近い値をもって
いるので、電子ビームで蒸発させる上で好都合である。
【００１４】また、第四の発明によれば、基板としてガ
ラス（石英系、多成分系）、半導体（Ｓｉ、ＧａＡｓ、
ＩｎＰなど）、強誘電体（ＬｉＮｂＯ3 、ＬｉＴａＯ3
など）、磁性体、サファイヤなどの種々のものを用いる
ことができるので、種々の機能をもった光デバイス（増
幅、発振、変調、合波、分波、分配など）を製造するこ
とができ、しかも、低コスト化にも役立つ。
ラス（石英系、多成分系）、半導体（Ｓｉ、ＧａＡｓ、
ＩｎＰなど）、強誘電体（ＬｉＮｂＯ3 、ＬｉＴａＯ3
など）、磁性体、サファイヤなどの種々のものを用いる
ことができるので、種々の機能をもった光デバイス（増
幅、発振、変調、合波、分波、分配など）を製造するこ
とができ、しかも、低コスト化にも役立つ。
【００１５】最後に、第五の発明によれば上記方法によ
って得られた光導波膜を用いるため、低損失、超小型、
低コスト、高寸法精度の光導波路型回路を容易に製造す
ることができる。
って得られた光導波膜を用いるため、低損失、超小型、
低コスト、高寸法精度の光導波路型回路を容易に製造す
ることができる。
【００１６】
【実施例】以下、本発明の一実施例を添付図面に基づい
て詳述する。
て詳述する。
【００１７】図１は本発明の光導波膜の製造方法に用い
る電子ビーム蒸着装置１の一実施例を示したものであ
る。図示するように、真空排気系１０によって高真空に
排気されている真空チャンバー２内上方部には傘状の基
板ホルダー６が配置され、この基板ホルダー６の下面に
はＳｉＯ2 からなる複数の基板７が保持されており、こ
れら基板７は基板ホルダー６の上方に位置するヒータ８
によって所望温度に加熱されるようになっている。ま
た、この基板７の下方部には器状の蒸発源３が配置さ
れ、この蒸発源３内にはＳｉ3 Ｎ4 の粉末を固化したタ
ブレット４が収容されている。また、この蒸発源３の近
傍には電子ガン５が設けられており、蒸発源３に収容さ
れているこのタブレット４に電子ビームを照射し、これ
を蒸発させるようになっている。また、真空チャンバー
２底部には酸素ガス導入系９が接続されており、真空チ
ャンバー２内に酸素ガスを導入することができるように
なっている。
る電子ビーム蒸着装置１の一実施例を示したものであ
る。図示するように、真空排気系１０によって高真空に
排気されている真空チャンバー２内上方部には傘状の基
板ホルダー６が配置され、この基板ホルダー６の下面に
はＳｉＯ2 からなる複数の基板７が保持されており、こ
れら基板７は基板ホルダー６の上方に位置するヒータ８
によって所望温度に加熱されるようになっている。ま
た、この基板７の下方部には器状の蒸発源３が配置さ
れ、この蒸発源３内にはＳｉ3 Ｎ4 の粉末を固化したタ
ブレット４が収容されている。また、この蒸発源３の近
傍には電子ガン５が設けられており、蒸発源３に収容さ
れているこのタブレット４に電子ビームを照射し、これ
を蒸発させるようになっている。また、真空チャンバー
２底部には酸素ガス導入系９が接続されており、真空チ
ャンバー２内に酸素ガスを導入することができるように
なっている。
【００１８】次に、本発明の製造方法を説明する。
【００１９】図１に示すように、先ず、ヒータ８によっ
て基板ホルダー６に保持されている複数の基板７を１０
０〜４００℃の範囲に加熱すると共に、真空排気系１０
によって真空チャンバー２内を高真空に排気する。次
に、電子ガン５から蒸発源３に収容されているタブレッ
ト４に電子ビームを照射すると、図示するように、タブ
レット４を構成するＳｉ3 Ｎ4 の微粒子が蒸発すること
により、基板７上に被着される。ここで、チャンバー３
内に酸素ガス導入系９から酸素ガスを導入することによ
り、蒸発したＳｉx Ｏy Ｎz の膜にして基板７上に成膜
する。このＳｉx Ｏy Ｎz のｘ、ｙ、ｚの値は基板温
度、酸素ガス、流量、真空度、電子ガンのガン電流によ
って調節することができる。また、図１の方法におい
て、Ｓｉx Ｏy Ｎz のｘ、ｙ、ｚの値により、正確に制
御して基板上に成膜する方法としては、上記方法以外に
タブレット７にＳｉＯ2 とＳｉ3 Ｎ4 の粉末を所望重量
比で混合し、ホットプレスにより、固めたものを用いる
方法が好ましい。その理由としてはＳｉＯ2 とＳｉ3 Ｎ
4 の融点が近接しているため、ほぼ同じような状態で蒸
発していくためである。ちなみに、Ｓｉx Ｏy Ｎz の膜
の屈折率（屈折率０．６３μｍでの値）はｘ、ｙ、ｚの
値により、１．４６５から２．０近くまで変えることが
できる。
て基板ホルダー６に保持されている複数の基板７を１０
０〜４００℃の範囲に加熱すると共に、真空排気系１０
によって真空チャンバー２内を高真空に排気する。次
に、電子ガン５から蒸発源３に収容されているタブレッ
ト４に電子ビームを照射すると、図示するように、タブ
レット４を構成するＳｉ3 Ｎ4 の微粒子が蒸発すること
により、基板７上に被着される。ここで、チャンバー３
内に酸素ガス導入系９から酸素ガスを導入することによ
り、蒸発したＳｉx Ｏy Ｎz の膜にして基板７上に成膜
する。このＳｉx Ｏy Ｎz のｘ、ｙ、ｚの値は基板温
度、酸素ガス、流量、真空度、電子ガンのガン電流によ
って調節することができる。また、図１の方法におい
て、Ｓｉx Ｏy Ｎz のｘ、ｙ、ｚの値により、正確に制
御して基板上に成膜する方法としては、上記方法以外に
タブレット７にＳｉＯ2 とＳｉ3 Ｎ4 の粉末を所望重量
比で混合し、ホットプレスにより、固めたものを用いる
方法が好ましい。その理由としてはＳｉＯ2 とＳｉ3 Ｎ
4 の融点が近接しているため、ほぼ同じような状態で蒸
発していくためである。ちなみに、Ｓｉx Ｏy Ｎz の膜
の屈折率（屈折率０．６３μｍでの値）はｘ、ｙ、ｚの
値により、１．４６５から２．０近くまで変えることが
できる。
【００２０】このように、本発明によれば屈折率（波長
０．６３μｍでの値）が１．４６５から２．０に近い値
の高屈折率膜を形成することができ、しかもこの膜はＳ
ｉＯ2 基板上に形成しても大きな反りが生じない。さら
に、膜形成中の真空度、すなわちＯ2 分圧量を調節する
ことにより、屈折率の制御を容易に行うことができる。
また、真空中で膜形成を行うので、不純物の混入の少な
い透過率の良い膜を形成することができる。尚、この酸
素の代わりにオゾンを導入するようにすれば、Ｓｉx Ｏ
y Ｎz のｘ、ｙ、ｚの値の制御もより容易となり、また
成膜中の基板７への応力の発生を抑制することができ
る。
０．６３μｍでの値）が１．４６５から２．０に近い値
の高屈折率膜を形成することができ、しかもこの膜はＳ
ｉＯ2 基板上に形成しても大きな反りが生じない。さら
に、膜形成中の真空度、すなわちＯ2 分圧量を調節する
ことにより、屈折率の制御を容易に行うことができる。
また、真空中で膜形成を行うので、不純物の混入の少な
い透過率の良い膜を形成することができる。尚、この酸
素の代わりにオゾンを導入するようにすれば、Ｓｉx Ｏ
y Ｎz のｘ、ｙ、ｚの値の制御もより容易となり、また
成膜中の基板７への応力の発生を抑制することができ
る。
【００２１】次に、図２は本発明の第二の実施例を示し
たものであり、本実施例は真空チャンバー３内下部に、
仕切板１６を介して二つの蒸発源３，３ａを設け、この
蒸発源３，３ａにそれぞれ異なった成分のタブレット
４，４ａを収容し、これらタブレット４，４ａにそれぞ
れ電子ガン５，５ａから電子ビームを照射することによ
り、これらタブレット４，４ａを別個に蒸発させる方法
である。そして、一方のタブレット４には上記実施例と
同様にＳｉ3 Ｎ4 を用い、他方のタブレット４ａにはＳ
ｉＯ2 あるいはＳｉＯ2 にＧｅＯ2 、ＴｉＯ2 、Ｔａ2
Ｏ5 、Ｎｂ2 Ｏ3 などの屈折率制御用酸化物を少なくと
も１種含んだものを用いる。この屈折率制御用酸化物の
添加は屈折率の調節以外に、膜と基板との間の熱膨張係
数の整合剤としても作用する。すなわち、タブレット４
ａへの電子ガン５ａのガン電流を調節することによって
上記屈折率制御用酸化物の添加量を任意に制御すること
ができるものである。なお、図２において、仕切板１６
は一方の蒸発源からの蒸発物が他方の蒸発源内に混入し
ないようにするためのものである。
たものであり、本実施例は真空チャンバー３内下部に、
仕切板１６を介して二つの蒸発源３，３ａを設け、この
蒸発源３，３ａにそれぞれ異なった成分のタブレット
４，４ａを収容し、これらタブレット４，４ａにそれぞ
れ電子ガン５，５ａから電子ビームを照射することによ
り、これらタブレット４，４ａを別個に蒸発させる方法
である。そして、一方のタブレット４には上記実施例と
同様にＳｉ3 Ｎ4 を用い、他方のタブレット４ａにはＳ
ｉＯ2 あるいはＳｉＯ2 にＧｅＯ2 、ＴｉＯ2 、Ｔａ2
Ｏ5 、Ｎｂ2 Ｏ3 などの屈折率制御用酸化物を少なくと
も１種含んだものを用いる。この屈折率制御用酸化物の
添加は屈折率の調節以外に、膜と基板との間の熱膨張係
数の整合剤としても作用する。すなわち、タブレット４
ａへの電子ガン５ａのガン電流を調節することによって
上記屈折率制御用酸化物の添加量を任意に制御すること
ができるものである。なお、図２において、仕切板１６
は一方の蒸発源からの蒸発物が他方の蒸発源内に混入し
ないようにするためのものである。
【００２２】このように本実施例によれば、上記第一の
実施例の膜の屈折率よりもさらに高い値の屈折率の膜を
形成することができ、しかも、屈折率制御用酸化物の添
加は屈折率の調節以外に、膜と基板との間の熱膨張係数
の整合用としても作用する。次に、図３は第三の実施例
を示したものである。本実施例は上記第二実施例で示し
た真空チャンバー２内下部にさらにもう一つの蒸発源３
ｂを設け、さらに、真空チャンバー２上下に膜厚モニタ
用光源１１とフォトデテクタ１２及び膜厚モニタ用ガラ
ス１３を設けたものである。そして、一つの目の蒸発源
３内にはＳｉ3 Ｎ4 のタブレット４を入れ、二つ目の蒸
発源３ａ内にはＳｉＯ2 あるいはＳｉＯ2 にＧｅＯ2 、
ＴｉＯ2 、Ｔａ2 Ｏ5 、Ｎｂ2 Ｏ3 などの屈折率制御用
酸化物からなるタブレット４ａを入れ、残りの一つの蒸
発源４ｂ内には上記屈折率制御用酸化物からなるタブレ
ット４ｂを入れ、それぞれの蒸発源４，４ａ，４ｂの近
傍に設けられた電子ガン５，５ａ，５ｂから上記それぞ
れのタブレット３，３ａ，３ｂに電子ビームを照射する
ことによって少なくとも屈折率制御用添加物が１種含ま
れた光導波膜を基板７上に形成することができる。ま
た、上記添加物の調節はそれぞれの電子ガン５，５ａ，
５ｂの電流値を任意に変化させることによって制御する
ことができる。また、この装置には基板７上に膜を形成
中に膜厚をモニタする機構が取り付けられているため、
膜成形時において、膜厚モニタ用光源１１から光を下方
部から上方部の膜厚モニタ用ガラス１３を通してフォト
デテクタ１２で検出することにより、膜厚をオンライン
で制御することができる。
実施例の膜の屈折率よりもさらに高い値の屈折率の膜を
形成することができ、しかも、屈折率制御用酸化物の添
加は屈折率の調節以外に、膜と基板との間の熱膨張係数
の整合用としても作用する。次に、図３は第三の実施例
を示したものである。本実施例は上記第二実施例で示し
た真空チャンバー２内下部にさらにもう一つの蒸発源３
ｂを設け、さらに、真空チャンバー２上下に膜厚モニタ
用光源１１とフォトデテクタ１２及び膜厚モニタ用ガラ
ス１３を設けたものである。そして、一つの目の蒸発源
３内にはＳｉ3 Ｎ4 のタブレット４を入れ、二つ目の蒸
発源３ａ内にはＳｉＯ2 あるいはＳｉＯ2 にＧｅＯ2 、
ＴｉＯ2 、Ｔａ2 Ｏ5 、Ｎｂ2 Ｏ3 などの屈折率制御用
酸化物からなるタブレット４ａを入れ、残りの一つの蒸
発源４ｂ内には上記屈折率制御用酸化物からなるタブレ
ット４ｂを入れ、それぞれの蒸発源４，４ａ，４ｂの近
傍に設けられた電子ガン５，５ａ，５ｂから上記それぞ
れのタブレット３，３ａ，３ｂに電子ビームを照射する
ことによって少なくとも屈折率制御用添加物が１種含ま
れた光導波膜を基板７上に形成することができる。ま
た、上記添加物の調節はそれぞれの電子ガン５，５ａ，
５ｂの電流値を任意に変化させることによって制御する
ことができる。また、この装置には基板７上に膜を形成
中に膜厚をモニタする機構が取り付けられているため、
膜成形時において、膜厚モニタ用光源１１から光を下方
部から上方部の膜厚モニタ用ガラス１３を通してフォト
デテクタ１２で検出することにより、膜厚をオンライン
で制御することができる。
【００２３】このように、本実施例によれば、Ｓｉx Ｏ
y Ｎz のｘ、ｙ、ｚを所望値に設定した光導波膜を容易
に得ることができ、しかも、ＳｉＯ2 とＳｉ3 Ｎ4 の融
点は１５００℃と１９００℃であり、比較的近い値をも
っているので、電子ビームで蒸発させる上で好都合であ
る。また、本実施例も上述したような電子ビーム蒸着法
で膜を形成するので、膜厚をモニタしながら形成するこ
とができ、その膜厚を制御性よく形成することができ
る。また、基板としてガラス（石英系、多成分系）、半
導体（Ｓｉ、ＧａＡｓ、ＩｎＰなど）、強誘電体（Ｌｉ
ＮｂＯ3 、ＬｉＴａＯ3 など）、磁性体、サファイヤな
どの種々のものを用いることができるので、種々の機能
をもった光デバイス（増幅、発振、変調、合波、分波、
分配など）を製造することができ、しかも、低コスト化
にも役立つ。
y Ｎz のｘ、ｙ、ｚを所望値に設定した光導波膜を容易
に得ることができ、しかも、ＳｉＯ2 とＳｉ3 Ｎ4 の融
点は１５００℃と１９００℃であり、比較的近い値をも
っているので、電子ビームで蒸発させる上で好都合であ
る。また、本実施例も上述したような電子ビーム蒸着法
で膜を形成するので、膜厚をモニタしながら形成するこ
とができ、その膜厚を制御性よく形成することができ
る。また、基板としてガラス（石英系、多成分系）、半
導体（Ｓｉ、ＧａＡｓ、ＩｎＰなど）、強誘電体（Ｌｉ
ＮｂＯ3 、ＬｉＴａＯ3 など）、磁性体、サファイヤな
どの種々のものを用いることができるので、種々の機能
をもった光デバイス（増幅、発振、変調、合波、分波、
分配など）を製造することができ、しかも、低コスト化
にも役立つ。
【００２４】次に、図４は上記発明によって得られた光
導波膜からを光導波路を製造する方法の一実施例を示し
たものである。この製造方法は大別して６つのプロセス
からなるものである。まず図４中（ａ）に示すように、
基板１５上に屈折率がｎb のバッファ層１４を形成し、
その上に上記図１〜図３に示した発明方法によってコア
用の膜（屈折率ｎｗ）１６を形成した後、コア用膜１６
上にメタルマスク用のメタル膜１７を形成する。ここで
バッファ層１４の膜厚は厚い程、伝搬損失を小さくでき
るので、数μｍから１０数μｍの範囲が好ましい。コア
用膜１６の膜厚もシングルモード伝搬用の場合には数μ
ｍから１０数μｍの範囲が好ましい。次に図４中
（ｂ），（ｃ）に示すように、メタル膜１７上にフォト
レジスト膜を塗布し、マスクを介して紫外線露光を行
い、フォトレジストパターン１８をマスクにしてメタル
膜をエッチングする。このメタル膜のエッチングはＮＦ
3 ガスを用いてドライエッチングにより行う。その次
に、図４中（ｄ）に示すように、上面のフォトレジスト
パターン１８を剥離した後、メタルマスク１７を用いて
ドライエッチングを行い、コア用膜１６を略矩形状にパ
ターン化する。この場合、エッチングはバッファ層１４
も若干エッチングする程度の深さまで行う。このエッチ
ングにはＣＨＦ3 ガスを用いて行う。コア膜１６がＳｉ
x Ｏy Ｎz の場合には、ＮがＳｉに結合した一体構造、
たとえば であるのでドライエッチングがほぼ一様に行われて、コ
ア１６の側面荒れがほとんどないパターンを得ることが
できる。ちなみに従来のコアにはＧｅ、Ｐ、Ａｌ、Ｔｉ
などの屈折率制御用添加物が５重量％から数１０重量％
含まれているので、ＳｉＯ2 と上記添加物とのエッチン
グ速度の違いによるコア側面の荒れが生ずる。そして、
図４中（ｅ）に示すように、メタルパターン１７をエッ
チングにより取り除き、最後に図４中（ｆ）に示すよう
に、コア１６の屈折率ｎｗよりも低い値のクラッド膜１
９（屈折率ｎｃ＜ｎｗ）を被覆することによって、光導
波路を得ることができる。ここで、クラッド膜１９の形
成方法はプラズマＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法、火炎堆積法、
コーティング法などの製法を用いることができる。
導波膜からを光導波路を製造する方法の一実施例を示し
たものである。この製造方法は大別して６つのプロセス
からなるものである。まず図４中（ａ）に示すように、
基板１５上に屈折率がｎb のバッファ層１４を形成し、
その上に上記図１〜図３に示した発明方法によってコア
用の膜（屈折率ｎｗ）１６を形成した後、コア用膜１６
上にメタルマスク用のメタル膜１７を形成する。ここで
バッファ層１４の膜厚は厚い程、伝搬損失を小さくでき
るので、数μｍから１０数μｍの範囲が好ましい。コア
用膜１６の膜厚もシングルモード伝搬用の場合には数μ
ｍから１０数μｍの範囲が好ましい。次に図４中
（ｂ），（ｃ）に示すように、メタル膜１７上にフォト
レジスト膜を塗布し、マスクを介して紫外線露光を行
い、フォトレジストパターン１８をマスクにしてメタル
膜をエッチングする。このメタル膜のエッチングはＮＦ
3 ガスを用いてドライエッチングにより行う。その次
に、図４中（ｄ）に示すように、上面のフォトレジスト
パターン１８を剥離した後、メタルマスク１７を用いて
ドライエッチングを行い、コア用膜１６を略矩形状にパ
ターン化する。この場合、エッチングはバッファ層１４
も若干エッチングする程度の深さまで行う。このエッチ
ングにはＣＨＦ3 ガスを用いて行う。コア膜１６がＳｉ
x Ｏy Ｎz の場合には、ＮがＳｉに結合した一体構造、
たとえば であるのでドライエッチングがほぼ一様に行われて、コ
ア１６の側面荒れがほとんどないパターンを得ることが
できる。ちなみに従来のコアにはＧｅ、Ｐ、Ａｌ、Ｔｉ
などの屈折率制御用添加物が５重量％から数１０重量％
含まれているので、ＳｉＯ2 と上記添加物とのエッチン
グ速度の違いによるコア側面の荒れが生ずる。そして、
図４中（ｅ）に示すように、メタルパターン１７をエッ
チングにより取り除き、最後に図４中（ｆ）に示すよう
に、コア１６の屈折率ｎｗよりも低い値のクラッド膜１
９（屈折率ｎｃ＜ｎｗ）を被覆することによって、光導
波路を得ることができる。ここで、クラッド膜１９の形
成方法はプラズマＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法、火炎堆積法、
コーティング法などの製法を用いることができる。
【００２５】次に、図５は本発明の光導波路の製造方法
によって実現できる光導波路の断面図を示したものであ
る。図中（ａ）に示す光導波路１５ａは基板１５に例え
ば、石英系ガラス（石英、バイコールガラスなど）を用
い、バッファ層２０を基板１５で兼用して用いた場合の
構造である。また、図中（ｂ）に示す光導波路１５ｂは
図４の製法によって実現した光導波路構造のものであ
り、基板１５にはガラス（石英系、多成分系ガラス）、
半導体（Ｓｉ、ＩｎＰ、ＧａＡｓなど）、強誘電体（Ｌ
ｉＮｂＯ3 、ＬｉＴａＯ3 など）、磁性体等を用いるこ
とができ、光導波路設計上の自由度を拡げることができ
る。また、図中（ｃ）に示す光導波路１５ｃはクラッド
２１の厚みを薄くしたいわゆるリッジ型光導波路構造の
ものである。
によって実現できる光導波路の断面図を示したものであ
る。図中（ａ）に示す光導波路１５ａは基板１５に例え
ば、石英系ガラス（石英、バイコールガラスなど）を用
い、バッファ層２０を基板１５で兼用して用いた場合の
構造である。また、図中（ｂ）に示す光導波路１５ｂは
図４の製法によって実現した光導波路構造のものであ
り、基板１５にはガラス（石英系、多成分系ガラス）、
半導体（Ｓｉ、ＩｎＰ、ＧａＡｓなど）、強誘電体（Ｌ
ｉＮｂＯ3 、ＬｉＴａＯ3 など）、磁性体等を用いるこ
とができ、光導波路設計上の自由度を拡げることができ
る。また、図中（ｃ）に示す光導波路１５ｃはクラッド
２１の厚みを薄くしたいわゆるリッジ型光導波路構造の
ものである。
【００２６】このように、本発明によれば上記方法によ
って得られた光導波膜を用いるため、低損失、超小型、
低コスト、高寸法精度の光導波路型回路を容易に製造す
ることができる。
って得られた光導波膜を用いるため、低損失、超小型、
低コスト、高寸法精度の光導波路型回路を容易に製造す
ることができる。
【００２７】
【発明の効果】以上要するに本発明によれば、高屈折率
の光導波路用コア膜を低屈折率層を有する基板上に反り
を小さく成膜でき、かつ、その膜厚及び屈折率の制御が
容易で、不純物含有のおそれのない透過率の良い膜を成
膜することができる。その結果、低損失、超小型、低コ
スト、高寸法精度の光導波路型回路を実現することがで
きるといった優れた効果を有する。
の光導波路用コア膜を低屈折率層を有する基板上に反り
を小さく成膜でき、かつ、その膜厚及び屈折率の制御が
容易で、不純物含有のおそれのない透過率の良い膜を成
膜することができる。その結果、低損失、超小型、低コ
スト、高寸法精度の光導波路型回路を実現することがで
きるといった優れた効果を有する。
【図１】本発明の一実施例を示す概略図である。
【図２】本発明の第二の実施例を示す概略図である。
【図３】本発明の第三の実施例を示す概略図である。
【図４】本発明によって得られた光導波膜からを光導波
路を製造する方法の一実施例を示したものである。
路を製造する方法の一実施例を示したものである。
【図５】本発明の光導波路の製造方法によって実現でき
る各種光導波路の断面図を示したものである。
る各種光導波路の断面図を示したものである。
【図６】従来のガラス導波路の製造方法の一実施例を示
す工程図である。
す工程図である。
２ チャンバー ３ 蒸発源 ４ タブレット ７、１５ 基板 １４ バッファ層 １６ コア １９ クラッド層
Claims (5)
- 【請求項１】 真空チャンバー内上方部に基板を配置し
てこれを加熱すると共に、該基板の下方部にＳｉ3 Ｎ4
のタブレットを収容した蒸発源を配置した後、上記真空
チャンバー内にＯ2 ガスを導入しつつ、上記タブレット
に電子ビームを照射してこれを蒸発させて上記基板上に
Ｓｉx Ｏy Ｎz の光導波膜を形成することを特徴とする
光導波膜の製造方法。 - 【請求項２】 真空チャンバー内上方部に基板を配置し
てこれを加熱すると共に、該基板の下方部にＳｉ3 Ｎ4
のタブレットを収容した蒸発源と、屈折率制御用酸化物
のタブレットを収容した蒸発源を配置した後、上記真空
チャンバー内にＯ2 ガスを導入しつつ、これらタブレッ
トに電子ビームを照射してこれらをそれぞれ蒸発させて
上記基板上に屈折率制御用酸化物を少なくとも１種含有
したＳｉx Ｏy Ｎz の光導波膜を形成することを特徴と
する光導波膜の製造方法。 - 【請求項３】 真空チャンバー内上方部に基板を配置し
てこれを加熱すると共に該基板の下方部に蒸発源を配置
した後、該蒸発源内に、ＳｉＯ2 とＳｉ3 Ｎ4 の粉末を
所望重量比で混合してホットプレスによってタブレット
状に固化したものを収容して、上記真空チャンバー内に
Ｏ2 ガスを導入しつつ、上記タブレットに電子ビームを
照射してこれを蒸発させて上記基板上にＳｉx Ｏy Ｎz
の光導波膜を形成することを特徴とする光導波膜の製造
方法。 - 【請求項４】 上記請求項１〜３いずれか記載の光導波
膜の製造方法によって形成される膜の屈折率よりも低い
値の屈折率を有する基板、あるいは上記方法によって得
られる光導波膜の屈折率よりも低い値の屈折率を有する
低屈折率層を、その表面に予め形成した基板を用いるこ
とを特徴とする請求項１〜３いずれか記載の光導波膜の
製造方法。 - 【請求項５】 上記請求項１〜４いずれか記載の製造方
法によって得られた光導波膜をフォトリゾグラフィ及び
ドライエッチングにより略矩形状パターンに加工した
後、該略矩形状パターン表面上に、これより低い屈折率
のクラッド膜を被覆して形成することを特徴とする光導
波路の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16300692A JPH062105A (ja) | 1992-06-22 | 1992-06-22 | 光導波膜及び光導波路の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16300692A JPH062105A (ja) | 1992-06-22 | 1992-06-22 | 光導波膜及び光導波路の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH062105A true JPH062105A (ja) | 1994-01-11 |
Family
ID=15765409
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16300692A Pending JPH062105A (ja) | 1992-06-22 | 1992-06-22 | 光導波膜及び光導波路の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH062105A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101386523B1 (ko) * | 2011-12-30 | 2014-04-18 | 한국세라믹기술원 | 전자빔 증착용 저밀도 잉곳 제조 방법 |
-
1992
- 1992-06-22 JP JP16300692A patent/JPH062105A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101386523B1 (ko) * | 2011-12-30 | 2014-04-18 | 한국세라믹기술원 | 전자빔 증착용 저밀도 잉곳 제조 방법 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4384038A (en) | Method of producing integrated optical waveguide circuits and circuits obtained by this method | |
| JPH07140336A (ja) | 光導波路 | |
| JPH05226733A (ja) | 希土類元素添加ガラス導波路およびその製造方法 | |
| JPH062105A (ja) | 光導波膜及び光導波路の製造方法 | |
| JP2900732B2 (ja) | 光導波路の製造方法 | |
| JPS5947281B2 (ja) | 光導波回路の製造方法 | |
| JPH0659147A (ja) | 光導波路及びその製造方法 | |
| JP3107334B2 (ja) | 希土類イオン添加光導波膜及び光導波路の製造方法 | |
| JPH05181031A (ja) | 光導波路及びその製造方法 | |
| JP4001416B2 (ja) | 埋込プレーナ光波回路素子の製造方法 | |
| JP3943149B2 (ja) | 光導波路およびその製造方法 | |
| JP3085559B2 (ja) | 希土類イオン含有ガラス導波路の製造方法 | |
| JP2020098283A (ja) | 光導波路とその製造方法 | |
| JP2747359B2 (ja) | 希土類元素添加導波路の製造方法 | |
| KR20010047296A (ko) | 에어로졸 공정을 이용한 평판형 광도파로 및 그 제조 방법 | |
| JP2606679B2 (ja) | 光導波路の製造方法 | |
| JP2842874B2 (ja) | 導波路型光デバイスの製造方法 | |
| KR100443591B1 (ko) | 평판형 광도파로의 제조방법 | |
| JPH05224057A (ja) | 希土類元素添加ガラス膜およびガラス導波路の製造方法 | |
| JPH05157927A (ja) | ガラス導波路及びそのコア用ガラス膜の製造方法 | |
| KR20000000195A (ko) | 실리카 평판 광도파로 상층 클래드의 에어로졸 화염증착제작법 | |
| JP2984130B2 (ja) | プラズマｃｖｄ法による光導波路用ガラス膜および光導波路の製造方法 | |
| JP2747352B2 (ja) | 光導波路用ガラス膜の形成方法及び光導波路の製造方法 | |
| JPH06258538A (ja) | 光導波路及びその製造方法 | |
| JPH08292335A (ja) | 光導波路作製方法 |