JPH06211564A - セラミック基板 - Google Patents
セラミック基板Info
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- JPH06211564A JPH06211564A JP5005196A JP519693A JPH06211564A JP H06211564 A JPH06211564 A JP H06211564A JP 5005196 A JP5005196 A JP 5005196A JP 519693 A JP519693 A JP 519693A JP H06211564 A JPH06211564 A JP H06211564A
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Landscapes
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 高誘電率，高いＱ値，及び安定した温度特性
を得ながら、低温焼成を可能にして融点の低い電極との
同時焼成を実現できるセラミック基板を提供する。 【構成】 ｘ・ ＢａＯ−ｙ・ ＴｉＯ2 −ｚ・ ＮｄＯ
3/2(但し、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１００％）を主成分とし、上記
ｘ，ｙ，ｚをそれぞれ2.5 ≦ｘ≦15，52.5≦ｙ≦70，15
≦ｚ≦45モル％範囲とする。これにＢｉ2 Ｏ3 を17wt％
以下及びＰｂＯを10wt％以下添加してなる誘電体磁器組
成物を作成する。また、ＳｉＯ2 を５〜60wt％、ＢａＯ
を40〜80wt％、Ａｌ2 Ｏ3 ，ＺｒＯ2 ，ＴｉＯ2 のうち
少なくとも１種を10wt％以下、Ｂ2 Ｏ3 を５〜20wt％含
み、かつＮａ2 Ｏ，Ｋ2 Ｏ，Ｌｉ2 Ｏのうち少なくとも
１種を0.01〜７wt％含み、さらにＳｒＯ，ＣａＯ，Ｍｇ
Ｏ，ＺｎＯ，ＰｂＯを15wt％以下含むガラスを作成す
る。このガラス5 〜70wt％と上記誘電体磁器組成物30〜
95wt％とを混合した組成物を焼成してセラミック基板と
する。
を得ながら、低温焼成を可能にして融点の低い電極との
同時焼成を実現できるセラミック基板を提供する。 【構成】 ｘ・ ＢａＯ−ｙ・ ＴｉＯ2 −ｚ・ ＮｄＯ
3/2(但し、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１００％）を主成分とし、上記
ｘ，ｙ，ｚをそれぞれ2.5 ≦ｘ≦15，52.5≦ｙ≦70，15
≦ｚ≦45モル％範囲とする。これにＢｉ2 Ｏ3 を17wt％
以下及びＰｂＯを10wt％以下添加してなる誘電体磁器組
成物を作成する。また、ＳｉＯ2 を５〜60wt％、ＢａＯ
を40〜80wt％、Ａｌ2 Ｏ3 ，ＺｒＯ2 ，ＴｉＯ2 のうち
少なくとも１種を10wt％以下、Ｂ2 Ｏ3 を５〜20wt％含
み、かつＮａ2 Ｏ，Ｋ2 Ｏ，Ｌｉ2 Ｏのうち少なくとも
１種を0.01〜７wt％含み、さらにＳｒＯ，ＣａＯ，Ｍｇ
Ｏ，ＺｎＯ，ＰｂＯを15wt％以下含むガラスを作成す
る。このガラス5 〜70wt％と上記誘電体磁器組成物30〜
95wt％とを混合した組成物を焼成してセラミック基板と
する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、例えばマイクロ波帯用
の共振器やフィルタ等の誘電体として用いることがで
き、かつ高誘電率，高いＱ値，及び安定した温度特性を
有しながら、低温焼成を可能にして融点の低い電極との
同時焼成を実現できるようにしたセラミック基板に関す
る。
の共振器やフィルタ等の誘電体として用いることがで
き、かつ高誘電率，高いＱ値，及び安定した温度特性を
有しながら、低温焼成を可能にして融点の低い電極との
同時焼成を実現できるようにしたセラミック基板に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】従来、マイクロ波帯用の共振器やフィル
タ等においては、電子部品の小型化を図るために高い誘
電率εr を有する誘電体セラミック基板を空胴共振器に
置き換えることが行われている。これは誘電体セラミッ
ク基板内部における電磁波の波長が自由空間のそれの１
／εr1/2に短縮される効果を利用したものである。とこ
ろで、誘電体共振器として使用できるゼロ温度係数をも
つセラミック材料の誘電率は、今までのところ100 以下
に限定されており、近年のさらなる小型化の要求には対
応できなくなっている。
タ等においては、電子部品の小型化を図るために高い誘
電率εr を有する誘電体セラミック基板を空胴共振器に
置き換えることが行われている。これは誘電体セラミッ
ク基板内部における電磁波の波長が自由空間のそれの１
／εr1/2に短縮される効果を利用したものである。とこ
ろで、誘電体共振器として使用できるゼロ温度係数をも
つセラミック材料の誘電率は、今までのところ100 以下
に限定されており、近年のさらなる小型化の要求には対
応できなくなっている。
【０００３】このような小型化に対応するには、マイク
ロ波回路で知られているＬＣ共振器を用いることが有効
である。またこのＬＣ共振器を組み合わせた回路を構成
する場合、積層コンデンサや多層基板等で実用化されて
いるセラミック層と内部電極とを交互に重ねて一体焼結
してなる積層セラミック基板を適用することにより、よ
り小型化を可能にでき、かつ信頼性の高い電子部品が得
られる。この場合、マイクロ波帯で高誘電率，高いＱ
値，及び高温での安定性を有するＬＣ共振器を得るに
は、上記セラミック基板の内部電極に高い導電率の金，
銀，銅等を用いる必要がある。
ロ波回路で知られているＬＣ共振器を用いることが有効
である。またこのＬＣ共振器を組み合わせた回路を構成
する場合、積層コンデンサや多層基板等で実用化されて
いるセラミック層と内部電極とを交互に重ねて一体焼結
してなる積層セラミック基板を適用することにより、よ
り小型化を可能にでき、かつ信頼性の高い電子部品が得
られる。この場合、マイクロ波帯で高誘電率，高いＱ
値，及び高温での安定性を有するＬＣ共振器を得るに
は、上記セラミック基板の内部電極に高い導電率の金，
銀，銅等を用いる必要がある。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記従来
のセラミック基板では、誘電体セラミックの焼成温度よ
り内部電極の融点が低いことから、同時に一体焼成する
のが困難である。このため低温での焼結に対応できるセ
ラミック材料の出現が要請されている。
のセラミック基板では、誘電体セラミックの焼成温度よ
り内部電極の融点が低いことから、同時に一体焼成する
のが困難である。このため低温での焼結に対応できるセ
ラミック材料の出現が要請されている。
【０００５】本発明は上記従来の状況に鑑みてなされた
もので、内部電極に採用される金属の融点よりも低い温
度で焼結できるセラミック基板を提供することを目的と
している。
もので、内部電極に採用される金属の融点よりも低い温
度で焼結できるセラミック基板を提供することを目的と
している。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本件発明者は、高誘電
率，高いＱ値，及び安定した温度特性を有しながら、
金，銀等の内部電極と同時に一体焼結できるセラミック
材料を見出すべき鋭意検討したところ、ＢａＯ−ＴｉＯ
2 −ＮｄＯ3/2 を主成分とする高周波用誘電体磁器組成
物にガラスを添加し、かつ上記各組成物，及びガラス成
分の添加量を限定することにより上記電極の融点より低
い温度で焼結できることを見出し、本発明を成したもの
である。
率，高いＱ値，及び安定した温度特性を有しながら、
金，銀等の内部電極と同時に一体焼結できるセラミック
材料を見出すべき鋭意検討したところ、ＢａＯ−ＴｉＯ
2 −ＮｄＯ3/2 を主成分とする高周波用誘電体磁器組成
物にガラスを添加し、かつ上記各組成物，及びガラス成
分の添加量を限定することにより上記電極の融点より低
い温度で焼結できることを見出し、本発明を成したもの
である。
【０００７】そこで本発明は、ｘ・ ＢａＯ−ｙ・ ＴｉＯ
2 −ｚ・ ＮｄＯ3/2(但し、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１００％）と表
したとき、上記ｘ，ｙ，ｚがそれぞれ2.5 ≦ｘ≦15，5
2.5≦ｙ≦70，15≦ｚ≦45のモル％の範囲にあるものを
主成分とし、これにＢｉ2 Ｏ3が17wt％以下及びＰｂＯ
が10wt％以下添加された誘電体磁器組成物30〜95wt％
と、ＳｉＯ2 を５〜60wt％、ＢａＯを40〜80wt％、Ａｌ
2 Ｏ3 ，ＺｒＯ2 ，ＴｉＯ 2 のうち少なくとも１種を10
wt％以下、Ｂ2 Ｏ3 を５〜20wt％含み、かつＮａ2Ｏ，
Ｋ2 Ｏ，Ｌｉ2 Ｏのうち少なくとも１種を0.01〜７wt％
含み、さらにＳｒＯ，ＣａＯ，ＭｇＯ，ＺｎＯ，ＰｂＯ
を15wt％以下含むガラス5 〜70wt％とからなる組成物を
焼成したことを特徴とするセラミック基板である。
2 −ｚ・ ＮｄＯ3/2(但し、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１００％）と表
したとき、上記ｘ，ｙ，ｚがそれぞれ2.5 ≦ｘ≦15，5
2.5≦ｙ≦70，15≦ｚ≦45のモル％の範囲にあるものを
主成分とし、これにＢｉ2 Ｏ3が17wt％以下及びＰｂＯ
が10wt％以下添加された誘電体磁器組成物30〜95wt％
と、ＳｉＯ2 を５〜60wt％、ＢａＯを40〜80wt％、Ａｌ
2 Ｏ3 ，ＺｒＯ2 ，ＴｉＯ 2 のうち少なくとも１種を10
wt％以下、Ｂ2 Ｏ3 を５〜20wt％含み、かつＮａ2Ｏ，
Ｋ2 Ｏ，Ｌｉ2 Ｏのうち少なくとも１種を0.01〜７wt％
含み、さらにＳｒＯ，ＣａＯ，ＭｇＯ，ＺｎＯ，ＰｂＯ
を15wt％以下含むガラス5 〜70wt％とからなる組成物を
焼成したことを特徴とするセラミック基板である。
【０００８】ここで、上記各組成物の添加量を限定した
理由について説明する。 〔主成分をｘ・ ＢａＯ−ｙ・ ＴｉＯ2 −ｚ・ ＮｄＯ3/2
に規制した理由〕図１は、上記主成分の組成範囲を示す
三元図である。同図において、上記ｘ，ｙ，ｚがＡ領域
では、低温焼結が困難となる。この場合、通常の焼結に
必要な温度である１４００℃になると多孔質の磁器しか
得られなくなる。またＢ領域では温度特性がプラス側で
大きくなり過ぎることから焼結が不安定となる。これは
Ｃ領域においても同様のことがいえる。さらにＤ領域で
は温度特性が逆にマイナス側で大きくなってくることか
ら焼結が進まなくなる。この結果、上記ｘ，ｙ，ｚの最
適範囲は上記Ａ〜Ｄ領域で囲まれた範囲内（図中、斜線
部分）が望ましい。
理由について説明する。 〔主成分をｘ・ ＢａＯ−ｙ・ ＴｉＯ2 −ｚ・ ＮｄＯ3/2
に規制した理由〕図１は、上記主成分の組成範囲を示す
三元図である。同図において、上記ｘ，ｙ，ｚがＡ領域
では、低温焼結が困難となる。この場合、通常の焼結に
必要な温度である１４００℃になると多孔質の磁器しか
得られなくなる。またＢ領域では温度特性がプラス側で
大きくなり過ぎることから焼結が不安定となる。これは
Ｃ領域においても同様のことがいえる。さらにＤ領域で
は温度特性が逆にマイナス側で大きくなってくることか
ら焼結が進まなくなる。この結果、上記ｘ，ｙ，ｚの最
適範囲は上記Ａ〜Ｄ領域で囲まれた範囲内（図中、斜線
部分）が望ましい。
【０００９】〔ガラス組成物の添加量を限定した理由〕
上記Ｂ2 Ｏ3 はガラス粘度下げる働きがあることから、
これを添加することによりセラミック基板の焼結を促進
できる。しかしガラス中のＢ成分が２０wt％を越えると
セラミックグリーンシート上にホウ酸結晶として析出す
る。また上記Ｂ 2 Ｏ3 量を５wt％未満にすると１０００
℃以下での基板の焼結が困難となる。
上記Ｂ2 Ｏ3 はガラス粘度下げる働きがあることから、
これを添加することによりセラミック基板の焼結を促進
できる。しかしガラス中のＢ成分が２０wt％を越えると
セラミックグリーンシート上にホウ酸結晶として析出す
る。また上記Ｂ 2 Ｏ3 量を５wt％未満にすると１０００
℃以下での基板の焼結が困難となる。
【００１０】上記ＢａＯは上記誘電体磁器組成物とガラ
ス反応を促進させ、ガラスの軟化点を下げる働きがあ
る。しかしこのＢａＯ量を４０wt％以下にすると上記磁
器組成物との反応が進まず、１０００℃以下での焼結が
困難となる。またＢａＯはセラミック基板のＱ値に影響
を与え易く、これの添加量が８０wt％を越えるとＱ値が
著しく悪化する。
ス反応を促進させ、ガラスの軟化点を下げる働きがあ
る。しかしこのＢａＯ量を４０wt％以下にすると上記磁
器組成物との反応が進まず、１０００℃以下での焼結が
困難となる。またＢａＯはセラミック基板のＱ値に影響
を与え易く、これの添加量が８０wt％を越えるとＱ値が
著しく悪化する。
【００１１】上記ＳｉＯ2 量を限定したのは、この量が
６０wt％を越えるとガラス化温度が高くなり過ぎること
から、工業的な実用ガラス溶融温度の１５００℃以下で
ガラス化しなくなるからである。またＳｉＯ2 量を５wt
％未満にすると焼結体の収縮率のばらつきが大きくな
り、セラミック基板としての採用が困難になる。
６０wt％を越えるとガラス化温度が高くなり過ぎること
から、工業的な実用ガラス溶融温度の１５００℃以下で
ガラス化しなくなるからである。またＳｉＯ2 量を５wt
％未満にすると焼結体の収縮率のばらつきが大きくな
り、セラミック基板としての採用が困難になる。
【００１２】また上記Ａｌ2 Ｏ3 ，ＺｒＯ2 ，ＴｉＯ2
はガラス及びセラミック基板の化学的な耐久性を高める
働きをする。しかしこの量が１０wt％を越えるとガラス
の溶融温度を高くしてしまうことから、セラミック基板
の焼結温度も高くなる。
はガラス及びセラミック基板の化学的な耐久性を高める
働きをする。しかしこの量が１０wt％を越えるとガラス
の溶融温度を高くしてしまうことから、セラミック基板
の焼結温度も高くなる。
【００１３】さらに上記Ｎａ2 Ｏ，Ｋ2 Ｏ，Ｌｉ2 Ｏの
アルカリ成分はガラス化温度を低くする機能を有してい
ることから、セラミック基板の焼結温度を下げるのに有
効である。しかし添加量を０．０１wt％未満にするとそ
の効果が得られない。また添加量が７wt％を越えるとセ
ラミック基板の化学的耐久性及びＱ値が悪くなる。
アルカリ成分はガラス化温度を低くする機能を有してい
ることから、セラミック基板の焼結温度を下げるのに有
効である。しかし添加量を０．０１wt％未満にするとそ
の効果が得られない。また添加量が７wt％を越えるとセ
ラミック基板の化学的耐久性及びＱ値が悪くなる。
【００１４】上記ＳｒＯ，ＣａＯ，ＭｇＯ，ＺｎＯ，Ｐ
ｂＯはセラミック基板の焼結性，及びＱ値を向上させる
働きがある。しかしこの添加量が１５wt％を越えるとセ
ラミック基板の収縮率が不安定になる。
ｂＯはセラミック基板の焼結性，及びＱ値を向上させる
働きがある。しかしこの添加量が１５wt％を越えるとセ
ラミック基板の収縮率が不安定になる。
【００１５】最後に、上記誘電体磁器組成物量を限定し
たのは、これが９５wt％を越えると１０００℃以下での
焼結が困難となるからであり、また５wt％未満にすると
誘電率及びＱ値が低下し、所望の特性が得られなくなる
からである。
たのは、これが９５wt％を越えると１０００℃以下での
焼結が困難となるからであり、また５wt％未満にすると
誘電率及びＱ値が低下し、所望の特性が得られなくなる
からである。
【００１６】
【作用】本発明に係るセラミック基板によれば、ＢａＯ
−ＴｉＯ2 −ＮｄＯ3/2 を主成分とする誘電体磁器組成
物にガラスを添加し、かつこの磁器組成物，及びガラス
成分の添加量を上述の範囲に限定したので、従来例えば
1400℃程度必要であった焼結温度を1000℃以下にするこ
とができ、低温焼結が可能となる。その結果、比抵抗の
小さいＡｇ，Ａｕ，Ｃｕ等の融点より低い温度で同時に
一体焼結することができる。また、本発明のセラミック
基板では、低温での焼結を可能にしながら、高い誘電
率，及びＱ値を得ることができるとともに、高温での安
定した温度特性を得ることができる。従って、上記セラ
ミック基板をマイクロ波，ミリ波等の高周波帯域におけ
る共振器，フィルタとして採用でき、ひいては小型化に
貢献でき、かつ品質に対する信頼性を向上できる。
−ＴｉＯ2 −ＮｄＯ3/2 を主成分とする誘電体磁器組成
物にガラスを添加し、かつこの磁器組成物，及びガラス
成分の添加量を上述の範囲に限定したので、従来例えば
1400℃程度必要であった焼結温度を1000℃以下にするこ
とができ、低温焼結が可能となる。その結果、比抵抗の
小さいＡｇ，Ａｕ，Ｃｕ等の融点より低い温度で同時に
一体焼結することができる。また、本発明のセラミック
基板では、低温での焼結を可能にしながら、高い誘電
率，及びＱ値を得ることができるとともに、高温での安
定した温度特性を得ることができる。従って、上記セラ
ミック基板をマイクロ波，ミリ波等の高周波帯域におけ
る共振器，フィルタとして採用でき、ひいては小型化に
貢献でき、かつ品質に対する信頼性を向上できる。
【００１７】
【実施例】以下、本発明の実施例を説明する。本実施例
では、本発明のセラミック基板を製造し、該基板の効果
を確認するために行った特性試験について説明する。
では、本発明のセラミック基板を製造し、該基板の効果
を確認するために行った特性試験について説明する。
【００１８】
【表１】
【００１９】まず、誘電体磁器組成物を製造する。表１
に示すように、ｘ・ ＢａＯ−ｙ・ ＴｉＯ2 −ｚ・ ＮｄＯ
3/2 のｘ，ｙ，ｚがそれぞれ、x ＝2.5 〜15.0, y ＝5
2.5〜70.0,z＝15.0〜45.0mol ％となるように、ＢａＣ
Ｏ3 ，ＴｉＯ2 ，及びＮｄ2 Ｏ3 を秤量し、これに副成
分として、Ｂｉ2 Ｏ3 及びＰｂＯ粉末をそれぞれ８〜1
1，２〜15mol ％添加混合した。これを1100℃の温度で
１時間仮焼成した後、再び粉砕し、これにより誘電体磁
器組成物（試料番号Ｓ１〜Ｓ９）を作成した。
に示すように、ｘ・ ＢａＯ−ｙ・ ＴｉＯ2 −ｚ・ ＮｄＯ
3/2 のｘ，ｙ，ｚがそれぞれ、x ＝2.5 〜15.0, y ＝5
2.5〜70.0,z＝15.0〜45.0mol ％となるように、ＢａＣ
Ｏ3 ，ＴｉＯ2 ，及びＮｄ2 Ｏ3 を秤量し、これに副成
分として、Ｂｉ2 Ｏ3 及びＰｂＯ粉末をそれぞれ８〜1
1，２〜15mol ％添加混合した。これを1100℃の温度で
１時間仮焼成した後、再び粉砕し、これにより誘電体磁
器組成物（試料番号Ｓ１〜Ｓ９）を作成した。
【００２０】
【表２】
【００２１】次に、表２示すように、ガラス成分として
Ｂ2 Ｏ3 ，ＢａＯ，ＳｉＯ2 ，Ａｌ 2 Ｏ3 ，Ｌｉ2 Ｏ，
Ｎａ2 Ｏ，Ｋ2 Ｏ，ＣａＯを準備し、これらが表に示す
組成比（wt％）となるように調合して原料を作成した。
これを1100℃〜1400℃の温度で溶融した後、水中急冷
し、この後湿式粉砕してガラス粉末（〜）を作成し
た。
Ｂ2 Ｏ3 ，ＢａＯ，ＳｉＯ2 ，Ａｌ 2 Ｏ3 ，Ｌｉ2 Ｏ，
Ｎａ2 Ｏ，Ｋ2 Ｏ，ＣａＯを準備し、これらが表に示す
組成比（wt％）となるように調合して原料を作成した。
これを1100℃〜1400℃の温度で溶融した後、水中急冷
し、この後湿式粉砕してガラス粉末（〜）を作成し
た。
【００２２】
【表３】
【００２３】表３に示すように、上記作成した試料Ｓ１
〜Ｓ９の中から、静電容量の変化率の小さい試料Ｓ２
と、該変化率が最も大きい試料Ｓ６とを選択し、この両
試料Ｓ２，Ｓ６と上記〜のガラスとを調合するとと
もに、両者の添加量を変化させてセラミック材料を作成
した。またこのセラミック材料100 wt％に対して適当量
のバインダー, 可塑剤, 及び溶剤を加えて混練し、スラ
リーを形成した。
〜Ｓ９の中から、静電容量の変化率の小さい試料Ｓ２
と、該変化率が最も大きい試料Ｓ６とを選択し、この両
試料Ｓ２，Ｓ６と上記〜のガラスとを調合するとと
もに、両者の添加量を変化させてセラミック材料を作成
した。またこのセラミック材料100 wt％に対して適当量
のバインダー, 可塑剤, 及び溶剤を加えて混練し、スラ
リーを形成した。
【００２４】上記スラリーからドクターブレード法によ
り厚さ１mmのセラミックグリーンシートを形成し、該シ
ートを縦30mm, 横10mmの寸法にカットして成形体を作成
した。この成形体を空気中にて870 〜930 ℃の範囲の温
度で１時間焼成し、これによりセラミック基板を得た
（試料No. １〜No. ２４）。そして、この各試料No. １
〜２４の誘電率ε，Ｑ値，及び静電容量の変化率（ＴＣ
Ｃ）ppm を測定した。
り厚さ１mmのセラミックグリーンシートを形成し、該シ
ートを縦30mm, 横10mmの寸法にカットして成形体を作成
した。この成形体を空気中にて870 〜930 ℃の範囲の温
度で１時間焼成し、これによりセラミック基板を得た
（試料No. １〜No. ２４）。そして、この各試料No. １
〜２４の誘電率ε，Ｑ値，及び静電容量の変化率（ＴＣ
Ｃ）ppm を測定した。
【００２５】表３からも明らかなように、所定のモル比
からなるＢａＯ−ＴｉＯ2 −ＮｄＯ 3/2 を主成分とする
誘電体磁器組成物に所定量のガラス成分を添加すること
により、焼成温度を1000℃以下にしても高い誘電率, 及
びＱ値を有し、かつ静電容量の変化率の小さいセラミッ
ク基板が得られていることがわかる。また上記基本成分
の組成を選定することにより、試料No. １３，１４，１
６のように±１０ppm/℃以下の容量温度特性も得ること
も可能であることがわかる。
からなるＢａＯ−ＴｉＯ2 −ＮｄＯ 3/2 を主成分とする
誘電体磁器組成物に所定量のガラス成分を添加すること
により、焼成温度を1000℃以下にしても高い誘電率, 及
びＱ値を有し、かつ静電容量の変化率の小さいセラミッ
ク基板が得られていることがわかる。また上記基本成分
の組成を選定することにより、試料No. １３，１４，１
６のように±１０ppm/℃以下の容量温度特性も得ること
も可能であることがわかる。
【００２６】このように本実施例によれば、上記低温焼
結セラミック材料を採用することにより、マイクロ波帯
で高いＱ値を得るために必要な内部電極との同時焼成が
可能となり、従来では困難であった積層型の共振器，フ
ィルタを構成できるとともに、小型化に貢献できる。
結セラミック材料を採用することにより、マイクロ波帯
で高いＱ値を得るために必要な内部電極との同時焼成が
可能となり、従来では困難であった積層型の共振器，フ
ィルタを構成できるとともに、小型化に貢献できる。
【００２７】
【発明の効果】以上のように本発明に係るセラミック基
板によれば、ｘＢａＯ−ｙＴｉＯ2 −ｚＮｄＯ3/2 を主
成分とし、これにＢｉ2 Ｏ3 及びＰｂＯを所定量添加し
てなる誘電体磁器組成物と、ＳｉＯ2 , ＢａＯ, Ａｌ2
Ｏ3 , Ｂ2 Ｏ3 , Ｎａ2 Ｏ，ＳｒＯ等を所定量含むガラ
スとを焼成したので、従来では困難であった低温焼成を
可能にでき、内部電極との同時焼結を実現できる効果が
あり、かつ高い誘電率，及びＱ値を得られるとともに、
安定した温度特性を得ることができ、マイクロ波帯用の
積層型共振器，フィルタに適用できる効果がある。
板によれば、ｘＢａＯ−ｙＴｉＯ2 −ｚＮｄＯ3/2 を主
成分とし、これにＢｉ2 Ｏ3 及びＰｂＯを所定量添加し
てなる誘電体磁器組成物と、ＳｉＯ2 , ＢａＯ, Ａｌ2
Ｏ3 , Ｂ2 Ｏ3 , Ｎａ2 Ｏ，ＳｒＯ等を所定量含むガラ
スとを焼成したので、従来では困難であった低温焼成を
可能にでき、内部電極との同時焼結を実現できる効果が
あり、かつ高い誘電率，及びＱ値を得られるとともに、
安定した温度特性を得ることができ、マイクロ波帯用の
積層型共振器，フィルタに適用できる効果がある。
【図１】本発明のセラミック基板を構成する誘電体磁器
組成物の組成比を説明するための図である。
組成物の組成比を説明するための図である。
Claims (1)
- 【請求項１】 ｘ・ ＢａＯ−ｙ・ ＴｉＯ2 −ｚ・ ＮｄＯ
3/2(但し、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１００％）と表したとき、上記
ｘ，ｙ，ｚがそれぞれ2.5 ≦ｘ≦15，52.5≦ｙ≦70，15
≦ｚ≦45のモル％の範囲にあるものを主成分とし、これ
にＢｉ2 Ｏ3が17wt％以下及びＰｂＯが10wt％以下添加
された誘電体磁器組成物30〜95wt％と、ＳｉＯ2 を５〜
60wt％、ＢａＯを40〜80wt％、Ａｌ2 Ｏ3 ，ＺｒＯ2 ，
ＴｉＯ 2 のうち少なくとも１種を10wt％以下、Ｂ2 Ｏ3
を５〜20wt％含み、かつＮａ2Ｏ，Ｋ2 Ｏ，Ｌｉ2 Ｏの
うち少なくとも１種を0.01〜７wt％含み、さらにＳｒ
Ｏ，ＣａＯ，ＭｇＯ，ＺｎＯ，ＰｂＯを15wt％以下含む
ガラス5 〜70wt％とからなる組成物を焼成したことを特
徴とするセラミック基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP05005196A JP3084992B2 (ja) | 1993-01-14 | 1993-01-14 | セラミック基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP05005196A JP3084992B2 (ja) | 1993-01-14 | 1993-01-14 | セラミック基板 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06211564A true JPH06211564A (ja) | 1994-08-02 |
| JP3084992B2 JP3084992B2 (ja) | 2000-09-04 |
Family
ID=11604458
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP05005196A Expired - Lifetime JP3084992B2 (ja) | 1993-01-14 | 1993-01-14 | セラミック基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3084992B2 (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6184165B1 (en) | 1998-07-15 | 2001-02-06 | Tdk Corporation | Dielectric porcelain composition |
| US6340649B1 (en) | 1999-03-16 | 2002-01-22 | Tdk Corporation | Composition of dielectric ceramics and producing method thereof |
| JP2002326868A (ja) * | 2001-05-01 | 2002-11-12 | Samsung Electro Mech Co Ltd | 誘電体磁器組成物及びそれを用いた磁器コンデンサ並びにそれらの製造方法 |
| JP2002326867A (ja) * | 2001-05-01 | 2002-11-12 | Samsung Electro Mech Co Ltd | 誘電体磁器組成物及びそれを用いた磁器コンデンサ並びにそれらの製造方法 |
| JP2002326866A (ja) * | 2001-05-01 | 2002-11-12 | Samsung Electro Mech Co Ltd | 誘電体磁器組成物及びそれを用いた磁器コンデンサ並びにそれらの製造方法 |
| US6703336B2 (en) | 2001-10-04 | 2004-03-09 | Ube Electronics, Ltd. | Dielectric ceramic composition |
| CN114656261A (zh) * | 2022-03-28 | 2022-06-24 | 电子科技大学 | 一种中介电常数ltcc微波介质陶瓷材料及其制备方法 |
-
1993
- 1993-01-14 JP JP05005196A patent/JP3084992B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6184165B1 (en) | 1998-07-15 | 2001-02-06 | Tdk Corporation | Dielectric porcelain composition |
| US6340649B1 (en) | 1999-03-16 | 2002-01-22 | Tdk Corporation | Composition of dielectric ceramics and producing method thereof |
| JP2002326868A (ja) * | 2001-05-01 | 2002-11-12 | Samsung Electro Mech Co Ltd | 誘電体磁器組成物及びそれを用いた磁器コンデンサ並びにそれらの製造方法 |
| JP2002326867A (ja) * | 2001-05-01 | 2002-11-12 | Samsung Electro Mech Co Ltd | 誘電体磁器組成物及びそれを用いた磁器コンデンサ並びにそれらの製造方法 |
| JP2002326866A (ja) * | 2001-05-01 | 2002-11-12 | Samsung Electro Mech Co Ltd | 誘電体磁器組成物及びそれを用いた磁器コンデンサ並びにそれらの製造方法 |
| US6703336B2 (en) | 2001-10-04 | 2004-03-09 | Ube Electronics, Ltd. | Dielectric ceramic composition |
| CN114656261A (zh) * | 2022-03-28 | 2022-06-24 | 电子科技大学 | 一种中介电常数ltcc微波介质陶瓷材料及其制备方法 |
| CN114656261B (zh) * | 2022-03-28 | 2023-06-02 | 电子科技大学 | 一种中介电常数ltcc微波介质陶瓷材料及其制备方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3084992B2 (ja) | 2000-09-04 |
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