JPH0621169A - ウェハのプローバ装置とそのプロービング方法及びｉｃパッケージのプローバ装置とそのプロービング方法 - Google Patents
ウェハのプローバ装置とそのプロービング方法及びｉｃパッケージのプローバ装置とそのプロービング方法Info
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- JPH0621169A JPH0621169A JP17636192A JP17636192A JPH0621169A JP H0621169 A JPH0621169 A JP H0621169A JP 17636192 A JP17636192 A JP 17636192A JP 17636192 A JP17636192 A JP 17636192A JP H0621169 A JPH0621169 A JP H0621169A
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- probe electrode
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- 239000000523 sample Substances 0.000 claims abstract description 62
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- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】半導体ウェハに作り込んだＩＣ及び半導体ＩＣ
を搭載したパッケージの電気的特性検査を行う為のプロ
ーバ装置のプロービング機構に関し、微細化、多ピン化
の進むデバイスの電気的特性検査をより効率的、安定的
に実施出来る環境を実現する。 【構成】プローブ針をＩＣの電極パッドに接触させた
後、プローブ針を任意の方向に任意の距離を可動とする
プローブカード固定ステージあるいはウェハ固定ステー
ジを有するウェハプローバ。またこの機構はウェハプロ
ーバに限らずＩＣパッケージハンドラにも応用出来る。 【効果】非測定デバイスの電極パッドあるいはパッケー
ジのリードと、測定系のプローブ針あるいはソケットの
電極金属と、それぞれの電極の界面の酸化膜、異物、汚
れを効率的に取り除き定低接触抵抗を得ることができ
る。
を搭載したパッケージの電気的特性検査を行う為のプロ
ーバ装置のプロービング機構に関し、微細化、多ピン化
の進むデバイスの電気的特性検査をより効率的、安定的
に実施出来る環境を実現する。 【構成】プローブ針をＩＣの電極パッドに接触させた
後、プローブ針を任意の方向に任意の距離を可動とする
プローブカード固定ステージあるいはウェハ固定ステー
ジを有するウェハプローバ。またこの機構はウェハプロ
ーバに限らずＩＣパッケージハンドラにも応用出来る。 【効果】非測定デバイスの電極パッドあるいはパッケー
ジのリードと、測定系のプローブ針あるいはソケットの
電極金属と、それぞれの電極の界面の酸化膜、異物、汚
れを効率的に取り除き定低接触抵抗を得ることができ
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体ウェハに作り込
んだＩＣ及び半導体ＩＣを搭載したパッケージの電気的
特性検査を行う為のプローバ装置のプロービング機構に
関する。
んだＩＣ及び半導体ＩＣを搭載したパッケージの電気的
特性検査を行う為のプローバ装置のプロービング機構に
関する。
【０００２】
【従来の技術】電気的特性検査を行う場合、非測定デバ
イスの電極パッドあるいはパッケージのリードと、測定
系のプローブ針あるいはソケットの電極金属とを電気的
に定低接触抵抗により接続する必要がある。定低接触抵
抗を得る為には、それぞれの金属界面の酸化膜、異物、
汚れを取り除く必要がある。従来この為の最も効率的な
方法として、それぞれの金属どうしを擦り合わせるワイ
ピングと呼ばれる方法が取られてきた。
イスの電極パッドあるいはパッケージのリードと、測定
系のプローブ針あるいはソケットの電極金属とを電気的
に定低接触抵抗により接続する必要がある。定低接触抵
抗を得る為には、それぞれの金属界面の酸化膜、異物、
汚れを取り除く必要がある。従来この為の最も効率的な
方法として、それぞれの金属どうしを擦り合わせるワイ
ピングと呼ばれる方法が取られてきた。
【０００３】従来の技術によるプロービング機構を図
５、図６、図７により説明する。
５、図６、図７により説明する。
【０００４】まず図５は、従来のウェハプローバにおけ
るワイピング機構を示す図であって、１はプローブ針、
32はウェハ９に作り込まれたＩＣの電極である。
るワイピング機構を示す図であって、１はプローブ針、
32はウェハ９に作り込まれたＩＣの電極である。
【０００５】ウェハ面に斜めに入射するプローブ針１に
対し、ウェハ９を固定するステージ10を垂直に上昇させ
ることによりプローブ針とウェハのＩＣ電極パッドとを
接触させる。次に適度のワイピング効果と接触圧を得る
ことにより低接触抵抗とする為、さらにステージを上昇
させる。ｙの上昇によりｘのワイピング長が得られる。
対し、ウェハ９を固定するステージ10を垂直に上昇させ
ることによりプローブ針とウェハのＩＣ電極パッドとを
接触させる。次に適度のワイピング効果と接触圧を得る
ことにより低接触抵抗とする為、さらにステージを上昇
させる。ｙの上昇によりｘのワイピング長が得られる。
【０００６】しかしながら、従来の方法によると、 適切な接触圧とワイピング長を得るためにはプローブ
針のウェハ面に対する入射角の最適化を図らなければな
らない。
針のウェハ面に対する入射角の最適化を図らなければな
らない。
【０００７】ワイピングの方向がプローブ針の侵入方
向に限られてしまう。
向に限られてしまう。
【０００８】という問題があった。
【０００９】次に図６は、従来のパッケージハンドラに
おけるソケットを用いたワイピング機構を示す図であっ
て。29はＩＣパッケージのリード、31はソケットの電極
である。
おけるソケットを用いたワイピング機構を示す図であっ
て。29はＩＣパッケージのリード、31はソケットの電極
である。
【００１０】パッケージリード29とソケットの電極31の
接触位置から、パッケージをｙ押し下げることにより、
ｘのワイピング量が得られる。
接触位置から、パッケージをｙ押し下げることにより、
ｘのワイピング量が得られる。
【００１１】この方法においても、最適のワイピング効
果と接触圧を得る為のソケットの設計が必要であった。
果と接触圧を得る為のソケットの設計が必要であった。
【００１２】また図７は、従来のパッケージハンドラに
おける、ソケットを使用しないポゴピンを使用した接触
機構を示す図であって、21はポゴピン、28はポゴピン21
を固定する為の基盤、27は基盤28を固定するステージ、
30はＩＣパッケージを固定する為のステージである。
おける、ソケットを使用しないポゴピンを使用した接触
機構を示す図であって、21はポゴピン、28はポゴピン21
を固定する為の基盤、27は基盤28を固定するステージ、
30はＩＣパッケージを固定する為のステージである。
【００１３】この機構によると電気的導通を取る為ポゴ
ピン21をリード29に垂直に押し当てるのみでワイピング
を行う事が不可能である。
ピン21をリード29に垂直に押し当てるのみでワイピング
を行う事が不可能である。
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は上記の
問題点を解決するものであり、接触圧とワイピング量と
を独立したパラメータとして任意に設定できるようにす
ること、ワイピング方向をプローブ電極の入射方向とは
無関係の任意の一定方向に設定できる様にする事にあ
る。
問題点を解決するものであり、接触圧とワイピング量と
を独立したパラメータとして任意に設定できるようにす
ること、ワイピング方向をプローブ電極の入射方向とは
無関係の任意の一定方向に設定できる様にする事にあ
る。
【００１５】
【課題を解決するための手段】上記目的は以下の手段に
より達成される。
より達成される。
【００１６】半導体ウェハに作り込んだＩＣの電気的
特性検査をする為のウェハプローバにおいて、ウェハプ
ローバに取り付けたプローブ電極を個々の非測定ＩＣデ
バイスの電極パッドに接触させる際、プローブ電極を非
測定ＩＣデバイスの電極パッドに接触させた後、プロー
ブ電極を任意の方向に任意の距離を可動とするプローブ
カード固定ステージを有する。
特性検査をする為のウェハプローバにおいて、ウェハプ
ローバに取り付けたプローブ電極を個々の非測定ＩＣデ
バイスの電極パッドに接触させる際、プローブ電極を非
測定ＩＣデバイスの電極パッドに接触させた後、プロー
ブ電極を任意の方向に任意の距離を可動とするプローブ
カード固定ステージを有する。
【００１７】半導体ウェハに作り込んだＩＣの電気的
特性検査をする為のウェハプローバにおいて、ウェハプ
ローバに取り付けたプローブ電極を個々の非測定ＩＣデ
バイスの電極パッドに接触させる際、プローブ電極を任
意の方向に任意の距離を可動とするウェハ固定ステージ
を有する 半導体ＩＣを搭載したパッケージの電気的特性検査を
する為のパッケージハンドラにおいて、パッケージハン
ドラに取り付けたプローブ電極を個々の非測定ＩＣパッ
ケージのリードに接触させる際、プローブ電極を任意の
方向に任意の距離を可動とするプローブ電極固定部を有
する 半導体ＩＣを搭載したパッケージの電気的特性検査を
する為のパッケージハンドラにおいて、パッケージハン
ドラに取り付けたプローブ電極を個々の非測定ＩＣパッ
ケージのリードに接触させる際、プローブ電極を任意の
方向に任意の距離を可動とするＩＣパッケージ固定部を
有する。
特性検査をする為のウェハプローバにおいて、ウェハプ
ローバに取り付けたプローブ電極を個々の非測定ＩＣデ
バイスの電極パッドに接触させる際、プローブ電極を任
意の方向に任意の距離を可動とするウェハ固定ステージ
を有する 半導体ＩＣを搭載したパッケージの電気的特性検査を
する為のパッケージハンドラにおいて、パッケージハン
ドラに取り付けたプローブ電極を個々の非測定ＩＣパッ
ケージのリードに接触させる際、プローブ電極を任意の
方向に任意の距離を可動とするプローブ電極固定部を有
する 半導体ＩＣを搭載したパッケージの電気的特性検査を
する為のパッケージハンドラにおいて、パッケージハン
ドラに取り付けたプローブ電極を個々の非測定ＩＣパッ
ケージのリードに接触させる際、プローブ電極を任意の
方向に任意の距離を可動とするＩＣパッケージ固定部を
有する。
【００１８】
【実施例】以下、本発明の実施例を図１、図２、図３及
び図４により説明する。
び図４により説明する。
【００１９】図１は、本発明の実施例におけるウェハプ
ローバのプロービング部の機構を示す概要図であって、
１はウェハに作り込んだＩＣの特性を検査する為に電気
的接続をする電極であるところのプローブ針、８はプロ
ーブ針１を固定するプローブカード、７はプローブカー
ド８を固定する為のステージ、９はウェハ、10はウェハ
９を固定する為のステージ、2aはワイピングを目的とし
てステージ10を微動させる為のＸステージ、3aは同Ｙス
テージ、４はウェハをプローブ針１に接触させる為のＺ
アップ機構、５はウェハステージ10を、ウェハに作り込
んだＩＣチップ毎にインデックスさせる為のＸステー
ジ、６は同Ｙステージ、11はそれぞれの可動部を制御す
る為の制御装置である。
ローバのプロービング部の機構を示す概要図であって、
１はウェハに作り込んだＩＣの特性を検査する為に電気
的接続をする電極であるところのプローブ針、８はプロ
ーブ針１を固定するプローブカード、７はプローブカー
ド８を固定する為のステージ、９はウェハ、10はウェハ
９を固定する為のステージ、2aはワイピングを目的とし
てステージ10を微動させる為のＸステージ、3aは同Ｙス
テージ、４はウェハをプローブ針１に接触させる為のＺ
アップ機構、５はウェハステージ10を、ウェハに作り込
んだＩＣチップ毎にインデックスさせる為のＸステー
ジ、６は同Ｙステージ、11はそれぞれの可動部を制御す
る為の制御装置である。
【００２０】Ｚアップ機構４により制御装置11の指示量
分ステージ10が上昇し、ウェハ９の電極はプローブ１に
接触し必要な荷重がかかる。次にＸステージ2aあるいは
Ｙステージ3aにより、制御装置11の指示分だけ水平方向
にステージ10及びウェハ９がスライドし、電極とプロー
ブのワイピングが行われる。この時のワイピング量は予
め制御装置に任意に設定することが出来る。
分ステージ10が上昇し、ウェハ９の電極はプローブ１に
接触し必要な荷重がかかる。次にＸステージ2aあるいは
Ｙステージ3aにより、制御装置11の指示分だけ水平方向
にステージ10及びウェハ９がスライドし、電極とプロー
ブのワイピングが行われる。この時のワイピング量は予
め制御装置に任意に設定することが出来る。
【００２１】またこの実施例では、ワイピングを目的と
してステージ10を微動させる為のＸステージ2a、同Ｙス
テージ3aをウェハステージ10を、ウェハに作り込んだＩ
Ｃチップ毎にインデックスさせる為のＸステージ５、同
Ｙステージ６と分離しているが、両機能を兼ねる場合は
必ずしも分離させる必要は無い。
してステージ10を微動させる為のＸステージ2a、同Ｙス
テージ3aをウェハステージ10を、ウェハに作り込んだＩ
Ｃチップ毎にインデックスさせる為のＸステージ５、同
Ｙステージ６と分離しているが、両機能を兼ねる場合は
必ずしも分離させる必要は無い。
【００２２】図２は、同様に本発明の実施例におけるウ
ェハプローバのプロービング部の機構を示す概要図であ
って、図１の例との相違点は、図１ではワイピングを行
う為のＸ、Ｙステージ2a、3aがウェハステージ10に付け
られていたのに対して、図２の例では、ワイピングを行
う為のＸ、Ｙステージ2b、3bがプローブカード８を固定
するステージ７に付けられていることにある。この例で
も同様に任意のワイピング動作が可能である。
ェハプローバのプロービング部の機構を示す概要図であ
って、図１の例との相違点は、図１ではワイピングを行
う為のＸ、Ｙステージ2a、3aがウェハステージ10に付け
られていたのに対して、図２の例では、ワイピングを行
う為のＸ、Ｙステージ2b、3bがプローブカード８を固定
するステージ７に付けられていることにある。この例で
も同様に任意のワイピング動作が可能である。
【００２３】図３は、本発明の実施例におけるパッケー
ジハンドラのプロービング部の機構を示す概要図であっ
て、21はＩＣパッケージの特性を検査する為に電気的接
続をする為のポゴピン、28はポゴピン21を固定する基
盤、27は基盤28を固定する為のステージ、29はICパッケ
ージのリード、30はＩＣパッケージを固定する為のステ
ージ、23aはワイピングを目的としてステージ30を微動
させる為のステージ、24はリード29をポゴピン21に接触
させる為のＺアップ機構である。
ジハンドラのプロービング部の機構を示す概要図であっ
て、21はＩＣパッケージの特性を検査する為に電気的接
続をする為のポゴピン、28はポゴピン21を固定する基
盤、27は基盤28を固定する為のステージ、29はICパッケ
ージのリード、30はＩＣパッケージを固定する為のステ
ージ、23aはワイピングを目的としてステージ30を微動
させる為のステージ、24はリード29をポゴピン21に接触
させる為のＺアップ機構である。
【００２４】Ｚアップ機構24によりステージ30が上昇
し、リード29はポゴピン21に接触し必要な荷重がかか
る。次にステージ23aにより、ステージ30及びリード29
がスライドし、リード29とポゴピンのワイピングが行わ
れる。
し、リード29はポゴピン21に接触し必要な荷重がかか
る。次にステージ23aにより、ステージ30及びリード29
がスライドし、リード29とポゴピンのワイピングが行わ
れる。
【００２５】図４は、同様に本発明の実施例におけるパ
ッケージハンドラのプロービング部の機構を示す概要図
であって、図３の例との相違点は、図３ではワイピング
を行う為のステージ23aがステージ30に付けられていた
のに対して、図４の例では、ワイピングを行う為のステ
ージ23bが基盤28を固定するステージ27に付けられてい
ることにある。この例でも同様に任意のワイピング動作
が可能である。
ッケージハンドラのプロービング部の機構を示す概要図
であって、図３の例との相違点は、図３ではワイピング
を行う為のステージ23aがステージ30に付けられていた
のに対して、図４の例では、ワイピングを行う為のステ
ージ23bが基盤28を固定するステージ27に付けられてい
ることにある。この例でも同様に任意のワイピング動作
が可能である。
【００２６】
【発明の効果】以上述べたように本発明によれば、接触
圧とワイピング量とを独立したパラメータとして任意に
設定できるようになる為、 プローブ針のウェハへの入射角の最適化設計の必要が
無くなる。
圧とワイピング量とを独立したパラメータとして任意に
設定できるようになる為、 プローブ針のウェハへの入射角の最適化設計の必要が
無くなる。
【００２７】により同一のデバイスに複数のプロー
ブ針を当てる場合、種々の長さ、太さ、角度等、設計の
異なるプローブ針を混在して使用可能となり、微細化、
多ピン化の進むデバイスに対し、プロービング治具、プ
ローブカードの設計、作成の自由度及び可能性が増す。
ブ針を当てる場合、種々の長さ、太さ、角度等、設計の
異なるプローブ針を混在して使用可能となり、微細化、
多ピン化の進むデバイスに対し、プロービング治具、プ
ローブカードの設計、作成の自由度及び可能性が増す。
【００２８】またワイピング方向をプローブ針の入射方
向とは無関係の任意の一定方向に設定できる様になる
為、 プローブ針の入射方向を意識したウェハパッドのレイ
アウト、サイズにする必要が無く、同一方向のワイピン
グを意識したパッド設計にさえしておけば良い。
向とは無関係の任意の一定方向に設定できる様になる
為、 プローブ針の入射方向を意識したウェハパッドのレイ
アウト、サイズにする必要が無く、同一方向のワイピン
グを意識したパッド設計にさえしておけば良い。
【００２９】により、ウェハのパッド間隔の微細化
が可能となる。
が可能となる。
【００３０】ウェハに対し垂直に入射するプローブに
対してもワイピングが可能となる。
対してもワイピングが可能となる。
【００３１】により、ＩＣの表面全体にパッドを配
置するデバイスに対しても、容易にプロービング治具、
プローブカードの作成が可能となる。
置するデバイスに対しても、容易にプロービング治具、
プローブカードの作成が可能となる。
【００３２】以上の様に微細化、多ピン化の進むデバイ
スの電気的特性検査をより効率的、安定的に実施出来る
環境を実現する事が出来る。
スの電気的特性検査をより効率的、安定的に実施出来る
環境を実現する事が出来る。
【図１】本発明の実施例のウェハプローバのプロービン
グ部の機構を示す概要図である。
グ部の機構を示す概要図である。
【図２】本発明の実施例のウェハプローバのプロービン
グ部の機構を示す概要図である。
グ部の機構を示す概要図である。
【図３】本発明の実施例のパッケージハンドラのプロー
ビング部の機構を示す概要図である。
ビング部の機構を示す概要図である。
【図４】本発明の実施例のパッケージハンドラのプロー
ビング部の機構を示す概要図である。
ビング部の機構を示す概要図である。
【図５】従来のウェハプローバにおけるワイピング機構
を示す図である。
を示す図である。
【図６】従来のパッケージハンドラにおけるソケットを
用いたワイピング機構を示す図である。
用いたワイピング機構を示す図である。
【図７】従来のパッケージハンドラにおける、ソケット
を使用しないポゴピンを使用した接触機構を示す図であ
る。
を使用しないポゴピンを使用した接触機構を示す図であ
る。
１・・・・・プローブ針 2a、2b・・・ワイピング用Ｘステージ 3a、3b・・・ワイピング用Ｙステージ ４・・・・・Ｚアップ機構 ５・・・・・ウェハステージインデックス用Ｘステージ ６・・・・・ウェハステージインデックス用Ｙステージ ７・・・・・プローブカード固定ステージ ８・・・・・プローブカード ９・・・・・ウェハ 10・・・・・ウェハステージ 11・・・・・制御装置 21・・・・・ポゴピン 23a、23b・・ワイピング用ステージ 24・・・・・Ｚアップ機構 27・・・・・ポゴピン基盤固定ステージ 28・・・・・ポゴピン固定用基盤 29・・・・・ＩＣパッケージのリード 30・・・・・ＩＣパッケージ固定ステージ 31・・・・・ソケットの電極 32・・・・・ウェハに作り込んだＩＣの電極
Claims (6)
- 【請求項１】 半導体ウェハに作り込んだＩＣの電気的
特性検査をする為のウェハプローバにおいて、ウェハプ
ローバに取り付けたプローブ電極を個々の非測定ＩＣデ
バイスの電極パッドに接触させる際、プローブ電極を非
測定ＩＣデバイスの電極パッドに接触させた後、プロー
ブ電極を任意の方向に任意の距離を可動とするプローブ
カード固定ステージを有することを特徴としたウェハの
プローバ装置。 - 【請求項２】 半導体ウェハに作り込んだＩＣの電気的
特性検査をする為のウェハプローバにおいて、ウェハプ
ローバに取り付けたプローブ電極を個々の非測定ＩＣデ
バイスの電極パッドに接触させる際、プローブ電極を非
測定ＩＣデバイスの電極パッドに接触させた後、プロー
ブ電極を任意の方向に任意の距離を可動とするウェハ固
定ステージを有することを特徴としたウェハのプローバ
装置。 - 【請求項３】 半導体ＩＣを搭載したパッケージの電気
的特性検査をする為のパッケージハンドラにおいて、パ
ッケージハンドラに取り付けたプローブ電極を個々の非
測定ＩＣパッケージのリードに接触させる際、プローブ
電極を非測定ＩＣパッケージのリードに接触させた後、
プローブ電極を任意の方向に任意の距離を可動とするプ
ローブ電極固定部を有することを特徴としたＩＣパッケ
ージのプローバ装置。 - 【請求項４】 半導体ＩＣを搭載したパッケージの電気
的特性検査をする為のパッケージハンドラにおいて、パ
ッケージハンドラに取り付けたプローブ電極を個々の非
測定ＩＣパッケージのリードに接触させる際、プローブ
電極を非測定ＩＣパッケージのリードに接触させた後、
プローブ電極を任意の方向に任意の距離を可動とするＩ
Ｃパッケージ固定部を有することを特徴としたＩＣパッ
ケージのプローバ装置。 - 【請求項５】 半導体ウェハに作り込んだＩＣの電気的
特性検査をする為のウェハプローバにおいて、ウェハプ
ローバに取り付けたプローブ電極を個々の非測定ＩＣデ
バイスの電極パッドに接触させる際、プローブ電極と非
測定ＩＣデバイスの電極パッドが接触した後に、プロー
ブ電極あるいは非測定ＩＣデバイスを任意の方向に任意
の距離をスライド、ワイピングし、擦り合わせることに
より電気的接続を取ることを特徴としたウェハのプロー
ビング方法。 - 【請求項６】 半導体ＩＣを搭載したパッケージの電気
的特性検査をする為のパッケージハンドラにおいて、パ
ッケージハンドラに取り付けたプローブ電極を個々の非
測定ＩＣパッケージのリードに接触させる際、プローブ
電極と非測定ＩＣデバイスのリードが接触した後に、プ
ローブ電極あるいは非測定ＩＣパッケージを任意の方向
に任意の距離をスライド、ワイピングし、擦り合わせる
ことにより電気的接続を取ることを特徴としたＩＣパッ
ケージのプロービング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17636192A JPH0621169A (ja) | 1992-07-03 | 1992-07-03 | ウェハのプローバ装置とそのプロービング方法及びｉｃパッケージのプローバ装置とそのプロービング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17636192A JPH0621169A (ja) | 1992-07-03 | 1992-07-03 | ウェハのプローバ装置とそのプロービング方法及びｉｃパッケージのプローバ装置とそのプロービング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0621169A true JPH0621169A (ja) | 1994-01-28 |
Family
ID=16012273
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17636192A Pending JPH0621169A (ja) | 1992-07-03 | 1992-07-03 | ウェハのプローバ装置とそのプロービング方法及びｉｃパッケージのプローバ装置とそのプロービング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0621169A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20220088326A (ko) | 2020-12-18 | 2022-06-27 | 포리프라스틱 가부시키가이샤 | 폴리아릴렌설파이드 수지 조성물 |
| KR20220141301A (ko) | 2020-02-14 | 2022-10-19 | 포리프라스틱 가부시키가이샤 | 폴리아릴렌설파이드 수지 조성물 |
| KR20230035574A (ko) | 2020-07-10 | 2023-03-14 | 포리프라스틱 가부시키가이샤 | 폴리아릴렌설파이드 수지 조성물의 버 억제 방법 |
-
1992
- 1992-07-03 JP JP17636192A patent/JPH0621169A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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