JPH062123A - スパッタリング成膜装置 - Google Patents
スパッタリング成膜装置Info
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- JPH062123A JPH062123A JP16484492A JP16484492A JPH062123A JP H062123 A JPH062123 A JP H062123A JP 16484492 A JP16484492 A JP 16484492A JP 16484492 A JP16484492 A JP 16484492A JP H062123 A JPH062123 A JP H062123A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】
【目的】大面積の成膜が可能なスパッタリング成膜装置
を提供する。 【構成】反応容器１内に、放電用電極の陽極２として複
数の長尺平板電極を、陰極５として複数の長尺円筒形電
極と交互に対向して設置し、かつスパッタリング用ター
ゲット材４を長尺円筒形電極５表面に固着させるととも
に、２枚の基板３ａ、３ｂを、対向設置された陽極２及
び陰極５を挟むように設置し、反応容器１を囲むように
放電用電極間に働く電界とほぼ直交する向きの磁界を発
生するコイル１００を設置し、そのコイル１００に交流
電力を供給する電源１０１を有する。
を提供する。 【構成】反応容器１内に、放電用電極の陽極２として複
数の長尺平板電極を、陰極５として複数の長尺円筒形電
極と交互に対向して設置し、かつスパッタリング用ター
ゲット材４を長尺円筒形電極５表面に固着させるととも
に、２枚の基板３ａ、３ｂを、対向設置された陽極２及
び陰極５を挟むように設置し、反応容器１を囲むように
放電用電極間に働く電界とほぼ直交する向きの磁界を発
生するコイル１００を設置し、そのコイル１００に交流
電力を供給する電源１０１を有する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は太陽電池、薄膜トランジ
スタ、電子写真感光体、光センサ、液晶ディスプレイ、
光学膜及び装飾品などに使用される薄膜の製造装置に関
するものである。
スタ、電子写真感光体、光センサ、液晶ディスプレイ、
光学膜及び装飾品などに使用される薄膜の製造装置に関
するものである。
【０００２】
【従来の技術】図４に従来より用いられているスパッタ
リング成膜装置を示す。同図において、気密の反応容器
１内には、第１の電極（陽極）２、薄膜を付着すべき対
象の基板３、薄膜材料のターゲット４、第２の電極（陰
極）５が設置されている。第１の電極２は、第１の電力
ケーブル６によりアース７と電気的に接続されている。
第２の電極５は、第２の電力ケーブル８を介して高周波
電源９に電気的に接続されている。また、高周波電源９
は、第３の電力ケーブル１０を介してアース７と接続さ
れている。なお、第２の電極５は、絶縁物１１により反
応容器１と電気的に絶縁されている。さらに、第２の電
極５は、温度上昇を防ぐため、冷却水供給制御装置１２
及び冷却管１３により冷却されている。
リング成膜装置を示す。同図において、気密の反応容器
１内には、第１の電極（陽極）２、薄膜を付着すべき対
象の基板３、薄膜材料のターゲット４、第２の電極（陰
極）５が設置されている。第１の電極２は、第１の電力
ケーブル６によりアース７と電気的に接続されている。
第２の電極５は、第２の電力ケーブル８を介して高周波
電源９に電気的に接続されている。また、高周波電源９
は、第３の電力ケーブル１０を介してアース７と接続さ
れている。なお、第２の電極５は、絶縁物１１により反
応容器１と電気的に絶縁されている。さらに、第２の電
極５は、温度上昇を防ぐため、冷却水供給制御装置１２
及び冷却管１３により冷却されている。
【０００３】反応容器１には第１のバルブ１５を介して
真空ポンプ１４が接続されており、これにより反応容器
１内のガスが吸引されて排出される。他方、反応容器１
には第２のバルブ１６及び流量調整器１７を介してＡｒ
ガス供給源１８が接続されており、これにより反応容器
１内にプラズマ発生用ガスとしてＡｒが供給される。反
応容器１内の圧力は真空計１９で測定される。
真空ポンプ１４が接続されており、これにより反応容器
１内のガスが吸引されて排出される。他方、反応容器１
には第２のバルブ１６及び流量調整器１７を介してＡｒ
ガス供給源１８が接続されており、これにより反応容器
１内にプラズマ発生用ガスとしてＡｒが供給される。反
応容器１内の圧力は真空計１９で測定される。
【０００４】図４の装置を用いて、例えばＺｎＯ薄膜を
製造する場合について説明する。第１の電極２上に基板
３を載せ、ターゲット４としてＺｎＯ焼結体を固着す
る。なお、ＺｎＯ焼結体は、ＺｎＯ粉末を８００〜８５
０℃で約１時間仮焼した後、約１００ｋｇ／ｃｍ2 の圧
力で必要な形にプレス成形し、９３０℃で約２時間焼成
することにより作製する。反応容器１内にＡｒガス供給
源１８から流量調整器１７及び第２のバルブ１６を介し
てＡｒガスを導入し、かつ第１のバルブ１５を介して真
空ポンプ１４により吸引して、反応容器１内の圧力を約
０．０１Ｔｏｒｒに設定する。他方、高周波電源９、第
２及び第３のケーブル８、１０を介して、第１及び第２
の電極２、５に高周波電源を印加する。この結果、Ａｒ
ガスはグロー放電プラズマとなり、その中に多数存在す
るＡｒ+ は第２の電極５の方向へ加速され、ターゲット
４に衝突する。ターゲット４は上記Ａｒ+ の衝突により
スパッタされ、スパッタ粒子は第１の電極２上に設置さ
れた基板３上に堆積する。なお、基板３の材料として
は、ガラス、石英、サファイアなどが用いられる。
製造する場合について説明する。第１の電極２上に基板
３を載せ、ターゲット４としてＺｎＯ焼結体を固着す
る。なお、ＺｎＯ焼結体は、ＺｎＯ粉末を８００〜８５
０℃で約１時間仮焼した後、約１００ｋｇ／ｃｍ2 の圧
力で必要な形にプレス成形し、９３０℃で約２時間焼成
することにより作製する。反応容器１内にＡｒガス供給
源１８から流量調整器１７及び第２のバルブ１６を介し
てＡｒガスを導入し、かつ第１のバルブ１５を介して真
空ポンプ１４により吸引して、反応容器１内の圧力を約
０．０１Ｔｏｒｒに設定する。他方、高周波電源９、第
２及び第３のケーブル８、１０を介して、第１及び第２
の電極２、５に高周波電源を印加する。この結果、Ａｒ
ガスはグロー放電プラズマとなり、その中に多数存在す
るＡｒ+ は第２の電極５の方向へ加速され、ターゲット
４に衝突する。ターゲット４は上記Ａｒ+ の衝突により
スパッタされ、スパッタ粒子は第１の電極２上に設置さ
れた基板３上に堆積する。なお、基板３の材料として
は、ガラス、石英、サファイアなどが用いられる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】従来の装置では、基板
３が電極２の上に載せられるので、一度に処理される基
板３の大きさは電極２の大きさによって制限される。一
方、電源９が高周波数（例えば１３．５６ＭＨｚ）であ
り、高周波による表皮効果により電流の大部分が表面
（約０．０１ｍｍ深さ以内）を流れるため、電気抵抗が
増加しプラズマは電極中央部以外では一様にならない。
このため、電極面積を拡大したとしても、スパッタで一
様に成膜できる面積は直径約５０ｍｍが限界であった。
したがって、従来の装置では大面積の成膜は非常に困難
であり、実際上は実現できなかった。本発明は大面積の
成膜が可能なスパッタリング成膜装置を提供することを
目的とする。
３が電極２の上に載せられるので、一度に処理される基
板３の大きさは電極２の大きさによって制限される。一
方、電源９が高周波数（例えば１３．５６ＭＨｚ）であ
り、高周波による表皮効果により電流の大部分が表面
（約０．０１ｍｍ深さ以内）を流れるため、電気抵抗が
増加しプラズマは電極中央部以外では一様にならない。
このため、電極面積を拡大したとしても、スパッタで一
様に成膜できる面積は直径約５０ｍｍが限界であった。
したがって、従来の装置では大面積の成膜は非常に困難
であり、実際上は実現できなかった。本発明は大面積の
成膜が可能なスパッタリング成膜装置を提供することを
目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明のスパッタリング
成膜装置は、反応容器と、該反応容器内に不活性ガスま
たは反応ガスを導入し、排出する手段と、該反応容器内
に収納された放電用電極と、該放電用電極に電力を供給
する電源と、スパッタリング用ターゲット材とを有し、
反応容器内に設置された基板表面にスパッタリングによ
る薄膜を形成する成膜装置において、上記放電用電極の
陽極として複数の長尺平板電極を、陰極として複数の長
尺円筒形電極と交互に対向して設置し、かつスパッタリ
ング用ターゲット材を上記長尺円筒形電極表面に固着さ
せるとともに、２枚の基板を、上記対向設置された陽極
及び陰極を挟むように設置したことを特徴とするもので
ある。
成膜装置は、反応容器と、該反応容器内に不活性ガスま
たは反応ガスを導入し、排出する手段と、該反応容器内
に収納された放電用電極と、該放電用電極に電力を供給
する電源と、スパッタリング用ターゲット材とを有し、
反応容器内に設置された基板表面にスパッタリングによ
る薄膜を形成する成膜装置において、上記放電用電極の
陽極として複数の長尺平板電極を、陰極として複数の長
尺円筒形電極と交互に対向して設置し、かつスパッタリ
ング用ターゲット材を上記長尺円筒形電極表面に固着さ
せるとともに、２枚の基板を、上記対向設置された陽極
及び陰極を挟むように設置したことを特徴とするもので
ある。
【０００７】本発明の装置においては、反応容器を囲
み、放電用電極間に働く電界とほぼ直交する向きの磁界
を発生するコイルを設け、そのコイルに交流電力を供給
する電源を設けることが好ましい。
み、放電用電極間に働く電界とほぼ直交する向きの磁界
を発生するコイルを設け、そのコイルに交流電力を供給
する電源を設けることが好ましい。
【０００８】
【作用】本発明では放電用電極（陽極）として従来の平
板形電極に代えて複数の長尺平板電極を用い、かつ陰極
として複数の長尺円筒形電極を用い、これらを交互に対
向して設置しているので、電極周りの電界が強くなり、
プラズマの発生が容易になっている。また、放電用電極
管の電界方向と直交する向きに磁界を印加し、かつその
磁界方向を正と負に交互に変化させるようにすれば、陽
極から陰極へ移動するイオンの飛散方向を揺動させるこ
とができる。その結果、スパッタリング現象により飛散
するスパッタ粒子の基板表面における堆積速度分布を一
様に平均化できる。さらに、放電用電極を挟む形で一度
に２枚の基板を設置するので、従来に比べて生産性を２
倍以上に向上できる。
板形電極に代えて複数の長尺平板電極を用い、かつ陰極
として複数の長尺円筒形電極を用い、これらを交互に対
向して設置しているので、電極周りの電界が強くなり、
プラズマの発生が容易になっている。また、放電用電極
管の電界方向と直交する向きに磁界を印加し、かつその
磁界方向を正と負に交互に変化させるようにすれば、陽
極から陰極へ移動するイオンの飛散方向を揺動させるこ
とができる。その結果、スパッタリング現象により飛散
するスパッタ粒子の基板表面における堆積速度分布を一
様に平均化できる。さらに、放電用電極を挟む形で一度
に２枚の基板を設置するので、従来に比べて生産性を２
倍以上に向上できる。
【０００９】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面を参照して説明
する。
する。
【００１０】図１は本発明の一実施例のスパッタリング
成膜装置を示す断面図である。図２は同装置の陽極、陰
極及び基板の配置状態を示す斜視図である。なお、図４
に示す従来の装置と同一の機能を有する部材には同一の
符号を付している。
成膜装置を示す断面図である。図２は同装置の陽極、陰
極及び基板の配置状態を示す斜視図である。なお、図４
に示す従来の装置と同一の機能を有する部材には同一の
符号を付している。
【００１１】１は反応容器であり、真空度１×１０-8Ｔ
ｏｒｒ程度の気密性を有する。２は陽極であり、複数の
長尺平板電極からなっている。５は陰極であり、複数の
長尺円筒形電極からなっている。４はターゲットであ
り、陰極５の表面に付着されている。ターゲット４は目
的とする材料、例えばＺｎＯからなり、従来と同じよう
に作製される。これらの陽極２及び表面にターゲット４
が付着された陰極５は交互に対向して設置され、さらに
これらの陽極２及び陰極４を挟むように２枚の基板３
ａ、３ｂが設置されている。なお、陰極５は冷却管１３
を介して冷却水供給制御装置１２に接続されており、温
度上昇が防止できるようになっている。複数の陽極２は
第１の電力ケーブル６を介してアース７と電気的に接続
されている。第１の電力ケーブル６は第１の絶縁物１１
ａにより反応容器１と電気的に絶縁されている。複数の
陰極５は、第２の電力ケーブル８を介して高周波電源９
に電気的に接続されている。また、高周波電源９は、第
３の電力ケーブル１０を介してアース７と接続されてい
る。高周波電源９からは例えば周波数１３．５６ＭＨｚ
の交流電力が供給される。なお、陰極５は、第２の絶縁
物１１ｂにより反応容器１と電気的に絶縁されている。
ｏｒｒ程度の気密性を有する。２は陽極であり、複数の
長尺平板電極からなっている。５は陰極であり、複数の
長尺円筒形電極からなっている。４はターゲットであ
り、陰極５の表面に付着されている。ターゲット４は目
的とする材料、例えばＺｎＯからなり、従来と同じよう
に作製される。これらの陽極２及び表面にターゲット４
が付着された陰極５は交互に対向して設置され、さらに
これらの陽極２及び陰極４を挟むように２枚の基板３
ａ、３ｂが設置されている。なお、陰極５は冷却管１３
を介して冷却水供給制御装置１２に接続されており、温
度上昇が防止できるようになっている。複数の陽極２は
第１の電力ケーブル６を介してアース７と電気的に接続
されている。第１の電力ケーブル６は第１の絶縁物１１
ａにより反応容器１と電気的に絶縁されている。複数の
陰極５は、第２の電力ケーブル８を介して高周波電源９
に電気的に接続されている。また、高周波電源９は、第
３の電力ケーブル１０を介してアース７と接続されてい
る。高周波電源９からは例えば周波数１３．５６ＭＨｚ
の交流電力が供給される。なお、陰極５は、第２の絶縁
物１１ｂにより反応容器１と電気的に絶縁されている。
【００１２】反応容器１には第１のバルブ１５を介して
真空ポンプ１４が接続されており、これにより反応容器
１内のガスが吸引されて排出される。他方、反応容器１
には第２のバルブ１６及び流量調整器１７を介してＡｒ
ガス供給源１８が接続されており、これにより反応容器
１内にプラズマ発生用ガスとしてＡｒが供給される。反
応容器１内の圧力は真空計１９で測定される。さらに、
反応容器１の周囲には磁界発生用のコイル１００が設置
されている。このコイル１００には磁界発生用電源１０
１が接続されている。
真空ポンプ１４が接続されており、これにより反応容器
１内のガスが吸引されて排出される。他方、反応容器１
には第２のバルブ１６及び流量調整器１７を介してＡｒ
ガス供給源１８が接続されており、これにより反応容器
１内にプラズマ発生用ガスとしてＡｒが供給される。反
応容器１内の圧力は真空計１９で測定される。さらに、
反応容器１の周囲には磁界発生用のコイル１００が設置
されている。このコイル１００には磁界発生用電源１０
１が接続されている。
【００１３】この装置を用いて、例えばＺｎＯ薄膜を製
造する場合について説明する。真空ポンプ１４を駆動
し、第１のバルブ１５を開にして反応容器１内を排気
し、約１×１０-8Ｔｏｒｒの真空度にする。反応容器１
内にＡｒガス供給源１８から流量調整器１７及び第２の
バルブ１６を介してＡｒガスを導入し、反応容器１内の
圧力を約０．０１Ｔｏｒｒに設定する。
造する場合について説明する。真空ポンプ１４を駆動
し、第１のバルブ１５を開にして反応容器１内を排気
し、約１×１０-8Ｔｏｒｒの真空度にする。反応容器１
内にＡｒガス供給源１８から流量調整器１７及び第２の
バルブ１６を介してＡｒガスを導入し、反応容器１内の
圧力を約０．０１Ｔｏｒｒに設定する。
【００１４】次に、陽極２及び陰極５に、第１、第２及
び第３のケーブル６、８、１０を介して高周波電源９よ
り電力を供給する。その電圧を徐々に増加していくと、
Ａｒガスがグロー放電プラズマとなり、多数のＡｒ+ イ
オンが発生する。
び第３のケーブル６、８、１０を介して高周波電源９よ
り電力を供給する。その電圧を徐々に増加していくと、
Ａｒガスがグロー放電プラズマとなり、多数のＡｒ+ イ
オンが発生する。
【００１５】一方、電源１０１からコイル１００に例え
ば周波数１０Ｈｚの交流電力を印加し、陽極２と陰極５
との間に発生する電界Ｅと直交する方向の磁界Ｂを発生
させる。なお、磁界の強さは最大１２０ガウス程度であ
る。
ば周波数１０Ｈｚの交流電力を印加し、陽極２と陰極５
との間に発生する電界Ｅと直交する方向の磁界Ｂを発生
させる。なお、磁界の強さは最大１２０ガウス程度であ
る。
【００１６】陽極２と陰極５との間でグロー放電が発生
すると、図３に示すように、スパッタ現象が起こり、基
板３ａ、３ｂの表面にターゲット材と同じ材料の膜が形
成される。すなわち、図３において電界Ｅは陽極２の平
面に対してほぼ垂直方向であり、磁界Ｂはそれに直交す
る方向に発生しているので、両電極間に存在するＡｒ+
イオン及び電子などの荷電粒子にはＥＢドリフトが作用
する。したがって、Ａｒ+ イオンは図３中の実線、破線
及び一点鎖線で示すように動き、ターゲット４に衝突す
る。その結果、スパッタリング現象により、ターゲット
４は微小な粒子（スパッタ粒子）となって飛散する。ス
パッタ粒子の大部分は基板３ａ、３ｂに到達し、ターゲ
ットと同一の材料の膜が形成される。なお、磁界Ｂの強
さをゼロにすると、基板３ａ、３ｂ上での膜厚分布にむ
らが生じる。
すると、図３に示すように、スパッタ現象が起こり、基
板３ａ、３ｂの表面にターゲット材と同じ材料の膜が形
成される。すなわち、図３において電界Ｅは陽極２の平
面に対してほぼ垂直方向であり、磁界Ｂはそれに直交す
る方向に発生しているので、両電極間に存在するＡｒ+
イオン及び電子などの荷電粒子にはＥＢドリフトが作用
する。したがって、Ａｒ+ イオンは図３中の実線、破線
及び一点鎖線で示すように動き、ターゲット４に衝突す
る。その結果、スパッタリング現象により、ターゲット
４は微小な粒子（スパッタ粒子）となって飛散する。ス
パッタ粒子の大部分は基板３ａ、３ｂに到達し、ターゲ
ットと同一の材料の膜が形成される。なお、磁界Ｂの強
さをゼロにすると、基板３ａ、３ｂ上での膜厚分布にむ
らが生じる。
【００１７】本発明の装置では、陰極５の断面形状が直
径５〜１０ｍｍの円形であり、対向する平板状の陽極２
に比べて曲率半径が著しく小さいため、電極間に発生す
る電界強度が局所的に大きくなる。また、磁界を印加し
ているためにプラズマが容易に発生する。その結果、従
来の装置に比べて表皮効果の影響が少ない。その結果、
スパッタ粒子の基板表面における堆積速度分布を一様に
平均化でき、大面積の成膜が可能になる。
径５〜１０ｍｍの円形であり、対向する平板状の陽極２
に比べて曲率半径が著しく小さいため、電極間に発生す
る電界強度が局所的に大きくなる。また、磁界を印加し
ているためにプラズマが容易に発生する。その結果、従
来の装置に比べて表皮効果の影響が少ない。その結果、
スパッタ粒子の基板表面における堆積速度分布を一様に
平均化でき、大面積の成膜が可能になる。
【００１８】なお、上記実施例では不活性のＡｒガスを
用いたが、不活性ガスにＯ2 、Ｈ2など反応ガスを添加
した場合、または反応ガスのみの場合でも、上記実施例
と同様に実施できることはいうまでもない。
用いたが、不活性ガスにＯ2 、Ｈ2など反応ガスを添加
した場合、または反応ガスのみの場合でも、上記実施例
と同様に実施できることはいうまでもない。
【００１９】
【発明の効果】以上詳述したように本発明によれば、大
面積の成膜が可能となり、アモルファスシリコン太陽電
池、薄膜トランジスタ、光センサなど薄膜製造分野での
工業的価値は著しく大きい。
面積の成膜が可能となり、アモルファスシリコン太陽電
池、薄膜トランジスタ、光センサなど薄膜製造分野での
工業的価値は著しく大きい。
【図１】本発明の一実施例のスパッタリング成膜装置を
示す断面図。
示す断面図。
【図２】同装置の陽極、陰極及び基板の配置状態を示す
斜視図。
斜視図。
【図３】同装置の作用を示す説明図。
【図４】従来のスパッタリング成膜装置を示す断面図。
１…反応容器、２…陽極、３ａ、３ｂ…基板、４…ター
ゲット、５…陰極、６…電力ケーブル、７…アース、９
…高周波電源、１１ａ、１１ｂ…絶縁物、１２…冷却水
供給制御装置、１３…冷却管、１４…真空ポンプ、１
５、１６…バルブ、１７…流量調整器、１８…アルゴン
ガス供給源、１００…コイル、１０１…磁界発生用電
源。
ゲット、５…陰極、６…電力ケーブル、７…アース、９
…高周波電源、１１ａ、１１ｂ…絶縁物、１２…冷却水
供給制御装置、１３…冷却管、１４…真空ポンプ、１
５、１６…バルブ、１７…流量調整器、１８…アルゴン
ガス供給源、１００…コイル、１０１…磁界発生用電
源。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 浜本 員年 長崎県長崎市飽の浦町１番１号 三菱重工 業株式会社長崎造船所内
Claims (2)
- 【請求項１】 反応容器と、該反応容器内に不活性ガス
または反応ガスを導入し、排出する手段と、該反応容器
内に収納された放電用電極と、該放電用電極に電力を供
給する電源と、スパッタリング用ターゲット材とを有
し、反応容器内に設置された基板表面にスパッタリング
による薄膜を形成する成膜装置において、上記放電用電
極の陽極として複数の長尺平板電極を、陰極として複数
の長尺円筒形電極と交互に対向して設置し、かつスパッ
タリング用ターゲット材を上記長尺円筒形電極表面に固
着させるとともに、２枚の基板を、上記対向設置された
陽極及び陰極を挟むように設置したことを特徴とするス
パッタリング成膜装置。 - 【請求項２】 反応容器を囲み、放電用電極間に働く電
界とほぼ直交する向きの磁界を発生するコイルを有し、
そのコイルに交流電力を供給する電源を有することを特
徴とする請求項１記載のスパッタリング成膜装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16484492A JPH062123A (ja) | 1992-06-23 | 1992-06-23 | スパッタリング成膜装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16484492A JPH062123A (ja) | 1992-06-23 | 1992-06-23 | スパッタリング成膜装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH062123A true JPH062123A (ja) | 1994-01-11 |
Family
ID=15800998
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16484492A Withdrawn JPH062123A (ja) | 1992-06-23 | 1992-06-23 | スパッタリング成膜装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH062123A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0701270A1 (en) * | 1994-09-06 | 1996-03-13 | The Boc Group, Inc. | Methods and apparatus for vacuum sputtering |
| EP2091067A1 (en) | 2008-02-14 | 2009-08-19 | Applied Materials, Inc. | Apparatus for treating a substrate |
| JP4392477B2 (ja) * | 2000-08-18 | 2010-01-06 | 株式会社 東北テクノアーチ | 多結晶半導体部材およびその作成方法 |
| US8083911B2 (en) | 2008-02-14 | 2011-12-27 | Applied Materials, Inc. | Apparatus for treating a substrate |
-
1992
- 1992-06-23 JP JP16484492A patent/JPH062123A/ja not_active Withdrawn
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0701270A1 (en) * | 1994-09-06 | 1996-03-13 | The Boc Group, Inc. | Methods and apparatus for vacuum sputtering |
| US5645699A (en) * | 1994-09-06 | 1997-07-08 | The Boc Group, Inc. | Dual cylindrical target magnetron with multiple anodes |
| JP4392477B2 (ja) * | 2000-08-18 | 2010-01-06 | 株式会社 東北テクノアーチ | 多結晶半導体部材およびその作成方法 |
| EP2091067A1 (en) | 2008-02-14 | 2009-08-19 | Applied Materials, Inc. | Apparatus for treating a substrate |
| US8083911B2 (en) | 2008-02-14 | 2011-12-27 | Applied Materials, Inc. | Apparatus for treating a substrate |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19990831 |