JPH06212436A - 高い導電率を有する金属含有層を分離する方法、金属層、複合体、低い抵抗率を有する金属含有層の分離を最適にする方法 - Google Patents
高い導電率を有する金属含有層を分離する方法、金属層、複合体、低い抵抗率を有する金属含有層の分離を最適にする方法Info
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- JPH06212436A JPH06212436A JP26231593A JP26231593A JPH06212436A JP H06212436 A JPH06212436 A JP H06212436A JP 26231593 A JP26231593 A JP 26231593A JP 26231593 A JP26231593 A JP 26231593A JP H06212436 A JPH06212436 A JP H06212436A
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- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
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- C23C16/52—Controlling or regulating the coating process
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C23C16/06—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of metallic material
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 簡単に、とくに、高い導電率を有する層の意
図的分離を許す、高い導電率を有する金属含有層を分離
する方法を提供する。 【構成】 有機金属化合物を水素含有ガス相または蒸気
相中でプラズマを用いて分解する。その際、ＯＥＳスペ
クトルの撮影下にプラズマのエネルギー密度を最適なも
のにする。こうしてたとえば、その幅が５０ｎｍよりも
小さく、その高さ対幅の比が１よりも大きい、付着強固
の導体路を形成することができる。さらに、高い導電率
を有する金属含有層の分離を最適にする方法ならびに本
発明方法で得られる、ポリマーと金属層からなる複合体
を開示する。
図的分離を許す、高い導電率を有する金属含有層を分離
する方法を提供する。 【構成】 有機金属化合物を水素含有ガス相または蒸気
相中でプラズマを用いて分解する。その際、ＯＥＳスペ
クトルの撮影下にプラズマのエネルギー密度を最適なも
のにする。こうしてたとえば、その幅が５０ｎｍよりも
小さく、その高さ対幅の比が１よりも大きい、付着強固
の導体路を形成することができる。さらに、高い導電率
を有する金属含有層の分離を最適にする方法ならびに本
発明方法で得られる、ポリマーと金属層からなる複合体
を開示する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、有機金属化合物を水素
含有ガス相または蒸気相中でプラズマを用いて分解し
て、高い導電率を有する金属含有層を分離する方法に関
する。
含有ガス相または蒸気相中でプラズマを用いて分解し
て、高い導電率を有する金属含有層を分離する方法に関
する。
【０００２】
【従来の技術】基板を表面被覆によって、その表面が特
定の機能性を有するように変更することは公知である。
たとえば、基板上に反射層を設け、電流を導びく層、基
板の表面に付着するかまたは摩耗に対して保護する層、
別の層の付着力を改良する層等を設けることができる。
たとえば銅を金属の形で含有する層の分離は非導電性基
板、たとえばセラミックまたは有機ポリマー上に導電性
導体路を形成するのを可能にする。
定の機能性を有するように変更することは公知である。
たとえば、基板上に反射層を設け、電流を導びく層、基
板の表面に付着するかまたは摩耗に対して保護する層、
別の層の付着力を改良する層等を設けることができる。
たとえば銅を金属の形で含有する層の分離は非導電性基
板、たとえばセラミックまたは有機ポリマー上に導電性
導体路を形成するのを可能にする。
【０００３】薄い金属層の分離は、たとえば公知ＣＶＤ
法により成功する。この場合、有機金属化合物を蒸発さ
せる。金属含有層の形成下に分解するのは、たとえば熱
によるかまたはプラズマ誘導により惹起することができ
る。銅を分離するためのプラズマ支援ＣＶＤ法（ＰＥＣ
ＶＤ法）は、日本応用物理学会誌（Ｊａｐ．Ｊ．Ａｐｐ
ｌ．Ｒｈｙｓ）第３０巻（１９９１年）、第１８１３頁
〜第１８１７頁に、淡谷（Ｎ．Ａｗａｙａ）および有田
（Ｙ．Ａｒｉｔａ）が記載している。この場合には銅ア
セチルアセトネートを平行板プラズマ反応器に入れて分
解する。分離した銅層はその導電率を調べた。２００℃
〜２８０℃の基板温度において銅層の最も低い抵抗率が
出現することが確認される。１００℃以下の分離温度で
は抵抗は非常に高く、測定することができなかった。
法により成功する。この場合、有機金属化合物を蒸発さ
せる。金属含有層の形成下に分解するのは、たとえば熱
によるかまたはプラズマ誘導により惹起することができ
る。銅を分離するためのプラズマ支援ＣＶＤ法（ＰＥＣ
ＶＤ法）は、日本応用物理学会誌（Ｊａｐ．Ｊ．Ａｐｐ
ｌ．Ｒｈｙｓ）第３０巻（１９９１年）、第１８１３頁
〜第１８１７頁に、淡谷（Ｎ．Ａｗａｙａ）および有田
（Ｙ．Ａｒｉｔａ）が記載している。この場合には銅ア
セチルアセトネートを平行板プラズマ反応器に入れて分
解する。分離した銅層はその導電率を調べた。２００℃
〜２８０℃の基板温度において銅層の最も低い抵抗率が
出現することが確認される。１００℃以下の分離温度で
は抵抗は非常に高く、測定することができなかった。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は簡単に
とくに高い導電率を有する層の意図的分離を許す、高い
導電率を有する金属含有層を分離する方法を提供するこ
とである。
とくに高い導電率を有する層の意図的分離を許す、高い
導電率を有する金属含有層を分離する方法を提供するこ
とである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】この課題は、本発明方法
によって解決される。
によって解決される。
【０００６】有機金属化合物を水素含有ガス相または蒸
気相中でプラズマを用いて分解して、高い導電率の金属
含有層を分離する本発明方法は、プラズマにより励起さ
れたガス相または蒸気相のＯＥＳスペクトルを撮影し、
プラズマのエネルギー密度を制御して、金属の配位子断
片に所属しないピーク（非配位子断片）対配位子断片に
所属するピーク（配位子断片）の比が、バルク材料の抵
抗率の最大２００％を有する金属層の分離の際に撮影さ
れる相応する比と少なくとも同程度の大きさであるよう
にすることを特徴とする。
気相中でプラズマを用いて分解して、高い導電率の金属
含有層を分離する本発明方法は、プラズマにより励起さ
れたガス相または蒸気相のＯＥＳスペクトルを撮影し、
プラズマのエネルギー密度を制御して、金属の配位子断
片に所属しないピーク（非配位子断片）対配位子断片に
所属するピーク（配位子断片）の比が、バルク材料の抵
抗率の最大２００％を有する金属層の分離の際に撮影さ
れる相応する比と少なくとも同程度の大きさであるよう
にすることを特徴とする。
【０００７】ＯＥＳ（Ｏｐｔｉｃａｌ Ｅｍｉｓｓｉｏ
ｎ Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｃｏｐｙ，光放出分光）スペク
トルは、最も簡単にはプラズマ反応器の窓において、コ
ンピュータ制御運転のＯＥＳスペクトロメーターを用い
て行なわれる。
ｎ Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｃｏｐｙ，光放出分光）スペク
トルは、最も簡単にはプラズマ反応器の窓において、コ
ンピュータ制御運転のＯＥＳスペクトロメーターを用い
て行なわれる。
【０００８】非配位子断片に所属されるピークは、たと
えば金属ピーク、配位子のピークまたは金属水素化合物
ピークであってもよい。
えば金属ピーク、配位子のピークまたは金属水素化合物
ピークであってもよい。
【０００９】本発明方法は金属と１個ないしは数個の配
位子との間にσ結合および／またはπ結合を有する有機
金属化合物を分解するために使用することができる。た
とえば、金属・炭素の結合を有する有機金属化合物たと
えば金属・アルキル基、金属アルケン基、金属アリール
基、金属アレーン基、および／または金属カルボニル基
を有する有機金属化合物を分解することができる。金属
・ヘテロ原子の結合を有する有機金属化合物も、同様に
使用することができる。たとえば、その配位子が窒素を
介して金属と結合している化合物、たとえば金属ケトイ
ミナト錯体を使用することができる。この方法は、金属
・酸素の結合を有する有機金属化合物、とくに金属が１
個または数個のβ−ジケトネートによって錯化されてい
る化合物を分解するのにとくに好適である。この方法
は、半貴金属、殊に銅および殊に銀、金ならびに白金族
金属の貴金属の有機金属化合物の分解に極めて好適であ
る。
位子との間にσ結合および／またはπ結合を有する有機
金属化合物を分解するために使用することができる。た
とえば、金属・炭素の結合を有する有機金属化合物たと
えば金属・アルキル基、金属アルケン基、金属アリール
基、金属アレーン基、および／または金属カルボニル基
を有する有機金属化合物を分解することができる。金属
・ヘテロ原子の結合を有する有機金属化合物も、同様に
使用することができる。たとえば、その配位子が窒素を
介して金属と結合している化合物、たとえば金属ケトイ
ミナト錯体を使用することができる。この方法は、金属
・酸素の結合を有する有機金属化合物、とくに金属が１
個または数個のβ−ジケトネートによって錯化されてい
る化合物を分解するのにとくに好適である。この方法
は、半貴金属、殊に銅および殊に銀、金ならびに白金族
金属の貴金属の有機金属化合物の分解に極めて好適であ
る。
【００１０】本発明方法は金属が銅であり、この銅が１
〜１８個のハロゲン原子によって置換され、とくに１〜
６個のフッ素原子によって置換された５〜１１個のＣ原
子を有するβ−ジケトネートを含有する群から選択され
たβ−ジケトネートで錯化されている化合物を分解する
のに卓越して適当である。とくに良好に使用しうる化合
物は、銅アセチルアセトネート、銅ヘプタンジオネー
ト、銅ジメチルヘプタンジオネートおよび銅テトラメチ
ルヘプタンジオネートである。銅ヘキサフルオロアセチ
ルアセトネートおよび銅トリフルオロアセチルアセトネ
ートも好適である。
〜１８個のハロゲン原子によって置換され、とくに１〜
６個のフッ素原子によって置換された５〜１１個のＣ原
子を有するβ−ジケトネートを含有する群から選択され
たβ−ジケトネートで錯化されている化合物を分解する
のに卓越して適当である。とくに良好に使用しうる化合
物は、銅アセチルアセトネート、銅ヘプタンジオネー
ト、銅ジメチルヘプタンジオネートおよび銅テトラメチ
ルヘプタンジオネートである。銅ヘキサフルオロアセチ
ルアセトネートおよび銅トリフルオロアセチルアセトネ
ートも好適である。
【００１１】ドイツ国特許出願公開第４１３６３２１号
明細書に記載された、有機基によって置換されたモリブ
デンカルボニルないしはタングステンカルボニルも、本
発明方法において使用可能で良好な分離結果が得られ
る。これは、式ＭＲ1Ｒ2（ＣＯ）3で示される化合物で
ある。式中、Ｍはモリブデンまたはタングステンを表わ
し、Ｒ1はたとえばシクロペンタジエニルであるかまた
はＣ1〜Ｃ3−アルキル基によって置換されたシクロペン
タジエニルであり、Ｒ2はたとえばＣ1〜Ｃ5−アルキ
ル；Ｃ2〜Ｈ5−アルケニル；Ｃ1〜Ｃ3−アルコキシ；フ
エニルまたは置換フエニル；ヘテロアリールである。非
常に好適な化合物は、たとえばＭｏ（Ｃ5Ｈ5）（Ｃ
Ｈ3）（ＣＯ）3、Ｗ（Ｃ5Ｈ5）（ＣＨ3）（ＣＯ）3、Ｍ
ｏ（Ｃ5Ｈ5）（Ｃ2Ｈ5）（ＣＯ）3、またはＷ（Ｃ
5Ｈ5）（Ｃ2Ｈ5）（ＣＯ）3である。かかる化合物の製
造は公知であり、ドイツ国特許出願公開第４１３６３２
１号明細書に記載されている。たとえば（ＣＨ3）（Ｃ5
Ｈ5）Ｗ（ＣＯ）3は、Ｃ5Ｈ5ＮａをＷ（ＣＯ）6と反応
させ、得られる（トリカルボニル−シクロペンタジエニ
ル）タングステン酸のＮａ塩をヨウ化メチルと反応させ
ることにより製造することができる。
明細書に記載された、有機基によって置換されたモリブ
デンカルボニルないしはタングステンカルボニルも、本
発明方法において使用可能で良好な分離結果が得られ
る。これは、式ＭＲ1Ｒ2（ＣＯ）3で示される化合物で
ある。式中、Ｍはモリブデンまたはタングステンを表わ
し、Ｒ1はたとえばシクロペンタジエニルであるかまた
はＣ1〜Ｃ3−アルキル基によって置換されたシクロペン
タジエニルであり、Ｒ2はたとえばＣ1〜Ｃ5−アルキ
ル；Ｃ2〜Ｈ5−アルケニル；Ｃ1〜Ｃ3−アルコキシ；フ
エニルまたは置換フエニル；ヘテロアリールである。非
常に好適な化合物は、たとえばＭｏ（Ｃ5Ｈ5）（Ｃ
Ｈ3）（ＣＯ）3、Ｗ（Ｃ5Ｈ5）（ＣＨ3）（ＣＯ）3、Ｍ
ｏ（Ｃ5Ｈ5）（Ｃ2Ｈ5）（ＣＯ）3、またはＷ（Ｃ
5Ｈ5）（Ｃ2Ｈ5）（ＣＯ）3である。かかる化合物の製
造は公知であり、ドイツ国特許出願公開第４１３６３２
１号明細書に記載されている。たとえば（ＣＨ3）（Ｃ5
Ｈ5）Ｗ（ＣＯ）3は、Ｃ5Ｈ5ＮａをＷ（ＣＯ）6と反応
させ、得られる（トリカルボニル−シクロペンタジエニ
ル）タングステン酸のＮａ塩をヨウ化メチルと反応させ
ることにより製造することができる。
【００１２】プラズマとしてはとくに容量結合されたＲ
Ｆ−プラズマが使用される。
Ｆ−プラズマが使用される。
【００１３】とくに、分解は周波数プラズマ、とくに３
〜３０ＭＨｚの範囲内の高周波プラズマを用いて誘発さ
れる。通常、１３．５６ＭＨｚの周波数を用いて作業さ
れる。
〜３０ＭＨｚの範囲内の高周波プラズマを用いて誘発さ
れる。通常、１３．５６ＭＨｚの周波数を用いて作業さ
れる。
【００１４】分離は、普通のプラズマＣＶＤ装置中で実
施することができる。かかる装置は、排気可能な排気鐘
（反応器）および２個または所望の場合にはそれ以上の
電極を有する。さらに、本発明方法においてプラズマエ
ネルギー密度を制御する際に使用される装置は、ＯＥＳ
スペクトルを撮影するための窓を有する。さらに、通常
の構成部品、たとえばガス、有機金属化合物の供給管、
真空を発生するための接続部、基板、電極、反応器壁の
温度を測定するためのセンサ、真空を測定するためのセ
ンサ等が存在していてもよい。
施することができる。かかる装置は、排気可能な排気鐘
（反応器）および２個または所望の場合にはそれ以上の
電極を有する。さらに、本発明方法においてプラズマエ
ネルギー密度を制御する際に使用される装置は、ＯＥＳ
スペクトルを撮影するための窓を有する。さらに、通常
の構成部品、たとえばガス、有機金属化合物の供給管、
真空を発生するための接続部、基板、電極、反応器壁の
温度を測定するためのセンサ、真空を測定するためのセ
ンサ等が存在していてもよい。
【００１５】特に好適なのは、１つの電極（他の電極は
反応器壁によって形成される）を有する装置または平行
に配置された電極を有する装置（平行板反応器）であ
る。電極ないしは２つの電極の１つは周波数発生器に接
続され、他方の電極ないしは反応器壁は有利には電気的
に絶縁されるかまたは接地される。所望の場合には陰極
の接地に対する陰極の直流電圧電位をバイアス電圧によ
って変えることができ、これによって殊に低い基板温度
における分離および分離した金属層の性質を変更するこ
とができる。
反応器壁によって形成される）を有する装置または平行
に配置された電極を有する装置（平行板反応器）であ
る。電極ないしは２つの電極の１つは周波数発生器に接
続され、他方の電極ないしは反応器壁は有利には電気的
に絶縁されるかまたは接地される。所望の場合には陰極
の接地に対する陰極の直流電圧電位をバイアス電圧によ
って変えることができ、これによって殊に低い基板温度
における分離および分離した金属層の性質を変更するこ
とができる。
【００１６】本発明の１実施形によれば、陽極に分離さ
せる。この場合には、被覆すべき基板は、通常陰極より
も大きい、接地されたかまたは電気的に絶縁された陽極
の近くに置かれる。付着力のとくに高い金属層を得るた
めには基板、たとえばセラミック、ガラスのような無機
材料、またはポリマー、たとえば合成材料のような有機
材料を、たとえばプラズマ処理“Ｖｏｒｓｐｕｔｔｅｒ
ｎ（プレスパッタリング）”によって前処理することが
できる。化学的前処理を行なうこともできる。有機化合
物を用いるかかる前処理はＰＣＴ第１５７２３号／１９
９２年に記載されている。
せる。この場合には、被覆すべき基板は、通常陰極より
も大きい、接地されたかまたは電気的に絶縁された陽極
の近くに置かれる。付着力のとくに高い金属層を得るた
めには基板、たとえばセラミック、ガラスのような無機
材料、またはポリマー、たとえば合成材料のような有機
材料を、たとえばプラズマ処理“Ｖｏｒｓｐｕｔｔｅｒ
ｎ（プレスパッタリング）”によって前処理することが
できる。化学的前処理を行なうこともできる。有機化合
物を用いるかかる前処理はＰＣＴ第１５７２３号／１９
９２年に記載されている。
【００１７】とくに有利な結果を示し、このため望まし
い他の実施形によれば、陰極に分離させる。この場合、
被覆すべき基板は、周波数発生器と接続している陰極の
近くに置かれる。この方法は陰極対陽極の面積比が２：
１よりも大きい、とくに４：１よりも大きい場合に、と
くに良好に成功する。この方法実施形を用いると、通常
基板として使用される無機材料、たとえば半導体、アイ
ソレータ、セラミック、ガス相、炭素、殊に炭素繊維を
被覆することができる。この実施形は、有機ポリマーを
被覆するのにとくに好適である。金属層およびポリマ
ー、たとえばエポキシ樹脂、ガラス繊維強化エポキシ樹
脂、ポリアミド、ポリイミド、ポリエチレン、ポリプロ
ピレン、ポリフエニレンスルフィド、ハロゲン含有ポリ
マーのような合成材料から、殊に金属層の付着力に関し
てとくに良好な性質を有する、ポリマーと金属層からな
る複合体が形成される。陰極分離の場合でも、接地に対
する陰極の直流電圧電位をバイアス電圧によって変え
て、層の形成ないしは分離した層の性質を変更すること
ができる。陰極分離を有する実施形は、とくに有機ポリ
マー上に、基板の付着改善前処理を必要とすることな
く、強固に付着する金属層を形成することができるため
に有利である。さらに、１０ｎｍ／ｍｉｎおよびそれ以
上までの非常に高い層形成速度で分離を行なうことがで
きる。このような低い基板温度（１００℃）で銅アセチ
ルアセトネートないしは銅ヘキサフルオロアセチルアセ
トネートの使用下にたとえば銅を分離する場合高導電率
層のかかる高い分離速度は先行技術ではこれまで知られ
ていないかった。
い他の実施形によれば、陰極に分離させる。この場合、
被覆すべき基板は、周波数発生器と接続している陰極の
近くに置かれる。この方法は陰極対陽極の面積比が２：
１よりも大きい、とくに４：１よりも大きい場合に、と
くに良好に成功する。この方法実施形を用いると、通常
基板として使用される無機材料、たとえば半導体、アイ
ソレータ、セラミック、ガス相、炭素、殊に炭素繊維を
被覆することができる。この実施形は、有機ポリマーを
被覆するのにとくに好適である。金属層およびポリマ
ー、たとえばエポキシ樹脂、ガラス繊維強化エポキシ樹
脂、ポリアミド、ポリイミド、ポリエチレン、ポリプロ
ピレン、ポリフエニレンスルフィド、ハロゲン含有ポリ
マーのような合成材料から、殊に金属層の付着力に関し
てとくに良好な性質を有する、ポリマーと金属層からな
る複合体が形成される。陰極分離の場合でも、接地に対
する陰極の直流電圧電位をバイアス電圧によって変え
て、層の形成ないしは分離した層の性質を変更すること
ができる。陰極分離を有する実施形は、とくに有機ポリ
マー上に、基板の付着改善前処理を必要とすることな
く、強固に付着する金属層を形成することができるため
に有利である。さらに、１０ｎｍ／ｍｉｎおよびそれ以
上までの非常に高い層形成速度で分離を行なうことがで
きる。このような低い基板温度（１００℃）で銅アセチ
ルアセトネートないしは銅ヘキサフルオロアセチルアセ
トネートの使用下にたとえば銅を分離する場合高導電率
層のかかる高い分離速度は先行技術ではこれまで知られ
ていないかった。
【００１８】もちろん、分離は等電位を有する電極を備
えるプラズマ装置中でも成功する。
えるプラズマ装置中でも成功する。
【００１９】蒸発すべき有機金属化合物は、排気鐘（Ｒ
ｅｚｉｐｉｅｎｔ）中または別個の装置中、有利には蒸
発器中で、所望の蒸気圧が達成される温度にもたらされ
る。基板温度および／または壁温度は有利には蒸発器中
で、ガス相または蒸気相に変えられる有機金属化合物の
温度よりも少なくとも５℃だけ高い。望ましくは、基板
温度および／または壁温度は、蒸発器中で化合物の温度
よりも５〜２５℃高い。基板温度は望ましくは室温から
１２０℃までの範囲内にある。これより高い温度でも、
なお満足な結果を得ることができる。排気鐘内の圧力は
有利には１００ｍＴｏｒｒ以上である。最良の結果は５
Ｔｏｒｒまでの排気鐘圧力で得られる。この場合、基板
温度および排気鐘内のガス圧に関する最適の範囲は、そ
のつど使用される金属化合物に依存する。場合により、
最適条件を確かめるために相応する小実験を実施するこ
とができる。たとえば銅アセチルアセトネートのような
銅化合物の場合、最適温度は室温から１２０℃までの範
囲内にあり、圧力５００ｍＴｏｒｒから３Ｔｏｒｒまで
の範囲内にある。
ｅｚｉｐｉｅｎｔ）中または別個の装置中、有利には蒸
発器中で、所望の蒸気圧が達成される温度にもたらされ
る。基板温度および／または壁温度は有利には蒸発器中
で、ガス相または蒸気相に変えられる有機金属化合物の
温度よりも少なくとも５℃だけ高い。望ましくは、基板
温度および／または壁温度は、蒸発器中で化合物の温度
よりも５〜２５℃高い。基板温度は望ましくは室温から
１２０℃までの範囲内にある。これより高い温度でも、
なお満足な結果を得ることができる。排気鐘内の圧力は
有利には１００ｍＴｏｒｒ以上である。最良の結果は５
Ｔｏｒｒまでの排気鐘圧力で得られる。この場合、基板
温度および排気鐘内のガス圧に関する最適の範囲は、そ
のつど使用される金属化合物に依存する。場合により、
最適条件を確かめるために相応する小実験を実施するこ
とができる。たとえば銅アセチルアセトネートのような
銅化合物の場合、最適温度は室温から１２０℃までの範
囲内にあり、圧力５００ｍＴｏｒｒから３Ｔｏｒｒまで
の範囲内にある。
【００２０】プロセスガスは、とくに水素からなる。し
かし所望の場合には水素の一部、（８０容量％まで）
を、希ガス、たとえばアルゴンまたはキセノンのような
不活性ガスによって代えることもできる。
かし所望の場合には水素の一部、（８０容量％まで）
を、希ガス、たとえばアルゴンまたはキセノンのような
不活性ガスによって代えることもできる。
【００２１】殊に陰極分離の場合に本発明方法を用いる
と、厚さ２０００ｎｍおよびそれ以上の金属層を分離す
ることができる。バルク材料の最大２００％、とくに１
３０％以下の抵抗率を有する層を分離することができ
る。とくに望ましくは、この方法を用いると、厚さ２０
０〜２０００ｎｍおよびバルク材料の最大２００％の抵
抗率を有する金属層、殊に銅層を形成できる。これは、
殊に陰極分離を用いると非常に迅速に成功する。それと
いうのも低い温度においてさえ、意外なことにたとえば
２ｎｍ／ｍｉｎより大きく、１０ｎｍ／ｍｉｎおよびそ
れ以上までの高い分離速度が可能であるからである。
と、厚さ２０００ｎｍおよびそれ以上の金属層を分離す
ることができる。バルク材料の最大２００％、とくに１
３０％以下の抵抗率を有する層を分離することができ
る。とくに望ましくは、この方法を用いると、厚さ２０
０〜２０００ｎｍおよびバルク材料の最大２００％の抵
抗率を有する金属層、殊に銅層を形成できる。これは、
殊に陰極分離を用いると非常に迅速に成功する。それと
いうのも低い温度においてさえ、意外なことにたとえば
２ｎｍ／ｍｉｎより大きく、１０ｎｍ／ｍｉｎおよびそ
れ以上までの高い分離速度が可能であるからである。
【００２２】本発明の別の対象は、バルク材料の抵抗率
の最大２００％の抵抗率を有する金属含有層の分離を最
適にする方法の提供にある。本発明方法は有機金属化合
物を水素含有ガス相または蒸気相中でプラズマを用いて
分解して、バルク材料の抵抗率の最大２００％に達する
抵抗率を有する金属含有層の分離を最適なものにするた
め、プラズマのエネルギー密度に関して、次のように定
めることのできる条件下に作業することを規定する： ａ） 分解を、少なくとも、分解すべき有機金属化合物
の配位子が断片に打砕かれる程度に高いプラズマのエネ
ルギー密度において実施する。
の最大２００％の抵抗率を有する金属含有層の分離を最
適にする方法の提供にある。本発明方法は有機金属化合
物を水素含有ガス相または蒸気相中でプラズマを用いて
分解して、バルク材料の抵抗率の最大２００％に達する
抵抗率を有する金属含有層の分離を最適なものにするた
め、プラズマのエネルギー密度に関して、次のように定
めることのできる条件下に作業することを規定する： ａ） 分解を、少なくとも、分解すべき有機金属化合物
の配位子が断片に打砕かれる程度に高いプラズマのエネ
ルギー密度において実施する。
【００２３】ｂ） ＯＥＳスペクトルを測定し、配位子
の断片（非配位子断片）に帰すべきでないピークならび
に配位子の特定の断片に帰すべきピークを確かめる。
の断片（非配位子断片）に帰すべきでないピークならび
に配位子の特定の断片に帰すべきピークを確かめる。
【００２４】ｃ） ａ）において調節した高いエネルギ
ー密度を、ＯＥＳスペクトルにおいて配位子に所属しな
いピークおよび有機分子部分の断片に所属するピーク
が、分離した層の導電率に対する所望の要求に一致する
ような最低割合を有するで、減少することによって分離
した層の抵抗率を最適にする。
ー密度を、ＯＥＳスペクトルにおいて配位子に所属しな
いピークおよび有機分子部分の断片に所属するピーク
が、分離した層の導電率に対する所望の要求に一致する
ような最低割合を有するで、減少することによって分離
した層の抵抗率を最適にする。
【００２５】工程圧力および分離温度は、差当り不変に
たとえば６５０ｍＴｏｒｒおよび１００℃が選択され
る。
たとえば６５０ｍＴｏｒｒおよび１００℃が選択され
る。
【００２６】本発明のもう１つの対象は、本発明方法に
従って得られるような、２００〜２０００ｎｍの厚さお
よびバルク材料の最大２００％の抵抗率を有する金属層
である。
従って得られるような、２００〜２０００ｎｍの厚さお
よびバルク材料の最大２００％の抵抗率を有する金属層
である。
【００２７】もう１つの対象は、ポリマー、場合により
１以上の中間層および２００〜２０００ｎｍの厚さなら
びにバルク材料の最大２００％の抵抗率を有する金属層
からなる複合体である。
１以上の中間層および２００〜２０００ｎｍの厚さなら
びにバルク材料の最大２００％の抵抗率を有する金属層
からなる複合体である。
【００２８】かかる複合体は本発明方法において得られ
る。該複合体は、ポリマー上での金属層の非常に高い安
定性および付着によってすぐれている。銅／エポキシ樹
脂、銅／ポリイミド、銅／ポリアミド、銅／ポリエチレ
ンおよび銅／ポリプロピレンの複合体がとくに望まし
い。場合により複合体中に含まれていてもよい中間層は
場合により公知方法によってつくられた中間層である。
これにはたとえば、たとえば摩耗に対し、付着仲介のた
めに、表面を改善する層である。たとえば窒化チタンお
よび窒化ホウ素からなる層が挙げられる。
る。該複合体は、ポリマー上での金属層の非常に高い安
定性および付着によってすぐれている。銅／エポキシ樹
脂、銅／ポリイミド、銅／ポリアミド、銅／ポリエチレ
ンおよび銅／ポリプロピレンの複合体がとくに望まし
い。場合により複合体中に含まれていてもよい中間層は
場合により公知方法によってつくられた中間層である。
これにはたとえば、たとえば摩耗に対し、付着仲介のた
めに、表面を改善する層である。たとえば窒化チタンお
よび窒化ホウ素からなる層が挙げられる。
【００２９】導体路の形の金属層を有するポリマーから
なる複合体がとくに有利な性質を有する。このような複
合体は同様に発明に属する。該複合体は、ポリマー上
に、本発明方法により差当り第１の金属層を設ける。次
に、第１の金属層上へ被覆層を設ける。このためには、
たとえば被覆層として、ラッカー層を振り飛ばす。層の
厚さは可変であり、たとえば１０μｍまたはそれ以上で
あってもよい。次に、ラッカー層は、写真印刷により構
造化される。たとえば、幅１０μｍの導体路を形成する
ことができ、これより小さい構造も同様に可能である。
引き続き、導体路を形成するため、めっきにより第２の
金属層を分離する。有利には、第２の金属層はラッカー
層より著しく厚くてはならない。次に、被覆層をたとえ
ばアセトンのような適当な溶剤によって除去する。この
場合、本発明方法によって設けられた第１の金属層は再
び露出する。露出した金属層を、たとえば適当な酸また
は酸性化合物を用いてエッチングする。
なる複合体がとくに有利な性質を有する。このような複
合体は同様に発明に属する。該複合体は、ポリマー上
に、本発明方法により差当り第１の金属層を設ける。次
に、第１の金属層上へ被覆層を設ける。このためには、
たとえば被覆層として、ラッカー層を振り飛ばす。層の
厚さは可変であり、たとえば１０μｍまたはそれ以上で
あってもよい。次に、ラッカー層は、写真印刷により構
造化される。たとえば、幅１０μｍの導体路を形成する
ことができ、これより小さい構造も同様に可能である。
引き続き、導体路を形成するため、めっきにより第２の
金属層を分離する。有利には、第２の金属層はラッカー
層より著しく厚くてはならない。次に、被覆層をたとえ
ばアセトンのような適当な溶剤によって除去する。この
場合、本発明方法によって設けられた第１の金属層は再
び露出する。露出した金属層を、たとえば適当な酸また
は酸性化合物を用いてエッチングする。
【００３０】ポリマー（適当なポリマーの列挙は上記参
照）と金属層ないしは被覆層の間に、場合によりなお１
つまたは幾つかの中間層、たとえば電流を絶縁するかま
たは個々の層の付着を改善する中間層が設けられていて
もよい。
照）と金属層ないしは被覆層の間に、場合によりなお１
つまたは幾つかの中間層、たとえば電流を絶縁するかま
たは個々の層の付着を改善する中間層が設けられていて
もよい。
【００３１】導体路の製造方法は、図３の助けをかりて
さらに説明する。図３はそれぞれ２つの互いに対をなす
図面を有する７つの図１〜７からなる。上側の図面は基
板（Ｐｌａｔｉｎｅ）の断面図を表わし、下側の図面は
その上の層を表わす。基板材料は交叉ハッチングで表わ
され、ラッカー層はハッチングにより示唆され、第１の
金属層ないしは基路を表わす第２の金属層は例外なしに
梨地で示されている。
さらに説明する。図３はそれぞれ２つの互いに対をなす
図面を有する７つの図１〜７からなる。上側の図面は基
板（Ｐｌａｔｉｎｅ）の断面図を表わし、下側の図面は
その上の層を表わす。基板材料は交叉ハッチングで表わ
され、ラッカー層はハッチングにより示唆され、第１の
金属層ないしは基路を表わす第２の金属層は例外なしに
梨地で示されている。
【００３２】図３の図面１中の導体板ａ（たとえばガラ
ス繊維強化エポキシ樹脂）上に、本発明により金属層ｂ
を分離する。生じた複合体（図２参照）上にラッカー層
ｃを振り飛ばす、結果は図面３参照。フオトリソグラフ
ィーによる構造化によって、ラッカー層の特定の範囲ｄ
を除去し、その結果図面４に表わした複合体が生じる。
引き続き、範囲ｄ上に選択的に金属層ｅをめっきする
（図面５，６および７における金属層ｅのきのこ状構造
は、分離条件、殊に分離時間の変化によって改変するこ
とができるので、金属層ｅはラッカー層ｃからほんの僅
かまたは全く突出しえない。）引き続き、まずラッカー
層ｃ、次に導体板ａ上の露出金属層ｂを除去する。この
場合、導体路を有する複合体が残留する。
ス繊維強化エポキシ樹脂）上に、本発明により金属層ｂ
を分離する。生じた複合体（図２参照）上にラッカー層
ｃを振り飛ばす、結果は図面３参照。フオトリソグラフ
ィーによる構造化によって、ラッカー層の特定の範囲ｄ
を除去し、その結果図面４に表わした複合体が生じる。
引き続き、範囲ｄ上に選択的に金属層ｅをめっきする
（図面５，６および７における金属層ｅのきのこ状構造
は、分離条件、殊に分離時間の変化によって改変するこ
とができるので、金属層ｅはラッカー層ｃからほんの僅
かまたは全く突出しえない。）引き続き、まずラッカー
層ｃ、次に導体板ａ上の露出金属層ｂを除去する。この
場合、導体路を有する複合体が残留する。
【００３３】とくに望ましい、導体路を有する複合体は
第１の金属層としてタングステン層、モリブデン層また
は殊に銅層を有する。第１の金属層を陰極分離する際
に、機械的にとくに負荷可能な複合体が生じる。導体路
を表わす第２の金属層は、とくに銅層である。
第１の金属層としてタングステン層、モリブデン層また
は殊に銅層を有する。第１の金属層を陰極分離する際
に、機械的にとくに負荷可能な複合体が生じる。導体路
を表わす第２の金属層は、とくに銅層である。
【００３４】導体路の幅はとくに５０ｎｍよりも小さ
く、殊に３０ｎｍより小さく、とくに望ましくは１０ｎ
ｍよりも小さい。導体路の高さ対幅の比はフオトリソグ
ラフィー加工の形式により変わる。とくに、導体路の高
さ対幅の比は１よりも大きく、たとえば１０までまたは
それ以上である。
く、殊に３０ｎｍより小さく、とくに望ましくは１０ｎ
ｍよりも小さい。導体路の高さ対幅の比はフオトリソグ
ラフィー加工の形式により変わる。とくに、導体路の高
さ対幅の比は１よりも大きく、たとえば１０までまたは
それ以上である。
【００３５】本発明方法は従来未知の利点を提供し、低
い分離温度において意図的にかつ不変の品質で、高い付
着力および低い抵抗率によってすぐれている金属層を高
い分離速度で分離することができる。これは、殊に導体
路を有する複合体において明らかであり；陰極に分離し
た層は付着強固で、惹起された破損縁はめつきにより分
離した層の層材料中に存在し、本発明により分離した層
の範囲内には存在しない。
い分離温度において意図的にかつ不変の品質で、高い付
着力および低い抵抗率によってすぐれている金属層を高
い分離速度で分離することができる。これは、殊に導体
路を有する複合体において明らかであり；陰極に分離し
た層は付着強固で、惹起された破損縁はめつきにより分
離した層の層材料中に存在し、本発明により分離した層
の範囲内には存在しない。
【００３６】次に本発明を実施例につき詳述するが、本
発明はこの範囲内に制限されるものではない。
発明はこの範囲内に制限されるものではない。
【００３７】ピーク“Ａ”，“Ｂ”および“Ｃ”は、種
々の例中で同じ断片ないしは非断片のものである。
々の例中で同じ断片ないしは非断片のものである。
【００３８】
例１ ポリアミド上に銅層の分離 １．１． 使用した装置 基板電極を有するプラズマ装置を使用した。直径は７８
ｍｍであった。排気鐘の蓋によって表わされる“対向電
極”の直径は１５６ｍｍであり；排気鐘内壁は補助的な
有効対向電極面を表わす。基板電極対接地された対向電
極の面積比は、合計で４：１よりも大きかった。電極間
距離は、３０〜８０ｍｍの範囲内で変えることができ
た。直径は、“バラトロン（Ｂａｒａｔｒｏｎ）”（容
量マノメータ）を用いて行なった。電力源としては、１
３．５６ＭＨｚの送電周波数を有するＲＦ発電機を使用
したが、その電力は０〜３００Ｗの範囲内で制御するこ
とができた。基板の加熱は、２０〜５００℃の範囲内で
変えることができた。コンピュータ制御運転のＯＥＳ分
光計は、排気鐘の窓によりプラズマ室のスペクトルを作
製することができた。
ｍｍであった。排気鐘の蓋によって表わされる“対向電
極”の直径は１５６ｍｍであり；排気鐘内壁は補助的な
有効対向電極面を表わす。基板電極対接地された対向電
極の面積比は、合計で４：１よりも大きかった。電極間
距離は、３０〜８０ｍｍの範囲内で変えることができ
た。直径は、“バラトロン（Ｂａｒａｔｒｏｎ）”（容
量マノメータ）を用いて行なった。電力源としては、１
３．５６ＭＨｚの送電周波数を有するＲＦ発電機を使用
したが、その電力は０〜３００Ｗの範囲内で制御するこ
とができた。基板の加熱は、２０〜５００℃の範囲内で
変えることができた。コンピュータ制御運転のＯＥＳ分
光計は、排気鐘の窓によりプラズマ室のスペクトルを作
製することができた。
【００３９】１．２． 分離の実施 基板電極は、電力が４０Ｗに調節された周波数発生機と
接続された。前駆物質として、銅（ＩＩ）アセチルアセ
トネートを、排気鐘内に存在する蒸発器に入れ、そこで
１１５℃に加熱した。基板としてガラスを使用し、１２
０℃の温度にした。プロセスガスは水素であり、排気鐘
内の総圧は１０００ｍＴｏｒｒであった。分離は、２６
ｍｉｎの時間により実施した。
接続された。前駆物質として、銅（ＩＩ）アセチルアセ
トネートを、排気鐘内に存在する蒸発器に入れ、そこで
１１５℃に加熱した。基板としてガラスを使用し、１２
０℃の温度にした。プロセスガスは水素であり、排気鐘
内の総圧は１０００ｍＴｏｒｒであった。分離は、２６
ｍｉｎの時間により実施した。
【００４０】分離した層の層厚は１２５ｎｍであり、平
均成長速度は４．８ｎｍ／ｍｉｎであった。導電率は、
ファン．デル．ポウ（ｖａｎ ｄｅｒ Ｐａｕｗ）（Ｐ
ｈｉｌｉｐｓ Ｒｅｓ．Ｒｅｐｔｓ．第１３巻，第１頁
〜第９頁（１９５８年）によるいわゆる“４点測定”に
よって実施した。抵抗率は２．２〜２．３μΩｃｍと決
定され、これはバルク銅の値の約１３０％である。
均成長速度は４．８ｎｍ／ｍｉｎであった。導電率は、
ファン．デル．ポウ（ｖａｎ ｄｅｒ Ｐａｕｗ）（Ｐ
ｈｉｌｉｐｓ Ｒｅｓ．Ｒｅｐｔｓ．第１３巻，第１頁
〜第９頁（１９５８年）によるいわゆる“４点測定”に
よって実施した。抵抗率は２．２〜２．３μΩｃｍと決
定され、これはバルク銅の値の約１３０％である。
【００４１】分離法の実施の間、ＯＥＳスペクトルを撮
影し、これは図１に示されている。
影し、これは図１に示されている。
【００４２】Ｂで示したピークは、非配位子断片の信号
である。“Ａ”および“Ｃ”で示したピークは配位子断
片“一酸化炭素”に帰せられる。強さの比（ピーク高さ
に対する）Ｂ／Ａは０．３７９であり、強さの比Ｂ／Ｃ
は１．３３３である。
である。“Ａ”および“Ｃ”で示したピークは配位子断
片“一酸化炭素”に帰せられる。強さの比（ピーク高さ
に対する）Ｂ／Ａは０．３７９であり、強さの比Ｂ／Ｃ
は１．３３３である。
【００４３】例２ ポリイミドシート上での陰極分離 例１を繰返した。今回は基板としてポリイミドシート
（出所：Ｄｕ Ｐｏｎｔ社、米国）を使用した。結果は
例１の結果に一致した。
（出所：Ｄｕ Ｐｏｎｔ社、米国）を使用した。結果は
例１の結果に一致した。
【００４４】例３ 非導電層の陰極分離 例１を繰返した。周波数発生機の電力は９０Ｗに制御
し、基板として再びガラスを使用し、作業時間は１２ｍ
ｉｎであった。分離した層は非導電性であることが判明
した。分離の間に撮影されたＯＥＳスペクトルは図２に
示す。“Ｂ”で示したピークは非配位子断片に所属し、
“Ａ”および“Ｃ”で示したピークは配位子断片、即ち
一酸化炭素に所属する。ピークの強さの比Ｂ／Ａは０．
１６７であり、ピークの強さの比Ｂ／Ｃは０．７８１で
ある。
し、基板として再びガラスを使用し、作業時間は１２ｍ
ｉｎであった。分離した層は非導電性であることが判明
した。分離の間に撮影されたＯＥＳスペクトルは図２に
示す。“Ｂ”で示したピークは非配位子断片に所属し、
“Ａ”および“Ｃ”で示したピークは配位子断片、即ち
一酸化炭素に所属する。ピークの強さの比Ｂ／Ａは０．
１６７であり、ピークの強さの比Ｂ／Ｃは０．７８１で
ある。
【００４５】例１は、ＯＥＳスペクトルを撮影し、決定
したピークを互いに比較することにより、分離した層の
最適導電率を得るために調節すべきＲＦ電力を制御する
ことが可能である。
したピークを互いに比較することにより、分離した層の
最適導電率を得るために調節すべきＲＦ電力を制御する
ことが可能である。
【００４６】例４ 陽極分離 この例においては、基板電極を接地し、排気鐘中へ対向
電極を導入し、周波数発生器と接続した。周波数発生器
は１０Ｗの電力に制御した。装置内の圧力は６２８ｍＴ
ｏｒｒであり、プロセスガスとしてアルゴンと水素の混
合物を使用した。基板としては窒素ケイ素からなる円板
を使用した。作業時間は１５０ｍｉｎであった。
電極を導入し、周波数発生器と接続した。周波数発生器
は１０Ｗの電力に制御した。装置内の圧力は６２８ｍＴ
ｏｒｒであり、プロセスガスとしてアルゴンと水素の混
合物を使用した。基板としては窒素ケイ素からなる円板
を使用した。作業時間は１５０ｍｉｎであった。
【００４７】分離した層厚は５７ｎｍであり、導電率は
３．０２μΩｃｍであった（４点法により測定）。
３．０２μΩｃｍであった（４点法により測定）。
【００４８】本例は陽極にも良導電層を分離することが
できることを説明する。
できることを説明する。
【００４９】例５ タングステン層の製造 ドイツ国特許出願公開第４１３６３２１号明細書の例１
によりＷ（ＣＯ）6とＣ5Ｈ5Ｎａとを反応させ、さらに
ヨウ化メチルと反応させて得られたメチル−トリカルボ
ニル−シクロペンタジエニル−タングステンを使用し
た。
によりＷ（ＣＯ）6とＣ5Ｈ5Ｎａとを反応させ、さらに
ヨウ化メチルと反応させて得られたメチル−トリカルボ
ニル−シクロペンタジエニル−タングステンを使用し
た。
【００５０】例１による陰極分離は導電性タングステン
層を提供した。
層を提供した。
【００５１】例６ 導体路を有する台板の製造 標準基板材料（ガラス繊維強化エポキシ樹脂）を使用し
た。例１により、銅ヘキサフルオロアセチルアセトネー
トの使用下に、厚さ０．１μｍの付着強固な第１金属層
を分離した。この層上へ、厚さ１０μｍのラッカー層を
振飛ばし、フオトリソブラフィーにより構造化した（そ
の際第１金属層の選択的な導体路線範囲が露出した）。
この導電路上へ厚さ２５μｍの銅層を分離した。ラッカ
ー層をアセトンを用いて溶解し去り、複合体を露出した
銅層を溶解し去るためにエッチングした。非常に強固に
付着した導体路を有する導体板が得られる。
た。例１により、銅ヘキサフルオロアセチルアセトネー
トの使用下に、厚さ０．１μｍの付着強固な第１金属層
を分離した。この層上へ、厚さ１０μｍのラッカー層を
振飛ばし、フオトリソブラフィーにより構造化した（そ
の際第１金属層の選択的な導体路線範囲が露出した）。
この導電路上へ厚さ２５μｍの銅層を分離した。ラッカ
ー層をアセトンを用いて溶解し去り、複合体を露出した
銅層を溶解し去るためにエッチングした。非常に強固に
付着した導体路を有する導体板が得られる。
【図１】導電層の陰極分離の間に撮影したＯＥＳスペク
トル線図。
トル線図。
【図２】非導電層の陰極分離の間に撮影したＯＥＳスペ
クトル線図。
クトル線図。
【図３】本発明方法により導体路を有する複合体の製造
過程の説明図（そのつど上方の図面は導体板の断面図、
下方の図面は平面図である）。
過程の説明図（そのつど上方の図面は導体板の断面図、
下方の図面は平面図である）。
ａ 導体板 ｂ 金属層 ｃ ラッカー層 ｄ 構造化範囲 ｅ 金属層 ＡおよびＣ 配位子断片に所属するピーク Ｂ 非配位子断片に所属するピーク
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ギュンター デライン ドイツ連邦共和国 ハノーヴァー マイト ナーシュトラーセ ７ (72)発明者 ラルス ロッターモーザー ドイツ連邦共和国 クライン メケルゼン カントシュトラーセ ９
Claims (13)
- 【請求項１】 有機金属化合物を水素含有ガス相または
蒸気相中でプラズマを用いて分解して高い導電率を有す
る金属含有層を分離する方法において、プラズマにより
励起されたガス相または蒸気相のＯＥＳスペクトルを撮
影し、プラズマのエネルギー密度を制御して、金属の配
位子の断片に所属しないピーク対配位子の断片に所属す
るピークの比が、バルク材料の抵抗率の最大２００％を
有する金属層の分離の際に撮影される相応する比と少な
くとも同程度の大きさにすることを特徴とする高い導電
率を有する金属含有層を分離する方法。 - 【請求項２】 有機金属化合物として、金属・酸素結合
を有するような化合物を使用することを特徴とする請求
項１記載の方法。 - 【請求項３】 金属が１個または数個のβ−ジケトネー
ト基によって錯化されていることを特徴とする請求項１
または２記載の方法。 - 【請求項４】 金属が、５〜１１個のＣ原子を有するβ
−ジケトネートおよび１〜１８個のハロゲン原子によっ
て置換された、５〜１１個のＣ原子を有するβ−ジケト
ネートを包含する群から選択されたβ−ジケトネートで
錯化されている化合物を使用することを特徴とする請求
項１から３までのいずれか１項記載の方法。 - 【請求項５】 有機金属化合物として有機基によって置
換されたモリブデンカルボニルまたはタングステンカル
ボニルを使用することを特徴とする請求項１記載の方
法。 - 【請求項６】 陰極分離することを特徴とする請求項１
から５までのいずれか１項記載の方法。 - 【請求項７】 容量結合されたＲＦプラズマを使用する
ことを特徴とする請求項１記載の方法。 - 【請求項８】 請求項１から７までの方法により得られ
る、バルク材料の最大２００％の抵抗率を有する厚さ２
００〜２０００ｎｍの金属層。 - 【請求項９】 請求項１から７までの方法により得られ
る、バルク材料の最大２００％の抵抗率を有する、厚さ
２００〜２０００ｎｍの金属層および場合により１個ま
たは数個の中間層を有する、ポリマーからなる複合体。 - 【請求項１０】 場合により１個または若干の中間層お
よび金属の導体路を有する、ポリマーからなる複合体に
おいて、第１の金属層を請求項１から７までの方法によ
り分離し、被覆層を設け、被覆層をフォトリソグラフィ
ーにより構造化し、導体路を形成する第２の金属層をめ
っきにより第１の被覆層上に分離させ、次いで被覆層を
除去し、その際露出した第１の金属層を除去することを
特徴とするポリマーからなる複合体。 - 【請求項１１】 第１の金属層がタングステン層、モリ
ブデン層または銅層であり、第１の金属層の分離を陰極
で行ない、第２の金属層が銅導体路でありかつ導体路の
高さ対幅の比が１よりも大きいことを特徴とする請求項
１３記載の複合体。 - 【請求項１２】 導体路の幅が最大５０ｎｍであること
を特徴とする請求項１０記載の複合体。 - 【請求項１３】 有機金属化合物を水素含有ガス相また
は蒸気相中でプラズマを用いて分解し、その際次のよう
に定めることのできる条件、即ち ａ） 分解を、分解すべき有機金属化合物の配位子が断
片に打砕かれる程度に高いプラズマのエネルギー密度で
実施する。 ｂ） ＯＥＳスペクトルを測定し、配位子の断片に帰せ
られない（非配位子断片）ピークならびに配位子の特定
の断片に帰せられるピークを決定する。 ｃ） ａ）で調節した高いエネルギー密度を、ＯＥＳス
ペクトルにおいて配位子に所属しないピーク(非配位子
断片)および配位子の断片に所属するピークが、分離す
る層の導電率の要求に一致するような最低比を有するま
で減少することにより分離した層の抵抗率を最適化する
条件下で作業する、バルク材料の固有電気抵抗の最大２
００％である抵抗率を有する金属含有層の分離を最適に
する方法。
Applications Claiming Priority (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE4235358 | 1992-10-21 | ||
| DE4235358.0 | 1992-10-21 | ||
| DE19934320931 DE4320931A1 (de) | 1992-10-21 | 1993-06-24 | Abscheidung von Schichten mit hoher spezifischer elektrischer Leitfähigkeit |
| DE4320931.9 | 1993-06-24 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06212436A true JPH06212436A (ja) | 1994-08-02 |
Family
ID=25919650
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26231593A Pending JPH06212436A (ja) | 1992-10-21 | 1993-10-20 | 高い導電率を有する金属含有層を分離する方法、金属層、複合体、低い抵抗率を有する金属含有層の分離を最適にする方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0594032A1 (ja) |
| JP (1) | JPH06212436A (ja) |
| DE (1) | DE4320931A1 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102008025108B4 (de) | 2008-05-23 | 2012-02-23 | Verein zur Förderung von Innovationen durch Forschung, Entwicklung und Technologietransfer e.V. (Verein INNOVENT e.V.) | Verfahren zur Herstellung von nanoskaligen elektrisch leitfähigen Mehrschichtsystemen |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3716235C2 (de) * | 1987-05-12 | 1995-11-30 | Atotech Deutschland Gmbh | Herstellung von Polymer-Metallverbindungen durch Abscheidung in Glimmentladungszonen |
| US4888199A (en) * | 1987-07-15 | 1989-12-19 | The Boc Group, Inc. | Plasma thin film deposition process |
| DE3744062A1 (de) * | 1987-12-22 | 1989-07-13 | Schering Ag | Verfahren zur herstellung fest haftender metallischer strukturen auf fluor-polymeren und thermoplastischen kunststoffen |
| DE3806587A1 (de) * | 1988-02-26 | 1989-09-07 | Schering Ag | Verfahren zur herstellung fest haftender metallischer strukturen auf polyimid |
-
1993
- 1993-06-24 DE DE19934320931 patent/DE4320931A1/de not_active Withdrawn
- 1993-10-12 EP EP93116460A patent/EP0594032A1/de not_active Withdrawn
- 1993-10-20 JP JP26231593A patent/JPH06212436A/ja active Pending
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0594032A1 (de) | 1994-04-27 |
| DE4320931A1 (de) | 1994-04-28 |
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