JPH06213703A - 振動検出素子 - Google Patents
振動検出素子Info
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- JPH06213703A JPH06213703A JP5019491A JP1949193A JPH06213703A JP H06213703 A JPH06213703 A JP H06213703A JP 5019491 A JP5019491 A JP 5019491A JP 1949193 A JP1949193 A JP 1949193A JP H06213703 A JPH06213703 A JP H06213703A
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- magnetic
- vibration
- recess
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- Measurement Of Mechanical Vibrations Or Ultrasonic Waves (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 小型かつ低コストであり、しかも振動の大き
さをある範囲で連続値で得るようにする。 【構成】 すり鉢状の凹部１ａを有する下側基板１と、
この下側基板１上にすり鉢状凹部１ａを覆うように対向
配置された上側基板２と、この下側基板１のすり鉢状凹
部１ａ内に収納された金属性球体３と、下側基板１と上
側基板２との間に配置された絶縁膜３とから構成され、
下側基板１と上側基板２との間にコンデンサ構造が形成
されている
さをある範囲で連続値で得るようにする。 【構成】 すり鉢状の凹部１ａを有する下側基板１と、
この下側基板１上にすり鉢状凹部１ａを覆うように対向
配置された上側基板２と、この下側基板１のすり鉢状凹
部１ａ内に収納された金属性球体３と、下側基板１と上
側基板２との間に配置された絶縁膜３とから構成され、
下側基板１と上側基板２との間にコンデンサ構造が形成
されている
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、例えば物体が移動した
場合などに発生する振動を検知する振動検出素子に関す
るものである。
場合などに発生する振動を検知する振動検出素子に関す
るものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、物体が移動する時の振動を検知す
る振動検出素子としては図４（ａ），（ｂ），（ｃ）に
それぞれ正面図，側面図，下面図で示すように導電性球
体３１の周りに半分が導電性部３２ａおよび半分が絶縁
部３２ｂである４本の導電性の棒３２を矩形状に配置
し、振動があったときにこの球体３１が転動し、球体３
１と棒３２の導電性部３２ａとが接触することにより、
電気的導通が得られ、これによって振動を検出してい
た。なお、図４において、３３は４本の導電性の棒３２
を矩形状に支持する板、３４は球体３１を一方向に位置
させる傾斜部である。このように構成される振動検出素
子は、例えば特開昭６１−１８７６２１号公報などに開
示されている。
る振動検出素子としては図４（ａ），（ｂ），（ｃ）に
それぞれ正面図，側面図，下面図で示すように導電性球
体３１の周りに半分が導電性部３２ａおよび半分が絶縁
部３２ｂである４本の導電性の棒３２を矩形状に配置
し、振動があったときにこの球体３１が転動し、球体３
１と棒３２の導電性部３２ａとが接触することにより、
電気的導通が得られ、これによって振動を検出してい
た。なお、図４において、３３は４本の導電性の棒３２
を矩形状に支持する板、３４は球体３１を一方向に位置
させる傾斜部である。このように構成される振動検出素
子は、例えば特開昭６１−１８７６２１号公報などに開
示されている。
【０００３】また、振動の大きさを検出する他の素子と
しては、例えば振動変位検出素子，振動速度検出素子お
よび加速度検出素子などが提案されている。この種の振
動検出素子として例えば小型化を実現した加速度検出素
子は、図５に断面図で示すようにシリコン板４１を両面
からエッチングしてカンチレバー４２の先端に重りの役
目をなす可動電極４３を形成し、固定電極４４，４５を
表面にそれぞれ形成したガラス板４６，４７をシリコン
板４１の両面に接着し、矢印Ｙ方向の加速度成分に応じ
て生じる上下の変位を可動電極４３と固定電極４４，４
５との間の容量変化として検出することにより、差動容
量が得られ、これによって振動を検出していた。なお、
図５において、４８は溝状の貫通溝、４９は可動電極４
３の引出し電極である。このように構成される振動検出
素子は、例えば特開平１−１５２３６９号公報などに開
示されている。
しては、例えば振動変位検出素子，振動速度検出素子お
よび加速度検出素子などが提案されている。この種の振
動検出素子として例えば小型化を実現した加速度検出素
子は、図５に断面図で示すようにシリコン板４１を両面
からエッチングしてカンチレバー４２の先端に重りの役
目をなす可動電極４３を形成し、固定電極４４，４５を
表面にそれぞれ形成したガラス板４６，４７をシリコン
板４１の両面に接着し、矢印Ｙ方向の加速度成分に応じ
て生じる上下の変位を可動電極４３と固定電極４４，４
５との間の容量変化として検出することにより、差動容
量が得られ、これによって振動を検出していた。なお、
図５において、４８は溝状の貫通溝、４９は可動電極４
３の引出し電極である。このように構成される振動検出
素子は、例えば特開平１−１５２３６９号公報などに開
示されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前述し
た前者の振動検出素子は素子構造が大きくなるのみなら
ず、各構成部品を一つづつ組み立てなければならないこ
とから、コスト高となるなど問題があった。また、球体
３１が接触するのは所定の設計値を越えた時であり、そ
の値以上であれば、常に接触しているので、振動の大き
さが判らないという問題があった。さらに振動の大きさ
を知ろうとすると、球体３１の大きさを変えた複数個の
検出素子が必要となり、大きさやコストの点において実
用的ではなかった。また、球体３１に代えて導電性液体
を使用した振動検出素子においても同じような問題を抱
えていた。また、前述した後者の容量式振動検出素子
は、振動の大きさと出力とに直線関係を持たせるために
構造が複雑となり、これによって製造工程が複雑となっ
ているため、小型に構成できるが、低コスト化できない
という問題があった。
た前者の振動検出素子は素子構造が大きくなるのみなら
ず、各構成部品を一つづつ組み立てなければならないこ
とから、コスト高となるなど問題があった。また、球体
３１が接触するのは所定の設計値を越えた時であり、そ
の値以上であれば、常に接触しているので、振動の大き
さが判らないという問題があった。さらに振動の大きさ
を知ろうとすると、球体３１の大きさを変えた複数個の
検出素子が必要となり、大きさやコストの点において実
用的ではなかった。また、球体３１に代えて導電性液体
を使用した振動検出素子においても同じような問題を抱
えていた。また、前述した後者の容量式振動検出素子
は、振動の大きさと出力とに直線関係を持たせるために
構造が複雑となり、これによって製造工程が複雑となっ
ているため、小型に構成できるが、低コスト化できない
という問題があった。
【０００５】したがって本発明は、前述した従来の課題
を解決するためになされたものであり、その目的は、小
型で低コストであり、かつ振動の大きさをある範囲で連
続値で得られる振動検出素子を提供することにある。
を解決するためになされたものであり、その目的は、小
型で低コストであり、かつ振動の大きさをある範囲で連
続値で得られる振動検出素子を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】このような目的を達成す
るために第１の発明は、すり鉢状の凹部を有する第１の
導電性基板と、この第１の導電性基板上にすり鉢状凹部
を覆うように対向配置された第２の導電性基板と、この
第１の導電性基板のすり鉢状凹部内に収納された金属性
球体と、この第１の導電性基板と第２の導電性基板との
間に配置された絶縁膜とを設け、第１の導電性基板と第
２の導電性基板との間にコンデンサ構造が形成されてい
る。また、第２の発明は、すり鉢状の凹部を有する第１
の非磁性基板と、この第１の非磁性基板上にすり鉢状凹
部を覆うように対向配置された第２の非磁性基板と、こ
の第１の非磁性基板のすり鉢状凹部内に収納された磁性
球体と、この第２の非磁性基板のすり鉢状凹部と対向す
る面に形成された磁気センサとを設けたものである。ま
た、第３の発明は、すり鉢状の凹部を有する第１の非磁
性基板と、この第１の非磁性基板上にすり鉢状凹部を覆
うように対向配置された第２の非磁性基板と、この第１
の非磁性基板のすり鉢状凹部内に収納された磁性流体
と、この第２の非磁性基板のすり鉢状凹部と対向する面
に形成された磁気センサとを設けたものである。
るために第１の発明は、すり鉢状の凹部を有する第１の
導電性基板と、この第１の導電性基板上にすり鉢状凹部
を覆うように対向配置された第２の導電性基板と、この
第１の導電性基板のすり鉢状凹部内に収納された金属性
球体と、この第１の導電性基板と第２の導電性基板との
間に配置された絶縁膜とを設け、第１の導電性基板と第
２の導電性基板との間にコンデンサ構造が形成されてい
る。また、第２の発明は、すり鉢状の凹部を有する第１
の非磁性基板と、この第１の非磁性基板上にすり鉢状凹
部を覆うように対向配置された第２の非磁性基板と、こ
の第１の非磁性基板のすり鉢状凹部内に収納された磁性
球体と、この第２の非磁性基板のすり鉢状凹部と対向す
る面に形成された磁気センサとを設けたものである。ま
た、第３の発明は、すり鉢状の凹部を有する第１の非磁
性基板と、この第１の非磁性基板上にすり鉢状凹部を覆
うように対向配置された第２の非磁性基板と、この第１
の非磁性基板のすり鉢状凹部内に収納された磁性流体
と、この第２の非磁性基板のすり鉢状凹部と対向する面
に形成された磁気センサとを設けたものである。
【０００７】
【作用】第１の発明においては、第１の導電性基板のす
り鉢状凹部内に収納された金属性球体が転動することに
より、第１の導電性基板と第２の導電性基板との間に形
成されたコンデンサ構造の容量値が変化する。第２の発
明においては、第１の非磁性基板のすり鉢状凹部内に収
納された磁性球体が転動することにより、第２の非磁性
基板に対向配置された磁気センサがその磁気を感知す
る。
り鉢状凹部内に収納された金属性球体が転動することに
より、第１の導電性基板と第２の導電性基板との間に形
成されたコンデンサ構造の容量値が変化する。第２の発
明においては、第１の非磁性基板のすり鉢状凹部内に収
納された磁性球体が転動することにより、第２の非磁性
基板に対向配置された磁気センサがその磁気を感知す
る。
【０００８】
【実施例】以下、図面を用いて本発明の実施例を詳細に
説明する。 （実施例１）図１は、本発明による振動検出素子の一実
施例による構成を示す破断斜視図である。同図におい
て、１は一方の面にすり鉢状の湾曲部１ａが形成された
下側電極を兼ね備えたシリコンからなる下側基板、２は
この下側基板１上にその湾曲部１ａを塞ぐようにして接
着配置された上側電極を兼ね備えたシリコンからなる上
側基板、３は上側基板２の下側基板１と対向する面に形
成された絶縁膜である。
説明する。 （実施例１）図１は、本発明による振動検出素子の一実
施例による構成を示す破断斜視図である。同図におい
て、１は一方の面にすり鉢状の湾曲部１ａが形成された
下側電極を兼ね備えたシリコンからなる下側基板、２は
この下側基板１上にその湾曲部１ａを塞ぐようにして接
着配置された上側電極を兼ね備えたシリコンからなる上
側基板、３は上側基板２の下側基板１と対向する面に形
成された絶縁膜である。
【０００９】また、４は下側基板１の湾曲部１ａ内に転
動自在に収容された金属性球体、５は下側基板１上の一
方の端部に形成された出力端子、６は上側基板２上に形
成された出力端子である。なお、下側基板１と上側基板
２との間には容量を形成するコンデンサ構造が形成され
ている。
動自在に収容された金属性球体、５は下側基板１上の一
方の端部に形成された出力端子、６は上側基板２上に形
成された出力端子である。なお、下側基板１と上側基板
２との間には容量を形成するコンデンサ構造が形成され
ている。
【００１０】このように構成された振動検出素子は、振
動が加わった場合には、金属性球体４が湾曲部１ａの内
面を転動し、これによって実質的には下側基板１が上側
基板２に近接することになり、コンデンサ構造の容量値
が変化する。この容量値の大きさが振動加速度の大きさ
として得られることになる。
動が加わった場合には、金属性球体４が湾曲部１ａの内
面を転動し、これによって実質的には下側基板１が上側
基板２に近接することになり、コンデンサ構造の容量値
が変化する。この容量値の大きさが振動加速度の大きさ
として得られることになる。
【００１１】次にこのように構成される振動検出素子の
製造方法について説明する。図２（ａ）〜（ｆ）は、図
１で説明した振動検出素子の製造方法の一例を説明する
工程の各図を示したものである。なお、この実施例で
は、上側基板として酸化膜付きのｎ型シリコン基板を用
いた場合について説明する。まず、図２（ａ）に断面で
示すように一方の面に酸化膜１１が形成されたｎ型シリ
コン基板１２の他面上に溝形成のためのマスク材料とし
てシリコンナイトライド膜を成膜する。次にこのシリコ
ンナイトライド膜上に紫外線感光性のレジストを塗布し
てレジスト膜を形成し、このレジスト膜上に紫外線を遮
光するマスクを置き、紫外線を照射する。
製造方法について説明する。図２（ａ）〜（ｆ）は、図
１で説明した振動検出素子の製造方法の一例を説明する
工程の各図を示したものである。なお、この実施例で
は、上側基板として酸化膜付きのｎ型シリコン基板を用
いた場合について説明する。まず、図２（ａ）に断面で
示すように一方の面に酸化膜１１が形成されたｎ型シリ
コン基板１２の他面上に溝形成のためのマスク材料とし
てシリコンナイトライド膜を成膜する。次にこのシリコ
ンナイトライド膜上に紫外線感光性のレジストを塗布し
てレジスト膜を形成し、このレジスト膜上に紫外線を遮
光するマスクを置き、紫外線を照射する。
【００１２】次にこのレジスト膜を現像した後、シリコ
ンナイトライド膜を例えばＣＦ4 ガスを用いるドライエ
ッチングによりエッチングを行ってシリコンナイトライ
ド膜１３を形成する。次にレジスト膜を除去した後、こ
のシリコンナイトライド膜１３をマスク材料としてシリ
コン基板１２をエッチングする。このシリコン基板１２
のエッチング方法の一例としてＫＯＨを主体としたエッ
チング溶液を用いる方法があるが、この場合、ＫＯＨに
対する酸化膜１１の耐性は酸化膜を１とすると、シリコ
ンナイトライド膜は３〜１０倍程度強いのが一般的であ
ることから、酸化膜１１にエッチング溶液が触れ難くす
る必要がある。このために例えば酸化膜１１の表面に図
示しないが、レジスト膜を形成しておき、ＫＯＨを主体
としたエッチング溶液に漬浸して図２（ｂ）に示すよう
にシリコン基板１２に溝１４を形成する。
ンナイトライド膜を例えばＣＦ4 ガスを用いるドライエ
ッチングによりエッチングを行ってシリコンナイトライ
ド膜１３を形成する。次にレジスト膜を除去した後、こ
のシリコンナイトライド膜１３をマスク材料としてシリ
コン基板１２をエッチングする。このシリコン基板１２
のエッチング方法の一例としてＫＯＨを主体としたエッ
チング溶液を用いる方法があるが、この場合、ＫＯＨに
対する酸化膜１１の耐性は酸化膜を１とすると、シリコ
ンナイトライド膜は３〜１０倍程度強いのが一般的であ
ることから、酸化膜１１にエッチング溶液が触れ難くす
る必要がある。このために例えば酸化膜１１の表面に図
示しないが、レジスト膜を形成しておき、ＫＯＨを主体
としたエッチング溶液に漬浸して図２（ｂ）に示すよう
にシリコン基板１２に溝１４を形成する。
【００１３】次にシリコン基板１２上のシリコンナイト
ライド膜１３を剥離して上側基板１５を完成する。その
後、このシリコン基板１２の端部に出力端子を形成する
が、このシリコン基板１２は導電性の基板であるので、
直接出力端子を形成することができるが、安定性を向上
させるために金属膜を蒸着などの薄膜形成技術を用いて
成膜することもできる。
ライド膜１３を剥離して上側基板１５を完成する。その
後、このシリコン基板１２の端部に出力端子を形成する
が、このシリコン基板１２は導電性の基板であるので、
直接出力端子を形成することができるが、安定性を向上
させるために金属膜を蒸着などの薄膜形成技術を用いて
成膜することもできる。
【００１４】次に下側基板を形成する。なお、この実施
例では、下側基板として酸化膜無しのｎ型シリコン基板
を用いた場合について説明する。まず、図２（ｃ）に断
面で示すようにｎ型シリコン基板１６上にレジストを塗
布してレジスト膜を形成し、前述した転写技術を用いて
レジスト膜に所定のマスクパターン１７を形成する。次
にこのレジストパターン１７をマスク材料としてシリコ
ン基板１６をエッチングする。エッチャントは例えば硫
酸と弗酸との混合液で代表される等方性エッチャントを
用いると、図２（ｃ）に示すようなすり鉢状の凹部１８
が形成される。その後、レジストパターン１７を剥離し
て図２（ｄ）に示すような下側基板１９を完成する。
例では、下側基板として酸化膜無しのｎ型シリコン基板
を用いた場合について説明する。まず、図２（ｃ）に断
面で示すようにｎ型シリコン基板１６上にレジストを塗
布してレジスト膜を形成し、前述した転写技術を用いて
レジスト膜に所定のマスクパターン１７を形成する。次
にこのレジストパターン１７をマスク材料としてシリコ
ン基板１６をエッチングする。エッチャントは例えば硫
酸と弗酸との混合液で代表される等方性エッチャントを
用いると、図２（ｃ）に示すようなすり鉢状の凹部１８
が形成される。その後、レジストパターン１７を剥離し
て図２（ｄ）に示すような下側基板１９を完成する。
【００１５】次に図２（ｅ）に示すように下側基板１９
の各すり鉢状の凹部１８内にそれぞれ金属性球体４を収
容し、この下側基板１９上に上側基板１５をその酸化膜
１１面側を対向させて配置し、４００〜５００℃に加熱
し、さらに上側基板１５と下側基板１９との間に数１０
０Ｖの電圧を印加して上側基板１５と下側基板１９とを
接合する陽極接合法により接着固定する。
の各すり鉢状の凹部１８内にそれぞれ金属性球体４を収
容し、この下側基板１９上に上側基板１５をその酸化膜
１１面側を対向させて配置し、４００〜５００℃に加熱
し、さらに上側基板１５と下側基板１９との間に数１０
０Ｖの電圧を印加して上側基板１５と下側基板１９とを
接合する陽極接合法により接着固定する。
【００１６】次に図２（ｆ）に斜視図で示すように縦横
方向の所定の分割ライン２０に沿ってダイシングソーを
用いて１個ずつに分割する。分割後は半導体製造工程と
同様なパッケージング工程を経て完成される。
方向の所定の分割ライン２０に沿ってダイシングソーを
用いて１個ずつに分割する。分割後は半導体製造工程と
同様なパッケージング工程を経て完成される。
【００１７】このような方法によれば、シリコン基板上
に多量に一括して製作する半導体製造技術を利用しなが
ら、簡単な構造で形成できるため、製造工程が簡単とな
り、低コスト化できる。
に多量に一括して製作する半導体製造技術を利用しなが
ら、簡単な構造で形成できるため、製造工程が簡単とな
り、低コスト化できる。
【００１８】（実施例２）図３は、本発明による振動検
出素子の他の実施例による構成を示す破断斜視図であ
り、前述した図１と同一部分には同一符号を付してあ
る。同図において、７は下側基板１の湾曲部１ａ内に収
納された着磁された磁性球体、８は上側基板２の湾曲部
１ａと対向する面に形成された例えば磁気抵抗素子から
なる磁気センサ、９ａ，９ｂは下側基板１上の一方の端
部に図示しない絶縁膜を介して形成された磁気センサ８
の出力用電極端子である。なお、この磁気センサ８の出
力用電極端子９ａ，９ｂは上側基板２に対しても図示し
ない絶縁膜を介して形成されている。また、この場合、
下側基板１はアース接地される構成となっている。
出素子の他の実施例による構成を示す破断斜視図であ
り、前述した図１と同一部分には同一符号を付してあ
る。同図において、７は下側基板１の湾曲部１ａ内に収
納された着磁された磁性球体、８は上側基板２の湾曲部
１ａと対向する面に形成された例えば磁気抵抗素子から
なる磁気センサ、９ａ，９ｂは下側基板１上の一方の端
部に図示しない絶縁膜を介して形成された磁気センサ８
の出力用電極端子である。なお、この磁気センサ８の出
力用電極端子９ａ，９ｂは上側基板２に対しても図示し
ない絶縁膜を介して形成されている。また、この場合、
下側基板１はアース接地される構成となっている。
【００１９】このように構成された振動検出素子は、振
動が加わった場合には、磁性球体７が湾曲部１ａ内を転
動すると、磁気センサ８は磁性球体７との距離が変化し
て磁性球体７が転動したことを感知する。この場合、磁
気センサ８の配置場所によって出力波形が異なる。例え
ば図３において、磁気センサ８が左側にあり、この振動
検出素子が右側方向に動いたときには磁性球体７は左側
方向に動く。このとき、磁性球体７は磁気センサ８に近
づくために出力が大きくなる。なお、磁気センサ８は一
個所に配置する必要はなく、例えばブリッジ回路を構成
するように複数配置しても良い。
動が加わった場合には、磁性球体７が湾曲部１ａ内を転
動すると、磁気センサ８は磁性球体７との距離が変化し
て磁性球体７が転動したことを感知する。この場合、磁
気センサ８の配置場所によって出力波形が異なる。例え
ば図３において、磁気センサ８が左側にあり、この振動
検出素子が右側方向に動いたときには磁性球体７は左側
方向に動く。このとき、磁性球体７は磁気センサ８に近
づくために出力が大きくなる。なお、磁気センサ８は一
個所に配置する必要はなく、例えばブリッジ回路を構成
するように複数配置しても良い。
【００２０】また、このように構成された振動検出素子
は、振動の検出に磁気を利用しているので、下側基板１
と上側基板２との間で絶縁性を得るための絶縁膜３が有
っても無くても良い。酸化膜３が有る場合は陽極接合が
可能であるが、酸化膜３が無い場合は基板同志の直接接
合となる。基板がシリコンの場合は、基板同志を合わせ
て千数百度に加熱させると、接合が可能となる。
は、振動の検出に磁気を利用しているので、下側基板１
と上側基板２との間で絶縁性を得るための絶縁膜３が有
っても無くても良い。酸化膜３が有る場合は陽極接合が
可能であるが、酸化膜３が無い場合は基板同志の直接接
合となる。基板がシリコンの場合は、基板同志を合わせ
て千数百度に加熱させると、接合が可能となる。
【００２１】また、このように構成された実施例におい
て、磁気センサ８が上側基板２に設けられ、その出力用
電極端子９ａ，９ｂが下側基板１上に形成されているの
で、いずれかの場所で電気的接続をとらなければならな
い。この場合は、上側基板２と下側基板１とを接合する
際に一部に重なり部分を設けるようにして接合を行えば
良い。
て、磁気センサ８が上側基板２に設けられ、その出力用
電極端子９ａ，９ｂが下側基板１上に形成されているの
で、いずれかの場所で電気的接続をとらなければならな
い。この場合は、上側基板２と下側基板１とを接合する
際に一部に重なり部分を設けるようにして接合を行えば
良い。
【００２２】また、前述した実施例において、湾曲部１
ａに収納した金属性球体４，磁性球体７の転動が速すぎ
る場合は、湾曲部１ａ内に粘性を有する流体を収容する
ことで、転動の程度を変化させることができる。これは
すなわち、振動検出素子の周波数特性を変えることを意
味している。実施例１の場合は、絶縁性の流体である必
要があり、実施例２の場合は、非磁性の流体である必要
がある。
ａに収納した金属性球体４，磁性球体７の転動が速すぎ
る場合は、湾曲部１ａ内に粘性を有する流体を収容する
ことで、転動の程度を変化させることができる。これは
すなわち、振動検出素子の周波数特性を変えることを意
味している。実施例１の場合は、絶縁性の流体である必
要があり、実施例２の場合は、非磁性の流体である必要
がある。
【００２３】また、前述した実施例において、接合の
際、基板を加熱させるために湾曲部１ａ内に存在する気
体が膨張する。接合温度によるが、この膨張力は接合を
破壊するするように作用する。この膨張力が強いときの
対策としては、湾曲部１ａ内の気体を外部に逃がすため
の通路を下側基板および上側基板の少なくとも一方に設
けることで解決することができる。
際、基板を加熱させるために湾曲部１ａ内に存在する気
体が膨張する。接合温度によるが、この膨張力は接合を
破壊するするように作用する。この膨張力が強いときの
対策としては、湾曲部１ａ内の気体を外部に逃がすため
の通路を下側基板および上側基板の少なくとも一方に設
けることで解決することができる。
【００２４】また、前述した実施例において、金属性球
体４および磁性球体７は、直径がほぼ同一な完全球体と
した場合について説明したが、本発明はこれに限定され
るものではなく、例えば楕円状の球体（楕円球体）を用
いても前述と同様の効果が得られることは勿論である。
体４および磁性球体７は、直径がほぼ同一な完全球体と
した場合について説明したが、本発明はこれに限定され
るものではなく、例えば楕円状の球体（楕円球体）を用
いても前述と同様の効果が得られることは勿論である。
【００２５】また、前述した実施例においては、下側基
板１の湾曲部１ａ内に磁性球体７を収納した場合につい
て説明したが、本発明はこれに限定されるものではな
く、この磁性球体７に代えて磁性流体を収容しても前述
と同様の効果が得られることは勿論である。この場合
も、この磁性流体は、円球状，楕円球状あるいは各種の
形状を有していても良い。
板１の湾曲部１ａ内に磁性球体７を収納した場合につい
て説明したが、本発明はこれに限定されるものではな
く、この磁性球体７に代えて磁性流体を収容しても前述
と同様の効果が得られることは勿論である。この場合
も、この磁性流体は、円球状，楕円球状あるいは各種の
形状を有していても良い。
【００２６】
【発明の効果】以上、説明したように本発明によれば、
簡単な構成で振動の大きさをある範囲で連続値で得られ
とともに、振動検出素子を小型にかつ低コストで構成で
きるなどの極めて優れた効果が得られる。
簡単な構成で振動の大きさをある範囲で連続値で得られ
とともに、振動検出素子を小型にかつ低コストで構成で
きるなどの極めて優れた効果が得られる。
【図１】本発明による振動検出素子の一実施例による構
成を示す破断斜視図である。
成を示す破断斜視図である。
【図２】図１に示す振動検出素子の製造方法を説明する
工程の図である。
工程の図である。
【図３】本発明による振動検出素子の他の実施例による
構成を示す破断斜視図である。
構成を示す破断斜視図である。
【図４】従来の振動検出素子の構成を説明する図であ
る。
る。
【図５】従来の振動検出素子の構成を説明する断面図で
ある。
ある。
１ 下側基板 １ａ 湾曲部 ２ 上側基板 ３ 絶縁膜 ４ 金属性球体 ５ 出力端子 ６ 出力端子 ７ 磁性球体 ８ 磁気センサ ９ａ 電極端子 ９ｂ 電極端子
Claims (3)
- 【請求項１】 すり鉢状の凹部を有する第１の導電性基
板と、 前記第１の導電性基板上に前記凹部を覆うように対向配
置された第２の導電性基板と、 前記第１の導電性基板の前記凹部内に収納された金属性
球体と、 前記第１の導電性基板と第２の導電性基板との間に配置
された絶縁膜と、を備え、 前記第１の導電性基板と第２の導電性基板との間にコン
デンサ構造が形成されていることを特徴とした振動検出
素子。 - 【請求項２】 すり鉢状の凹部を有する第１の非磁性基
板と、 前記第１の非磁性基板上に前記凹部を覆うように対向配
置された第２の非磁性基板と、 前記第１の非磁性基板の前記凹部内に収納された磁性球
体と、 前記第２の非磁性基板の前記凹部と対向する面に形成さ
れた磁気センサと、を備えたことを特徴とした振動検出
素子。 - 【請求項３】 すり鉢状の凹部を有する第１の非磁性基
板と、 前記第１の非磁性基板上に前記凹部を覆うように対向配
置された第２の非磁性基板と、 前記第１の非磁性基板の前記凹部内に収納された磁性流
体と、 前記第２の非磁性基板の前記凹部と対向する面に形成さ
れた磁気センサと、を備えたことを特徴とした振動検出
素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5019491A JPH06213703A (ja) | 1993-01-13 | 1993-01-13 | 振動検出素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5019491A JPH06213703A (ja) | 1993-01-13 | 1993-01-13 | 振動検出素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06213703A true JPH06213703A (ja) | 1994-08-05 |
Family
ID=12000835
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5019491A Pending JPH06213703A (ja) | 1993-01-13 | 1993-01-13 | 振動検出素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06213703A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005088664A1 (ja) * | 2004-03-12 | 2005-09-22 | Gunma Prefecture | スイッチ機能を有するセンサ、その製造方法、およびこれらを組み込んだ電子機器 |
| US10443958B2 (en) * | 2016-04-25 | 2019-10-15 | Raytheon Company | Powdered metal as a sacrificial material for ultrasonic additive manufacturing |
-
1993
- 1993-01-13 JP JP5019491A patent/JPH06213703A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005088664A1 (ja) * | 2004-03-12 | 2005-09-22 | Gunma Prefecture | スイッチ機能を有するセンサ、その製造方法、およびこれらを組み込んだ電子機器 |
| JPWO2005088664A1 (ja) * | 2004-03-12 | 2008-05-08 | 群馬県 | スイッチ機能を有するセンサ、その製造方法、およびこれらを組み込んだ電子機器 |
| US7649150B2 (en) | 2004-03-12 | 2010-01-19 | Nittei Musen Co., Ltd. | Sensor having switch function, manufacturing method thereof and electronic device having sensor built therein |
| US10443958B2 (en) * | 2016-04-25 | 2019-10-15 | Raytheon Company | Powdered metal as a sacrificial material for ultrasonic additive manufacturing |
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