JPH06213844A - ガス濃度測定装置 - Google Patents
ガス濃度測定装置Info
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- JPH06213844A JPH06213844A JP31443292A JP31443292A JPH06213844A JP H06213844 A JPH06213844 A JP H06213844A JP 31443292 A JP31443292 A JP 31443292A JP 31443292 A JP31443292 A JP 31443292A JP H06213844 A JPH06213844 A JP H06213844A
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Landscapes
- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Fluid Adsorption Or Reactions (AREA)
- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Electric Means (AREA)
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】 半導体等を測定部のセンサーに用いたガス濃
度測定装置において、測定値の補正、詳しくは、基準点
の変動の補正を可能とさせ、又、同時にガス処理装置に
おけるガス分解剤の寿命判定器等の用途にも用いること
ができるガス濃度測定装置と、測定値に影響する微塵等
の汚れ成分の付着等を効果的に防止できるガス濃度測定
装置を提供する。 【構成】 ガス導入口１ａとガス排出口１ｂの間へガス
流路手段３を形成させ、ガス流路手段３内へ測定部２と
接続させた半導体素子構造等のセンサー２ａを配設させ
た。
度測定装置において、測定値の補正、詳しくは、基準点
の変動の補正を可能とさせ、又、同時にガス処理装置に
おけるガス分解剤の寿命判定器等の用途にも用いること
ができるガス濃度測定装置と、測定値に影響する微塵等
の汚れ成分の付着等を効果的に防止できるガス濃度測定
装置を提供する。 【構成】 ガス導入口１ａとガス排出口１ｂの間へガス
流路手段３を形成させ、ガス流路手段３内へ測定部２と
接続させた半導体素子構造等のセンサー２ａを配設させ
た。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、主としてＯ2、Ｏ3、Ｃ
Ｏ、Ｈ2Ｓ、ＮＯ2等の環境ガスの濃度を測定するガス濃
度測定装置に関するものであり、詳しくは、環境ガスの
雰囲気中で電気抵抗が変化する性質を利用した半導体等
をセンサーに用いたガス濃度測定装置、特に、低濃度の
測定を要求されるガス濃度測定装置に関するものであ
る。
Ｏ、Ｈ2Ｓ、ＮＯ2等の環境ガスの濃度を測定するガス濃
度測定装置に関するものであり、詳しくは、環境ガスの
雰囲気中で電気抵抗が変化する性質を利用した半導体等
をセンサーに用いたガス濃度測定装置、特に、低濃度の
測定を要求されるガス濃度測定装置に関するものであ
る。
【０００２】
【従来技術とその問題点】従来より、一般的な工業分野
において、有害ガス等の試料ガスを測定する装置として
赤外線吸収方式、紫外線吸収方式等のガス濃度測定装置
が知られているが、試料ガス中のガス成分を選択的に測
定できる等の測定値の信頼性に優れているものの、光学
的装置やそれ等に付随する機械部品等の使用により装置
本体が比較的大型化し、又、高価となることから、環境
ガスの雰囲気中で電気抵抗が変化する性質を利用した半
導体等を測定部のセンサーに用いた簡易構造のガス濃度
測定装置が用いられている。
において、有害ガス等の試料ガスを測定する装置として
赤外線吸収方式、紫外線吸収方式等のガス濃度測定装置
が知られているが、試料ガス中のガス成分を選択的に測
定できる等の測定値の信頼性に優れているものの、光学
的装置やそれ等に付随する機械部品等の使用により装置
本体が比較的大型化し、又、高価となることから、環境
ガスの雰囲気中で電気抵抗が変化する性質を利用した半
導体等を測定部のセンサーに用いた簡易構造のガス濃度
測定装置が用いられている。
【０００３】然し乍ら、この種のガス濃度測定装置にお
ける半導体素子構造等のセンサーは作用時間や温度、湿
度、共存ガス、微塵等の汚れ成分の付着等が測定値に大
きく影響し、特に公的に規制された低濃度の環境ガスを
測定の対象とする場合には、測定値の信頼性等に問題点
が生じていた。
ける半導体素子構造等のセンサーは作用時間や温度、湿
度、共存ガス、微塵等の汚れ成分の付着等が測定値に大
きく影響し、特に公的に規制された低濃度の環境ガスを
測定の対象とする場合には、測定値の信頼性等に問題点
が生じていた。
【０００４】
【発明の目的】本発明の目的は、前述の問題点に鑑み
て、半導体等を測定部のセンサーに用いたガス濃度測定
装置において、測定値の補正、詳しくは、基準点（ゼロ
ガス点）の変動の補正を可能とさせ、又、同時にガス処
理装置におけるガス分解剤の寿命判定器等の用途にも用
いることができるガス濃度測定装置と、測定値に影響す
る微塵等の汚れ成分の付着等を効果的に防止できるガス
濃度測定装置を提供するものである。
て、半導体等を測定部のセンサーに用いたガス濃度測定
装置において、測定値の補正、詳しくは、基準点（ゼロ
ガス点）の変動の補正を可能とさせ、又、同時にガス処
理装置におけるガス分解剤の寿命判定器等の用途にも用
いることができるガス濃度測定装置と、測定値に影響す
る微塵等の汚れ成分の付着等を効果的に防止できるガス
濃度測定装置を提供するものである。
【０００５】
【発明の構成】本発明のガス濃度測定装置は、ガス導入
口とガス排出口の間へガス流路手段を形成させ、ガス流
路手段内へ測定部と接続させた半導体素子構造等のセン
サーを配設させたガス濃度測定装置であり、特許請求の
範囲の請求項１の構成は、ガス流路手段内へガスの流通
方向をガス導入口からガス排出口又はガス排出口からガ
ス導入口へと選択的に変更できる適宜な送気手段を配設
させ、ガス流路手段内のセンサーとガス排出口との間へ
はガス分解処理部を設けた構成であり、特許請求の範囲
の請求項２の構成は、ガス導入口を微塵の侵入を低減さ
せる小径孔で形設させた構成であり、特許請求の範囲の
請求項３の構成は、測定部のセンサーの周囲へ通気口を
有した保護部材を設け、保護部材の通気口をガスの流通
方向に対して直交方向に開口させた構成であり、特許請
求の範囲の請求項４の構成は、測定部のセンサーの周囲
へ通気口を有した保護部材を設け、保護部材の通気口を
重力方向に開口させた構成であり、特許請求の範囲の請
求項５の構成は、ガス排出口を下方位置に配設させた構
成である。
口とガス排出口の間へガス流路手段を形成させ、ガス流
路手段内へ測定部と接続させた半導体素子構造等のセン
サーを配設させたガス濃度測定装置であり、特許請求の
範囲の請求項１の構成は、ガス流路手段内へガスの流通
方向をガス導入口からガス排出口又はガス排出口からガ
ス導入口へと選択的に変更できる適宜な送気手段を配設
させ、ガス流路手段内のセンサーとガス排出口との間へ
はガス分解処理部を設けた構成であり、特許請求の範囲
の請求項２の構成は、ガス導入口を微塵の侵入を低減さ
せる小径孔で形設させた構成であり、特許請求の範囲の
請求項３の構成は、測定部のセンサーの周囲へ通気口を
有した保護部材を設け、保護部材の通気口をガスの流通
方向に対して直交方向に開口させた構成であり、特許請
求の範囲の請求項４の構成は、測定部のセンサーの周囲
へ通気口を有した保護部材を設け、保護部材の通気口を
重力方向に開口させた構成であり、特許請求の範囲の請
求項５の構成は、ガス排出口を下方位置に配設させた構
成である。
【０００６】
【実施例】斯る目的を達成した本発明を以下実施例の図
面によって説明する。
面によって説明する。
【０００７】図１は本発明の特許請求の範囲の請求項１
のガス濃度測定装置の概要図であり、図２は本発明の特
許請求の範囲の請求項２のガス濃度測定装置の概要図で
あり、図３は本発明の特許請求の範囲の請求項３のガス
濃度測定装置の要部を示す概要図であり、図４は本発明
の特許請求の範囲の請求項４のガス濃度測定装置の要部
を示す概要図であり、図５は本発明の特許請求の範囲の
請求項５のガス濃度測定装置の概要図であり、図６は本
発明のガス濃度測定装置の使用説明図である。
のガス濃度測定装置の概要図であり、図２は本発明の特
許請求の範囲の請求項２のガス濃度測定装置の概要図で
あり、図３は本発明の特許請求の範囲の請求項３のガス
濃度測定装置の要部を示す概要図であり、図４は本発明
の特許請求の範囲の請求項４のガス濃度測定装置の要部
を示す概要図であり、図５は本発明の特許請求の範囲の
請求項５のガス濃度測定装置の概要図であり、図６は本
発明のガス濃度測定装置の使用説明図である。
【０００８】本発明は、主としてＯ2、Ｏ3、ＣＯ、Ｈ2
Ｓ、ＮＯ2等の環境ガス、特に低濃度の環境ガスの測定
を要求される半導体等のセンサー２ａを用いたガス濃度
測定装置１に関するものであり、特許請求の範囲の請求
項１に記載のものは、ガス導入口１ａとガス排出口１ｂ
の間へガス流路手段３を形成させ、該ガス流路手段３内
へ測定部２と接続させた半導体素子構造等のセンサー２
ａを配設させたガス濃度測定装置１において、前記ガス
流路手段３内へガスの流通方向をガス導入口１ａからガ
ス排出口１ｂ又はガス排出口１ｂからガス導入口１ａへ
と選択的に変更できる適宜な送気手段３ａを配設させる
と共に、前記ガス流路手段３内のセンサー２ａとガス排
出口１ｃとの間へはガス分解処理部４を設けたものであ
り、特許請求の範囲の請求項２に記載のものは、ガス導
入口１ａとガス排出口１ｂの間へガス流路手段３を形成
させ、該ガス流路手段３内へ測定部２と接続させた半導
体素子構造等のセンサー２ａを配設させたガス濃度測定
装置１において、前記ガス導入口１ａを微塵の侵入を低
減させる小径孔で形設させものであり、特許請求の範囲
の請求項３に記載のものは、ガス導入口１ａとガス排出
口１ｂの間へガス流路手段３を形成させ、該ガス流路手
段３内へ測定部２と接続させた半導体素子構造等のセン
サー２ａを配設させたガス濃度測定装置１において、前
記測定部２のセンサー２ａの周囲へ通気口５ａを有した
保護部材５を設けると共に、該保護部材５の通気口５ａ
をガスの流通方向に対して直交方向に開口させたもので
あり、特許請求の範囲の請求項４に記載のものは、ガス
導入口１ａとガス排出口１ｂの間へガス流路手段３を形
成させ、該ガス流路手段３内へ測定部２と接続させた半
導体素子構造等のセンサー２ａを配設させたガス濃度測
定装置１において、前記測定部２のセンサー２ａの周囲
へ通気口５ａを有した保護部材５を設けると共に、該保
護部材５の通気口５ａを重力方向に開口させたものであ
り、特許請求の範囲の請求項５に記載のものは、ガス導
入口１ａとガス排出口１ｂの間へガス流路手段３を形成
させ、該ガス流路手段３内へ測定部２と接続させた半導
体素子構造等のセンサー２ａを配設させたガス濃度測定
装置１において、前記ガス排出口１ｂを下方位置に配設
させたものである。
Ｓ、ＮＯ2等の環境ガス、特に低濃度の環境ガスの測定
を要求される半導体等のセンサー２ａを用いたガス濃度
測定装置１に関するものであり、特許請求の範囲の請求
項１に記載のものは、ガス導入口１ａとガス排出口１ｂ
の間へガス流路手段３を形成させ、該ガス流路手段３内
へ測定部２と接続させた半導体素子構造等のセンサー２
ａを配設させたガス濃度測定装置１において、前記ガス
流路手段３内へガスの流通方向をガス導入口１ａからガ
ス排出口１ｂ又はガス排出口１ｂからガス導入口１ａへ
と選択的に変更できる適宜な送気手段３ａを配設させる
と共に、前記ガス流路手段３内のセンサー２ａとガス排
出口１ｃとの間へはガス分解処理部４を設けたものであ
り、特許請求の範囲の請求項２に記載のものは、ガス導
入口１ａとガス排出口１ｂの間へガス流路手段３を形成
させ、該ガス流路手段３内へ測定部２と接続させた半導
体素子構造等のセンサー２ａを配設させたガス濃度測定
装置１において、前記ガス導入口１ａを微塵の侵入を低
減させる小径孔で形設させものであり、特許請求の範囲
の請求項３に記載のものは、ガス導入口１ａとガス排出
口１ｂの間へガス流路手段３を形成させ、該ガス流路手
段３内へ測定部２と接続させた半導体素子構造等のセン
サー２ａを配設させたガス濃度測定装置１において、前
記測定部２のセンサー２ａの周囲へ通気口５ａを有した
保護部材５を設けると共に、該保護部材５の通気口５ａ
をガスの流通方向に対して直交方向に開口させたもので
あり、特許請求の範囲の請求項４に記載のものは、ガス
導入口１ａとガス排出口１ｂの間へガス流路手段３を形
成させ、該ガス流路手段３内へ測定部２と接続させた半
導体素子構造等のセンサー２ａを配設させたガス濃度測
定装置１において、前記測定部２のセンサー２ａの周囲
へ通気口５ａを有した保護部材５を設けると共に、該保
護部材５の通気口５ａを重力方向に開口させたものであ
り、特許請求の範囲の請求項５に記載のものは、ガス導
入口１ａとガス排出口１ｂの間へガス流路手段３を形成
させ、該ガス流路手段３内へ測定部２と接続させた半導
体素子構造等のセンサー２ａを配設させたガス濃度測定
装置１において、前記ガス排出口１ｂを下方位置に配設
させたものである。
【０００９】即ち、本発明の請求項１乃至請求項５に記
載のガス濃度測定装置１は、例えば、図６に図示の如
く、オゾン発生器等のガス生成装置とガス分解剤等を用
いたガス分解処理装置から成るガス処理装置Ｃを接続さ
せた密閉室Ａの内部へ配設させ、該密閉室Ａ内において
ガス処理装置Ｃにより生成させたＯ3等の処理ガスによ
り被処理物Ｂを殺菌処理や脱臭処理させる際に、その処
理中又は処理後のガス濃度を連続的に監視したり、或い
は密閉室Ａ内等における各種の装置（図示せず）からの
ガスリークを監視するセンサーユニットとして用いるも
のであり、図１乃至図５に図示の如く、ガス導入口１ａ
及びガス排出口１ｂの間に形成させた適宜なガス流路手
段３と、該ガス流路手段３内へ配設させたファン等の送
気手段３ａ及び半導体素子構造等のセンサー２ａから構
成される。
載のガス濃度測定装置１は、例えば、図６に図示の如
く、オゾン発生器等のガス生成装置とガス分解剤等を用
いたガス分解処理装置から成るガス処理装置Ｃを接続さ
せた密閉室Ａの内部へ配設させ、該密閉室Ａ内において
ガス処理装置Ｃにより生成させたＯ3等の処理ガスによ
り被処理物Ｂを殺菌処理や脱臭処理させる際に、その処
理中又は処理後のガス濃度を連続的に監視したり、或い
は密閉室Ａ内等における各種の装置（図示せず）からの
ガスリークを監視するセンサーユニットとして用いるも
のであり、図１乃至図５に図示の如く、ガス導入口１ａ
及びガス排出口１ｂの間に形成させた適宜なガス流路手
段３と、該ガス流路手段３内へ配設させたファン等の送
気手段３ａ及び半導体素子構造等のセンサー２ａから構
成される。
【００１０】前記センサー２ａは抵抗器等を用いた解析
回路、制御回路等から成る測定部２へ電気的に接続させ
た、例えば、ＳｎＯ2、ＺｎＯ、Ｆｅ2Ｏ2等の金属酸化
物半導体から成り、該センサー２ａの表面へ試料ガスを
接触させ、該センサー２ａの電気抵抗値（電気伝導率）
の変化に基づいて連続的に濃度測定を行うものである。
回路、制御回路等から成る測定部２へ電気的に接続させ
た、例えば、ＳｎＯ2、ＺｎＯ、Ｆｅ2Ｏ2等の金属酸化
物半導体から成り、該センサー２ａの表面へ試料ガスを
接触させ、該センサー２ａの電気抵抗値（電気伝導率）
の変化に基づいて連続的に濃度測定を行うものである。
【００１１】又、本発明のガス濃度測定装置１は、例え
ば、図２及び図５に図示の如く、金属製の外装ケーシン
グ等を用いると共にガス流路手段３と電源部や測定部２
等の内部装置とを気密状態で区画し、強い酸化力等を有
した試料ガスが電源部や測定部２等の内部装置に対して
腐食等の悪影響を与えることのない様に構成させるもの
である。
ば、図２及び図５に図示の如く、金属製の外装ケーシン
グ等を用いると共にガス流路手段３と電源部や測定部２
等の内部装置とを気密状態で区画し、強い酸化力等を有
した試料ガスが電源部や測定部２等の内部装置に対して
腐食等の悪影響を与えることのない様に構成させるもの
である。
【００１２】特許請求の範囲の請求項１に記載のガス濃
度測定装置１は、特に低濃度ガスの測定において、より
測定値の信頼性を向上させるために測定値の補正を行う
ことが可能な構成を有したものであり、前述の構成のガ
ス濃度測定装置１において、図１に図示の如く、ガス流
路手段３内に配設させたセンサー２ａとガス排出口１ｂ
との間へ触媒等を用いたフィルター装置等のガス分解処
理部４を備えたものである。
度測定装置１は、特に低濃度ガスの測定において、より
測定値の信頼性を向上させるために測定値の補正を行う
ことが可能な構成を有したものであり、前述の構成のガ
ス濃度測定装置１において、図１に図示の如く、ガス流
路手段３内に配設させたセンサー２ａとガス排出口１ｂ
との間へ触媒等を用いたフィルター装置等のガス分解処
理部４を備えたものである。
【００１３】本発明のガス濃度測定装置１により試料ガ
スの濃度測定を行うには、先ず、電源部のスイッチを手
動操作又は遠隔操作等でＯＮ状態とさせ、測定部２の回
路及び送気手段３ａを作動させて、試料ガスをガス導入
口１ａからガス排出口１ｂへ流通させる。
スの濃度測定を行うには、先ず、電源部のスイッチを手
動操作又は遠隔操作等でＯＮ状態とさせ、測定部２の回
路及び送気手段３ａを作動させて、試料ガスをガス導入
口１ａからガス排出口１ｂへ流通させる。
【００１４】前記ガス導入口１ａから導入させた試料ガ
スはセンサー２ａの表面に接触し、該センサー２ａの電
気抵抗値の変化により濃度が連続的に測定されると共
に、測定値は表示部等で数値化されて表示され、次い
で、前記センサー２ａを通過した試料ガスは触媒等を用
いたガス分解処理部４を通過し、清浄化させた処理ガス
としてガス排出口１ｂから排出されるものである。
スはセンサー２ａの表面に接触し、該センサー２ａの電
気抵抗値の変化により濃度が連続的に測定されると共
に、測定値は表示部等で数値化されて表示され、次い
で、前記センサー２ａを通過した試料ガスは触媒等を用
いたガス分解処理部４を通過し、清浄化させた処理ガス
としてガス排出口１ｂから排出されるものである。
【００１５】然し乍ら、この際の測定値は前記センサー
２ａの予め設定された基準点（ゼロガス点）に対する電
気抵抗値の変化に基づいており、一方、該センサー２ａ
の感度は所定時間の操作で、温度、湿度、共存ガス、汚
れ成分の付着等の要因により変化するために信頼性に乏
しいものである。
２ａの予め設定された基準点（ゼロガス点）に対する電
気抵抗値の変化に基づいており、一方、該センサー２ａ
の感度は所定時間の操作で、温度、湿度、共存ガス、汚
れ成分の付着等の要因により変化するために信頼性に乏
しいものである。
【００１６】本発明のガス濃度測定装置１は、前述のガ
ス濃度測定の前動作又は中間動作として、前記送気手段
３ａを逆作動させてガス排出口１ｂから試料ガスを導入
させることにより、試料ガスをガス分解処理部４へ通過
させて測定対象とするガス成分を除去した処理ガスを生
成させ、該処理ガスの濃度の測定値により基準点（ゼロ
ガス点）の補正を行うことができる。
ス濃度測定の前動作又は中間動作として、前記送気手段
３ａを逆作動させてガス排出口１ｂから試料ガスを導入
させることにより、試料ガスをガス分解処理部４へ通過
させて測定対象とするガス成分を除去した処理ガスを生
成させ、該処理ガスの濃度の測定値により基準点（ゼロ
ガス点）の補正を行うことができる。
【００１７】又、本発明のガス濃度測定装置１は、ガス
濃度測定装置としての機能と共に図６に示したガス処理
装置Ｃに用いたガス分解剤の寿命判定器としての機能を
も有しており、所定時間に亘る密閉室Ａ内のガス処理操
作の過程で、ガス処理装置Ｃの性能を監視することもで
きる。
濃度測定装置としての機能と共に図６に示したガス処理
装置Ｃに用いたガス分解剤の寿命判定器としての機能を
も有しており、所定時間に亘る密閉室Ａ内のガス処理操
作の過程で、ガス処理装置Ｃの性能を監視することもで
きる。
【００１８】更に、本発明のガス濃度測定装置１は、前
述の使用は勿論のこと、前記送気手段３ａを逆作動させ
てガス排出口１ｂからガス分解処理部４へ試料ガスを通
過させ、この操作を繰り返すことにより、高濃度ガスと
の接触によるセンサー２ａの負担を低減させて、センサ
ー２ａの寿命を延ばすことが可能であり、加えて、送気
手段３ａを逆作動させて処理ガスの濃度測定を行うこと
により、ガス分解処理部４の性能の判定、即ちガス濃度
測定装置１の自己診断を行うこともできる。
述の使用は勿論のこと、前記送気手段３ａを逆作動させ
てガス排出口１ｂからガス分解処理部４へ試料ガスを通
過させ、この操作を繰り返すことにより、高濃度ガスと
の接触によるセンサー２ａの負担を低減させて、センサ
ー２ａの寿命を延ばすことが可能であり、加えて、送気
手段３ａを逆作動させて処理ガスの濃度測定を行うこと
により、ガス分解処理部４の性能の判定、即ちガス濃度
測定装置１の自己診断を行うこともできる。
【００１９】特許請求の範囲の請求項２乃至請求項５に
記載のガス濃度測定装置１は、主にセンサー２ａの感度
を低下させる微塵等の汚れ成分の付着を防止させる各種
の構成を有したもので、図２乃至図５に図示の如く、ガ
ス導入口１ａとガス排出口１ｂの間へ適宜なガス流路手
段３を形成させ、該ガス流路手段３内へ送気手段３ａを
配設させると共に測定部２と接続させた半導体素子構造
等のセンサー２ａを配設させた構造のものであり、前記
ガス流路手段３内へ試料ガスを流通させる過程でセンサ
ー２ａの電気抵抗値の変化に基づき連続的に濃度測定を
行うガス濃度測定装置１である。
記載のガス濃度測定装置１は、主にセンサー２ａの感度
を低下させる微塵等の汚れ成分の付着を防止させる各種
の構成を有したもので、図２乃至図５に図示の如く、ガ
ス導入口１ａとガス排出口１ｂの間へ適宜なガス流路手
段３を形成させ、該ガス流路手段３内へ送気手段３ａを
配設させると共に測定部２と接続させた半導体素子構造
等のセンサー２ａを配設させた構造のものであり、前記
ガス流路手段３内へ試料ガスを流通させる過程でセンサ
ー２ａの電気抵抗値の変化に基づき連続的に濃度測定を
行うガス濃度測定装置１である。
【００２０】特許請求の範囲の請求項２に記載のガス濃
度測定装置１は、前述の構成のガス濃度測定装置１にお
いて、図２に図示の如く、前記ガス導入口１ａを、例え
ば、外装ケーシング等に形成させた直径３mm程度の小径
孔で形設させることにより、試料ガス中に含まれる微塵
の侵入を極めて小量に至るまで低減させたものである。
又、この場合、前記ガス排出口１ｂはスリット形状等の
微塵の排出を助長させる様に可能な限り大きく形設させ
ることが好ましい。
度測定装置１は、前述の構成のガス濃度測定装置１にお
いて、図２に図示の如く、前記ガス導入口１ａを、例え
ば、外装ケーシング等に形成させた直径３mm程度の小径
孔で形設させることにより、試料ガス中に含まれる微塵
の侵入を極めて小量に至るまで低減させたものである。
又、この場合、前記ガス排出口１ｂはスリット形状等の
微塵の排出を助長させる様に可能な限り大きく形設させ
ることが好ましい。
【００２１】特許請求の範囲の請求項３に記載のガス濃
度測定装置１は、前述の構成のガス濃度測定装置１にお
いて、図３の要部概要図に図示の如く、前記センサー２
ａの周囲へ通気口５ａを有した合成樹脂、金属等の耐ガ
ス性の保護部材５を設けると共に、該保護部材５の通気
口５ａをガスの流通方向に対して直交方向に開口させた
ものであり、本発明のガス濃度測定装置１においては、
試料ガスが直接的にセンサー２ａの表面に接触せずに、
保護部材５の近傍を通過する試料ガスの拡散により通気
口５ａを介して間接的に接触するので、微塵の付着等の
センサー２ａの表面状態の急激な変化を生じさせること
がなく、より精度の高いガス濃度測定を行うことができ
る。
度測定装置１は、前述の構成のガス濃度測定装置１にお
いて、図３の要部概要図に図示の如く、前記センサー２
ａの周囲へ通気口５ａを有した合成樹脂、金属等の耐ガ
ス性の保護部材５を設けると共に、該保護部材５の通気
口５ａをガスの流通方向に対して直交方向に開口させた
ものであり、本発明のガス濃度測定装置１においては、
試料ガスが直接的にセンサー２ａの表面に接触せずに、
保護部材５の近傍を通過する試料ガスの拡散により通気
口５ａを介して間接的に接触するので、微塵の付着等の
センサー２ａの表面状態の急激な変化を生じさせること
がなく、より精度の高いガス濃度測定を行うことができ
る。
【００２２】特許請求の範囲の請求項４に記載のガス濃
度測定装置１は、前述の構成のガス濃度測定装置１にお
いて、図４の要部概要図に図示の如く、前記センサー２
ａの周囲へ通気口５ａを有した保護部材５を設けると共
に、該保護部材５の通気口５ａを重力方向、即ち下向き
に開口させ、該保護部材５の通気口５ａからの微塵の侵
入を防止させたものである。
度測定装置１は、前述の構成のガス濃度測定装置１にお
いて、図４の要部概要図に図示の如く、前記センサー２
ａの周囲へ通気口５ａを有した保護部材５を設けると共
に、該保護部材５の通気口５ａを重力方向、即ち下向き
に開口させ、該保護部材５の通気口５ａからの微塵の侵
入を防止させたものである。
【００２３】特許請求の範囲の請求項５に記載のガス濃
度測定装置１は、前述の構成のガス濃度測定装置１にお
いて、図５に図示の如く、前記ガス排出口１ｂを下方位
置に配設させることにより、ガスの流通方向を上方から
下方へと設定させたものであり、本発明のガス濃度測定
装置１においては、試料ガスと共に微塵が混入した場合
でも、濃度測定の操作過程で、前記ガス排出口１ｂより
自然に排出されるものである。
度測定装置１は、前述の構成のガス濃度測定装置１にお
いて、図５に図示の如く、前記ガス排出口１ｂを下方位
置に配設させることにより、ガスの流通方向を上方から
下方へと設定させたものであり、本発明のガス濃度測定
装置１においては、試料ガスと共に微塵が混入した場合
でも、濃度測定の操作過程で、前記ガス排出口１ｂより
自然に排出されるものである。
【００２４】尚、本発明のガス濃度測定装置１は、例え
ば、前記保護部材５の通気口５ａを、請求項３に記載の
如く、ガスの流通方向に対して直交方向に開口させ、且
つ、請求項４に記載の如く、重力方向に開口させる等の
各請求項の構成を同時に付帯させることで、より効果的
にセンサー２ａを高感度に維持させることができる。
ば、前記保護部材５の通気口５ａを、請求項３に記載の
如く、ガスの流通方向に対して直交方向に開口させ、且
つ、請求項４に記載の如く、重力方向に開口させる等の
各請求項の構成を同時に付帯させることで、より効果的
にセンサー２ａを高感度に維持させることができる。
【００２５】
【発明の効果】本発明のガス濃度測定装置は、半導体素
子構造等のセンサーに用いたガス濃度測定装置におい
て、ガス流路手段内にガス分解処理部を設けたことによ
り、ガス処理装置におけるガス分解剤の寿命判定器等の
用途にも効果的に用いることができ、又、測定値の補正
を可能とさせて信頼性を向上させたものであり、更に、
ガス導入口の形状と保護部材及びガス排出口の配置によ
り、測定値に影響する微塵等の汚れ成分の付着等を効果
的に防止させ、より信頼性の高いガス濃度測定装置を提
供させた極めて有意義な発明である。
子構造等のセンサーに用いたガス濃度測定装置におい
て、ガス流路手段内にガス分解処理部を設けたことによ
り、ガス処理装置におけるガス分解剤の寿命判定器等の
用途にも効果的に用いることができ、又、測定値の補正
を可能とさせて信頼性を向上させたものであり、更に、
ガス導入口の形状と保護部材及びガス排出口の配置によ
り、測定値に影響する微塵等の汚れ成分の付着等を効果
的に防止させ、より信頼性の高いガス濃度測定装置を提
供させた極めて有意義な発明である。
【図１】本発明の特許請求の範囲の請求項１のガス濃度
測定装置の概要図である。
測定装置の概要図である。
【図２】本発明の特許請求の範囲の請求項２のガス濃度
測定装置の概要図である。
測定装置の概要図である。
【図３】本発明の特許請求の範囲の請求項３のガス濃度
測定装置の要部を示す概要図である。
測定装置の要部を示す概要図である。
【図４】本発明の特許請求の範囲の請求項４のガス濃度
測定装置の要部を示す概要図である。
測定装置の要部を示す概要図である。
【図５】本発明の特許請求の範囲の請求項５のガス濃度
測定装置の概要図である。
測定装置の概要図である。
【図６】本発明のガス濃度測定装置の使用説明図であ
る。
る。
Ａ 密閉室 Ｂ 被処理物 Ｃ ガス処理装置 １ ガス濃度測定装置 １ａ ガス導入口 １ｂ ガス排出口 ２ 測定部 ２ａ センサー ３ ガス流路手段 ３ａ 送気手段 ４ ガス分解処理部 ５ 保護部材 ５ａ 通気口
Claims (5)
- 【請求項１】ガス導入口とガス排出口の間へガス流路手
段を形成させ、該ガス流路手段内へ測定部と接続させた
半導体素子構造等のセンサーを配設させたガス濃度測定
装置において、前記ガス流路手段内へガスの流通方向を
ガス導入口からガス排出口又はガス排出口からガス導入
口へと選択的に変更できる適宜な送気手段を配設させる
と共に、前記ガス流路手段内のセンサーとガス排出口と
の間へはガス分解処理部を設けたことを特徴とするガス
濃度測定装置。 - 【請求項２】ガス導入口とガス排出口の間へガス流路手
段を形成させ、該ガス流路手段内へ測定部と接続させた
半導体素子構造等のセンサーを配設させたガス濃度測定
装置において、前記ガス導入口を微塵の侵入を低減させ
る小径孔で形設させたことを特徴とするガス濃度測定装
置。 - 【請求項３】ガス導入口とガス排出口の間へガス流路手
段を形成させ、該ガス流路手段内へ測定部と接続させた
半導体素子構造等のセンサーを配設させたガス濃度測定
装置において、前記測定部のセンサーの周囲へ通気口を
有した保護部材を設けると共に、該保護部材の通気口を
ガスの流通方向に対して直交方向に開口させたことを特
徴とするガス濃度測定装置。 - 【請求項４】ガス導入口とガス排出口の間へガス流路手
段を形成させ、該ガス流路手段内へ測定部と接続させた
半導体素子構造等のセンサーを配設させたガス濃度測定
装置において、前記測定部のセンサーの周囲へ通気口を
有した保護部材を設けると共に、該保護部材の通気口を
重力方向に開口させたことを特徴とするガス濃度測定装
置。 - 【請求項５】ガス導入口とガス排出口の間へガス流路手
段を形成させ、該ガス流路手段内へ測定部と接続させた
半導体素子構造等のセンサーを配設させたガス濃度測定
装置において、前記ガス排出口を下方位置に配設させた
ことを特徴とするガス濃度測定装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31443292A JPH06213844A (ja) | 1992-10-30 | 1992-10-30 | ガス濃度測定装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31443292A JPH06213844A (ja) | 1992-10-30 | 1992-10-30 | ガス濃度測定装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06213844A true JPH06213844A (ja) | 1994-08-05 |
Family
ID=18053289
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31443292A Pending JPH06213844A (ja) | 1992-10-30 | 1992-10-30 | ガス濃度測定装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06213844A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008032607A (ja) * | 2006-07-31 | 2008-02-14 | Kyushu Univ | 硫化物の悪臭を高感度で検知するセンサ |
| WO2008156096A1 (ja) * | 2007-06-20 | 2008-12-24 | Nec Corporation | 気体成分測定装置 |
| WO2012131944A1 (ja) * | 2011-03-30 | 2012-10-04 | 富士通株式会社 | 大気環境測定装置、大気環境測定方法及び大気環境測定システム |
-
1992
- 1992-10-30 JP JP31443292A patent/JPH06213844A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008032607A (ja) * | 2006-07-31 | 2008-02-14 | Kyushu Univ | 硫化物の悪臭を高感度で検知するセンサ |
| WO2008156096A1 (ja) * | 2007-06-20 | 2008-12-24 | Nec Corporation | 気体成分測定装置 |
| WO2012131944A1 (ja) * | 2011-03-30 | 2012-10-04 | 富士通株式会社 | 大気環境測定装置、大気環境測定方法及び大気環境測定システム |
| US9395334B2 (en) | 2011-03-30 | 2016-07-19 | Fujitsu Limited | Atmospheric environment measuring apparatus, atmospheric environment measuring method and atmospheric environment measuring system |
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