JPH06215348A

JPH06215348A - 磁気記録媒体

Info

Publication number: JPH06215348A
Application number: JP25295593A
Authority: JP
Inventors: Keiji Moroishi; 圭二諸石; Junichi Horikawa; 順一堀川; Masato Kobayashi; 正人小林; Jun Nozawa; 順野沢
Original assignee: Hoya Corp
Current assignee: Hoya Corp
Priority date: 1992-10-26
Filing date: 1993-10-08
Publication date: 1994-08-05
Anticipated expiration: 2016-08-20
Also published as: JP3200787B2

Abstract

(57)【要約】【目的】磁気記録媒体において保磁力及び残留磁化膜
厚積を高くするとともに経時変化を少なくしてしかも記
録再生時における媒体ノイズを少なくする。【構成】ガラス基板（非磁性基板）１上にＣｒ及びＭ
ｏを含む下地層２を形成し、この下地層上にＣｏ及びＰ
ｔを含む磁性層３を形成する。磁性層３にはさらにＭｏ
を添加するようにしてもよく、さらに、必要に応じて下
地層及び磁性層には他の添加要素が添加される。また、
必要に応じて磁性層上には順次保護層４及び潤滑層５が
形成される。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は磁気記録媒体に関し、特
に、磁気ディスク、フレキシブルディスク、スチルカメ
ラ、又はビデオ等の磁気記録用金属薄膜媒体に関する。

【０００２】

【従来の技術】一般に、磁気記録媒体用合金として保磁
力（Ｈｃ）及び残留磁化膜厚積（Ｍｒ・δ）の高いＣｏ
Ｐｔ系合金が用いられている。このＣｏＰｔ系合金を用
いて磁気記録媒体を構成する際、その磁気特性を向上さ
せるため、一般に基板と磁性層との間に下地層を形成す
ることが行なわれている。例えば、特公平４−１６８４
８号公報（以下「文献１」と呼ぶ）には、下地層にＣｒ
Ｖ又はＣｒＦｅを含み、磁性層にＣｏＰｔを含む磁気記
録媒体が示されており、この磁気記録媒体では保磁力及
び磁化曲線の角型比を向上できる旨記載されている。

【０００３】さらに、磁気記録媒体においては、その保
磁力及び残留磁化膜厚積を高めるため、ＣｏＰｔ磁性膜
に第３成分を添加することが行われており、このような
磁気記録媒体として、例えば、テレビジョン学会誌第４
０巻第６番第４７５頁乃至第４８０頁（１９８６年）
（以下「文献２」と呼ぶ）に記載された磁気記録媒体が
知られている。この磁気記録媒体では、ＣｏＰｔに第３
成分としてＭｏが添加された磁性層を直接ガラス基板上
に形成している。そして、この磁気記録媒体ではその保
磁力が５００エルステッド（Ｏｅ）以上であって、しか
も広範囲に保磁力を制御することができるばかりでなく
高密度記録を行うことができる旨記載されている。

【０００４】また、この種の磁気記録媒体が、ジャーナ
ルオブアプライドフィジックス（Ｊ．Ａｐｐｌ．
Ｐｈｙｓ．６７（１２），１５Ｊｕｎｅ１９９０
ｐｐ７５０７−７５０９）（以下「文献３」と呼ぶ）に
記載されており、この磁気記録媒体では、下地層として
Ｃｒに少量のＭｏが添加された金属を用い、この下地層
上にＣｏＮｉＣｒからなる磁性層を形成している。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】ところで、文献１に記
載された磁気記録媒体ではある程度高い保磁力を得るこ
とが可能であるが、保磁力は最高でも１６００Ｏｅ程度
あり、高密度記録を行うためには満足できる値ではな
い。

【０００６】また、文献２に記載された磁気記録媒体で
は、前述のように、下地層を介することなくガラス基板
上に直接磁性層を形成しており、ＣｏＰｔからなる磁性
層の保磁力が１０００Ｏｅ以上あるにもかかわらず、Ｃ
ｏＰｔＭｏからなる磁性層ではその保磁力がＭｏ濃度を
増加させると減少してしまうという傾向がある。例え
ば、Ｍｏ濃度が約１４ａｔ％の場合、保磁力が約３５０
Ｏｅとなってしまう。

【０００７】加えて、文献２に記載された磁気記録媒体
では、Ｍｏ濃度の増加につれて飽和磁束密度（Ｂｓ）も
減少してしまい、飽和磁束密度（Ｂｓ）の減少によって
残留磁化膜厚積（Ｍｒ・δ）も減少することになってし
まう。

【０００８】このように、文献２においては、ＣｏＰｔ
にＭｏを添加した磁性層を用いると、保磁力及び残留磁
化膜厚積ともに減少してしまうことがわかる。

【０００９】一方、文献３に示された磁気記録媒体で
は、その保磁力は１１２０Ｏｅであって、Ｃｒ単独で形
成された下地層を用いた磁気記録媒体の保磁力（１２８
０Ｏｅ）よりも保磁力が減少してしまう。

【００１０】文献２及び３の記載から理解できるよう
に、ＣｒにＭｏが添加された下地層及びＣｏＰｔにＭｏ
が添加された磁性層を有する磁気記録媒体では保磁力及
び残留磁化膜厚積が低下してしまう。

【００１１】本発明の目的は十分な保磁力及び残留磁化
膜厚積が得られしかも経時変化の少ない磁気記録媒体を
提供することにある。

【００１２】

【課題を解決するための手段】本発明によれば、非磁性
基板と、この非磁性基板上に形成された下地層と、この
下地層上に形成された磁性層とを有する磁気記録媒体で
あって、上記の下地層にはクロム（Ｃｒ）及びモリブデ
ン（Ｍｏ）が含まれ、上記の磁性層にはコバルト（Ｃ
ｏ）及び白金（Ｐｔ）が含まれていることを特徴とする
磁気記録媒体が得られる。

【００１３】さらに、本発明では、磁性層にさらにモリ
ブデン（Ｍｏ）を含有するようにしてもよい。また、磁
性層にはさらにＴａ、Ｂ、Ｃｒ、Ｏ、Ｎ、Ｎｂ、Ｍｎ、
Ｚｎ、Ｗ、Ｐｂ、Ｒｅ、Ｖ、及びＺｒのうち少なくとも
一種を含有するようにしてもよい。

【００１４】加えて、本発明では、下地層にさらにＷ、
Ｂ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｒｅ、Ｃｕ、Ｚｒ、
Ｚｎ、Ｐ、Ｓｉ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｈｆ、Ａｌ、Ｔｉのうち
少なくとも一種を含有するようにしてもよい。

【００１５】下地層を形成する際には非磁性基板から磁
性層に向かう方向にＭｏ濃度が増加するようにしてもよ
い。

【００１６】また、磁性層上に保護層を形成する際に
は、保護層にＣｒ及びＭｏを含有させることが望まし
い。

【００１７】

【作用】本発明ではＣｒ及びＭｏが含有された下地層に
おいて、ＭｏがＣｒと固溶体を形成する。そして、Ｍｏ
の添加量に応じて格子が膨脹してクロムの（１１０）面
における格子間隔がＣｏ及びＰｔを含有する磁性層の格
子（００２）面に接近する。この結果、磁性層の配向が
変化して磁性層の保磁力を向上させることができる。

【００１８】磁性層にさらにＭｏを添加することによっ
て、磁壁のピン止め効果により保磁力が増加するばかり
でなく磁性粒の磁気的孤立化が促進されて保磁力が増加
する。また、磁性粒子の微細化によって保磁力が増加す
る。この保磁力に増加によって再生波におけるピーク幅
が小さくなって媒体ノイズが低下する。さらに、磁性層
へＭｏを添加することによってピン止め数が増加してジ
グザク壁の幅が減少することによっても媒体ノイズが低
減する。

【００１９】加えて、下地層と磁性層とに同一成分を含
有させることによって（つまり、Ｍｏを含有させること
によって）、下地層と磁性層との界面でＭｏの拡散が容
易となり、その結果、磁性粒の磁気的な孤立化がより促
進されるとともに下地層と磁性層との付着強度を高める
ことができる。

【００２０】また、Ｃｒ及びＭｏを含む下地層に上述の
Ｚｒ、Ｚｎ、及びＣｕ等を添加すると、これら添加元素
は下地層中のＣｒ又はＭｏに固溶しにくく、その結果、
添加元素が下地層中の結晶粒子の粒界に偏析する等して
結晶粒子の微細化及び粒子間の分離が促進される。これ
によって、下地層の膜構造を反映して磁性層中の結晶粒
子の微細化及び粒子間の分離（磁気的孤立化）が促進さ
れて、保磁力が増大するとともに媒体ノイズを低減させ
ることができる。

【００２１】

【実施例】以下本発明について実施例によって説明す
る。

【００２２】（実施例１）図１を参照して、直径６５ｍ
ｍ厚さ０．９ｍｍのガラス基板１を準備して、このガラ
ス基板１をＲＦマグネトロンスパッタ装置（図示せず）
のチャンバー内に装着する。そして、チャンバー内を５
×１０^-7Ｔｏｒｒ以下の圧力まで減圧する。その後、ア
ルゴンガスをスパッタガスとしてガス圧１０ｍＴｏｒｒ
でスパッタ装置に供給し、基板温度を室温として投入電
力密度を２．５Ｗ／ｃｍ²、Ｃｒ₈₀Ｍｏ₂₀（ａｔ％）を
ターゲットとしてガラス基板１上に膜厚１０００オング
ストロームの下地層２を形成した（一般式Ｃｒ_100-xＭ
ｏ_x（ｘ＝０〜１００）においてｘ＝２０の場合）。続
いて、同様にしてアルゴンガスをスパッタガスとして用
いてＣｏ₈₂Ｐｔ₁₈（ａｔ％）をターゲットとして、Ｃｏ
₈₂Ｐｔ₁₈の組成を有する膜厚４００オングストロームの
磁性層３を下地層２上に形成した。そして、アルゴンガ
スをスパッタガスとして用いて磁性層３上に膜厚５０オ
ングストロームのＣｒ₈₀Ｍｏ₂₀層４ａ及び膜厚４００オ
ングストロームのカーボン層４ｂを形成し、これらＣｒ
₈₀Ｍｏ₂₀層４ａ及びカーボン層４ｂを保護層５とした。
この保護層４上にパーフルオロポリエーテルからなる潤
滑層５を２０オングストロームの厚さ塗布して磁気ディ
スク（磁気記録媒体）６を得、この磁気ディスク６をデ
ィスクＡとした。

【００２３】さらに、一般式Ｃｒ_100-xＭｏ_x（ｘ＝０
〜１００）におけるｘをそれぞれ０，１０，３０，４
０，５０，６０，７０，８０，９０として、つまり、Ｃ
ｒ、Ｃｒ₉₀Ｍｏ₁₀、Ｃｒ₇₀Ｍｏ₃₀、Ｃｒ₆₀Ｍｏ₄₀、Ｃｒ
₅₀Ｍｏ₅₀、Ｃｒ₄₀Ｍｏ₆₀、Ｃｒ₃₀Ｍｏ₇₀、Ｃｒ₂₀Ｍ
ｏ₈₀、Ｃｒ₁₀Ｍｏ₉₀（ａｔ％）をそれぞれ下地層として
有する磁気ディスクを作成した。この際、ガラス基板、
磁性層、保護層、及び潤滑層は上記のディスクＡと同様
とし、さらに膜厚等他の条件もディスクＡと同様とし
た。

【００２４】これらディスクからそれぞれ直径８ｍｍの
試料を切り出して、振動試料型磁力計を用いて、各試料
について保磁力（Ｈｃ）および残留磁化膜厚積（Ｍｒ・
δ）を測定した。この際、膜面方向に最大外部印加磁場
を１２ｋＯｅとして磁場を印加した。この結果を図２に
示す。なお、図２において、◎が各試料の保磁力を示
す。

【００２５】図２から明らかなように、ＣｏＰｔからな
る磁性層を用いるとともにＣｒＭｏからなる下地層を用
いることによって、高い保磁力を有する磁気記録媒体が
得られることがわかる。特に、一般式Ｃｒ_100-xＭｏ_x
（ｘ＝０〜１００）において、ｘ＝１０〜８０の下地層
を用いることによって保磁力がより高くなることがわか
る。

【００２６】次に、Ｃｏ₇₄Ｐｔ₁₈Ｍｏ₈の磁性層を有す
るとともに一般式Ｃｒ_100-xＭｏ_x（ｘ＝０〜１００）
で示される組成の下地層を有する磁気ディスクを上述の
ようにして、ｘを０乃至９０の範囲で変化させて作成し
た。この際、ガラス基板、保護層、及び潤滑層は上記の
ディスクＡと同様とし、さらに膜厚等他の条件もディス
クＡと同様とした。これらディスクからそれぞれ直径８
ｍｍの試料を切り出して、振動試料型磁力計を用いて、
各試料について保磁力（Ｈｃ）および残留磁化膜厚積
（Ｍｒ・δ）を測定した。この結果を図２に示す。な
お、図２において、○が各試料の保磁力を示す。

【００２７】図２から明らかなように、ＣｏＰｔＭｏか
らなる磁性層を用いるとともにＣｒＭｏからなる下地層
を用いることによって、高い保磁力を有する磁気記録媒
体が得られることがわかる。特に、一般式Ｃｒ_100-xＭ
ｏ_x（ｘ＝０〜１００）において、ｘ＝１０〜８０の下
地層を用いることによって保磁力がより高くなることが
わかる。

【００２８】さらに、ディスクＡを作製した際と同様の
方法を用いて、一般式Ｃｒ_100-x-yＭｏ_yＺｒ_x（ａｔ
％）の組成を有する下地層及びＣｏ₇₄Ｐｔ₁₈Ｍｏ₈（ａ
ｔ％）の組成を有する磁性層をガラス基板上に順次形成
して磁気ディスクを得た。この際、下地層中のＭｏ濃度
を９ａｔ％として（つまり、ｙ＝９として）、Ｚｒ濃度
を０乃至５０ａｔ％の範囲で変化させて（つまり、ｘ＝
０〜５０として）、複数の磁気ディスクを得た。同様に
して、下地層中のＭｏ濃度を１８ａｔ％として（つま
り、ｙ＝１８として）、Ｚｒ濃度を０乃至５０ａｔ％の
範囲で変化させて（つまり、ｘ＝０〜５０として）、複
数の磁気ディスクを得た。そして、これら磁気ディスク
の保磁力をディスクＡと同様にして測定した。この測定
結果を図３に示す（図３において、◇がＭｏ濃度が９ａ
ｔ％の場合を表し、◆がＭｏ濃度が１８ａｔ％の場合を
表す）。

【００２９】図３から明らかなように、ＣｒＭｏからな
る下地層にＺｒを添加することによって、磁気ディスク
の保磁力を高くすることができることがわかる。そし
て、下地層におけるＺｒの添加量が０．１〜３０ａｔ％
の範囲において、保磁力が高くなり、特に、０．１〜４
ａｔ％の範囲で、ＣｏＭｏのみからなる下地層を用いた
磁気ディスクよりも保磁力が高くなることがわかる。

【００３０】次に、Ｃｒ₈₀Ｍｏ₂₀（ａｔ％）の下地層及
びＣｏ₇₄Ｐｔ₁₈Ｍｏ₈（ａｔ％）の磁性層を有する磁気
ディスク（以下この磁気ディスクを「ディスクＢ」と呼
ぶ、なお、ディスクＢの他の構成要素及び膜厚はディス
クＡと同様である）及びＣｒ₈₀Ｍｏ₁₈Ｚｒ₂（ａｔ％）
の下地層及びＣｏ₇₄Ｐｔ₁₈Ｍｏ₈（ａｔ％）の磁性層を
有する磁気ディスク（以下の磁気ディスクを「ディスク
Ｃ」と呼ぶ、なお、ディスクＣの他の構成要素及び膜厚
はディスクＡと同様である）を用いて記録再生出力を測
定した。ここでは、磁気ヘッド浮上量が０．０５５μｍ
の薄膜ヘッドを用いて、この薄膜ヘッドとディスクＢの
相対速度を６ｍ／ｓとし、線記録密度８０ｋｆｃｉ（１
インチ当たり８０，０００ビットの線記録密度）におけ
る記録再生出力を測定した。この結果を表１に示す（表
１には、記録再生出力の他に保磁力及び残留磁化膜厚積
も示し、比較例として下地層にＣｒのみを用いた磁気デ
ィスクの測定結果も示す。なお、表１ではディスクＢ及
びＣをそれぞれ実施例２及び３とした）。なお、上述の
測定で用いた薄膜ヘッドはコイルターン数５０、トラッ
ク幅６μｍ、磁気ヘッドギャップ長０．２５μｍであ
る。

【００３１】

【表１】

【００３２】表１から明らかなように、ディスクＢでは
下地層としてＣｒＭｏを用いているからＣｒのみの下地
層を用いた比較例に比べて磁気記録再生特性が著しく高
くなることがわかる。同様に、ディスクＣにおいても下
地層としてＣｒＭｏＺｒを用いているからＣｒのみの下
地層を用いた比較例に比べて磁気記録再生特性が著しく
高くなることがわかる。

【００３３】さらに、ディスクＡ及びＢを温度８０℃、
湿度８０％の恒温恒湿槽中に１０００時間放置して耐蝕
性試験を行った。そして、ディスクＡ及びＢについて耐
蝕性試験直前から１０００時間経過後までの飽和磁化
（Ｍｓ）を測定した。この測定結果を図４に示す。

【００３４】図４において、横軸は時間を表し、縦軸は
各時間における飽和磁化を耐蝕性試験開始直前の飽和磁
化（Ｍｓ₀）で規格化した値を表す。図４から明らかな
ように、ＣｏＰｔ（ディスクＡ）及びＣｏＰｔＭｏ（デ
ィスクＢ）の磁性層は耐蝕性に優れており、特に、Ｃｏ
ＰｔにＭｏを添加することによって、耐蝕性が著しく向
上することがわかる。

【００３５】次に、キャリア周波数を９．４ＭＨｚ、測
定帯域を１５ＭＨｚとしてスペクトルアナライザーによ
ってディスクＡ、Ｂ、及びＣについて信号記録再生時に
おけるノイズスペクトラムを測定した（媒体ノイズＮｍ
で表す）。この結果、ディスクＡでは媒体ノイズが７．
５８μＶｒｍｓであったのに対してディスクＢでは媒体
ノイズが５．０８μＶｒｍｓであり、磁性層としてＣｏ
ＰｔＭｏを用いることによってより媒体ノイズが低減で
きた。また、ディスクＣでは媒体ノイズは４．８５μＶ
ｒｍｓであり、磁性層としてＣｏＰｔＭｏを用い、下地
層としてＣｒＭｏＺｒを用いることによって媒体ノイズ
をさらに低減することができる。

【００３６】（実施例４〜１０）実施例１と同様にして
ターゲットとしてＣｒ₈₀Ｍｏ₂₀（ａｔ％）を用いて、直
径６５ｍｍ厚さ０．９ｍｍのガラス基板上に膜厚１５０
０オングストロームの下地層（Ｃｒ₈₀Ｍｏ₂₀層）を形成
した。続いて、Ｃｏ₇₀Ｐｔ₁₈Ｍｏ₁₂（ａｔ％）をターゲ
ットとして、Ｃｏ₇₀Ｐｔ₁₈Ｍｏ₁₂の組成を有する膜厚４
００オングストロームの磁性層を下地層上に形成した。
磁性層上に保護層としてＳｉＯ₂を膜厚５０オングスト
ロームで形成して磁気ディスクとした（実施例４）。そ
して、この磁気ディスクの保磁力及び残留磁化膜厚積を
実施例１と同様にして測定した。この結果を表２に示
す。

【００３７】

【表２】

【００３８】さらに、下地層、磁性層、及び保護層の組
成を表２に示す組成として、磁気ディスクを作成した
（実施例５乃至実施例１０）。そして、これら磁気ディ
スクについて実施例４と同様にして保磁力及び残留磁化
膜厚積を測定した。

【００３９】表２から明らかなように、下地層としてＣ
ｒＭｏを用い、磁性層としてＣｏＰｔに３０ａｔ％まで
のＭｏが添加された磁性層を用いることよって保磁力及
び残留磁化膜厚積を高くできることがわかる。

【００４０】（実施例１１〜１５）直径６５ｍｍ厚さ
０．９ｍｍのガラス基板を準備して、このガラス基板を
ＤＣマグネトロンスパッタ装置（図示せず）のチャンバ
ー内に装着する。そして、チャンバー内を８×１０^-7Ｔ
ｏｒｒ以下の圧力まで減圧する。その後、アルゴンガス
をスパッタガスとしてガス圧１５ｍＴｏｒｒでスパッタ
装置に供給し、投入電力密度を１８Ｗ／ｃｍ²、基板温
度をそれぞれ１００℃（実施例１１）、２００℃（実施
例１２）、２５０℃（実施例１３）、３００℃（実施例
１４）、及び４００℃（実施例１５）としてＣｒ₇₀Ｍｏ
₃₀（ａｔ％）をターゲットとしてガラス基板上に膜厚２
０００オングストロームの下地層（Ｃｒ₇₀Ｍｏ₃₀層）を
形成した。続いて、アルゴンガスをスパッタガスとして
Ｃｏ₆₈Ｐｔ₁₇Ｍｏ₁₅（ａｔ％）をターゲットとして、Ｃ
ｏ₆₈Ｐｔ₁₇Ｍｏ₁₅の組成を有する膜厚３５０オングスト
ロームの磁性層を下地層上に形成した。そして、アルゴ
ンガスをスパッタガスとしてＣｒ₇₀Ｍｏ₃₀（ａｔ％）を
ターゲットして用いて磁性層上に膜厚８０オングストロ
ームの保護膜を形成し、さらにこの保護膜上に膜厚１５
０オングストロームのＳｉＯ₂からなる保護層を形成し
て磁気ディスクを作製した。

【００４１】これら実施例１１乃至１５の磁気ディスク
について実施例１と同様にして保磁力及び残留磁化膜厚
積を測定した。この測定結果を表３に示す。

【００４２】

【表３】

【００４３】表３から明らかなように、基板温度を４０
０℃まで上げて磁気ディスクを作成しても磁気特性が劣
化することなく、良好な磁気特性が得られることがわか
る。

【００４４】（実施例１６〜３５）実施例１と同様の方
法を用いて、表４に示す組成の下地層、磁性層、及び保
護層を有する磁気ディスク（実施例１６乃至３５）を作
製して、これら実施例１６乃至３５の磁気ディスクにつ
いて実施例１と同様にして保磁力及び残留磁化膜厚積を
測定した。

【００４５】

【表４】

【００４６】表４から明らかなようにＣｒＭｏにＺｒ以
外の他の追加成分が添加された下地層を用いても保磁力
及び残留磁化膜厚積を高くできることがわかる。

【００４７】（実施例３６〜６１）実施例４と同様の方
法を用いて、表５に示す組成の下地層（膜厚２０００オ
ングストローム）、磁性層（膜厚４５０オングストロー
ム）、及び保護層（膜厚１５０オングストローム）を有
する磁気ディスク（実施例３６乃至６１）を作製して、
これら実施例３６乃至６１の磁気ディスクについて実施
例４と同様にして保磁力及び残留磁化膜厚積を測定し
た。

【００４８】

【表５】

【００４９】表５から明らかなように、ＣｏＰｔＭｏに
他の追加成分が添加された磁性層を用いても保磁力及び
残留磁化膜厚積を高くできることがわかる。

【００５０】（実施例６２）続いて、直径６５ｍｍ厚さ
０．９ｍｍのガラス基板をＲＦマグネトロンスパッタ装
置（図示せず）のチャンバー内に装着して、チャンバー
内を５×１０^-7Ｔｏｒｒ以下の圧力まで減圧する。その
後、アルゴンガスをスパッタガスとしてガス圧１０ｍＴ
ｏｒｒでスパッタ装置に供給し、基板温度を室温とし
て、Ｃｒターゲット及びＭｏターゲットを同時に放電さ
せた。この際、Ｃｒターゲットに対する投入電力密度を
２．５Ｗ／ｃｍ²とし、Ｍｏターゲットに対する投入電
力密度を０．１Ｗ／ｃｍ²から１．２Ｗ／ｃｍ²まで変
化させ、ガラス基板上に膜厚１５００オングストローム
の下地層を形成した。この結果、下地層において下方か
ら上方に向かって順次Ｍｏ濃度が増加した。

【００５１】同様にして、アルゴンガスをスパッタガス
として用いてＣｒ₇₄Ｐｔ₁₈Ｍｏ₈（ａｔ％）をターゲッ
トとして、Ｃｒ₇₄Ｐｔ₁₈Ｍｏ₈の組成を有する膜厚４０
０オングストロームの磁性層を下地層上に形成した。そ
して、アルゴンガスをスパッタガスとして用いて磁性層
上に膜厚５０オングストロームのＣｒ層及び膜厚３００
オングストロームのＳｉＯ₂を形成し、これらＣｒ層及
びＳｉＯ₂層を保護層とした。その後、この保護層上に
パーフルオロポリエーテルからなる潤滑層を２０オング
ストロームの厚さ塗布して磁気ディスク（磁気記録媒
体）を得た。

【００５２】この磁気ディスクについて振動試料型磁力
計を用いて、その保磁力（Ｈｃ）を測定した。この際、
膜面方向に最大外部印加磁場を１２ｋＯｅとして磁場を
印加した。この結果、保磁力は２５００Ｏｅであった。

【００５３】さらに、上記の磁気ディスクについて記録
再生出力を測定した。ここでは、磁気ヘッド浮上量が
０．０５５μｍの薄膜ヘッドを用いて、この薄膜ヘッド
とディスクＢの相対速度を６ｍ／ｓとし、線記録密度８
０ｋｆｃｉにおける記録再生出力を測定した。この結
果、記録再生出力は２２５μＶであった。

【００５４】また、キャリア周波数を９．４ＭＨｚ、測
定帯域を１５ＭＨｚとしてスペクトルアナライザーによ
って上記の磁気ディスクについて信号記録再生時におけ
るノイズスペクトラムを測定した（媒体ノイズＮｍで表
す）。この結果、媒体ノイズは５．１５μＶｒｍｓであ
った。

【００５５】なお、上述の測定で用いた薄膜ヘッドはコ
イルターン数５０、トラック幅６μｍ、磁気ヘッドギャ
ップ長０．２５μｍである。

【００５６】このようにして、下地層におけるＭｏ濃度
を上方に向かって（基板から磁性層に向う方向）増加さ
せるように変化させると、良好な磁気特性が得られる。

【００５７】（実施例６３）投入電力密度を２．５Ｗ／
ｃｍ²とし、他の条件は実施例６２と同様にしてＲＦマ
グネトロン装置を用い、Ｃｒターゲット、Ｃｒ₉₅Ｍｏ₅
ターゲット、Ｃｒ₉₀Ｍｏ₁₀ターゲット、Ｃｒ₈₅Ｍｏ₁₅タ
ーゲット、及びＣｒ₈₀Ｍｏ₂₀ターゲットを同時に放電さ
せて、基板上にＣｒ、Ｃｒ₉₅Ｍｏ₅、Ｃｒ₉₀Ｍｏ₁₀、Ｃ
ｒ₈₅Ｍｏ₁₅、及びＣｒ₈₀Ｍｏ₂₀の順に膜が形成されるよ
うに基板をＲＦマグネトロン装置内で順次搬送する。こ
れによって、基板上に膜厚１５００オングストロームの
下地層を形成した。このようにして、Ｍｏ濃度が異なる
ターゲットに対して基板を順次搬送することによって、
下地層では上方に向かって順次Ｍｏ濃度が増加すること
になる。その後、実施例６２と同様に下地層上に順次磁
性層、保護層、及び潤滑層を形成して磁気ディスクを得
た。そして、実施例６２と同様にして保磁力、記録再生
出力、及び媒体ノイズを測定した。その結果、保磁力、
記録再生出力、及び媒体ノイズはそれぞれ２５５０Ｏ
ｅ、２２５μＶ、及び５．１０μＶｒｍｓであった。

【００５８】このように、順次Ｍｏ濃度が増加する複数
の膜を用いて下地層を形成するようにしても良好な磁気
特性が得られる。

【００５９】（実施例６４）Ｃｒターゲット、Ｍｏター
ゲット、及びＺｒターゲットを用いて、これらターゲッ
トを同時に放電させた。この際、Ｃｒターゲットに対す
る投入電力密度を２．５Ｗ／ｃｍ²とし、Ｚｒターゲッ
トに対する投入電力密度を０．１Ｗ／ｃｍ²に固定し、
Ｍｏターゲットに対する投入電力密度を０．１Ｗ／ｃｍ
²から１．２Ｗ／ｃｍ²まで連続的に変化させ、他の条
件は実施例６２と同様にして、基板上に膜厚１５００オ
ングストロームの下地層を形成した。この結果、下地層
において下方から上方に向かって順次Ｍｏ濃度が増加し
た。その後、実施例６２と同様に下地層上に順次磁性
層、保護層、及び潤滑層を形成して磁気ディスクを得
た。そして、実施例６２と同様にして保磁力、記録再生
出力、及び媒体ノイズを測定した。その結果、保磁力、
記録再生出力、及び媒体ノイズはそれぞれ２６００Ｏ
ｅ、２３０μＶ、及び４．９０μＶｒｍｓであった。

【００６０】このようにして、下地層におけるＭｏ濃度
を上方に向って順次増加するようにしても同様に良好な
磁気特性を得ることができる。

【００６１】（実施例６５）投入電力密度を２．５Ｗ／
ｃｍ²とし、他の条件は実施例６２と同様にしてＲＦマ
グネトロン装置を用い、Ｃｒターゲット、Ｃｒ₉₅Ｍｏ₃
Ｚｒ₂ターゲット、Ｃｒ₉₀Ｍｏ₈Ｚｒ₂ターゲット、Ｃ
ｒ₈₅Ｍｏ₁₃Ｚｒ₂ターゲット、及びＣｒ₈₀Ｍｏ₁₈Ｚｒ₂
ターゲットを同時に放電させて、基板上にＣｒ、Ｃｒ₉₅
Ｍｏ₃Ｚｒ₂、Ｃｒ₉₀Ｍｏ₈Ｚｒ₂、Ｃｒ₈₅Ｍｏ₁₃Ｚｒ
₂、及びＣｒ₈₀Ｍｏ₁₈Ｚｒ₂の順に膜が形成されるよう
に基板をＲＦマグネトロン装置内で順次搬送する。これ
によって、基板上に膜厚１５００オングストロームの下
地層を形成した。このようにして、Ｍｏ濃度が異なるタ
ーゲットに対して基板を順次搬送することによって、下
地層では上方に向かって順次Ｍｏ濃度が増加することに
なる。その後、実施例６２と同様に下地層上に順次磁性
層、保護層、及び潤滑層を形成して磁気ディスクを得
た。そして、実施例６２と同様にして保磁力、記録再生
出力、及び媒体ノイズを測定した。その結果、保磁力、
記録再生出力、及び媒体ノイズはそれぞれ２６３０Ｏ
ｅ、２２５μＶ、及び４．８８μＶｒｍｓであった。

【００６２】このように、順次Ｍｏ濃度が増加する複数
の膜を用いて下地層を形成するようにしても良好な磁気
特性が得られる。

【００６３】なお、上述の実施例では下地層において基
板から磁性層に向う方向にＭｏ濃度を増加させるように
したが、Ｍｏに限らず、Ｃｒ又はＺｒ濃度を変化させる
ようにしてもよい。

【００６４】以上の実施例から明らかなように、下地層
としては少なくともＣｒ及びＭｏが含まれることが必要
であり、例えば、下地層がＣｒと及びＭｏで構成させる
場合、十分な保磁力を得るためには、その割合はＣｒ
_100-xＭｏ_x（１≦ｘ≦９０）であることが望ましく、
特に、１０≦ｘ≦８０であることが好ましい。

【００６５】また、磁性層としては少なくともＣｏ及び
Ｐｔが含まれることが必要であり、例えば、下地層がＣ
ｏ及びＰｔで構成させる場合、十分な保磁力を得るため
には、その割合はＣｒ_100-yＭｏ_y（５≦ｙ≦３０）で
あることが望ましい。

【００６６】さらに、磁性層にＣｏ及びＰｔの他にＭｏ
を添加すると、残留磁化（Ｍｒ）が低下する傾向にある
けれども、媒体ノイズが低減されてＳ／Ｎ比が高くな
る。残留磁化の低減による出力の低下を必要最小限に抑
えるためには、Ｃｏ、Ｐｔ、及びＭｏの割合は、Ｃｏ
_100-y-zＰｔ_yＭｏ_z（ａｔ％）（５≦ｙ≦３０、０＜
ｚ≦３０）であることが望ましく、特に、５≦ｙ≦３
０、５≦ｚ≦２０であることが好ましい。

【００６７】加えて、上述の実施例から明らかなよう
に、下地層にはさらに他の成分を添加してもよい。例え
ば、Ｗ、Ｂ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｒｅ、Ｃ
ｕ、Ｚｒ、Ｚｎ、Ｐ、Ｓｉ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｈｆ、Ａｌ、
及びＴｉのうち少なくとも一種をさらに含有するように
してもよい。そして、十分な保磁力を得るためには、こ
れら添加成分の添加量は３０ａｔ％以下とすることが望
ましい。Ｃｕ、Ｚｒ、Ｂ、Ｚｎ、Ｔａ、及びＮｂを添加
することによって媒体ノイズが低減できる（つまり、Ｓ
／Ｎ比を高くすることができる）。特に、Ｚｒを添加す
ることによって、媒体ノイズ低減上の効果が大きい。

【００６８】また、磁性層には、例えば、Ｔａ、Ｂ、Ｃ
ｒ、Ｏ、Ｎ、Ｎｂ、Ｍｎ、Ｚｎ、Ｗ、Ｐｂ、Ｒｅ、Ｖ、
及びＺｒのうち少なくとも一種を添加するようにしても
よい。そして、十分な保磁力を得るためには、これら添
加成分の添加量は３０ａｔ％以下とすることが望まし
い。

【００６９】上述の実施例では非磁性基板としてガラス
基板を用いたが、非磁性であれば特に限定する必要はな
く、例えば、結晶化ガラス基板及びアルミニウム基板も
用いることができる。

【００７０】保護層を形成する場合には保護層の種類は
特に限定されず、単層又は複層からなる保護層を設けて
もよい。この保護層としては、例えば、酸化ケイ素（Ｓ
ｉＯ₂）、カーボン（Ｃ）、酸化ジルコニウム（ＺｒＯ
₂）、窒化ケイ素（Ｓｉ₃Ｎ₄）、窒化ホウ素（Ｂ
Ｎ）、クロム（Ｃｒ）、及びクロムモリブデン合金（Ｃ
ｒＭｏ）が用いられるが、特に、下地層と同一の組成を
有する保護層、例えば、Ｃｒ及びＭｏを含む金属を用い
ることが拡散効果を磁性層の上下から発生させる点にお
いて望ましい。

【００７１】潤滑層を形成する際には潤滑層の種類は特
に限定されず、例えば、パーフルオロポリエーテル、脂
肪酸、脂肪酸アミド、脂肪酸エステル、及びフルオロカ
ーボンを単品又は混合物として用いてもよい。

【００７２】

【発明の効果】以上説明したように、本発明による磁気
記録媒体では保磁力及び残留磁化膜厚積を高くすること
ができるばかりでなく耐腐食性を高くすることができる
という効果がある。特に、磁性層にＣｏ、Ｐｔ、及びＭ
ｏを含むことによって、高線記録密度において高記録再
生出力が得られるばかりでなく媒体ノイズを低減させる
ことができる。この結果、高線記録密度において記録再
生時のＳ／Ｎ比を向上させることができるという効果が
ある。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明による磁気記録媒体の一実施例を示す断
面図である。

【図２】本発明による磁気記録媒体において磁性層とし
てＣｏ₈₂Ｐｔ₁₈（◎）及びＣｏ₇₄Ｐｔ₁₈Ｍｏ₈（○）
（ａｔ％）を用い下地層（ＣｒＭｏ）におけるＭｏ含有
量を変化させた際の保磁力の変化を示す図である。

【図３】本発明における磁気記録媒体において磁性層と
してＣｏ₇₄Ｐｔ₁₈Ｍｏ₈（ａｔ％）を用い下地層（Ｃｒ
ＭｏＺｒ）を用いＭｏを９ａｔ％（◇）及び１８ａｔ％
（◆）として下地層におけるＭｏ含有量を変化させた際
の保磁力の変化を示す図である。

【図４】耐蝕性試験における試験時間と飽和磁化との関
係を示す図である。

【符号の説明】

１ガラス基板２下地層３磁性層４保護層５潤滑層６磁気記録媒体

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者野沢順東京都新宿区中落合２丁目７番５号ホーヤ株式会社内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】非磁性基板と、該非磁性基板上に形成さ
れた下地層と、該下地層上に形成された磁性層とを有す
る磁気記録媒体であって、前記下地層にはＣｒ及びＭｏ
が含まれ、前記磁性層にはＣｏ及びＰｔが含まれている
ことを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項２】請求項１に記載された磁気記録媒体にお
いて、前記磁性層にはさらにＭｏが含まれていることを
特徴とする磁気記録媒体。
【請求項３】請求項２に記載された磁気記録媒体にお
いて、前記磁性層にはさらにＴａ、Ｂ、Ｃｒ、Ｏ、Ｎ、
Ｎｂ、Ｍｎ、Ｚｎ、Ｗ、Ｐｂ、Ｒｅ、Ｖ、及びＺｒのう
ち少なくとも一種が含まれていることを特徴とする磁気
記録媒体。
【請求項４】請求項１乃至３のいずれかに記載された
磁気記録媒体において、前記下地層にはさらにＷ、Ｂ、
Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｒｅ、Ｃｕ、Ｚｒ、Ｚ
ｎ、Ｐ、Ｓｉ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｈｆ、Ａｌ、Ｔｉのうち少
なくとも一種が含まれていることを特徴とする磁気記録
媒体。
【請求項５】請求項１乃至４のいずれかに記載された
磁気記録媒体において、前記下地層では前記非磁性基板
から前記磁性層に向かう方向にＭｏ濃度が増加するよう
にしたことを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項６】請求項１乃至５のいずれかに記載された
磁気記録媒体において、前記磁性層上にはさらに保護層
が形成されており、該保護層にはＣｒ及びＭｏが含まれ
ていることを特徴とする磁気記録媒体。