JPH06215705A - 真空管及びセラミック素子と導電素子とを相互接続する方法 - Google Patents
真空管及びセラミック素子と導電素子とを相互接続する方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 真空管内のセラミック素子と導電素子との間
の接続部を耐熱性でガスを発生しないものとすることに
ある。 【構成】 セラミック素子と導電素子との間に、銀と充
填材から成る第１被膜と、銀、金又は銅から成る第２被
膜とから成る導電接続部を形成する。上記の両被膜を拡
散接合により接合する。
の接続部を耐熱性でガスを発生しないものとすることに
ある。 【構成】 セラミック素子と導電素子との間に、銀と充
填材から成る第１被膜と、銀、金又は銅から成る第２被
膜とから成る導電接続部を形成する。上記の両被膜を拡
散接合により接合する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、被膜が設けられたセラ
ミック素子と、導電性素子と、前記被膜と前記導電性素
子との間の接続部とを具える真空管に関するものであ
る。このような真空管は特にテレビジョンレシーバ、コ
ンピュータモニタ及びオッシロスコープに使用されてい
る。
ミック素子と、導電性素子と、前記被膜と前記導電性素
子との間の接続部とを具える真空管に関するものであ
る。このような真空管は特にテレビジョンレシーバ、コ
ンピュータモニタ及びオッシロスコープに使用されてい
る。
【０００２】
【従来の技術】このタイプの真空管は米国特許第４２９
８８１８号から既知である。この特許では、セラミック
素子はセラミック支持体から成り、被膜はこの支持体上
に設けられた金属化パターンから成り、導電性素子は電
子銃の電極であり、且つ接続部は電子銃の電極と金属化
パターンとの間のはんだ接合部から成る。
８８１８号から既知である。この特許では、セラミック
素子はセラミック支持体から成り、被膜はこの支持体上
に設けられた金属化パターンから成り、導電性素子は電
子銃の電極であり、且つ接続部は電子銃の電極と金属化
パターンとの間のはんだ接合部から成る。
【０００３】真空管の製造時には種々の工程において約
４００℃にのぼる温度が発生する。このような温度は電
極と金属化パターンとの間のはんだ接合部に損傷を与
え、真空管の破壊を生じ得る。また、このような温度で
ははんだ接合部がガスを放出して真空管内のガス圧力を
上昇し、真空管のライフサイクルに悪影響を与え得る。
更に、はんだ付けはかなり時間がかかり費用がかかる作
業である。以後、“導電性”とは、別にことわらない限
り、電気的に導電性であることを意味する。
４００℃にのぼる温度が発生する。このような温度は電
極と金属化パターンとの間のはんだ接合部に損傷を与
え、真空管の破壊を生じ得る。また、このような温度で
ははんだ接合部がガスを放出して真空管内のガス圧力を
上昇し、真空管のライフサイクルに悪影響を与え得る。
更に、はんだ付けはかなり時間がかかり費用がかかる作
業である。以後、“導電性”とは、別にことわらない限
り、電気的に導電性であることを意味する。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、これ
ら問題の一つ以上が解消された、セラミック素子と導電
性素子との間の接続部を有する真空管を提供することに
ある。
ら問題の一つ以上が解消された、セラミック素子と導電
性素子との間の接続部を有する真空管を提供することに
ある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】この目的のために、本発
明は、被膜が設けられたセラミック素子と、導電性素子
と、前記被膜と前記導電性素子との管の接続部とを具え
る真空管において、前記被膜と前記接続部のアセンブリ
が第１の金属と充填材とから成る第１被膜と第２の金属
から成る第２被膜とを具え、第１及び第２被膜が拡散接
合により互いに接合されていることを特徴とする。
明は、被膜が設けられたセラミック素子と、導電性素子
と、前記被膜と前記導電性素子との管の接続部とを具え
る真空管において、前記被膜と前記接続部のアセンブリ
が第１の金属と充填材とから成る第１被膜と第２の金属
から成る第２被膜とを具え、第１及び第２被膜が拡散接
合により互いに接合されていることを特徴とする。
【０００６】前記拡散接合は上述した温度に耐え、且つ
殆どガスを放出しない。第１及び第２の金属は銅、金及
び銀から成る群の元素とするのが好ましい。この場合に
は比較的低い温度での拡散接合が可能になる。本発明の
好適例では、第１及び第２の金属は銀及び金から成る群
の元素とする。これら元素は酸化を受けず、第１及び第
２被膜間の接合が一層良好になると共に拡散接合を形成
する作業が簡単になる。第１及び第２の金属は同一の元
素、例えば、銀にすることができるが、異なる元素、例
えば銀及び金にすることもできる。
殆どガスを放出しない。第１及び第２の金属は銅、金及
び銀から成る群の元素とするのが好ましい。この場合に
は比較的低い温度での拡散接合が可能になる。本発明の
好適例では、第１及び第２の金属は銀及び金から成る群
の元素とする。これら元素は酸化を受けず、第１及び第
２被膜間の接合が一層良好になると共に拡散接合を形成
する作業が簡単になる。第１及び第２の金属は同一の元
素、例えば、銀にすることができるが、異なる元素、例
えば銀及び金にすることもできる。
【０００７】第１の金属と充填材から成る第１被膜は簡
単な方法、例えば金属含有ガラスペーストの第１被膜を
スクリーン印刷又はスタンピングし、次いでアニールす
ることにより設けることができる。第１被膜内の充填材
は例えばガラスとする。第２の金属から成る第２被膜
は、例えば電気めっき又は真空蒸着により設けられた金
属被膜とする。ガラスペーストは、例えば銀を含有する
ものとすることができ、第２被膜は銅から成るものとす
ることができる。
単な方法、例えば金属含有ガラスペーストの第１被膜を
スクリーン印刷又はスタンピングし、次いでアニールす
ることにより設けることができる。第１被膜内の充填材
は例えばガラスとする。第２の金属から成る第２被膜
は、例えば電気めっき又は真空蒸着により設けられた金
属被膜とする。ガラスペーストは、例えば銀を含有する
ものとすることができ、第２被膜は銅から成るものとす
ることができる。
【０００８】第１及び第２被膜を、例えば約４００〜５
００℃の温度で互いに加圧すると、第１被膜の第１の金
属、例えば銀と第２被膜の第２の金属、例えば銅とが拡
散接合を形成する。拡散接合は高温に耐えることができ
る。
００℃の温度で互いに加圧すると、第１被膜の第１の金
属、例えば銀と第２被膜の第２の金属、例えば銅とが拡
散接合を形成する。拡散接合は高温に耐えることができ
る。
【０００９】第１被膜はセラミック素子に被着するのが
好ましい。第１被膜とセラミック素子の熱膨張係数の差
は一般にかなり小さい。これがため、第１被膜とセラミ
ック素子との間に生ずる熱応力がかなり小さくなる。従
って、第１被膜がセラミック素子から剥がれる惧れが小
さくなる。充填材がガラスである場合には、一般に第１
被膜を、これを設けた後に、高温度（５００〜９００
℃）でアニールする。セラミック素子はこの温度に耐え
ることができる。充填材は第１被膜をセラミック素子に
接着する接着剤としても作用する。充填剤としては、酸
化物、例えばガラスが好ましい。酸化物はセラミック材
料に良好に接着する。
好ましい。第１被膜とセラミック素子の熱膨張係数の差
は一般にかなり小さい。これがため、第１被膜とセラミ
ック素子との間に生ずる熱応力がかなり小さくなる。従
って、第１被膜がセラミック素子から剥がれる惧れが小
さくなる。充填材がガラスである場合には、一般に第１
被膜を、これを設けた後に、高温度（５００〜９００
℃）でアニールする。セラミック素子はこの温度に耐え
ることができる。充填材は第１被膜をセラミック素子に
接着する接着剤としても作用する。充填剤としては、酸
化物、例えばガラスが好ましい。酸化物はセラミック材
料に良好に接着する。
【００１０】本発明は１つの第１被膜と１つの第２被膜
を具えるアセンブリに限定されない。また、上述した第
１及び第２被膜は同一の形にする必要はない。セラミッ
ク素子に複数の第１被膜及び／又は複数の第２被膜を設
けることができる。２以上の第２又は第１被膜を１つの
同一の第１又は第２被膜に接合して、例えば２以上の導
電性素子のための導電接続部を１つの第１被膜に設ける
ことができる。一例では、真空管は少なくとも１つの電
子ビームを発生する電子銃を具えた陰極線管であり、そ
の電子銃は前記セラミック素子を具えている。
を具えるアセンブリに限定されない。また、上述した第
１及び第２被膜は同一の形にする必要はない。セラミッ
ク素子に複数の第１被膜及び／又は複数の第２被膜を設
けることができる。２以上の第２又は第１被膜を１つの
同一の第１又は第２被膜に接合して、例えば２以上の導
電性素子のための導電接続部を１つの第１被膜に設ける
ことができる。一例では、真空管は少なくとも１つの電
子ビームを発生する電子銃を具えた陰極線管であり、そ
の電子銃は前記セラミック素子を具えている。
【００１１】陰極線管の製造時に電子銃は陰極線管内に
収納され、その後の種々の製造工程中に４００℃にのぼ
る温度が発生する。特に電子銃の接続についてはこのよ
うな温度でも陰極線管内の真空に悪影響を与えない接続
部を形成する必要がある。はんだ接合部はガスを発生す
る。電子銃は１以上の電極を具えている。これら電極の
ライフサイクルは陰極線管内の残留ガスによりかなり影
響され、残留ガスが陰極近くで発生される場合に著しく
影響される。更に、はんだ接合部は上述の４００℃より
遥かに高い温度で溶融するタイプのはんだで形成して陰
極線管の製造中に接続部が損傷されないようにする必要
がある。従って、接続部の形成時の温度が高くなる。そ
して、冷却時に熱応力が発生し、これにより例えば電子
銃の電極のひずみが生じ得る。これは電極間の間隔の変
化を生じ、電子銃の品質に悪影響を与える。
収納され、その後の種々の製造工程中に４００℃にのぼ
る温度が発生する。特に電子銃の接続についてはこのよ
うな温度でも陰極線管内の真空に悪影響を与えない接続
部を形成する必要がある。はんだ接合部はガスを発生す
る。電子銃は１以上の電極を具えている。これら電極の
ライフサイクルは陰極線管内の残留ガスによりかなり影
響され、残留ガスが陰極近くで発生される場合に著しく
影響される。更に、はんだ接合部は上述の４００℃より
遥かに高い温度で溶融するタイプのはんだで形成して陰
極線管の製造中に接続部が損傷されないようにする必要
がある。従って、接続部の形成時の温度が高くなる。そ
して、冷却時に熱応力が発生し、これにより例えば電子
銃の電極のひずみが生じ得る。これは電極間の間隔の変
化を生じ、電子銃の品質に悪影響を与える。
【００１２】一実施例では、電子銃が第１及び第２電極
を具えている陰極線管において、第１及び第２電極に対
面するセラミック素子の部分に第１被膜を設け、セラミ
ック素子に対面する第１及び第２電極の面に第２被膜を
設ける。本例では第１及び第２電極はセラミック素子と
の拡散接合により簡単に相互接続され、この接合は高温
度に耐える。また、第１及び第２電極間の間隔を極めて
精密に予め決定することができる。
を具えている陰極線管において、第１及び第２電極に対
面するセラミック素子の部分に第１被膜を設け、セラミ
ック素子に対面する第１及び第２電極の面に第２被膜を
設ける。本例では第１及び第２電極はセラミック素子と
の拡散接合により簡単に相互接続され、この接合は高温
度に耐える。また、第１及び第２電極間の間隔を極めて
精密に予め決定することができる。
【００１３】第１及び第２電極を両方ともセラミック素
子の同一側面に接続することもできるが、セラミック素
子を両電極間に介挿するのが好ましい。この方が電極間
の間隔を一層精密に決めることができる。他の実施例で
は、セラミック素子を電子銃のＧ1 電極及びＧ2 電極間
に介挿し両電極に接続する。
子の同一側面に接続することもできるが、セラミック素
子を両電極間に介挿するのが好ましい。この方が電極間
の間隔を一層精密に決めることができる。他の実施例で
は、セラミック素子を電子銃のＧ1 電極及びＧ2 電極間
に介挿し両電極に接続する。
【００１４】Ｇ1 電極及びＧ2 電極間の間隔の変化はマ
イクロホニック雑音と称されている問題を生じ得る。特
にＧ1 電極及びＧ2 電極間の間隔の変化は電子ビームの
形状に大きく影響する。この問題は、これら電極間のセ
ラミック素子により実現した剛固な接続により解消され
る。他の実施例では、第１被膜をセラミック素子上に設
けられた抵抗パターンに導電的に接続させ、抵抗パター
ンに少なくとも２つの電圧を供給する手段を設け、第２
被膜をこの被膜と電極との間の導電性接続素子に接続さ
せる。
イクロホニック雑音と称されている問題を生じ得る。特
にＧ1 電極及びＧ2 電極間の間隔の変化は電子ビームの
形状に大きく影響する。この問題は、これら電極間のセ
ラミック素子により実現した剛固な接続により解消され
る。他の実施例では、第１被膜をセラミック素子上に設
けられた抵抗パターンに導電的に接続させ、抵抗パター
ンに少なくとも２つの電圧を供給する手段を設け、第２
被膜をこの被膜と電極との間の導電性接続素子に接続さ
せる。
【００１５】抵抗パターンと、この抵抗パターンに少な
くとも２つの電圧を供給する手段とで分圧器を形成する
ことができる。これにより電子銃に供給する電圧の数を
制限することができ、従ってフィードスルー素子の数を
制限することもできる。接続素子は分圧器と電子銃の１
以上の電極との間に存在する。これら接続素子は第２被
膜を介して、第１及び第２被膜間の拡散接合により分圧
器に電気的に接続する。この実施例は簡単に製造し得る
分圧器を具えた高信頼度の電子銃を提供する。本発明
は、更に、接続をかなり低い温度で、小さな面積で精密
に実現できる利点を有する。接続素子は、例えば第１被
膜と前記電極との間の導電細条とすることができる。こ
の細条の一方の端部に第２被膜を設け、この端部を第１
被膜に拡散接合により接続し、他方の端部を前記電極に
レーザ溶接により接続する。別の実施例では接続素子
を、少なくとも第１被膜に対面する側に第２被膜が設け
られ、反対側で導電細条の端部に例えばレーザ溶接によ
り接続された例えばピル状の素子とする。この導電細条
の他端を前記電極に接続する。或いは又、接続素子を例
えばＵ字形にし、セラミック素子に１以上の位置、例え
ば下面及び上面で拡散接合することもできる。この実施
例では接続素子がセラミック素子からはずれる惧れが最
小になる。
くとも２つの電圧を供給する手段とで分圧器を形成する
ことができる。これにより電子銃に供給する電圧の数を
制限することができ、従ってフィードスルー素子の数を
制限することもできる。接続素子は分圧器と電子銃の１
以上の電極との間に存在する。これら接続素子は第２被
膜を介して、第１及び第２被膜間の拡散接合により分圧
器に電気的に接続する。この実施例は簡単に製造し得る
分圧器を具えた高信頼度の電子銃を提供する。本発明
は、更に、接続をかなり低い温度で、小さな面積で精密
に実現できる利点を有する。接続素子は、例えば第１被
膜と前記電極との間の導電細条とすることができる。こ
の細条の一方の端部に第２被膜を設け、この端部を第１
被膜に拡散接合により接続し、他方の端部を前記電極に
レーザ溶接により接続する。別の実施例では接続素子
を、少なくとも第１被膜に対面する側に第２被膜が設け
られ、反対側で導電細条の端部に例えばレーザ溶接によ
り接続された例えばピル状の素子とする。この導電細条
の他端を前記電極に接続する。或いは又、接続素子を例
えばＵ字形にし、セラミック素子に１以上の位置、例え
ば下面及び上面で拡散接合することもできる。この実施
例では接続素子がセラミック素子からはずれる惧れが最
小になる。
【００１６】本発明はセラミック素子と導電性素子とを
相互接続する方法にも関し、本発明の方法では第１金属
及び充填材から成る第１被膜を前記両素子の一方に被着
し、第２金属から成る第２被膜を他方の素子に被着し、
第１及び第２被膜を互いに加圧して拡散接合を形成す
る。本発明の方法を使用すると、耐熱性の接続を簡単に
得ることができる。
相互接続する方法にも関し、本発明の方法では第１金属
及び充填材から成る第１被膜を前記両素子の一方に被着
し、第２金属から成る第２被膜を他方の素子に被着し、
第１及び第２被膜を互いに加圧して拡散接合を形成す
る。本発明の方法を使用すると、耐熱性の接続を簡単に
得ることができる。
【００１７】第１及び第２金属は銅、金及び銀から成る
群から選択するのが好ましい。この場合には、かなり低
い温度（例えば約４００℃〜５００℃）での急速な拡散
が可能になる。本発明の方法の好適例では、第１及び第
２金属を銀及び金から成る群から選択する。これら金属
は酸化せず、第１及び第２被膜間の接合が向上する。
群から選択するのが好ましい。この場合には、かなり低
い温度（例えば約４００℃〜５００℃）での急速な拡散
が可能になる。本発明の方法の好適例では、第１及び第
２金属を銀及び金から成る群から選択する。これら金属
は酸化せず、第１及び第２被膜間の接合が向上する。
【００１８】
【実施例】以下、本発明を図面を参照して実施例につき
詳細に説明する。各図は略図であって、正しい寸法比で
描いてない。また同一の素子には同一の符号を付してあ
る。
詳細に説明する。各図は略図であって、正しい寸法比で
描いてない。また同一の素子には同一の符号を付してあ
る。
【００１９】真空管１、本例ではカラー陰極線管（図
１）は表示窓３、コーン部４及びネック部５を具える排
気管器２を有している。ネック部５内には、本例では３
本の電子ビーム７，８及び９を発生する電子銃６が設け
られている。表示スクリーンの内面にはけい光スクリー
ン１０が存在する。このけい光スクリーン１０は赤、緑
及び青で発光するけい光素子のけい光パターンを有して
いる。電子ビーム７，８及び９はけい光スクリーン１０
へ進む途中で偏向ユニット１１により偏向され、けい光
スクリーン１０の前に配置された有孔板１３から成る色
選択電極１２を通過する。色選択電極１２は表示窓３に
懸垂手段１５により懸垂支持されている。３つのビーム
は色選択電極の孔を互いに対し小角度で通過し、各ビー
ムはそれぞれ１つの色のけい光素子に射突する。
１）は表示窓３、コーン部４及びネック部５を具える排
気管器２を有している。ネック部５内には、本例では３
本の電子ビーム７，８及び９を発生する電子銃６が設け
られている。表示スクリーンの内面にはけい光スクリー
ン１０が存在する。このけい光スクリーン１０は赤、緑
及び青で発光するけい光素子のけい光パターンを有して
いる。電子ビーム７，８及び９はけい光スクリーン１０
へ進む途中で偏向ユニット１１により偏向され、けい光
スクリーン１０の前に配置された有孔板１３から成る色
選択電極１２を通過する。色選択電極１２は表示窓３に
懸垂手段１５により懸垂支持されている。３つのビーム
は色選択電極の孔を互いに対し小角度で通過し、各ビー
ムはそれぞれ１つの色のけい光素子に射突する。
【００２０】図２は図１に示す陰極線管の一部の詳細を
示す斜視図である。電子銃６はＧ1電極と称されている
共通制御電極２１を具え、この電極内には３つの陰極２
２，２３及び２４が固定されている。本例ではこのＧ1
電極はブレース２５によりセラミック支持体２６に固定
されている。本例では、電子銃６は更にＧ2 電極と称さ
れている共通板状電極２７を具え、この電極はブレース
２８によりセラミック支持体２６に固定されている。本
例では、電子銃６は２つのセラミック支持体２６を具え
ている。一方の支持体は図に示されているが、他方の支
持体はこの斜視図では電子銃の下側にあって見えない。
電子銃６は更に共通電極２９〜３２を具え、これら電極
もブレースにより支持体２６に固定されている。本例で
は、支持体２６は支持材３３によりフィードスルーピン
３４に固定されている。一方又は両方の支持体２６に抵
抗パターン３５が設けられ、本例ではこの抵抗パターン
が接続線３６により２つのフィードスルーピン３４に接
続されている。一方の接続線をコーン部４の内面に設け
られた導電層に接続することもできる。接続素子３７、
本例では導電細条を電極２１〜３２に固定する。この構
成により分圧器が形成される。これら接続素子３７の端
部３８に、第２の金属、例えば銅、銀又は金から成る被
膜３９を設ける。端部３８に対応する抵抗パターンの部
分をこの端部３８に拡散接合により接続する。抵抗パタ
ーンの少なくともこれら部分は第１の金属、好ましくは
銀、金又は銅と充填材とで形成する。
示す斜視図である。電子銃６はＧ1電極と称されている
共通制御電極２１を具え、この電極内には３つの陰極２
２，２３及び２４が固定されている。本例ではこのＧ1
電極はブレース２５によりセラミック支持体２６に固定
されている。本例では、電子銃６は更にＧ2 電極と称さ
れている共通板状電極２７を具え、この電極はブレース
２８によりセラミック支持体２６に固定されている。本
例では、電子銃６は２つのセラミック支持体２６を具え
ている。一方の支持体は図に示されているが、他方の支
持体はこの斜視図では電子銃の下側にあって見えない。
電子銃６は更に共通電極２９〜３２を具え、これら電極
もブレースにより支持体２６に固定されている。本例で
は、支持体２６は支持材３３によりフィードスルーピン
３４に固定されている。一方又は両方の支持体２６に抵
抗パターン３５が設けられ、本例ではこの抵抗パターン
が接続線３６により２つのフィードスルーピン３４に接
続されている。一方の接続線をコーン部４の内面に設け
られた導電層に接続することもできる。接続素子３７、
本例では導電細条を電極２１〜３２に固定する。この構
成により分圧器が形成される。これら接続素子３７の端
部３８に、第２の金属、例えば銅、銀又は金から成る被
膜３９を設ける。端部３８に対応する抵抗パターンの部
分をこの端部３８に拡散接合により接続する。抵抗パタ
ーンの少なくともこれら部分は第１の金属、好ましくは
銀、金又は銅と充填材とで形成する。
【００２１】図３Ａは支持体２６上に設けられた抵抗パ
ターン３５の上面図である。この抵抗パターンの電圧は
始端のＶinから終端のＶout へと変化する。接続素子３
７をこの抵抗パターンに、符号４０〜４３で示す位置で
接続する。拡散により形成された接合は高温に耐える。
図３Ｂは接合部の断面図である。本例では、抵抗パター
ンの部分４０を第１被膜で形成し、抵抗パターン３５の
残部を抵抗材料で形成する。
ターン３５の上面図である。この抵抗パターンの電圧は
始端のＶinから終端のＶout へと変化する。接続素子３
７をこの抵抗パターンに、符号４０〜４３で示す位置で
接続する。拡散により形成された接合は高温に耐える。
図３Ｂは接合部の断面図である。本例では、抵抗パター
ンの部分４０を第１被膜で形成し、抵抗パターン３５の
残部を抵抗材料で形成する。
【００２２】本発明はこの実施例に限定されない。他の
実施例では、蛇行抵抗パターンを抵抗材料、例えば極め
て少量の導電材料（例えばＲｕＯ2 ）を含有するガラス
で形成し、蛇行抵抗パターンの種々の位置に抵抗材料の
枝路を設け、これら枝路の端部を第１被膜で被覆する
か、これら支路を第１被膜で部分的に被覆することがで
きる。このような実施例では、接続素子を、例えば図３
Ｂと同様に支路の端部の第１被膜に固着することができ
る。図３Ｂに示す実施例では、第１被膜と電極との間に
一つの接続素子３７があり、この接続素子が第１被膜に
接続されている。本発明はこの実施例に限定されない。
例えば、ピル状又は板状の追加の導電性を接続素子を第
１被膜と導電性接続素子３７との間に介在させることが
できる。このような実施例では、第１被膜と対面する追
加の接続素子の面上に第２被膜を設け、第１被膜と第２
被膜を拡散接続により相互接続させる。追加の接続素子
の他の面、例えば反対側の面上に接続素子３７を例えば
レーザ溶接により接続することができる。
実施例では、蛇行抵抗パターンを抵抗材料、例えば極め
て少量の導電材料（例えばＲｕＯ2 ）を含有するガラス
で形成し、蛇行抵抗パターンの種々の位置に抵抗材料の
枝路を設け、これら枝路の端部を第１被膜で被覆する
か、これら支路を第１被膜で部分的に被覆することがで
きる。このような実施例では、接続素子を、例えば図３
Ｂと同様に支路の端部の第１被膜に固着することができ
る。図３Ｂに示す実施例では、第１被膜と電極との間に
一つの接続素子３７があり、この接続素子が第１被膜に
接続されている。本発明はこの実施例に限定されない。
例えば、ピル状又は板状の追加の導電性を接続素子を第
１被膜と導電性接続素子３７との間に介在させることが
できる。このような実施例では、第１被膜と対面する追
加の接続素子の面上に第２被膜を設け、第１被膜と第２
被膜を拡散接続により相互接続させる。追加の接続素子
の他の面、例えば反対側の面上に接続素子３７を例えば
レーザ溶接により接続することができる。
【００２３】本発明は、３個以上の電極を分圧器に接続
する場合に特に重要である。図４は本発明の他の実施例
の詳細を示す断面図である。この図は特にＧ1 電極とＧ
2 電極を示す。これら電極間にはセラミックスペーサ４
１が存在する。Ｇ1及びＧ2 電極に対面するセラミック
スペーサ４１の面４２及び４３に、例えば銀及び充填材
から成る被膜４４を設ける。セラミックスペーサに対面
するＧ1 電極及びＧ2 電極の面４５及び４６に、銅、銀
又は金から成る被膜４７を設ける。被膜４４及び４７を
拡散により相互接続する。この図ではこれら被膜の厚さ
を正しい寸法比で描いてない。Ｇ1 及びＧ2 電極は支持
体２６に個々に接続することができる。
する場合に特に重要である。図４は本発明の他の実施例
の詳細を示す断面図である。この図は特にＧ1 電極とＧ
2 電極を示す。これら電極間にはセラミックスペーサ４
１が存在する。Ｇ1及びＧ2 電極に対面するセラミック
スペーサ４１の面４２及び４３に、例えば銀及び充填材
から成る被膜４４を設ける。セラミックスペーサに対面
するＧ1 電極及びＧ2 電極の面４５及び４６に、銅、銀
又は金から成る被膜４７を設ける。被膜４４及び４７を
拡散により相互接続する。この図ではこれら被膜の厚さ
を正しい寸法比で描いてない。Ｇ1 及びＧ2 電極は支持
体２６に個々に接続することができる。
【００２４】図５Ａ及び５Ｂは本発明による陰極線管の
他の実施例の詳細を示す上面図である。本例ではＧ1 及
びＧ2 電極はアセンブリを構成し、セラミックスペーサ
により相互接続されている。
他の実施例の詳細を示す上面図である。本例ではＧ1 及
びＧ2 電極はアセンブリを構成し、セラミックスペーサ
により相互接続されている。
【００２５】本例ではＧ2 電極は板状であり、３つの孔
５１，５２及び５３を有している。Ｇ1 電極とＧ2 電極
との間にセラミックスペーサ５０が設けられ、このスペ
ーサはクロスピースで相互接続された３つの部分、本例
では６角形の部分５４〜５６を具えている。これら部分
５４〜５６の各々は孔５８を有している。Ｇ2 電極は、
孔５１〜５３に対するこれら部分５４〜５６の位置を決
定するアライメント手段、本例ではピン５９を有してい
る。図５Ａはセラミックスペースを具えたＧ2電極を示
す。図５Ｂは、Ｇ1 電極６０がスペース上に固定される
ことを示す。Ｇ 1 電極はクロスピース６４で相互接続さ
れた３つの部分６１〜６３を具えている。これら部分６
１〜６３の各々は孔６５を有している。Ｇ1 及びＧ2 電
極はセラミックスペーサ５０に、セラミックスペーサ上
に設けられた第１の金属を含有するガラスの被膜とこれ
ら電極に設けられた第２の金属の被膜との間の拡散接合
により接続する。第１の金属は例えば銀とすることがで
き、第２の金属は例えば金とすることができる。セラミ
ック素子は主としてＡｌ2 Ｏ3 から成るものとするのが
好ましい。
５１，５２及び５３を有している。Ｇ1 電極とＧ2 電極
との間にセラミックスペーサ５０が設けられ、このスペ
ーサはクロスピースで相互接続された３つの部分、本例
では６角形の部分５４〜５６を具えている。これら部分
５４〜５６の各々は孔５８を有している。Ｇ2 電極は、
孔５１〜５３に対するこれら部分５４〜５６の位置を決
定するアライメント手段、本例ではピン５９を有してい
る。図５Ａはセラミックスペースを具えたＧ2電極を示
す。図５Ｂは、Ｇ1 電極６０がスペース上に固定される
ことを示す。Ｇ 1 電極はクロスピース６４で相互接続さ
れた３つの部分６１〜６３を具えている。これら部分６
１〜６３の各々は孔６５を有している。Ｇ1 及びＧ2 電
極はセラミックスペーサ５０に、セラミックスペーサ上
に設けられた第１の金属を含有するガラスの被膜とこれ
ら電極に設けられた第２の金属の被膜との間の拡散接合
により接続する。第１の金属は例えば銀とすることがで
き、第２の金属は例えば金とすることができる。セラミ
ック素子は主としてＡｌ2 Ｏ3 から成るものとするのが
好ましい。
【００２６】図６Ａ及び６Ｂは本発明によるセラミック
素子と導電素子の相互接続方法を示すものである。セラ
ミック素子７１上に第１の金属を含有する被膜７２、例
えば銀含有ガラスペーストであるデュポンコンダクタコ
ンポジションＮｏ．６６１０ＱＳ１７５及びＱＭ１４を
設ける。他の好適なガラスペーストの例は、金を含有す
るデュポンコンダクタコンポジションＮｏ．９９１０及
び銅を含有するＱＳ１９０及びＱＰ１５２である。銅含
有ペーストは不活性ガス（例えば窒素）内で、金又は銀
含有ガラスペースの場合より高い温度でアニールする必
要がある。前記第１被膜７２は、例えばスクリーン印
刷、スタンピング又は転写により設けることができる。
次に、この被膜を例えば１３０℃の温度で約１０分間乾
燥させ、斯かる後に例えば約８５０℃の温度で約１０分
間アニールする。これにより被膜７２はセラミック素子
７１に結合する。セラミック素子７１は主としてＡｌ2
Ｏ3 から成るものとするのが好ましい。この材料は高温
度に耐えるとともにあらゆる種類の形状を容易に与える
ことができる。充填材は第１の金属を含有する被膜７２
をセラミック素子７１に接着させる接着剤としても作用
するものとするのが好ましい。充填材は、例えばガラス
のような酸化物とする。酸化物はＡｌ2 Ｏ3 のようなセ
ラミック材料に良好に接着する。
素子と導電素子の相互接続方法を示すものである。セラ
ミック素子７１上に第１の金属を含有する被膜７２、例
えば銀含有ガラスペーストであるデュポンコンダクタコ
ンポジションＮｏ．６６１０ＱＳ１７５及びＱＭ１４を
設ける。他の好適なガラスペーストの例は、金を含有す
るデュポンコンダクタコンポジションＮｏ．９９１０及
び銅を含有するＱＳ１９０及びＱＰ１５２である。銅含
有ペーストは不活性ガス（例えば窒素）内で、金又は銀
含有ガラスペースの場合より高い温度でアニールする必
要がある。前記第１被膜７２は、例えばスクリーン印
刷、スタンピング又は転写により設けることができる。
次に、この被膜を例えば１３０℃の温度で約１０分間乾
燥させ、斯かる後に例えば約８５０℃の温度で約１０分
間アニールする。これにより被膜７２はセラミック素子
７１に結合する。セラミック素子７１は主としてＡｌ2
Ｏ3 から成るものとするのが好ましい。この材料は高温
度に耐えるとともにあらゆる種類の形状を容易に与える
ことができる。充填材は第１の金属を含有する被膜７２
をセラミック素子７１に接着させる接着剤としても作用
するものとするのが好ましい。充填材は、例えばガラス
のような酸化物とする。酸化物はＡｌ2 Ｏ3 のようなセ
ラミック材料に良好に接着する。
【００２７】次に、銀、金又は銅を含有する被膜７４を
有する導電素子７３を被膜７２上に、被膜７２及び７４
が互いに接触するように配置する（図６Ｂ）。次に、上
昇させた温度、例えば約４００℃〜５００℃の範囲の温
度で拡散接合を形成する。両被膜を拡散接合の形成中約
５００ａｔｍの圧力で互いに加圧するのが好ましい。図
示の方法は上述した陰極線管の製造に使用し得るが、こ
れに限定されない。例えば、この方法により、高温に耐
える接続を分圧器に形成することができる。本発明にお
いては多くの変形や変更が可能であること明らかであ
る。
有する導電素子７３を被膜７２上に、被膜７２及び７４
が互いに接触するように配置する（図６Ｂ）。次に、上
昇させた温度、例えば約４００℃〜５００℃の範囲の温
度で拡散接合を形成する。両被膜を拡散接合の形成中約
５００ａｔｍの圧力で互いに加圧するのが好ましい。図
示の方法は上述した陰極線管の製造に使用し得るが、こ
れに限定されない。例えば、この方法により、高温に耐
える接続を分圧器に形成することができる。本発明にお
いては多くの変形や変更が可能であること明らかであ
る。
【図１】陰極線管の断面図である。
【図２】本発明による陰極線管の一実施例の一部分の詳
細斜視図である。
細斜視図である。
【図３】Ａ及びＢは図２に示す陰極線管の更に詳細な上
面図及び断面図である。
面図及び断面図である。
【図４】本発明による陰極線管の他の実施例の一部分の
断面図である。
断面図である。
【図５】Ａ及びＢは図４に示す陰極線管の一部分を更に
詳細に示す図である。
詳細に示す図である。
【図６】Ａ及びＢは本発明方法の工程を示す図である。
２１，２７，２９〜３２ 電子銃の電極 ２６ セラミック支持体 ３５ 抵抗パターン ３７ 接続素子 ３８ 端部 ３９ 第２被膜 ４０ 第１被膜部分 ｇ1 ，ｇ2 電極 ４１ セラミックスペーサ ４４ 第１被膜 ４７ 第２被膜 ５０ セラミックスペーサ ５９ 位置決めピン ６０ Ｇ2 電極 ７１ セラミック素子 ７２ 第１被膜 ７３ 導電性素子 ７４ 第２被膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 テオドールス ヘンリクス マリア ステ フェンス オランダ国 5621 ベーアー アインドー フェン フルーネヴァウツウェッハ １ (72)発明者 ヨセフス ヨハネス ファン ムールセル オランダ国 5621 ベーアー アインドー フェン フルーネヴァウツウェッハ １
Claims (12)
- 【請求項１】 被膜が設けられたセラミック素子と、導
電性素子と、前記被膜と前記導電性素子との間の接続部
とを具える真空管において、前記被膜と前記接続部のア
センブリが第１の金属と充填材とから成る第１被膜と第
２の金属から成る第２被膜とを具え、第１及び第２被膜
が拡散接合により互いに接合されていることを特徴とす
る真空管。 - 【請求項２】 第１及び第２の金属は銅、金及び銀から
成る群の元素であることを特徴とする請求項１記載の真
空管。 - 【請求項３】 第１被膜はセラミック素子に被着されて
いることを特徴とする請求項１又は２記載の真空管。 - 【請求項４】 充填材は酸化物であることを特徴とする
請求項３記載の真空管。 - 【請求項５】 真空管が少なくとも１つの電子ビームを
発生する電子銃を具え、該電子銃がセラミック素子を具
えていることを特徴とする請求項１〜４の何れかに記載
の真空管。 - 【請求項６】 電子銃が第１及び第２電極を具え、第１
及び第２電極に対面するセラミック素子の部分に第１被
膜が設けられ、セラミック素子に対面する第１及び第２
電極の面に第２被膜が設けられていることを特徴とする
請求項５記載の真空管。 - 【請求項７】 セラミック素子が第１及び第２電極間に
介挿され、両電極に接続されていることを特徴とする請
求項６記載の真空管。 - 【請求項８】 第１被膜がセラミック素子上の抵抗パタ
ーンに導電的に接続され、当該真空管はこの抵抗パター
ンに少なくとも２つの電圧を供給する手段を具え、第２
被膜がこの被膜と電子銃の電極との間の導電性接続素子
に導電的に接続されていることを特徴とする請求項５記
載の真空管。 - 【請求項９】 セラミック素子と導電性素子とを相互接
続する方法において、第１の金属と充填材とから成る第
１被膜を前記両素子の一方に被着し、第２の金属から成
る第２被膜を他方の素子に被着し、次に第１及び第２被
膜を互いに加圧して拡散接合を形成することを特徴とす
る相互接続方法。 - 【請求項１０】 第１及び第２の金属は銅、金及び銀か
ら成る群から選択することを特徴とする請求項９記載の
方法。 - 【請求項１１】 第１被膜はセラミック素子に被着する
ことを特徴とする請求項９又は１０記載の方法。 - 【請求項１２】 第１被膜はスクリーン印刷により被着
することを特徴とする請求項９〜１１の何れかに記載の
方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| EP92203361 | 1992-11-02 | ||
| NL92203361:8 | 1992-11-02 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06215705A true JPH06215705A (ja) | 1994-08-05 |
Family
ID=8211011
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5272318A Pending JPH06215705A (ja) | 1992-11-02 | 1993-10-29 | 真空管及びセラミック素子と導電素子とを相互接続する方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US5479067A (ja) |
| JP (1) | JPH06215705A (ja) |
| DE (1) | DE69313399T2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006519471A (ja) * | 2003-03-03 | 2006-08-24 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | Ｘ線管陰極アセンブリ及び界面反応接合プロセス |
| JP2010061936A (ja) * | 2008-09-03 | 2010-03-18 | Hitachi High-Technologies Corp | 荷電粒子ビーム用軌道補正器、および荷電粒子ビーム用軌道補正器の製作方法 |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| BE1007285A3 (nl) * | 1993-07-13 | 1995-05-09 | Philips Electronics Nv | Kathodestraalbuis. |
| JPH09320484A (ja) * | 1996-05-30 | 1997-12-12 | Sony Corp | 電子銃及び陰極線管 |
| JPH10255682A (ja) * | 1997-03-14 | 1998-09-25 | Sony Corp | 陰極線管 |
| KR20010089715A (ko) * | 1999-10-27 | 2001-10-08 | 요트.게.아. 롤페즈 | 음극선관용 전자총과 그 전자총이 제공된 음극선관 |
| JP2001307654A (ja) * | 2000-04-20 | 2001-11-02 | Toshiba Corp | カラー陰極線管 |
| US6938817B2 (en) * | 2003-03-30 | 2005-09-06 | Litton Systems, Inc. | Diffusion bonding method for microchannel plates |
| JP2006522453A (ja) * | 2003-03-31 | 2006-09-28 | リットン・システムズ・インコーポレイテッド | マイクロチャネルプレートの接合方法 |
| US20070236861A1 (en) * | 2006-04-05 | 2007-10-11 | Burdon Jeremy W | Implantable co-fired electrical feedthroughs |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2148888A5 (ja) * | 1971-08-09 | 1973-03-23 | Pequignot Michel | |
| US4298818A (en) * | 1979-08-29 | 1981-11-03 | Rca Corporation | Electron gun |
| EP0162466B1 (en) * | 1984-05-24 | 1990-01-17 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Resistor assemblybuilt into an electron tube |
| US4633130A (en) * | 1985-05-17 | 1986-12-30 | Rca Corporation | Multibeam electron gun having a transition member and method for assembling the electron gun |
| US4837928A (en) * | 1986-10-17 | 1989-06-13 | Cominco Ltd. | Method of producing a jumper chip for semiconductor devices |
| NL8701212A (nl) * | 1987-05-21 | 1988-12-16 | Philips Nv | Werkwijze voor het bevestigen van elektroden van een elektronenkanon aan dragers. |
-
1993
- 1993-10-27 DE DE69313399T patent/DE69313399T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1993-10-29 JP JP5272318A patent/JPH06215705A/ja active Pending
- 1993-11-01 US US08/146,513 patent/US5479067A/en not_active Expired - Fee Related
-
1995
- 1995-06-07 US US08/487,618 patent/US5573173A/en not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006519471A (ja) * | 2003-03-03 | 2006-08-24 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | Ｘ線管陰極アセンブリ及び界面反応接合プロセス |
| JP2010061936A (ja) * | 2008-09-03 | 2010-03-18 | Hitachi High-Technologies Corp | 荷電粒子ビーム用軌道補正器、および荷電粒子ビーム用軌道補正器の製作方法 |
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| Publication number | Publication date |
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| DE69313399D1 (de) | 1997-10-02 |
| US5573173A (en) | 1996-11-12 |
| US5479067A (en) | 1995-12-26 |
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