JPH062192A - メッキ装置 - Google Patents
メッキ装置Info
- Publication number
- JPH062192A JPH062192A JP4162472A JP16247292A JPH062192A JP H062192 A JPH062192 A JP H062192A JP 4162472 A JP4162472 A JP 4162472A JP 16247292 A JP16247292 A JP 16247292A JP H062192 A JPH062192 A JP H062192A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- plating
- substrate
- plated
- plating apparatus
- flow rate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Electroplating Methods And Accessories (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 メッキ厚の面内均一性を向上することのでき
るメッキ装置を提供する。 【構成】 噴流式メッキ装置において、被メッキ基板９
裏面の全面または一部を加熱する加熱部１０を有する構
成とする。
るメッキ装置を提供する。 【構成】 噴流式メッキ装置において、被メッキ基板９
裏面の全面または一部を加熱する加熱部１０を有する構
成とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、メッキ装置特に薄膜の
微細パターンを有する半導体装置の製造に用いる噴流式
メッキ装置に関するものである。
微細パターンを有する半導体装置の製造に用いる噴流式
メッキ装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体デバイスは情報通信機器は
もとよりあらゆる家庭電化製品に使用され、かつその高
性能化は目を見張るものがある。半導体デバイスはその
大半がＳｉデバイスであるが、最近になって高速高周波
デバイスとしてＧａＡｓ半導体デバイスが注目されてい
る。既に衛星放送用デバイスや携帯電話用デバイスとし
て実用化されており、今後あらゆる分野での応用が期待
されている。ＧａＡｓデバイスではＧａＡｓの特徴であ
る高速高周波性を損なわないため、配線には低抵抗の厚
膜Ａｕ配線が用いられており、一般的には選択メッキ法
が広く用いられている。選択メッキ法とは、被メッキ基
板のメッキ面全面に下地金属薄膜を形成し、所望の配線
パターンをフォトレジストの抜きパターンで形成した
後、メッキを行い前記配線パターン内にメッキを形成す
る。その後、フォトレジストおよびメッキ部以外の下地
金属薄膜を除去し所望のメッキ配線を形成する方法であ
る。ここで、このメッキ配線を形成するメッキ装置とし
ては、噴流式の電解メッキ装置が広く用いられている。
図７に従来の噴流式のメッキ装置の断面概略図を示す。
図７において、２１はメッキ槽、２２は噴流部、２３は
循環ポンプ、２４はメッキ液加熱用のヒーター、２５は
噴き出し口、２６はメッキ液、２７はアノード電極、２
８はカソードピン、２９は被メッキ基板である。
もとよりあらゆる家庭電化製品に使用され、かつその高
性能化は目を見張るものがある。半導体デバイスはその
大半がＳｉデバイスであるが、最近になって高速高周波
デバイスとしてＧａＡｓ半導体デバイスが注目されてい
る。既に衛星放送用デバイスや携帯電話用デバイスとし
て実用化されており、今後あらゆる分野での応用が期待
されている。ＧａＡｓデバイスではＧａＡｓの特徴であ
る高速高周波性を損なわないため、配線には低抵抗の厚
膜Ａｕ配線が用いられており、一般的には選択メッキ法
が広く用いられている。選択メッキ法とは、被メッキ基
板のメッキ面全面に下地金属薄膜を形成し、所望の配線
パターンをフォトレジストの抜きパターンで形成した
後、メッキを行い前記配線パターン内にメッキを形成す
る。その後、フォトレジストおよびメッキ部以外の下地
金属薄膜を除去し所望のメッキ配線を形成する方法であ
る。ここで、このメッキ配線を形成するメッキ装置とし
ては、噴流式の電解メッキ装置が広く用いられている。
図７に従来の噴流式のメッキ装置の断面概略図を示す。
図７において、２１はメッキ槽、２２は噴流部、２３は
循環ポンプ、２４はメッキ液加熱用のヒーター、２５は
噴き出し口、２６はメッキ液、２７はアノード電極、２
８はカソードピン、２９は被メッキ基板である。
【０００３】メッキ槽２１内でヒーター２４により一定
温度に加熱されたメッキ液２６は循環ポンプ２３により
噴流部２２を通り噴き出し口２５からメッキ槽２１内に
流れ落ちる構造となっている。メッキは、被メッキ基板
２９をメッキ面を下向きにカソードピン２８上に設置
し、噴流部２２内に設置されたアノード電極２７間に電
流を印加することにより行われる。
温度に加熱されたメッキ液２６は循環ポンプ２３により
噴流部２２を通り噴き出し口２５からメッキ槽２１内に
流れ落ちる構造となっている。メッキは、被メッキ基板
２９をメッキ面を下向きにカソードピン２８上に設置
し、噴流部２２内に設置されたアノード電極２７間に電
流を印加することにより行われる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】図７に示したような噴
流式メッキ装置では、メッキ厚の基板内ばらつきが制御
しにくく、同心円状の膜厚分布をすることが多い。図８
は３インチＧａＡｓ基板上にＡｕ配線を目標メッキ厚が
１.５μmになるようにメッキした時のウエハー面内径方
向のメッキ厚ばらつきを示したものである。図中で
（ａ）、（ｂ）、（ｃ）はメッキ液流量をそれぞれ１リ
ットル/min、２リットル/min、３リットル/minと変化さ
せた時のばらつきを示している。これより、メッキ液流
量を変化させると膜厚のばらつきは少しは変化するもの
の分布形状はほぼ同じである。このことはウエハー周辺
ではメッキ液の流れが悪くメッキ厚が小さい。一方ウエ
ハー中央部ではメッキ液の流れが良くメッキ厚が大きく
なっている。中央部でメッキ液量によりメッキ厚が異な
るのは、メッキ表面の液流量の差によるものである。ま
た図より流量が低い程ばらつきは小さいが、さらに低く
するとメッキ表面が荒れるといった異なった問題が発生
し流量にも限界がある。
流式メッキ装置では、メッキ厚の基板内ばらつきが制御
しにくく、同心円状の膜厚分布をすることが多い。図８
は３インチＧａＡｓ基板上にＡｕ配線を目標メッキ厚が
１.５μmになるようにメッキした時のウエハー面内径方
向のメッキ厚ばらつきを示したものである。図中で
（ａ）、（ｂ）、（ｃ）はメッキ液流量をそれぞれ１リ
ットル/min、２リットル/min、３リットル/minと変化さ
せた時のばらつきを示している。これより、メッキ液流
量を変化させると膜厚のばらつきは少しは変化するもの
の分布形状はほぼ同じである。このことはウエハー周辺
ではメッキ液の流れが悪くメッキ厚が小さい。一方ウエ
ハー中央部ではメッキ液の流れが良くメッキ厚が大きく
なっている。中央部でメッキ液量によりメッキ厚が異な
るのは、メッキ表面の液流量の差によるものである。ま
た図より流量が低い程ばらつきは小さいが、さらに低く
するとメッキ表面が荒れるといった異なった問題が発生
し流量にも限界がある。
【０００５】本発明では、被メッキ基板の裏面を加熱す
ることや、メッキ液の流量を調整する流量調整板を設け
ることによりメッキ厚の面内均一性を向上することので
きるメッキ装置を提供することを目的とする。
ることや、メッキ液の流量を調整する流量調整板を設け
ることによりメッキ厚の面内均一性を向上することので
きるメッキ装置を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は上記課題を解決
する為、噴流式メッキ装置において被メッキ基板裏面の
全面または一部を加熱する加熱部を有する構成とする。
また、本発明は噴流式メッキ装置において被メッキ基板
表面のメッキ液流を調整する流量調整部を具備する構成
からなる。
する為、噴流式メッキ装置において被メッキ基板裏面の
全面または一部を加熱する加熱部を有する構成とする。
また、本発明は噴流式メッキ装置において被メッキ基板
表面のメッキ液流を調整する流量調整部を具備する構成
からなる。
【０００７】
【作用】本発明は上記したように、噴流式メッキ装置に
おいて被メッキ基板裏面の全面または一部を加熱する加
熱部を有することや、被メッキ基板表面のメッキ液流を
調整する流量調整部を具備することによりメッキ厚の面
内均一性を向上させることができる。
おいて被メッキ基板裏面の全面または一部を加熱する加
熱部を有することや、被メッキ基板表面のメッキ液流を
調整する流量調整部を具備することによりメッキ厚の面
内均一性を向上させることができる。
【０００８】
【実施例】図１に本発明メッキ装置の第１の実施例を示
す。図１において、１はメッキ槽、２は噴流部、３は循
環ポンプ、４はメッキ液加熱用のヒーター、５は噴き出
し口、６はメッキ液、７はアノード電極、８はカソード
ピン、９は被メッキ基板、１０は基板加熱部っである。
基板加熱部１０は被メッキ基板９の裏面より被メッキ基
板を直接加熱するためのものである。このメッキ装置で
３インチＧａＡｓウエハーに１.５μｍ厚のメッキを行
なった。このときの基板加熱部１０の形状は３インチウ
エハーの外周１０ｍｍを加熱するもので、温度はメッキ
液温６０℃より１０℃高い７０℃とした。このときのメ
ッキ厚の面内径方向ばらつきを図２に示す。図より、ウ
エハー周辺部のメッキ厚が増加し均一性が向上している
ことがわかる。これは、ウエハー周辺部を加熱すること
によりメッキレートが増加したためである。図３にメッ
キレートの液温依存性を示す。噴流式メッキ装置の場
合、被メッキ基板中心より外周部に向かうにつれ加熱温
度を高温にすれば均一性はさらに改善することができ
る。
す。図１において、１はメッキ槽、２は噴流部、３は循
環ポンプ、４はメッキ液加熱用のヒーター、５は噴き出
し口、６はメッキ液、７はアノード電極、８はカソード
ピン、９は被メッキ基板、１０は基板加熱部っである。
基板加熱部１０は被メッキ基板９の裏面より被メッキ基
板を直接加熱するためのものである。このメッキ装置で
３インチＧａＡｓウエハーに１.５μｍ厚のメッキを行
なった。このときの基板加熱部１０の形状は３インチウ
エハーの外周１０ｍｍを加熱するもので、温度はメッキ
液温６０℃より１０℃高い７０℃とした。このときのメ
ッキ厚の面内径方向ばらつきを図２に示す。図より、ウ
エハー周辺部のメッキ厚が増加し均一性が向上している
ことがわかる。これは、ウエハー周辺部を加熱すること
によりメッキレートが増加したためである。図３にメッ
キレートの液温依存性を示す。噴流式メッキ装置の場
合、被メッキ基板中心より外周部に向かうにつれ加熱温
度を高温にすれば均一性はさらに改善することができ
る。
【０００９】図４に本発明メッキ装置の第２の実施例を
示す。図４において、１１はメッキ槽、１２は噴流部、
１３は循環ポンプ、１４はメッキ液加熱用のヒーター、
１５は噴き出し口、１６はメッキ液、１７はアノード電
極、１８はカソードピン、１９は被メッキ基板、２０は
メッキ液の流量調整部である。流量調整部２０は被メッ
キ基板１９と噴き出し口の間に設置し、被メッキ基板１
９にあたるメッキ液量を調整するためのものである。こ
のメッキ装置で３インチＧａＡｓウエハーに１.５μｍ
厚のメッキを行なった。このときの流量調整部２０の形
状は第５図に示すように薄板に多数の穴を中心から外周
に向かうにしたがい密度が高くなるように形成したもの
である。このときのメッキ厚の面内径方向ばらつきを第
６図に示す。図より、均一性が向上していることがわか
る。これは流量調整部２０により被メッキ基板表面での
メッキ液流が一様となり均一性が向上したものである。
示す。図４において、１１はメッキ槽、１２は噴流部、
１３は循環ポンプ、１４はメッキ液加熱用のヒーター、
１５は噴き出し口、１６はメッキ液、１７はアノード電
極、１８はカソードピン、１９は被メッキ基板、２０は
メッキ液の流量調整部である。流量調整部２０は被メッ
キ基板１９と噴き出し口の間に設置し、被メッキ基板１
９にあたるメッキ液量を調整するためのものである。こ
のメッキ装置で３インチＧａＡｓウエハーに１.５μｍ
厚のメッキを行なった。このときの流量調整部２０の形
状は第５図に示すように薄板に多数の穴を中心から外周
に向かうにしたがい密度が高くなるように形成したもの
である。このときのメッキ厚の面内径方向ばらつきを第
６図に示す。図より、均一性が向上していることがわか
る。これは流量調整部２０により被メッキ基板表面での
メッキ液流が一様となり均一性が向上したものである。
【００１０】本実施例では基板加熱部を基板の一部の場
合について説明したが、これはこの部分に限らず全面で
あっても良い。また、本実施例では流量調整部を多数の
穴の開いた薄板で説明したが、流量調整部はこれに限ら
ず他の形状であっても差し支えない。
合について説明したが、これはこの部分に限らず全面で
あっても良い。また、本実施例では流量調整部を多数の
穴の開いた薄板で説明したが、流量調整部はこれに限ら
ず他の形状であっても差し支えない。
【００１１】
【発明の効果】以上述べてきたように、本発明により噴
流式メッキ装置において被メッキ基板裏面の全面または
一部を加熱する加熱部を有することや、被メッキ基板表
面のメッキ液流を調整する流量調整部を具備することに
よりメッキ厚の面内均一性を向上させることができる。
流式メッキ装置において被メッキ基板裏面の全面または
一部を加熱する加熱部を有することや、被メッキ基板表
面のメッキ液流を調整する流量調整部を具備することに
よりメッキ厚の面内均一性を向上させることができる。
【図１】本発明第１の実施例を示す図
【図２】本発明の効果を示す特性図
【図３】本発明の効果を示す特性図
【図４】本発明第２の実施例を示す図
【図５】本発明第２の実施例を説明する図
【図６】本発明の効果を示す特性図
【図７】従来のメッキ装置を説明する図
【図８】従来のメッキ装置の特性を示す特性図
１ メッキ槽 ２ 噴流部 ３ 循環ポンプ ４ メッキ液加熱用ヒーター ５ 噴き出し口 ６ メッキ液 ７ アノード電極 ８ カソードピン ９ 被メッキ基板 １０ 加熱部 １１ メッキ槽 １２ 噴流部 １３ 循環ポンプ １４ メッキ液加熱用ヒーター １５ 噴き出し口 １６ メッキ液 １７ アノード電極 １８ カソードピン １９ 被メッキ基板 ２０ 液量調整部 ２１ メッキ槽 ２２ 噴流部 ２３ 循環ポンプ ２４ メッキ液加熱用ヒーター ２５ 噴き出し口 ２６ メッキ液 ２７ アノード電極 ２８ カソードピン ２９ 被メッキ基板
Claims (5)
- 【請求項１】噴流式メッキ装置において、被メッキ基板
裏面の全面または一部を加熱する加熱部を有することを
特徴とするメッキ装置。 - 【請求項２】被メッキ基板裏面の加熱を前記被メッキ基
板中心より外周部に向かうにつれ高温にすることを特徴
とする請求項１記載のメッキ装置。 - 【請求項３】噴流式メッキ装置において被メッキ基板表
面のメッキ液流を調整する流量調整部を具備することを
特徴とするメッキ装置。 - 【請求項４】前記流量調整部形状が多数の開口部を有す
る薄板形状であることを特徴とする請求項３記載のメッ
キ装置。 - 【請求項５】前記開口部の形成密度がメッキ液噴き出し
中心部より外側に向かうに従い大きくなることを特徴と
する請求項４記載のメッキ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4162472A JPH062192A (ja) | 1992-06-22 | 1992-06-22 | メッキ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4162472A JPH062192A (ja) | 1992-06-22 | 1992-06-22 | メッキ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH062192A true JPH062192A (ja) | 1994-01-11 |
Family
ID=15755279
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4162472A Pending JPH062192A (ja) | 1992-06-22 | 1992-06-22 | メッキ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH062192A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07142425A (ja) * | 1993-11-15 | 1995-06-02 | Nec Corp | 噴流式電解メッキ装置 |
| US8871333B2 (en) | 2003-05-22 | 2014-10-28 | Ian MacMillan Ward | Interlayer hot compaction |
-
1992
- 1992-06-22 JP JP4162472A patent/JPH062192A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07142425A (ja) * | 1993-11-15 | 1995-06-02 | Nec Corp | 噴流式電解メッキ装置 |
| US8871333B2 (en) | 2003-05-22 | 2014-10-28 | Ian MacMillan Ward | Interlayer hot compaction |
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