JPH06223406A - 表面処理された基体及びこれを用いた光記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 透明で耐摩傷性及び表面低エネルギー状態が
維持されて油性粘着物等の汚れが見られず、また特に、
光記録媒体に用いた場合、記録膜側でもそのような良好
な状態が維持されている基体及びそれを用いた光記録媒
体を提供すること。 【構成】 本発明は、基材（Ｓ）上に導電性膜（Ｃ）を
形成して、撥水性又は撥油性の少なくとも一方の基
（Ｈ）と下記〔化１〕の構造とを分子中に有する上記化
合物（Ａ）で該導電性膜（Ｃ）表面をカップリン処理す
ることにより得られる表面処理された基体、及び該基体
を具備する光記録媒体である。尚、化１において、Ｘ、
Ｙ、Ｚの少なくとも一つは、Ｃｌ、ＯＣＨ₃ 及びＯＣ ₂
Ｈ₅ から選択されるものである。 【化１】

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、撥水或いは撥油処理が
された基体に関するものである。また、本発明の基体は
導電性、撥水性、及び撥油性等が要求される物品の部材
に広く用いられるものであり、特に、光記録媒体の基体
として有用である。

【０００２】

【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】現在、
光ディスク基板、レンズ等の光学材料には成形性、透明
性の両面からポリカーボネイト、ポリメチルメタクリレ
ート系の材料が多く用いられている。しかし、このよう
な材料は耐擦傷性が充分でなく、且つ高い絶縁性を示す
ため帯電し易く、保存あるいは使用中に表面に多量の塵
埃を付着し、光学情報の伝達においてエラーを発生する
といった問題が起こっている。このため、実用上、透明
で耐擦傷性と帯電防止特性を兼ね備えたハードコートを
基材のピックアップ面にコートすることが提案されてい
る。

【０００３】ところで、基板表面の汚れは帯電に起因す
るものだけではない。即ち、帯電以外の汚れとして水溶
性粘着物、油性粘着物、あるいは高湿環境での液架橋力
からの粒子の付着による汚れ等がある。低湿環境では主
として帯電防止が重要なファクターになるが、ミニディ
スクをはじめとして光ディスクが民生用として広がるに
つれて、高湿環境の液架橋力による汚れ、空気中のオイ
ルミスト等の油性の汚れを防ぐことが重要となる。この
ような汚れを防止或いは付着した汚れを簡単に取り去る
ためには、表面を低エネルギー化する必要がある。この
ため、表面の汚れを防止するにはその表面を導電化しつ
つ、且つ低表面エネルギー化する必要がある。このよう
な導電且つ低表面エネルギー処理は、光ディスクのレー
ザービームのピックアップサイドに特に有効であるが、
磁界変調型の光磁気ディスクを想定した場合、光磁気デ
ィスクの記録膜側、具体的には記録層の上にコートされ
た有機保護膜を磁界ヘッドが走行することになり、保護
膜表面を低表面エネルギー化することも要求される。即
ち、光変調方式で使用しているようなオーバーコートで
は、ヘッドの吸着、クラッシュが生じ易くなっており、
また記録膜側はヘッドと表面が摩擦することにより発生
する静電気を速やかに消滅させる要求もある。このた
め、低表面エネルギー処理はピックアップサイドのみな
らず、記録膜サイドにおいても重要な問題となることが
ある。従って、本発明の目的は、透明で耐摩傷性及び表
面低エネルギー状態が維持されて油性粘着物等の汚れが
見られず、また特に、光記録媒体に用いた場合、記録膜
側でもそのような良好な状態が維持されている基体及び
それを用いた光記録媒体を提供することにある。

【０００４】

【課題を解決するための手段】本発明は、基材（Ｓ）上
に導電性膜（Ｃ）を形成して、撥水性又は撥油性の少な
くとも一方の基（Ｈ）と下記〔化１〕の構造とを分子中
に有する上記化合物（Ａ）で該導電性膜（Ｃ）表面をカ
ップリン処理することにより得られる表面処理された基
体、及び該基体を具備する光記録媒体を提供することに
より上記目的を達成したものである。

【化２】 尚、化２において、Ｘ、Ｙ、Ｚの少なくとも一つは、Ｃ
ｌ、ＯＣＨ₃ 及びＯＣ ₂ Ｈ₅ から選択されるものであ
る。

【０００５】以下、本発明に係る基体及び光記録媒体を
詳しく説明する。本発明の基体は、樹脂等の基材（Ｓ）
或いは無機材料を成膜してなる基材（Ｓ）の表面が先ず
導電性膜（Ｃ）で導電性処理されており、この導電性処
理面を化合物（Ａ）、即ち、分子中に撥水性又は撥油性
基の少なくとも一方の基（Ｈ）と加水分解性のシラン基
（上記化２の式のもの）を分子中にもつシラン系界面活
性剤によりカップリング処理し、撥水、撥油層を形成す
るものである。上記加水分解性のシラン基は、基材
（Ｓ）（及び／又は導電性膜（Ｃ）の表面を含む。）に
水酸基、アミノ基、カルボキシル基等の親水基があれば
反応し、シロキサン結合がシラン基と表面との間、及び
シラン基同士間で形成され、その表面に固定される。ま
た、上記基材（Ｓ）を紫外線、プラズマ、電子線、コロ
ナ放電処理のような高エネルギー線処理により、表面を
高親水化することができる。

【０００６】また、化合物（Ａ）において、加水分解性
のシラン基は、クロロシラン基、あるいはアルコキシシ
ラン基、特に低級アルコキシ（ＣＨ₃ 、Ｃ₂ Ｈ₅ ）シラ
ン基が望ましいが、反応性が考慮するとクロロシラン基
が望ましく、分子間結合を考えるとトリクロロシラン基
が最も望ましい。

【０００７】化合物（Ａ）の撥水性又は撥油性基（Ｈ）
としては特に限定はしないが、望ましくは炭化水素基、
具体的には長鎖アルキル基、長鎖アルケニル基、フェニ
ル基、若しくはジメチルシロキ酸基を含むもの、又はフ
ッ化炭素系基、或いはこれらの混合体等を挙げることが
できるが、撥水、撥油性及び表面エネルギーの低下能を
考慮するとフッ化炭素基が望ましく、特に低表面エネル
ギー化を行うためには、化合物（Ａ）が基材（Ｓ）面に
対して垂直配向し、表面にＣＦ₃ 基が配列するような表
面が望ましい。このため、その分子構造としては下記式
１又は２、特に下記式１の化合物（Ａ）が望ましい。 ＣＦ₃ （ＣＦ₂ ）_n −Ｒ₁ −Ｓｉ（Ｃｌ）₃ ・・・式１ ＣＨ₃ −Ｒ−Ｓｉ（Ｃｌ）₃ ・・・式２ ここで、ｎは１〜３０、Ｒは、炭素数が０〜２０の炭化
水素鎖或いはその炭化水素基中に極性基（例えば、エス
テル基、エーテル基、アミド基、スルホンアミド基等、
特にエステル又はエーテル基。）を含む鎖であり、特に
ｎが３以上２０以下のものが望ましい。具体的な一例と
して、以下のようなものが挙げられる。

【０００８】 ＣＦ₃ （ＣＦ₂ ）_p −（ＣＨ₂ ）_q −Ｓｉ（Ｃｌ）₃ ＣＦ₃ （ＣＦ₂ ）_p −ＣＯＯ（ＣＨ₂ ）_q −Ｓｉ（Ｃ
ｌ）₃ ＣＦ₃ （ＣＦ₂ ）_p −ＣＯＮＨ（ＣＨ₂ ）_q −Ｓｉ（Ｃ
ｌ）₃ ＣＦ₃ （ＣＦ₂ ）_p −ＳＯ₂ ＮＨ（ＣＨ₂ ）_q −Ｓｉ
（Ｃｌ）₃ （尚、ｐ、ｑは０〜２０） ＣＨ₃ （ＣＨ₂ ）_r −Ｓｉ（Ｃｌ）₃ （ｒは２０以下） ＣＦ₃ ＣＯＯ（ＣＨ₂ ）₁₅−Ｓｉ（Ｃｌ）₃ ＣＨ₃ ＣＨ₂ Ｏ（ＣＨ₂ ）₁₅−Ｓｉ（Ｃｌ）₃ ＣＦ₃ ＣＨ₂ Ｏ（ＣＨ₂ ）₁₅−Ｓｉ（Ｃｌ）₃ また、上記例示の化合物において、−Ｓｉ（Ｃｌ）₃ を
−Ｓｉ（ＯＲ）₃ に置換されていても良く、Ｒはメチ
ル、エチル基等の低級アルキル基等である。更に、これ
らの分子は１種類、２種類以上混合して用いても良い。

【０００９】化合物（Ａ）の基材（Ｓ）への処理方法は
特に限定しないが、基材（Ｓ）を化合物（Ａ）の蒸気に
晒すか、或いは化合物（Ａ）非水性溶媒中に溶解させ、
その溶液中に基材（Ｓ）を浸漬させて表面処理を行うこ
とができるが、工程の簡易性、安全性等を考慮すると、
後者の手法が望ましい。上記溶媒としては例えばｎ−ヘ
キサデカン、ビシクロヘキシル、クロロホルム、四塩化
炭素、若しくはフッ素系の不活性溶媒、又はこれらの混
合溶媒或いはクロロシラン系の活性剤以外の場合はアル
コール類、アセトン等が望ましい。このような溶媒に化
合物（Ａ）を溶解させた溶液Ａに、乾燥窒素気流下で基
材（Ｓ）を一定時間浸漬させる。処理としてはこれで終
了するが、基材（Ｓ）表面と化学結合している以外の成
分を洗浄するため、続いて化合物（Ａ）を含まない溶媒
中で充分に洗浄し、更に水洗を行う。上記方法では、化
合物（Ａ）は基材（Ｓ）面に単分子層或いは単分子層に
近い構造で吸着処理ができ、光学特性に特に問題を生じ
させない。従って、光ディスク、光カード等をはじめと
する光記録媒体の表面処理として特に有用である。

【００１０】また、図１に示す如く、基材（Ｓ）表面に
成膜されている導電性膜（Ｃ）は、その表面抵抗値が１
０¹³Ω／□オーダー以下、望ましくは１０¹²Ω／□オー
ダー以下のものであれば特に限定しないが、光学的に透
明であることが望ましい。導電性膜（Ｃ）の代表的なも
のとして無機系透明導電性膜を挙げることができ、これ
は、蒸着法やスパッタリング法等の薄膜形成手段又は塗
布法により形成でき、その材料としては酸化インジウ
ム、酸化スズ、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）、酸化カ
ドミウムスズ、酸化カドミウム等の透明導電性酸化物が
選ばれる。これらの酸化物は透明導電性であるばかりで
なく、高い表面硬度特性を有している点で、また樹脂基
材との密着性の点でも優れている。膜厚は１０〜１００
Å、望ましくは２０〜５０Åの範囲内にあるのがよい。

【００１１】また、導電性膜（Ｃ）に適用する他の材料
として、π共役系導電性、電荷移動型錯体をコートする
方法が挙げられる。π共役系導電性材料の代表的なもの
としては、ポリピロール、ポリチオフェン、ポリ−ｐ−
フェニレン、ポリアニリン、ポリアズレン、及びそれら
の誘導体が挙げられる。成膜方法は溶剤に可溶なものは
溶媒に溶解してコーティングするか、或いは不溶なもの
はπ共役系ポリマーを形成するモノマーと適当な酸化剤
を溶液中に分散させ、その分散液中に基材を浸漬させて
基材表面にπ共役ポリマーをコートする手法、或いは基
材に酸化剤を塗布しておき、その基材をモノマー蒸気中
に晒し、導電性膜をコートする手法等が挙げられる。電
荷移動型錯体の材料としては、非イオン性の電子供与性
化合物（Ｄ）と非イオン性の電子受容性化合物（Ａｃ）
よりなる錯体等であり、化合物（Ｄ）の代表としては、
テトラチアフルバレン、テトラメチルテトラセレフルバ
レン、ビス（エチレンジチオ）テトラチアフルバレン、
化合物（Ａｃ）の代表としては、テトラシアノキノジメ
タン（ＴＣＮＱ）、テトラシアノエチレン、及びそれら
の誘導体等があり、特にＴＣＮＱ錯体が一般的に用いる
ことができる。具体的な錯体としては、ＴＣＮＱ・キノ
リン誘導体、ＴＣＮＱ・イソキノリン誘導体、ＴＣＮＱ
・ピリジン誘導体等が挙げられ、成膜方法はこれらの錯
体と適当なバインダーを加えて溶剤で希釈し、塗布コー
ティングする。

【００１２】図２に示す如く、高硬度の有機保護層
（Ｂ）を設けて導電性膜（Ｃ）を形成してもよい。有機
保護層（Ｂ）は、紫外線、電子線硬化により成膜するこ
とが、工程の簡略化の為に望ましく、有機保護層（Ｂ）
としては、先ず塗膜の耐擦傷性、基材の表面保護効果を
発現させるものとして１分子中に２以上の官能基をを含
む架橋性のあるものを含有するのが望ましく、以下に示
す（メタ）アクリレートの１種あるいは２種以上を適宜
選んで用いることができる。架橋性のある多官能アクリ
ル酸エステルの例として、３官能以上としては、トリメ
チロールプロパントリ（メタ）アクリレート、トリメチ
ロールエタントリ（メタ）アクリレート、ジトリメチロ
ールプロパンテトラ（メタ）アクリレート、グリセリン
トリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ
（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールテトラ
（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールペンタ
（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ
（メタ）アクリレート及びそのエチレンオキサイド、プ
ロピレンオキサイド変性物等が挙げられる。２官能のも
のとしては、１，３−ブタンジオールジ（メタ）アクリ
レート、１，４−ブタンジオールジ（メタ）アクリレー
ト、１，６−ヘキサンジオールジ（メタ）アクリレー
ト、ジエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、ポ
リエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、ネオペ
ンチルグリコールジメタアクリレート、シクロペンタジ
エニルアルコールジ（メタ）アクリレート等が挙げられ
る。上記多官能エステル以外の（メタ）アクリレートと
しては、ポリエステルポリ（メタ）アクリレート、エポ
キシ（メタ）アクリレート、ウレタンポリ（メタ）アク
リレート、ポリシロキサンポリ（メタ）アクリレート、
ポリアミドポリ（メタ）アクリレート等が挙げられる。

【００１３】尚、コーティング材を実際にコーティング
する時に、帯電防止特性共重合物の溶解性促進、粘度調
節、基材との密着性向上等の理由で単官能アクリレート
を添加してもよい。その例としては、２−ヒドロキシエ
チル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシプロピル
（メタ）アクリレート、３−ヒドロキシブチル（メタ）
アクリレート、４−ヒドロキシブチル（メタ）アクリレ
ート、２−ヒドロキシペンチル（メタ）アクリレート、
４−ヒドロキシペンチル（メタ）アクリレート、２−エ
チルヘキシル（メタ）アクリレート、エトキシエチル
（メタ）アクリレート、Ｎ−ヒドロキシメチル（メタ）
アクリルアミド、Ｎ−メトキシメチル（メタ）アクリル
アミド等が挙げられる。これら単官能アクリレートの使
用量としては０〜４０重量％、耐擦傷性等を考慮すると
０〜３０重量％であることが望ましい。

【００１４】また、電子線、γ線等で硬化を行う場合は
不要であるが、実用的な紫外線硬化型で行う場合は、光
重合開始剤を添加する。その例としては、４−フェキシ
ジクロロアセトフェノン、４−ｔ−ブチルジクロロアセ
トフェノン、ジエトキシアセトフェノン、２−ヒドロキ
シ−２−メチル−フェニルピロパン−１−オンなどのア
セトフェノン系光重合開始剤、又はベンゾインメチルエ
ーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、２−クロル
チオキサンソン、２，４−ジメチルチオキサンソン、
２，４−ジエチルチオキサンソン等のチオキサンソン系
光重合開始剤が挙げられ、上記光重合開始剤は１種であ
っても２種以上であっても差し支えなく、その使用量は
重合性化合物１００重量部に対して１０重量部以下が望
ましい。また、所望の膜厚を得るためにコーティング時
にメタノール、エタノール、イソプロピルアルコール等
の溶媒で希釈し、コーティングを行う場合もある。

【００１５】更に、ここで、導電性膜（Ｃ）の成膜方法
として、基材（Ｓ）表面にコートする上記有機保護層
（Ｂ）に添加剤を加えて導電性を発現させてもよい。具
体的には、有機保護層（Ｂ）中に上述の無機系透明導電
性膜の微粒子（粒径５〜１０００Å）、或いはπ共役系
高分子、電荷移動型錯体を有機保護層（Ｂ）を形成する
重合物に加えコートする方法がある。添加量は全量に対
し、１〜４０重量％に設定するのが望ましく、成膜厚は
０．１〜５０μｍ、望ましくは０．３〜１０μ１ｍ程度
がよい。その他に、添加剤として界面活性剤系の帯電防
止剤、望ましくは４級アンモニウム塩系、更に望ましく
は分子構造中に炭素数４以上の炭化水素基、４級アンモ
ニウム基、エチレンオキサイド基を持つものが望まし
い。主な例として以下の〔化３〕〜〔化７〕の通りであ
る。

【００１６】

【化３】

【００１７】

【化４】

【００１８】

【化５】

【００１９】

【化６】

【００２０】

【化７】 尚、Ｒ₁ 、Ｒ₂ 及びＲ₃ は炭素数４以上の炭化水素基、
Ｒ₄ はＣＨ₃ 、Ｈであり、Ｒ₅ は炭素数１〜２０のアル
キル基である。また、ｎは１〜２０、ｐ、ｑ、ｒは１以
上である。また、Ａ^- はアニオン（Ｃｌ^- 、Ｂｒ^- 、Ｃ
Ｈ₃ ＳＯ₄ ^- 、Ｃ₂ Ｈ₅ ＳＯ₄ ^- 等）である。これらの
添加量は、０．１〜１０重量％、望ましくは０．５〜５
重量％が望ましい。

【００２１】本発明に係る基体に用いられる基材（Ｓ）
は、ガラス或いは樹脂などの有機或いは無機基材であり
特に制限はない。例えば、樹脂としては、透明性を有し
たポリカーボネート等を使用することができ、これ等の
基材（Ｓ）に有機保護層（Ｂ）をハードコート処理によ
って成膜形成し、記録層を成膜後に記録面側に有機保護
層（Ｂ）の処理を行い、その後本処理を行うことができ
る。処理面は主としてピックアップサイド（ハードコー
ト上）、もしくは記録層上、或いは記録層上にコートさ
れたオーバーコート上であるが、全面処理しても差し支
えない。また、カートリッジとして用いる場合は、カー
トリッジ本体に本処理をしてもよい。

【００２２】

【実施例】以下、本発明に係る基体（基板）及びそれを
用いた光記録媒体の好ましい実施例を比較例と比較しな
がら説明する。尚、本発明は以下の実施例に限られるも
のではない。 （実施例１）ペンタエリスリトールトリアクリレート１
００重量部、ヒドロキシアクリレート５０重量部、光重
合開始剤Ｉｒｇ．５００（日本チバガイギー社製）９重
量部の混合物（混合物１）をポリカーボネイト基板上に
硬化膜厚約５μｍになるようにコートし、紫外線照射
（高圧水銀タイプ：６５０ｍＷ／cm² ；１８００ｍＪ／
cm² ）により硬化させ、その有機保護層上にＩｎ₂ Ｏ₃
とＳｎＯ₂ のモル比率が９：１であるターゲットを用い
て、スパッタリング法によりＩＴＯ膜を５０Åで成膜し
た（基板１）。次に、撥水、撥油処理として、ＣＦ
₃ （ＣＦ₂ ）₇ −（ＣＨ₂ ）₂ −Ｓｉ（Ｃｌ）₃ の化合
物（東芝シリコーン（株）製ＴＳＬ８２３２）を充分に
脱水した不活性溶媒ＰＦ５０７０（３Ｍ製）中に０．０
３ｍｏｌ／ｌ溶解させる（溶液１）。続いて、基板１を
室温下で溶液１中に乾燥窒素気流下で１時間浸漬後、不
活性溶媒ＰＦ５０７０中で洗浄し、続いて蒸留水で洗浄
して処理基板１を得た。

【００２３】（実施例２）ペンタエリスリトールトリア
クリレート１００重量部、ヒドロキシアクリレート５０
重量部、光重合開始剤Ｉｒｇ．５００（日本チバガイギ
ー社製）９重量部の混合物（混合物１）に、導電フィラ
ー（酸化錫）２５重量％、エタノール２０重量％を添加
した混合物２をポリカーボネイト基板上にスピンコート
法により硬化膜厚約３μｍになるようにコートし、紫外
線照射（高圧水銀タイプ：６５０ｍＷ／cm² ；１８００
ｍＪ／cm² ）により硬化させた（基板２）。基板２を実
施例１と同様に撥水、撥油処理して処理基板２を得た。

【００２４】（実施例３）ペンタエリスリトールトリア
クリレート１００重量部、ヒドロキシアクリレート５０
重量部、光重合開始剤Ｉｒｇ．５００（日本チバガイギ
ー社製）９重量部の混合物（混合物１）をポリカーボネ
イト基板上に硬化膜厚約５μｍになるようにコートし、
紫外線照射（高圧水銀タイプ：６５０ｍＷ／cm² ；１８
００ｍＪ／cm² ）により硬化させ、その有機保護層上
に、日本カートリット（株）製ポリアニリン溶液をスピ
ンコート（４０００ｒｐｍ，２０秒）し、その後８０
℃、３０分間加熱した（基板３）。基板３を実施例１と
同様に撥水、撥油処理して処理基板３を得た。

【００２５】（実施例４）トリメチロールプロパントリ
アクリレート１００重量部、ポリエチレングリコールジ
アクリレート（新中村化学工業（株）製Ａ−６００）５
０重量部、第４級塩型帯電防止剤Ｑ−Ｄ３０８ＥＳＮ
（花王（株）製）１．５重量部、光重合開始剤Ｉｒｇ．
５００（日本チバガイギー社製）９重量部からなる混合
物（混合物３）をポリカーボネイト基板上に硬化膜厚約
５μｍになるようにコートし、紫外線照射（高圧水銀タ
イプ：６５０ｍＷ／cm² ；１８００ｍＪ／cm² ）により
硬化させた（基板４）。基板４を実施例１と同様に撥
水、撥油処理して処理基板４を得た。

【００２６】（比較例１〜４）実施例１〜４で基板１〜
４の撥水、撥油処理しないものを比較例１〜４の基板と
した。 （比較例５）ペンタエリスリトールトリアクリレート１
００重量部、ヒドロキシアクリレート５０重量部、光重
合開始剤Ｉｒｇ．５００（日本チバガイギー社製）９重
量部の混合物（混合物１）をポリカーボネイト基板上に
スピンコート法により硬化膜厚約５μｍになるようにコ
ートし、紫外線照射（高圧水銀タイプ₁ ６５０ｍＷ／cm
² ；１８００ｍＪ／cm² ）により硬化させた。

【００２７】〔実施例１乃至４及び実施例１乃至５の処
理基板の汚れ付着試験〕 ・２３℃、３０％ＲＨ及び２３℃、８０％ＲＨの環境下
のタートチャンバー試験（ＡＳＴＭ Ｄ２７４１−６
８；ゴミ：１０μｍトナー）を行った。以上の実施例１
乃至４の処理基板１〜４、比較例１乃至５の処理基板の
汚れ付着試験を行ったところ、２３℃、３０％ＲＨの環
境下、比較例５が顕著な汚れを示したが、実施例１〜
４、比較例１〜４は充分な帯電防止効果があるため、顕
著な汚れは見られなかった。しかし、次に、２３℃８０
％ＲＨの環境下、比較例１〜５は顕著な汚れが見られ、
実施例１〜４は撥水性効果等により顕著な汚れは見られ
なかった。また、耐油汚れを想定し、各基材面にワック
スを溶解したアセトン溶液を吹き付けた結果、比較例１
〜５は表面にワックスによる油汚れが顕著に発生し曇り
が生じた。その後、アセトンで汚れを拭き取り操作を行
ったが、完全な除去が出来なかった。一方、実施例１〜
４は撥油効果にも優れ、油を弾き、曇りが発生しなかっ
た。また汚れが付着しても容易に除去できた。

【００２８】（実施例５）出光石油化学（株）製３．５
インチ光磁気ディスク用ポリカーボネイト基板の記録層
（４層）成膜後、大日本インキ化学工業（株）ＳＤ３０
１をオーバーコートとして１０μｍ成膜し、次に、ピッ
クアップサイドに実施例１の要領でＩＴＯ膜を２０Å成
膜する。次にハブを紫外線硬化型ＵＶ接着剤により接着
後、ディスクを室温下で溶液１中に乾燥窒素気流下で１
時間浸漬後、不活性溶媒ＰＦ５０７０中で洗浄し、続い
て蒸留水で洗浄した後６０℃で約１時間乾燥した。本処
理を行った前後でＣ／Ｎ、感度等の諸特性に変化はみら
れなかった。また、本発明のディスクを２３℃、３０％
ＲＨ、２３℃、８０％ＲＨでダートチャンバー試験（Ａ
ＳＴＭ Ｄ２７４１−６８）を行い、エラーレートを測
定したところ、値は全く変化しなかった。

【発明の効果】本発明に係る基体は、透明で耐摩傷性及
び表面低エネルギー状態が維持されて油性粘着物等の汚
れが見られず、また特に、光記録媒体に用いた場合、記
録膜側でもそのような良好な状態を維持することができ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本実施例に係る基材表面の状態を模擬的に示し
た図である。

【図２】本実施例に係る別の基材表面の状態を模擬的に
示した図である。

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基材（Ｓ）上に導電性膜（Ｃ）を形成し
   て、撥水性又は撥油性の少なくとも一方の基（Ｈ）と下
   記〔化１〕の構造とを分子中に有する化合物（Ａ）で該
   導電性膜（Ｃ）表面をカップリン処理することにより得
   られる表面処理された基体。 【化１】 （化１において、Ｘ、Ｙ、Ｚの少なくとも一つは、Ｃ
   ｌ、ＯＣＨ₃ 及びＯＣ₂Ｈ₅ から選択されるものであ
   る。）
2. 【請求項２】 上記導電性膜（Ｃ）の膜厚が１０〜１０
   ０Åの無機系透明導電膜であることを特徴とする請求項
   １記載の基体。
3. 【請求項３】 上記導電性膜（Ｃ）の膜厚が０．１〜５
   ０μｍ有機系透明導電膜であることを特徴とする請求項
   １記載の基体。
4. 【請求項４】 上記導電性膜（Ｃ）がπ共役系導電性材
   料よりなることを特徴とする請求項３記載の基体。
5. 【請求項５】 上記撥水性基（Ｈ）がフッ化炭素系の基
   であることを特徴とする請求項１乃至４記載の光記録媒
   体。
6. 【請求項６】 上記化合物（Ａ）の構造が下記式１であ
   ることを特徴とする請求項５記載の基体。 ＣＦ₃ （ＣＦ₂ ）_n −Ｒ−Ｓｉ（Ｃｌ）₃ ・・・式１ （ｎは１〜３０、Ｒは、炭素数が０〜２０の炭化水素鎖
   或いはその炭化水素基中に極性基を含む鎖である。）
7. 【請求項７】 基材（Ｓ）上に導電性膜（Ｃ）を形成し
   て、撥水性又は撥油性の少なくとも一方の基（Ｈ）と上
   記〔化１〕の構造とを分子中に有する上記化合物（Ａ）
   で該導電性膜（Ｃ）表面をカップリン処理することによ
   り得られる表面処理された請求項１記載の基体を具備す
   る光記録媒体。