JPH06224165A - 化学−機械的平坦化操作の平坦度を改善するための方法及び装置 - Google Patents

化学−機械的平坦化操作の平坦度を改善するための方法及び装置

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JPH06224165A
JPH06224165A JP5258384A JP25838493A JPH06224165A JP H06224165 A JPH06224165 A JP H06224165A JP 5258384 A JP5258384 A JP 5258384A JP 25838493 A JP25838493 A JP 25838493A JP H06224165 A JPH06224165 A JP H06224165A
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Trung T Doan
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エス． サンドフー ガーテジ
Hugh E Stroupe
イー． ストロウプ ヒュー
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    • B24B37/102—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces characterised by the movement of the work or lapping tool for single side lapping the workpieces or work carriers being able to rotate freely due to a frictional contact with the lapping tool
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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  • Grinding And Polishing Of Tertiary Curved Surfaces And Surfaces With Complex Shapes (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 半導体ウェーハの化学−機械的平坦化の平坦
度を改善することを目的とする。 【構成】 ウェーハ（３１）は、ウェーハキャリヤ（３
２）の平坦な表面に付着される。研磨パッド（３７）が
取り付けられている平坦なプラテン（３５）は、軌道運
動、一定方向の振動又はランダム方向の振動でパッド面
と平行な面で移動する。本発明の１実施例においては、
研磨されるべきウェーハ面と可動研磨パッドとの間の圧
力が少なくともウェーハ（３１）及びキャリヤに作用す
る重力により生じる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、集積回路製造技術に関
し、特に、制御された平坦度を得るために半導体ウェー
ハのようなウェーハ型基板の表面を研削又は研磨するた
めの方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】集積回路の製造において、ウェーハ表面
の平坦度は極めて重要である。ホトリソグラフィー法
は、典型的には、回路の最大密度（maximum circuit de
nsity ）を作るために解像限界近くまで作り込まれるも
のである。１６メガビットダイナミックランダムアクセ
スメモリの場合、ワードライン及びビットライン幅のよ
うな最小の臨界寸法は、最初は0.５−0.７μ範囲にあ
る。これらの形はホトリソグラフィー的に作られるの
で、マスクを作るために用いられる電磁線が単一レベル
で正確に集光されてウェーハの全面にわたって厳密な像
形成を生じるように、ウェーハ表面が極めて平坦である
ことが不可欠である。ウェーハ表面が十分平坦でない
と、得られた構造がはっきりせず、その回路は機能しな
いかあるいは、良くても最適より低い性能を与えること
になる。
【０００３】超高密度集積回路を製造するために要する
平坦度を得るために、化学−機械的平坦化法がますます
用いられてきている。一般的には、化学−機械的平坦化
（ＣＭＰ）法は、化学反応性研磨材スラリ−（slurry）
で湿らせる可動研磨表面に半導体ウェーハを押し付ける
ことを含む。スラリ−は、通常、塩基性又は酸性（basi
c or acidic ）であり、たいていは、アルミナ又はシリ
カ粒子を含む。研磨表面は、典型的には、吹込みポリウ
レタンのような比較的軟らかい多孔性材料で製造された
平坦なパッドである。このパッドは、通常、平坦なプラ
テンに取り付けられる。
【０００４】図１は、慣用のＣＭＰ回転装置を示す。装
置は、半導体ウェーハ１２を保持するためのウェーハキ
ャリヤ１１を含む。軟らかい弾力のあるパッド１３は、
典型的には、ウェーハキャリヤ１１とウェーハ１２との
間に配置され、ウェーハは、通常、弾力のあるパッドに
対して部分的真空により保持される。ウェーハキャリヤ
１１は、ドライブモーター１４により連続して回転する
ように設計される。更に、ウェーハキャリヤ１１は、両
端の矢印１５で示されるように横移動（transverse mov
ement ）するように設計される。回転及び横移動は、ウ
ェーハ１２の表面上の物質除去率の可変性（variabilit
y ）を減じるものである。更に、装置は回転プラテン１
６を含み、その上に研磨パッド１７が取り付けられてい
る。プラテン１６はウェーハ１２に比べて相対的に大き
いので、ＣＭＰ工程中、ウェーハ１２はウェーハキャリ
ヤ１１により研磨パッド１７の表面で移動することがで
きる。研磨材粒子を懸濁している化学反応性溶液を含む
研磨スラリ−は、研磨パッド１７の表面に供給管１８を
介して付着させる。
【０００５】図２は、慣用の回転ＣＭＰ法の基本原理を
説明するものである。研磨パッド１７は、軸Ｏの回りを
１秒当りＷp ラジアンの角速度（rads./sec ）で回転す
る。平坦化されるべきウェーハ１２は、典型的には、パ
ッドと同一の回転向きにＷw（rads/sec）の角速度で回
転する。Ｏ軸から任意の一定半径（ｒ）センチメートル
において研磨パッドの直線速度（Ｌ）（cm／sec ）は、
Ｗp rと等しいことは容易に理解される。パッド表面が
ウェーハ面と接触する速度と物質のウェーハ面からの除
去率が関係することは、経験から証明されている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】慣用のＣＭＰ法に関連
した多数の欠点がある。
【０００７】（１）前記論議から、慣用の回転ＣＭＰを
用いてウェーハ平坦度を得ることが簡単な仕事でないこ
とは明白である。物質の除去工程中ウェーハを注意深く
且つ連続してモニターしなければならない。
【０００８】（２）慣用のＣＭＰ装置は、複雑で、大き
く、低公差の仕様に製作しなければならない。慣用のＣ
ＭＰ法は、相互に正確で平坦な接触をもたらすべき２枚
の回転面を必要とする。更に、回転面の１つは横に移動
しなければならない。ある種の大きさは、プラテンの直
径が平坦化されるウェーハの直径に対して増大するの
で、縁近傍のプラテンを使用することにより、除去率の
均一性を最大にすることができる事実に起因する。更
に、ウェーハキャリヤを冷却する水を与える場合には、
キャリヤへの水の流れは回転シールの使用を必要とす
る。そのような精密な複雑さは、相対的に高い装置価格
となる。
【０００９】（３）狭い範囲の温度をウェーハ表面に維
持することは、冷却水、大きなプラテン、ウェーハキャ
リヤ及びウェーハ間の熱移動に固有の時間のずれのため
に困難である。
【００１０】（４）２種類の硬度を有する物質がウェー
ハ表面上に存在する場合、くぼみが生じる。例えば、慣
用のＣＭＰにかける場合、二酸化ケイ素層に埋まったア
ルミニウムラインがくぼみを作るようになる。この問題
は、たいてい、研磨パッドのゆがみの原因となる、パッ
ドに対するウェーハの高い圧力（high wafer-to-pad pr
essure）が関係することによるものである。研磨パッド
がウェーハに加える圧力は、典型的には、0.３×１０5
〜1.３×１０5 パスカル（約４〜２０ポンド／平方イン
チ）の範囲である。
【００１１】（５）慣用のＣＭＰ装置はスラリ−の連続
供給を必要とし、これはスピンパッドとウェーハを飛散
した後に捨てられるか又は、捕捉され再循環することが
できる。液体に懸濁した研磨粒子を維持するために、ス
ラリ−は連続的に攪拌しなければならない。
【００１２】（６）慣用のＣＭＰ法で用いられる研磨パ
ッドは、研磨材粒子がその細孔に詰まるために、周期的
に再調整しなければならない（グレージングと呼ばれる
現象）。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明は、ウェーハ状基
板に化学−機械的平坦化を行うための改善された装置及
び方法を提供することにより、半導体ウェーハの化学−
機械的平坦化の平坦度を改善することを目的とする。
【００１４】本開示においては、“ウェーハ”という用
語を多種類のウェーハ状基板に適用してもよいことは記
憶されるべきである。半導体ウェーハは、そのような基
体の１例を表しているにすぎない。慣用の回転ＣＭＰ法
と関連した欠点は、総じて排除されるか極めて軽減され
る。装置は平坦な面を有するプラテンを含み、その上に
多孔性面を有する研磨パッドが取り付けられる。プラテ
ンは、軌道運動、一定方向の振動（即ち、後方及び前
方）又はランダム方向の振動によりパッド面と平行な面
で移動する。ウェーハは数種の既知の方法（真空、摩
擦、接着等）の１種によりキャリヤに付着されるが、摩
擦が好ましい方法であるように思われる。摩擦付着は、
均一な厚さを有する弾力のあるバッキングパッドをキャ
リヤとウェーハとの間に配置することにより行われ、バ
ッキングパッドは、スラリ−飽和研磨パッドに対するウ
ェーハの摩擦係数より反対側に接触するウェーハとキャ
リヤ表面に対する摩擦係数の方が高い。
【００１５】本発明の１実施例においては、研磨される
べきウェーハの表面と可動研磨パッドとの間の圧力は、
少なくともウェーハ及びキャリヤに作用する重力だけで
生じ、もう１つの実施例においては、ウェーハ表面に垂
直に加えた機械的力により生じる。研磨パッドは、ウェ
ーハ上の少なくとも１種の物質に対して化学反応しても
よい液体に懸濁した研磨材粒子を有するスラリ−で湿ら
せる。
【００１６】また、本発明のもう１つの実施例において
は、パッドを囲むバリヤ壁がプラテンに設置される。ス
ラリ−は、バリヤ壁によりプラテン上に維持される。
【００１７】また、もう１つの実施例においては、新た
なスラリ−が研磨パッドの上面に供給管から注出され
る。
【００１８】更に、本発明の実施例においては、スラリ
−は、スラリ−浸透性研磨パッドの下のチャネルネット
ワークに供給タンクから送り込まれる。新たなスラリ−
がパッドから連続して流出する。
【００１９】
【実施例】ここで図３に示される新規な化学−機械的平
坦化装置の１実施例に関して、半導体ウェーハ３１は、
重さのある自由浮遊ウェーハキャリヤ３３の下平面３２
に付着される。ウェーハ３１のキャリヤ表面３２への付
着は、多数の周知技術（例えば、機械的付着、真空付
着、摩擦付着等）の１種を用いて行われ、摩擦付着が好
ましい手法であると思われる。摩擦付着は、均一な厚さ
のすべりのないコーティングで達成されるが（例えば、
写真アルバムの接着剤又はそのような類似化合物）、本
発明の好ましい実施例においては、均一な厚さの弾力の
あるバッキングパッド３４がウェーハ３１とキャリヤ３
３の平坦な表面３２との間に挿入される。
【００２０】更に、図３に関して、平坦な上面３６を有
し、均一な厚さの多孔性研磨パッド３７を保つプラテン
３５は、軌道運動、一定方向の振動又はランダム方向の
振動で、平坦な上面３６に平行な面でプラテン３５を移
動する機械的駆動部品３８に結合される。振動の場合に
は、ランダム方向の種類が好ましい方法であるが、軌道
運動の場合には、運動が円であることが望ましい。円軌
道運動の場合には、ウェーハ又は基板上の各点が全ての
方向から研磨作用を受ける。また、時間が経つにつれ
て、ランダム方向の振動になるであろう。一定方向振
動、ランダム方向振動及び円軌道運動を設定する駆動部
品は、当該技術において周知であるので、かかる装置の
機械的態様を記載する必要はないと思われる。研磨パッ
ド３７を囲むバリヤ壁３９がプラテンに設置される。ス
ラリ−４０は、バリヤ壁３９によりプラテン上に維持さ
れる。更に、バリヤ壁３９は、ウェーハとキャリヤ３２
がパッドからそれないように防止する。キャリヤ３３を
囲む弾力のあるバンパ４１は、キャリヤ３３とバリヤ壁
３９との間の衝撃をクッションで抑える。弾性のあるバ
ンパ４１の代替品又は補助品としてバリヤ壁３９に弾力
のあるクッション４２を取り付けてもよい。ウェーハ３
１のウェーハキャリヤ面３２への十分な摩擦付着を確実
にするために、片側のバッキングパッド３４及びウェー
ハ３１ともう一方の側のキャリヤ面３２との摩擦係数
は、ウェーハとスラリ湿潤研磨パッド３７との摩擦係数
より著しく大きい（例えば、少なくとも1.５倍）。
【００２１】新規な方法、特に図３の自由浮遊キャリヤ
実施例と組み合わせた方法は、改善されたウェーハスル
ープットに有用である。６０Ｈz 及び約１cmのランダム
振動ストロークにおいて、１分当たり二酸化ケイ素の除
去率５００が観測された。除去率は振動又は軌道運動の
頻度に左右され、頻度の増加は物質の除去率の増加を生
じる。本方法は、単一の振動又は軌道移動本体上で同時
に複数のウェーハを処理するために適応させることがで
きる。図４はそのような実施例を示す。７枚のウェーハ
が単一移動本体４３上で同時に平坦化されるが、各ウェ
ーハキャリヤ部品４５（関連キャリヤ３３とバッキング
パッド３４と組み合わせたウェーハ３１）が載っている
（間に研磨パッド３７を含む）個々のプラテン４４だけ
が平坦度に対して精密に機械化されることを必要とする
ことは留意される。機械価格が上昇したのは、実質的に
全てのウェーハを共有する単一の大きなプラテンを精密
に平坦化するために必要なものであった。
【００２２】図５に示される本発明のもう１つの実施例
においては、ウェーハキャリヤ３３に中央凹部５１を設
置する。コントロールアーム５３に取り付けられる垂直
ピン５２は、凹部５１の底に接触しないように凹部５１
内に位置する。任意の弾力のあるスリーブ５４は、垂直
ピン５２にプレスされる。ウェーハ３１をパッド３７に
押し付ける重力で著しく妨害しないようにピン５２と凹
部５１との間あるいは弾力のあるスリーブ５４と凹部５
１との間に十分な隙間がある。
【００２３】ここで図６に関して、ウェーハ３１と研磨
パッド３７との間の圧力がウェーハキャリヤ部品４５の
部分に依存しない本発明の実施例が更に示される。本実
施例は、下向きの力がコントロールアーム６１を介して
キャリヤ部品４５に加えられる硬いキャリヤ取り付けア
ームを有する。コントロールアーム６１は、そのように
所望される場合には、キャリヤ部品４５を回転させるこ
ともできる。
【００２４】図７に示される実施例においては、スラリ
−はパッド３７の下のチャネルネットワーク７２に供給
部７１から送り込まれる。
【００２５】ここで図８に関して、パッド３７の下面８
２からその上面８３に至る開孔８１はウェーハ−パッド
境界面にスラリ−を供給する。この断面図には、パッド
３７をプラテン３５の上面に保つ接着層８４が見える。
【００２６】本発明の全ての実施例は、次の特徴を共有
する：プラテンの表面、即ち、研磨パッド面上の全ての
点は、正味回転分の運動がないために同一の相対運動を
受ける。ある実施例の場合、研磨パッド３７に対してウ
ェーハ３１及びその上部に堆積される部品（即ち、キャ
リヤ３３及びバッキングパッド３４等）上の重力の作用
によってのみウェーハが保持されが、他の実施例の場
合、ウェーハ３１と研磨パッド３７との間の圧力は可変
的且つ機械的に加えられる。ある実施例においては、ウ
ェーハ３１は自由浮遊している。即ち、スラリ−４０の
薄層の下でプラテンが移動するのでその上で自由に浮遊
する。他の実施例においては、ウェーハ３１、キャリヤ
３３及びバッキングパッド３４が垂直ピン５２により水
平運動を取るが、ウェーハ３１はスラリ−４０の薄層上
で浮遊する。
【００２７】新規なＣＭＰ装置及び方法は、従来技術の
装置及び方法より多数の利点を有する。機械の複雑性、
即ち機械価格が非常に低減される。更に、新規な機械設
計は、ウェーハ加熱系に対して回転シールを要しない。
狭い範囲にウェーハ温度を維持することは、プラテンを
加熱するか、スラリを加熱するか又は両方の方法を併用
することにより達成される。
【００２８】更に、新規なＣＭＰ法は、ウェーハに対す
るパッド圧がわずか0.０６５パスカル（約1.００p.s.
i.) で良好に作用するので、くぼみの課題が著しく改善
される。圧力の降下は、スラリ−の振動プラテンによる
連続的攪拌と相まって、回転ＣＭＰ法に共通のグレージ
ング現象も改善する。プラテンの一定振動は、懸濁液中
のスラリ−粒子も維持する。スラリ−が回転盤（即ち、
パッド及びウェーハ）から連続的に飛散しないので、ス
ラリ−を絶えず補充する必要がない。
【００２９】ウェーハからの物質除去の均一性も実質的
に改善される。新規な方法に伴う表面変化は、実験的に
著しく減少されることが示された。一般に、ほぼ２／３
の減少が見られた。
【００３０】本発明の幾つかの実施例のみを本明細書で
開示記載してきたが、添付の特許請求の範囲の範囲及び
精神を逸脱することなくこれに変更及び修正がなされる
ことは化学−機械的平坦化技術における当業者には明白
であろう。例えば、ウェーハを静止プラテンに対して一
定方向の振動、ランダム方向の振動又は軌道運動で移動
してもよいことは明白である。更に、半導体ウェーハ以
外のウェーハ状基体が記載した装置を用いて処理される
ことも明白である。フラットなパネルディスプレイコン
ポーネント、ディスクドライブプラタ及びコンパクトデ
ィスク（これらに限定されないが）のような他のウェー
ハ状工作物が、記載した方法を用いて平坦化される。
【００３１】
【発明の効果】本発明は、以上のように構成されている
ので、半導体ウェーハの化学−機械的平坦化の平坦度を
改善することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】関連技術の回転ＣＭＰ装置の立面図である。
【図２】関連技術の回転ＣＭＰ装置の上面図である。
【図３】新規ＣＭＰ装置の１実施例の側面図であり、自
由浮遊ウェーハキャリヤを有する。
【図４】複数のウェーハを同時に処理するために配置さ
れた新規ＣＭＰ装置の上面図である。
【図５】運動を制限するコントロールアームを有する新
規ＣＭＰ装置の別の実施例の側面図（side elevational
view ）である。
【図６】ウェーハキャリヤに下向きの機械的圧力を加え
ているもう１つの別の実施例の側面図（side elevation
al view ）である。
【図７】スラリ−供給チャネルのネットワークを示す新
規ＣＭＰ装置の好ましい実施例のプラテンの上面図であ
る。
【図８】スラリ−供給チャネルのネットワークを組み込
む新規ＣＭＰ装置の実施例の側断面図である。
【符号の説明】
１１…ウェーハキャリア、１２…ウェーハ、１３…パッ
ド、１４…ドライブモーター、１５…矢印、１６…プラ
テン、１７…研磨パッド、１８…供給管、３１…半導体
ウェーハ、３２…キャリヤ表面、３３…ウェーハキャリ
ヤ、３４…バッキングパッド、３５…プラテン、３６…
上面、３７…多孔性研磨パッド、３８…機械的駆動部
品、３９…バリヤ壁、４０…スラリー、４１…バンパ、
４２…クッション、４３…単一移動体、４４…プラテ
ン、５１…凹部、５２…垂直ピン、５３…コントロール
アーム、５４…スリーブ、６１…コントロールアーム、
７１…供給部、７２…チャネルネットワーク、８１…開
孔、８２…下面、８３…上面、８４…接着層。
フロントページの続き (72)発明者 トラング ティー． ドーン アメリカ合衆国， アイダホ州 83712, ボイシ， シェナンドー ディーアー ル． 1574 (72)発明者 アンガス シー． フォックス アメリカ合衆国， アイダホ州 83702, ボイシ， ラ フォンタナ ウェイ 3702 (72)発明者 ガーテジ エス． サンドフー アメリカ合衆国， アイダホ州 83706, ボイシ， イー． グロウセスター エ ス． 2439 (72)発明者 ヒュー イー． ストロウプ アメリカ合衆国， アイダホ州 83704, ボイシ， ノース リンダ ヴィス 4431

Claims (28)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 化学−機械的平坦化装置であって：水平
    で平坦な上面を有するプラテン；該上面に移動自在に付
    着されたスラリ−湿潤研磨パッド；半導体ウェーハの一
    側部が移動自在に取付け可能であって、該ウェーハの他
    側部が該スラリー湿潤研磨パッドに対し露出される、平
    坦な下面を有するウェーハキャリヤ；及び該ウェーハキ
    ャリヤ又は該プラテン上面のいずれかに非回転運動を与
    え、該ウェーハキャリヤと該プラテン上面間の相対運動
    は該上面に対し平行になり、該上面上の全ての点に同一
    の相対運動が同一の時間間隔の間与えられる手段を備え
    る装置。
  2. 【請求項２】 該相対運動がランダム方向の振動（rand
    om-directed vibratory motion）である請求項１記載の
    装置。
  3. 【請求項３】 該相対運動が一定方向の振動である請求
    項１記載の装置。
  4. 【請求項４】 該相対運動が楕円軌道運動である請求項
    １記載の装置。
  5. 【請求項５】 該楕円軌跡運動を規定する楕円の軌跡間
    の距離が０である請求項４記載の装置。
  6. 【請求項６】 該ウェーハが研磨パッドに対して少なく
    ともウェーハ自体及びウェーハキャリヤの重力の作用に
    より押し付けられる請求項１記載の装置。
  7. 【請求項７】 ウェーハが研磨パッドに対して機械的力
    により押し付けられる請求項１記載の装置。
  8. 【請求項８】 ウェーハと該平坦な底面との間に配置さ
    れる均一な厚さの弾力のあるバッキングパッドを更に含
    み、該弾力のあるバッキングパッドがウェーハをウェー
    ハキャリヤに摩擦付着させる請求項１記載の装置。
  9. 【請求項９】 片側のバッキングパッド及びウェーハと
    もう一方の側のキャリヤ面との摩擦係数がウェーハとス
    ラリ−湿潤研磨パッドとの摩擦係数の少なくとも1.５倍
    である請求項７記載の装置。
  10. 【請求項１０】 該研磨パッドが多孔性面を有する請求
    項１記載の装置。
  11. 【請求項１１】 該研磨パッドにその底面からその上面
    に至るパーホレーション（perforations）が設けられる
    請求項１記載の装置。
  12. 【請求項１２】 スラリ−を供給部からビアまでプラテ
    ンの上面のチャネルネットワークに供給する請求項１１
    記載の装置。
  13. 【請求項１３】 研磨パッドを囲み、それにスラリ−を
    保持するバリヤ壁をプラテンに設置する請求項１記載の
    装置。
  14. 【請求項１４】 該バリヤ壁がウェーハキャリヤと付着
    ウェーハをプラテンの限界を超えてそれないように防止
    する請求項１３記載の装置。
  15. 【請求項１５】 キャリヤを囲み、キャリヤとバリヤ壁
    との間の衝撃をクッションで抑える弾力のあるバンパを
    該ウェーハキャリヤに設置する請求項１４記載の装置。
  16. 【請求項１６】 キャリヤとバリヤ壁との間の衝撃をク
    ッションで抑える弾力のあるクッションを該バリヤ壁に
    設置する請求項１４記載の装置。
  17. 【請求項１７】 該非回転運動は、該プラテンの上面に
    与えられる請求項１記載の装置。
  18. 【請求項１８】 該非回転運動は、該ウェーハキャリア
    に与えられる請求項１記載の装置。
  19. 【請求項１９】 該スラリー湿潤研磨パッドは均一な厚
    さを有する請求項１記載の装置。
  20. 【請求項２０】 平坦な表側と裏側面を有するウェーハ
    に化学−機械的平坦化操作を行う方法であって、平坦な
    研磨材面に対して表側面を処理する工程を含み、該平坦
    な研磨材面が該ウェーハに対して非回転的に移動し、該
    表側面上の全ての点が該平坦な研磨材面に関して同じ間
    隔の時間で該平坦な研磨材面に対して同一の垂直な圧力
    と実質上同一の相対運動の両方を受ける方法。
  21. 【請求項２１】 該運動がランダム方向の振動である請
    求項２０記載の方法。
  22. 【請求項２２】 該運動が一定方向の振動である請求項
    ２０記載の方法。
  23. 【請求項２３】 該運動が楕円軌道運動である請求項２
    ０記載の方法。
  24. 【請求項２４】 楕円軌道運動を規定する楕円軌跡間の
    距離が０である請求項２３記載の方法。
  25. 【請求項２５】 該平坦な研磨材面が液体に懸濁した研
    磨材粒子を有するスラリ−で湿した研磨パッドを含む請
    求項２０記載の方法。
  26. 【請求項２６】 該液体が該ウェーハの表側の少なくと
    も１種の物質に対して化学反応性である請求項２５記載
    の方法。
  27. 【請求項２７】 該平坦な研磨材面が水平であり、該ウ
    ェーハがウェーハキャリヤに付着され、該表側面と該平
    坦な研磨材面との間の圧力が少なくとも該ウェーハ及び
    該キャリヤに作用する重力により生じる請求項２５記載
    の方法。
  28. 【請求項２８】 該平坦な研磨材面が水平であり、該ウ
    ェーハがウェーハキャリヤに付着され、該表側面と該平
    坦な研磨材面との間の圧力が可変的且つ機械的に加えら
    れる請求項２５記載の方法。
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