JPH06224281A - ウエハ移載用治具 - Google Patents
ウエハ移載用治具Info
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- JPH06224281A JPH06224281A JP509093A JP509093A JPH06224281A JP H06224281 A JPH06224281 A JP H06224281A JP 509093 A JP509093 A JP 509093A JP 509093 A JP509093 A JP 509093A JP H06224281 A JPH06224281 A JP H06224281A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 使用中に発生するパーティクル量を低減させ
る。 【構成】 複数の孔を有する治具本体11と、その治具
本体11の孔に頭部を上方に突出させて嵌合された複数
のピン状のウェーハ支持体12を設ける。ウェーハ支持
体12の少なくともウェーハWと接触する箇所を、CV
D−SiCまたはCVD−Si3N4からなる膜14で被
覆する。ウェーハWは、ウェーハ支持体12の頭部に設
けた載置面12d上に載置し、その頭部に設けた係合面
12cに係合して治具本体11から浮かせて支持できる
ようにする。 【効果】 使用中に発生するパーティクル量がきわめて
少なくなる。熱処理等の以後の工程で歩留りが低下し難
くなる。
る。 【構成】 複数の孔を有する治具本体11と、その治具
本体11の孔に頭部を上方に突出させて嵌合された複数
のピン状のウェーハ支持体12を設ける。ウェーハ支持
体12の少なくともウェーハWと接触する箇所を、CV
D−SiCまたはCVD−Si3N4からなる膜14で被
覆する。ウェーハWは、ウェーハ支持体12の頭部に設
けた載置面12d上に載置し、その頭部に設けた係合面
12cに係合して治具本体11から浮かせて支持できる
ようにする。 【効果】 使用中に発生するパーティクル量がきわめて
少なくなる。熱処理等の以後の工程で歩留りが低下し難
くなる。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は、例えば半導体製造装
置に好適に使用できるウエハ移載用治具に関する。
置に好適に使用できるウエハ移載用治具に関する。
【0002】
【従来の技術】ウエハ移載用治具は、半導体製造装置に
おいて搬送ロボットのアーム等に接続して使用されてお
り、Si等の半導体ウエハを搬送する際に、例えばウエ
ハボートにセットされている半導体ウエハを載せて移動
し、次工程のウエハカセットに差し込んだり固定台に載
せたりする。
おいて搬送ロボットのアーム等に接続して使用されてお
り、Si等の半導体ウエハを搬送する際に、例えばウエ
ハボートにセットされている半導体ウエハを載せて移動
し、次工程のウエハカセットに差し込んだり固定台に載
せたりする。
【0003】半導体製造装置に用いられる従来のウエハ
移載用治具としては、細長い板状の治具本体上に、角部
を治具本体より上方に突出させておき、中央の凹部に半
導体ウエハを載置および係合させる構成のものが知られ
ている。
移載用治具としては、細長い板状の治具本体上に、角部
を治具本体より上方に突出させておき、中央の凹部に半
導体ウエハを載置および係合させる構成のものが知られ
ている。
【0004】この構成のウエハ移載用治具は通常、治具
本体をAl2O3により形成している。また、半導体ウエ
ハが接触するピンの表面を研磨して、例えば表面粗さR
aが0.1μm以下となるようにしている。
本体をAl2O3により形成している。また、半導体ウエ
ハが接触するピンの表面を研磨して、例えば表面粗さR
aが0.1μm以下となるようにしている。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】上記従来のウエハ移載
用治具では、使用中に半導体ウエハが治具本体に接触し
ているので、摩耗によりパーティクルが発生しやすいと
いう問題がある。このパーティクルは半導体ウエハ表面
に付着し、以後の熱処理工程において歩留りを低下させ
るので、できる限り抑制することが望まれる。
用治具では、使用中に半導体ウエハが治具本体に接触し
ているので、摩耗によりパーティクルが発生しやすいと
いう問題がある。このパーティクルは半導体ウエハ表面
に付着し、以後の熱処理工程において歩留りを低下させ
るので、できる限り抑制することが望まれる。
【0006】そこで、この発明の目的は、使用中に発生
するパーティクル量がきわめて少ないウエハ移載用治具
を提供することにある。
するパーティクル量がきわめて少ないウエハ移載用治具
を提供することにある。
【0007】
【課題を解決するための手段】この発明のウエハ移載用
治具は、複数の孔を有する治具本体と、ウエハ係合用の
係合部を設けた頭部を上方に突出させて前記治具本体の
孔に嵌合される複数のピン状のウエハ支持体と、前記ウ
エハ支持体の少なくともウエハと接触する箇所に被覆さ
れたCVD−SiCおよびCVD−Si3N4のいずれか
一種からなる膜とを備えてなることを特徴とする。
治具は、複数の孔を有する治具本体と、ウエハ係合用の
係合部を設けた頭部を上方に突出させて前記治具本体の
孔に嵌合される複数のピン状のウエハ支持体と、前記ウ
エハ支持体の少なくともウエハと接触する箇所に被覆さ
れたCVD−SiCおよびCVD−Si3N4のいずれか
一種からなる膜とを備えてなることを特徴とする。
【0008】前記治具本体の材質は特に限定されない
が、例えばAl2O3、TiB2等のセラミックにより形
成するのが好ましい。
が、例えばAl2O3、TiB2等のセラミックにより形
成するのが好ましい。
【0009】前記ピン状のウエハ支持体の基材は、例え
ば黒鉛等のカーボンにより形成するのが好ましい。
ば黒鉛等のカーボンにより形成するのが好ましい。
【0010】前記膜のウエハと接触する箇所の表面粗さ
Raは、0.5〜10μmの範囲にするのが好ましい。
Raは、0.5〜10μmの範囲にするのが好ましい。
【0011】
【作用】この発明のウエハ移載用治具では、ウエハは、
ウエハ支持体に被覆されたCVD−SiCまたはCVD
−Si3N4の膜を介して、ウエハ支持体によって本体か
ら浮かせて支持される。
ウエハ支持体に被覆されたCVD−SiCまたはCVD
−Si3N4の膜を介して、ウエハ支持体によって本体か
ら浮かせて支持される。
【0012】CVD−SiC、CVD−Si3N4の膜
は、極めて高い硬度と優れた耐摩耗性を有するだけでな
く、極めて高純度であり、しかも表面粗さが0.5〜1
0μmの範囲に入っている。したがって、使用中にウエ
ハがその膜に接触しても、その接触によって膜あるいは
ウエハが損傷または摩耗しパーティクルを発生する恐れ
が少なくなる。
は、極めて高い硬度と優れた耐摩耗性を有するだけでな
く、極めて高純度であり、しかも表面粗さが0.5〜1
0μmの範囲に入っている。したがって、使用中にウエ
ハがその膜に接触しても、その接触によって膜あるいは
ウエハが損傷または摩耗しパーティクルを発生する恐れ
が少なくなる。
【0013】
【実施例】以下、添付図面に基づいてこの発明の実施例
を説明する。
を説明する。
【0014】(第1実施例)図1は、この発明のウエハ
移載用治具を半導体ウエハ用に適用した第1実施例を示
す平面図、図2はその側面図、図3はその部分拡大図で
る。
移載用治具を半導体ウエハ用に適用した第1実施例を示
す平面図、図2はその側面図、図3はその部分拡大図で
る。
【0015】この発明のウエハ移載用治具10は、Al
2O3製の矩形板からなる治具本体11と、治具本体11
に固定された4個のピン状のウエハ支持体12を備えて
いる。治具本体11の一端は取付部11aとされ、搬送
ロボットのアーム等に接続するための複数の透孔13が
形成してある。治具本体11の取付部11a以外の部分
はウエハ載置部11bとされ、そこに4個のウエハ支持
体12が固定してある。
2O3製の矩形板からなる治具本体11と、治具本体11
に固定された4個のピン状のウエハ支持体12を備えて
いる。治具本体11の一端は取付部11aとされ、搬送
ロボットのアーム等に接続するための複数の透孔13が
形成してある。治具本体11の取付部11a以外の部分
はウエハ載置部11bとされ、そこに4個のウエハ支持
体12が固定してある。
【0016】各ウエハ支持体12は、図1に示すよう
に、ウエハ載置部11bの各角部に配置してあり、それ
らの間に直径dの半導体ウエハWが嵌合してそのウエハ
Wを4箇所で支持するようにしている。これらウエハ支
持体12の基材は黒鉛製である。
に、ウエハ載置部11bの各角部に配置してあり、それ
らの間に直径dの半導体ウエハWが嵌合してそのウエハ
Wを4箇所で支持するようにしている。これらウエハ支
持体12の基材は黒鉛製である。
【0017】ウエハ支持体12は、図3に明瞭に示して
いるように、円柱形の嵌合部12aと、嵌合部12aの
直径よりも大きい直径を持つ円板の一部を円弧状に切欠
した形状の支持部12bとから成っている。嵌合部12
aは、治具本体11に形成した透孔に嵌合され、ウエハ
支持体12を治具本体11に固定している。支持部12
bは治具本体11の上面よりも突出している。
いるように、円柱形の嵌合部12aと、嵌合部12aの
直径よりも大きい直径を持つ円板の一部を円弧状に切欠
した形状の支持部12bとから成っている。嵌合部12
aは、治具本体11に形成した透孔に嵌合され、ウエハ
支持体12を治具本体11に固定している。支持部12
bは治具本体11の上面よりも突出している。
【0018】各ウエハ支持体12は、支持部12bの切
欠部を内側に向けて固定してある。切欠によって形成さ
れた平坦な載置面12dは、ウエハWの下面に接触して
これを支持する。切欠によって形成された凹円筒面状の
係合面12cは、ウエハWの外側面に接触してこれが治
具本体11の上面に沿って移動するのを防止し、ウエハ
Wの位置決めをする。このため、係合面12cの曲率半
径は、ウエハWの外側面のそれにほぼ合致させている。
欠部を内側に向けて固定してある。切欠によって形成さ
れた平坦な載置面12dは、ウエハWの下面に接触して
これを支持する。切欠によって形成された凹円筒面状の
係合面12cは、ウエハWの外側面に接触してこれが治
具本体11の上面に沿って移動するのを防止し、ウエハ
Wの位置決めをする。このため、係合面12cの曲率半
径は、ウエハWの外側面のそれにほぼ合致させている。
【0019】ウエハ支持体12の支持部12bは、図3
(a)(b)に示すように、表面全体がVD−SiCの
膜14によって覆われている。したがって、ウエハ支持
体12の基材である黒鉛がウエハWに直接接触すること
はない。SiC膜14の厚さは例えば10μmであり、
表面粗さRaは例えば5μmである。このSiC膜14
は、CVD法によって形成・付着したものである。
(a)(b)に示すように、表面全体がVD−SiCの
膜14によって覆われている。したがって、ウエハ支持
体12の基材である黒鉛がウエハWに直接接触すること
はない。SiC膜14の厚さは例えば10μmであり、
表面粗さRaは例えば5μmである。このSiC膜14
は、CVD法によって形成・付着したものである。
【0020】以上の構成を持つウエハ移載用治具10に
よって半導体ウエハWを移載する場合、まず、所定箇所
において、ウエハ支持体12を上に向けて治具本体11
を水平にする(図2参照)。次に、ウエハWを治具本体
11の上方から徐々に下降させるが、このとき、ウエハ
Wの中心が4個のウエハ支持体12の係合面12cによ
って形成される円の中心に一致させておく(図1参
照)。
よって半導体ウエハWを移載する場合、まず、所定箇所
において、ウエハ支持体12を上に向けて治具本体11
を水平にする(図2参照)。次に、ウエハWを治具本体
11の上方から徐々に下降させるが、このとき、ウエハ
Wの中心が4個のウエハ支持体12の係合面12cによ
って形成される円の中心に一致させておく(図1参
照)。
【0021】すると、ウエハWは、各ウエハ支持体12
の係合面12cの間に入り、図3(a)(b)に示すよ
うな状態で係合面12dの上に載る。また、ウエハWの
外側面は各係合面12cに係合する。こうして、ウエハ
Wは4個のウエハ支持体12によって、治具本体11か
ら浮いた状態で4箇所で支持され且つ位置決めされる。
の係合面12cの間に入り、図3(a)(b)に示すよ
うな状態で係合面12dの上に載る。また、ウエハWの
外側面は各係合面12cに係合する。こうして、ウエハ
Wは4個のウエハ支持体12によって、治具本体11か
ら浮いた状態で4箇所で支持され且つ位置決めされる。
【0022】ウエハWの載置が終了すると、ウエハ移載
用治具10を所定の箇所まで移動させた後、載置してい
るウエハWを所定動作によってウエハカセットに差し込
み、あるいは固定台上に載せる。
用治具10を所定の箇所まで移動させた後、載置してい
るウエハWを所定動作によってウエハカセットに差し込
み、あるいは固定台上に載せる。
【0023】以上のようにしてウエハWの移載が終了す
ると、ウエハ移載用治具10は元の場所に戻り、上記と
同様にして次のウエハWの移載作業を開始する。以後、
同じ動作を繰り返す。
ると、ウエハ移載用治具10は元の場所に戻り、上記と
同様にして次のウエハWの移載作業を開始する。以後、
同じ動作を繰り返す。
【0024】ウエハ移載用治具10にウエハWを載せ、
あるいはウエハ移載用治具10からウエハWを取り出す
際に、ウエハWはウエハ支持体12の支持部12bと接
触ないし摺動することがある。しかし、支持部12bの
ウエハWとの接触箇所はすべてCVD−SiC膜14に
より覆われているので、その際にパーティクルが発生す
る恐れはほとんどない。
あるいはウエハ移載用治具10からウエハWを取り出す
際に、ウエハWはウエハ支持体12の支持部12bと接
触ないし摺動することがある。しかし、支持部12bの
ウエハWとの接触箇所はすべてCVD−SiC膜14に
より覆われているので、その際にパーティクルが発生す
る恐れはほとんどない。
【0025】CVD−SiC膜14は表面が均一である
ため、従来のようにウエハ支持体の表面を研磨しなくて
も、パーティクルの発生を抑制することができる。
ため、従来のようにウエハ支持体の表面を研磨しなくて
も、パーティクルの発生を抑制することができる。
【0026】(第2実施例)図4は、この発明のウエハ
移載用治具を半導体ウエハ用に適用した第2実施例を示
す平面図、図5はその側面図、図6はその部分拡大図で
ある。
移載用治具を半導体ウエハ用に適用した第2実施例を示
す平面図、図5はその側面図、図6はその部分拡大図で
ある。
【0027】第2実施例のウエハ移載用治具20は、上
述した第1実施例のウエハ移載用治具10と比べて、ウ
エハ支持体22の構成が異なっている他は同様の構成で
ある。
述した第1実施例のウエハ移載用治具10と比べて、ウ
エハ支持体22の構成が異なっている他は同様の構成で
ある。
【0028】すなわち、Al2O3製の矩形板からなる治
具本体21の取付部21aには、搬送ロボットのアーム
等に接続するための複数の透孔23が形成してあり、治
具本体21のウエハ載置部11bには、各角部に4個の
ピン状のウエハ支持体22が固定してある。各ウエハ支
持体22は、図4に示すように、それらの間に直径dの
半導体ウエハWが嵌合してその半導体ウエハWを4箇所
で支持するようにしてある。これらウエハ支持体22は
黒鉛製である。
具本体21の取付部21aには、搬送ロボットのアーム
等に接続するための複数の透孔23が形成してあり、治
具本体21のウエハ載置部11bには、各角部に4個の
ピン状のウエハ支持体22が固定してある。各ウエハ支
持体22は、図4に示すように、それらの間に直径dの
半導体ウエハWが嵌合してその半導体ウエハWを4箇所
で支持するようにしてある。これらウエハ支持体22は
黒鉛製である。
【0029】ウエハ支持体22は、図6に明瞭に示して
いるように、円柱形の嵌合部22aと、嵌合部22aの
直径よりも大きい直径を持つ第1の円板の上に、その円
板よりも直径の小さい第2の円板が載せられた形状の支
持部22bとから成っている。嵌合部22aは、治具本
体21に形成した透孔に嵌合され、ウエハ支持体22を
治具本体21に固定している。支持部22bは治具本体
21の上面よりも上方に突出している。
いるように、円柱形の嵌合部22aと、嵌合部22aの
直径よりも大きい直径を持つ第1の円板の上に、その円
板よりも直径の小さい第2の円板が載せられた形状の支
持部22bとから成っている。嵌合部22aは、治具本
体21に形成した透孔に嵌合され、ウエハ支持体22を
治具本体21に固定している。支持部22bは治具本体
21の上面よりも上方に突出している。
【0030】支持部22bは、直径の小さい第2の円板
を外側に向けて固定してあり、直径の大きい第1の円板
によって形成された平坦な載置面22dは、ウエハWの
下面に接触してこれを支持する。また、第2の円板によ
って形成された凸円筒面状の係合面22cは、ウエハW
の外側面に接触してこれが治具本体21の上面に沿って
移動するのを防止し、ウエハWの位置決めをする。こう
して、ウエハWは4個のウエハ支持体22によって、治
具本体21から浮いた状態で4箇所で支持され、且つ位
置決めされる。
を外側に向けて固定してあり、直径の大きい第1の円板
によって形成された平坦な載置面22dは、ウエハWの
下面に接触してこれを支持する。また、第2の円板によ
って形成された凸円筒面状の係合面22cは、ウエハW
の外側面に接触してこれが治具本体21の上面に沿って
移動するのを防止し、ウエハWの位置決めをする。こう
して、ウエハWは4個のウエハ支持体22によって、治
具本体21から浮いた状態で4箇所で支持され、且つ位
置決めされる。
【0031】ウエハ支持体22の支持部22bの表面
は、図6に示すように、表面全体をCVD−SiC膜2
4によって覆ってある。したがって、ウエハ支持体22
を形成する黒鉛がウエハWに直接接触することはない。
CVD−SiC膜24の表面は研磨されていない。
は、図6に示すように、表面全体をCVD−SiC膜2
4によって覆ってある。したがって、ウエハ支持体22
を形成する黒鉛がウエハWに直接接触することはない。
CVD−SiC膜24の表面は研磨されていない。
【0032】第1実施例では、ウエハ支持体12の係合
面12cの両端に鋭利な角12eが存在しているため、
ウエハWが角12eに接触してパーティクルを発生する
可能性が残る。しかし、第2実施例ではウエハ支持体2
2の係合面22cが凸円筒面状とされ、ウエハWが摺動
あるいは衝突する箇所に鋭利な角が存在していない。し
たがって、第2実施例のウエハ移載用治具20は、第1
実施例に比べて、ウエハWの衝突等によってパーティク
ルが発生する可能性がいっそう少なくなる利点がある。
面12cの両端に鋭利な角12eが存在しているため、
ウエハWが角12eに接触してパーティクルを発生する
可能性が残る。しかし、第2実施例ではウエハ支持体2
2の係合面22cが凸円筒面状とされ、ウエハWが摺動
あるいは衝突する箇所に鋭利な角が存在していない。し
たがって、第2実施例のウエハ移載用治具20は、第1
実施例に比べて、ウエハWの衝突等によってパーティク
ルが発生する可能性がいっそう少なくなる利点がある。
【0033】(第3実施例)図7は、この発明のウエハ
移載用治具を半導体ウエハ用に適用した第3実施例を示
す平面図、図8はその側面図、図9はその部分拡大図で
ある。
移載用治具を半導体ウエハ用に適用した第3実施例を示
す平面図、図8はその側面図、図9はその部分拡大図で
ある。
【0034】この実施例のウエハ移載用治具30は、ウ
エハ支持体のさらに他の変形例を示すもので、第2実施
例と同じ治具本体21を持っている。
エハ支持体のさらに他の変形例を示すもので、第2実施
例と同じ治具本体21を持っている。
【0035】ウエハ支持体32は、図9に明瞭に示して
いるように、円板形の嵌合部32aと、嵌合部32aの
直径よりも大きい直径を持つ第1の円板の上に、その円
板よりも直径の小さい第2の円板が中心を同じくして載
せられた形状の支持部32bとから成っている。嵌合部
32aと支持部32aも中心を同じくしてあり、また、
嵌合部32aと支持部32aの第2円板は同じ形状であ
る。
いるように、円板形の嵌合部32aと、嵌合部32aの
直径よりも大きい直径を持つ第1の円板の上に、その円
板よりも直径の小さい第2の円板が中心を同じくして載
せられた形状の支持部32bとから成っている。嵌合部
32aと支持部32aも中心を同じくしてあり、また、
嵌合部32aと支持部32aの第2円板は同じ形状であ
る。
【0036】嵌合部32aは、治具本体21の透孔に嵌
合され、ウエハ支持体32を治具本体21に固定してい
る。支持部32bは治具本体21の上面よりも上方に突
出している。
合され、ウエハ支持体32を治具本体21に固定してい
る。支持部32bは治具本体21の上面よりも上方に突
出している。
【0037】支持部32bの直径の大きい第1の円板に
よって形成された平坦な載置面32dは、ウエハWの下
面に接触してこれを支持する。また、第2の円板によっ
て形成された凸円筒面状の係合面32cは、ウエハWの
外側面に接触してその位置決めをする。ウエハWは4個
のウエハ支持体32によって、治具本体21から浮いた
状態で支持且つ位置決めされる。
よって形成された平坦な載置面32dは、ウエハWの下
面に接触してこれを支持する。また、第2の円板によっ
て形成された凸円筒面状の係合面32cは、ウエハWの
外側面に接触してその位置決めをする。ウエハWは4個
のウエハ支持体32によって、治具本体21から浮いた
状態で支持且つ位置決めされる。
【0038】ウエハ支持体32の支持部32bの表面
は、図9に示すように、表面全体をCVD−SiC膜3
4によって覆ってある。CVD−SiC膜34の表面は
研磨されていない。
は、図9に示すように、表面全体をCVD−SiC膜3
4によって覆ってある。CVD−SiC膜34の表面は
研磨されていない。
【0039】ウエハ支持体32は、その中心軸に対して
回転対称形状であり、また上下対称形状でもあるから、
固定時の向きを変えることにより、新たな載置面32d
と係合面32cが容易に得られる。したがって、処理す
る半導体ウエハの歩留りが向上すると共に、この治具の
寿命が伸びるという利点がある。さらに、ウエハ載置部
31bに固定する際にその向きを考慮する必要がないと
いう利点もある。
回転対称形状であり、また上下対称形状でもあるから、
固定時の向きを変えることにより、新たな載置面32d
と係合面32cが容易に得られる。したがって、処理す
る半導体ウエハの歩留りが向上すると共に、この治具の
寿命が伸びるという利点がある。さらに、ウエハ載置部
31bに固定する際にその向きを考慮する必要がないと
いう利点もある。
【0040】(第4実施例)図10は、この発明のウエ
ハ移載用治具を半導体ウエハ用に適用した第4実施例を
示す平面図、図11はその側面図である。
ハ移載用治具を半導体ウエハ用に適用した第4実施例を
示す平面図、図11はその側面図である。
【0041】この実施例もウエハ支持体のさらに他の変
形例を示す。ウエハ移載用治具40は、第2実施例と同
じ治具本体21を持ち、第2実施例のウエハ支持体22
と第3実施例のウエハ支持体32を2個ずつ組み合わせ
て使用したものである。
形例を示す。ウエハ移載用治具40は、第2実施例と同
じ治具本体21を持ち、第2実施例のウエハ支持体22
と第3実施例のウエハ支持体32を2個ずつ組み合わせ
て使用したものである。
【0042】上記第1〜第3実施例では、4個のウエハ
支持体はいずれも同じ形状であるが、この第4実施例の
ように、形状の異なるウエハ支持体を組み合せて構成す
ることもできる。
支持体はいずれも同じ形状であるが、この第4実施例の
ように、形状の異なるウエハ支持体を組み合せて構成す
ることもできる。
【0043】(試験)次に、この発明と従来例との比較
試験を行なった結果を以下に示す。
試験を行なった結果を以下に示す。
【0044】各試料のウエハ支持体の形状は上記第1実
施例と同じ形状とし、その材質をAl2O3、Si−Si
C、Siおよび黒鉛に変えて作製した。黒鉛材質の試料
についてのみ表面にCVD−SiC膜(厚さ10μm)
を形成した。各試料の表面粗さRaは下記の値に設定し
た。これら試料を上記第1実施例と同じ形状を持つAl
2O3製の本体に組み込み、Siウエハの移載作業を行な
って発生するパーティクル数を測定した。その結果は次
の通りである。
施例と同じ形状とし、その材質をAl2O3、Si−Si
C、Siおよび黒鉛に変えて作製した。黒鉛材質の試料
についてのみ表面にCVD−SiC膜(厚さ10μm)
を形成した。各試料の表面粗さRaは下記の値に設定し
た。これら試料を上記第1実施例と同じ形状を持つAl
2O3製の本体に組み込み、Siウエハの移載作業を行な
って発生するパーティクル数を測定した。その結果は次
の通りである。
【0045】 表面粗さRa(μm) 材 質 パーティクル数(個/ウエハ) 0.1 Al2O3 70 5 Al2O3 90 10 Al2O3 115 0.1 Si−SiC 90 5 Si−SiC 120 15 Si−SiC 150 0.1 Si 65 15 Si 200 0.05 C(CVD−SiC膜) 45 0.5 C(CVD−SiC膜) 15 1 C(CVD−SiC膜) 7 5 C(CVD−SiC膜) 4 10 C(CVD−SiC膜) 11 15 C(CVD−SiC膜) 55 この試験結果から、この発明によれば、発生するパーテ
ィクル数が従来例に比べて減少することが分かる。ま
た、その効果の顕著な範囲は、CVD−SiC膜の表面
粗さRaが0.5〜10μmの範囲であることも分か
る。
ィクル数が従来例に比べて減少することが分かる。ま
た、その効果の顕著な範囲は、CVD−SiC膜の表面
粗さRaが0.5〜10μmの範囲であることも分か
る。
【0046】ウエハ支持体表面の膜をCVD−SiCの
代わりにCVD−Si3N4にしても、同様の効果が得ら
れた。
代わりにCVD−Si3N4にしても、同様の効果が得ら
れた。
【0047】ウエハ支持体の形状は、図示したものに限
定されるものではなく、ウエハWを治具本体11の表面
から浮かせて支持できるものであれば、任意に変更可能
である。しかし、ウエハWの支持と位置決めが行なえ且
つウエハWとの接触面積が小さくなるものが好ましい。
定されるものではなく、ウエハWを治具本体11の表面
から浮かせて支持できるものであれば、任意に変更可能
である。しかし、ウエハWの支持と位置決めが行なえ且
つウエハWとの接触面積が小さくなるものが好ましい。
【0048】また、上記両実施例では、4個のウエハ支
持体12、22を設けているが、その個数に制限はなく
例えば3個あるいは5個以上にしてもよい。しかし、好
ましいのは4個である。
持体12、22を設けているが、その個数に制限はなく
例えば3個あるいは5個以上にしてもよい。しかし、好
ましいのは4個である。
【0049】
【発明の効果】以上説明したように、この発明のウエハ
移載治具によれば、使用中に発生するパーティクル量が
きわめて少なくなる。このため、熱処理等の以後の工程
において歩留りを低下させる恐れがほとんどなくなる。
移載治具によれば、使用中に発生するパーティクル量が
きわめて少なくなる。このため、熱処理等の以後の工程
において歩留りを低下させる恐れがほとんどなくなる。
【0050】また、使用する高価なウエハ支持体の数を
減らすことができるため、コストを低減することができ
る。
減らすことができるため、コストを低減することができ
る。
【図1】この発明のウエハ移載用治具の一実施例を示す
平面図である。
平面図である。
【図2】図1のウエハ移載用治具の側面図である。
【図3】(a)は図2のA部の部分拡大断面図、(b)
は図2のB部の部分拡大断面図、(c)はウエハ支持体
の拡大平面図である。
は図2のB部の部分拡大断面図、(c)はウエハ支持体
の拡大平面図である。
【図4】この発明のウエハ移載用治具の第2実施例を示
す平面図である。
す平面図である。
【図5】図4のウエハ移載用治具の側面図である。
【図6】(a)は図5のC部の部分拡大断面図、(b)
はウエハ支持体の拡大平面図である。
はウエハ支持体の拡大平面図である。
【図7】この発明のウエハ移載用治具の第3実施例を示
す平面図である。
す平面図である。
【図8】図7のウエハ移載用治具の側面図である。
【図9】(a)は図8のE部の部分拡大断面図、(b)
は図8のD部の部分拡大断面図、(c)はウエハ支持体
の拡大平面図である。
は図8のD部の部分拡大断面図、(c)はウエハ支持体
の拡大平面図である。
【図10】この発明のウエハ移載用治具の第4実施例を
示す平面図である。
示す平面図である。
【図11】図10のウエハ移載用治具の側面図である。
10 ウエハ移載用治具 11 治具本体 11a 治具本体の取付部 11b 治具本体のウエハ載置部 12 ウエハ支持体 12a ウエハ支持体の嵌合部 12b ウエハ支持体の支持部 12c ウエハ支持体の係合面 12d ウエハ支持体の載置面 12e ウエハ支持体の角 13 透孔 14 CVD−SiC膜 20 ウエハ移載用治具 21 治具本体 21a 治具本体の取付部 21b 治具本体のウエハ載置部 22 ウエハ支持体 22a ウエハ支持体の嵌合部 22b ウエハ支持体の支持部 22c ウエハ支持体の係合面 22d ウエハ支持体の載置面 23 透孔 24 CVD−SiC膜 30 ウエハ移載用治具 32 ウエハ支持体 32a ウエハ支持体の嵌合部 32b ウエハ支持体の支持部 32c ウエハ支持体の係合面 32d ウエハ支持体の載置面 34 CVD−SiC膜 40 ウエハ移載用治具 W 半導体ウエハ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 土川 千尋 東京都新宿区西新宿1丁目26番2号 東芝 セラミックス株式会社内 (72)発明者 吉田 真史 東京都新宿区西新宿1丁目26番2号 東芝 セラミックス株式会社内 (72)発明者 藤原 馨 東京都新宿区西新宿2丁目3番1号 東京 エレクトロン株式会社内 (72)発明者 松尾 剛伸 東京都新宿区西新宿2丁目3番1号 東京 エレクトロン株式会社内 (72)発明者 後藤 正幸 千葉県東金市小沼田字戌開1573番8 東芝 セラミックス株式会社東金工場内
Claims (1)
- 【請求項1】 複数の孔を有する治具本体と、ウエハ係
合用の係合部を設けた頭部を上方に突出させて前記治具
本体の孔に嵌合される複数のピン状のウエハ支持体と、
前記ウエハ支持体の少なくともウエハと接触する箇所に
被覆された、CVD−SiCおよびCVD−Si3N4の
いずれか一種からなる膜とを備えてなることを特徴とす
るウエハ移載用治具。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP509093A JPH06224281A (ja) | 1992-01-14 | 1993-01-14 | ウエハ移載用治具 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4-4974 | 1992-01-14 | ||
| JP497492 | 1992-01-14 | ||
| JP509093A JPH06224281A (ja) | 1992-01-14 | 1993-01-14 | ウエハ移載用治具 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06224281A true JPH06224281A (ja) | 1994-08-12 |
Family
ID=26338847
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP509093A Pending JPH06224281A (ja) | 1992-01-14 | 1993-01-14 | ウエハ移載用治具 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06224281A (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0713245A3 (en) * | 1994-11-17 | 1996-09-04 | Shinetsu Handotai Kk | Semiconductor wafer holding device for heat treatment and treatment method from one of its sides |
| WO2000007223A3 (de) * | 1998-07-27 | 2000-06-08 | Fraunhofer Ges Forschung | Verfahren zur verringerung der partikelabgabe und partikelaufnahme einer oberfläche |
| JP2002110777A (ja) * | 2000-09-26 | 2002-04-12 | Disco Eng Service:Kk | 被加工物の支持フレーム |
| JP2002531942A (ja) | 1998-12-02 | 2002-09-24 | ニューポート・コーポレーション | 試料を保持するロボットアーム端部エフェクタ |
| US6614190B2 (en) | 2001-01-31 | 2003-09-02 | Hitachi, Ltd. | Ion implanter |
| KR100660996B1 (ko) * | 1999-05-28 | 2006-12-26 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 웨이퍼 핸들링 시스템용 조립체 |
| US7214271B2 (en) | 2001-09-27 | 2007-05-08 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Silicon single crystal wafer process apparatus, silicon single crystal wafer, and manufacturing method of silicon epitaxial wafer |
| WO2009005027A1 (ja) * | 2007-06-29 | 2009-01-08 | Ulvac, Inc. | 基板搬送ロボット及びそれを備えた真空処理装置 |
| JP2025539776A (ja) * | 2022-11-21 | 2025-12-09 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 基板を移送するための移送装置、並びにそれに関連する構成要素及び方法 |
-
1993
- 1993-01-14 JP JP509093A patent/JPH06224281A/ja active Pending
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| CN101779282B (zh) | 2007-06-29 | 2012-04-04 | 株式会社爱发科 | 基板输送机械手 |
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| JP2025539776A (ja) * | 2022-11-21 | 2025-12-09 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 基板を移送するための移送装置、並びにそれに関連する構成要素及び方法 |
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