JPH06224357A - 樹脂封止型半導体装置 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置Info
- Publication number
- JPH06224357A JPH06224357A JP5010332A JP1033293A JPH06224357A JP H06224357 A JPH06224357 A JP H06224357A JP 5010332 A JP5010332 A JP 5010332A JP 1033293 A JP1033293 A JP 1033293A JP H06224357 A JPH06224357 A JP H06224357A
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- JP
- Japan
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- resin
- semiconductor device
- bed
- hanging pin
- semiconductor element
- Prior art date
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/90—Bond pads, in general
- H10W72/931—Shapes of bond pads
- H10W72/932—Plan-view shape, i.e. in top view
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 樹脂封止型半導体装置の組立工程における吸
湿水分の排出効果を高める点。 【構成】 リ−ドフレ−ムにおける吊りピンと、これに
最も近い位置のインナ−リ−ドを合体して幅広部を形成
して封止樹脂との接触面積を増し、吸湿水分の排出効果
を増すことにより封止樹脂内の水分の膨脹を防止する。
湿水分の排出効果を高める点。 【構成】 リ−ドフレ−ムにおける吊りピンと、これに
最も近い位置のインナ−リ−ドを合体して幅広部を形成
して封止樹脂との接触面積を増し、吸湿水分の排出効果
を増すことにより封止樹脂内の水分の膨脹を防止する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、樹脂封止型半導体装置
の改良に係わり、特に薄型平面実装型の樹脂封止型半導
体装置に好適する。
の改良に係わり、特に薄型平面実装型の樹脂封止型半導
体装置に好適する。
【０００２】
【従来の技術】半導体素子の組立方式には、いわゆるタ
ブを利用するのに対してリ−ドフレ−ムも広く利用され
ており、半導体素子の機種に応じてリ−ドフレ−ムの型
を選定する。集積度が向上した半導体素子をマウントす
るリ−ドフレ−ムは、リ−ド数を増していわゆる多ピン
素子に備えているが、その形状を図１を参照して説明す
る。鉄や鉄−Ｎｉ合金更にクラッド材などから成る金属
板体をエッチングやプレス工程によって、所定形状のリ
−ドフレ−ムとする。この形状は前記のように型により
異なるものの、１個の半導体素子をマウントするべッド
部１をほぼ中央部分に設けた単位体を複数個連続して形
成し、単位体の数により長尺か短尺かに区別する。
ブを利用するのに対してリ−ドフレ−ムも広く利用され
ており、半導体素子の機種に応じてリ−ドフレ−ムの型
を選定する。集積度が向上した半導体素子をマウントす
るリ−ドフレ−ムは、リ−ド数を増していわゆる多ピン
素子に備えているが、その形状を図１を参照して説明す
る。鉄や鉄−Ｎｉ合金更にクラッド材などから成る金属
板体をエッチングやプレス工程によって、所定形状のリ
−ドフレ−ムとする。この形状は前記のように型により
異なるものの、１個の半導体素子をマウントするべッド
部１をほぼ中央部分に設けた単位体を複数個連続して形
成し、単位体の数により長尺か短尺かに区別する。
【０００３】べッド部１の周囲には、やや間隔を保って
インナ−リ−ド２を設け、べッド部１にマウントする半
導体素子の電極とインナ−リ−ド２間に金属細線３を一
定のル−プにより張架して、他の電子機器との接続に備
える。リ−ドフレ−ムの機械的強度を維持するために周
囲の枠体には、連結細条を設け、樹脂封止工程後に除去
するのが一般的である。また、一連の工程後トランスフ
ァモ−ルド工程いわゆる樹脂封止工程を行って半導体素
子を外部雰囲気から保護すると共に、インナ−リ−ドを
封止樹脂外に導出して（アウタ−リ−ドと呼称する) 外
部の電子機器との電気的接続を行う。
インナ−リ−ド２を設け、べッド部１にマウントする半
導体素子の電極とインナ−リ−ド２間に金属細線３を一
定のル−プにより張架して、他の電子機器との接続に備
える。リ−ドフレ−ムの機械的強度を維持するために周
囲の枠体には、連結細条を設け、樹脂封止工程後に除去
するのが一般的である。また、一連の工程後トランスフ
ァモ−ルド工程いわゆる樹脂封止工程を行って半導体素
子を外部雰囲気から保護すると共に、インナ−リ−ドを
封止樹脂外に導出して（アウタ−リ−ドと呼称する) 外
部の電子機器との電気的接続を行う。
【０００４】このようなリ−ドフレ−ムは図１の上面図
に明らかなように、図示しない枠体の対向する位置を起
点とする吊りピン４によりベッド部１を固定して機械的
な強度を持たせており、その周囲に配置するインナ−リ
−ド２端との距離は割合接近している。半導体素子には
能動層または受動層を形成し、これと電気的に接続する
配線層を周囲に伸ばしていわゆるパッド５とも電気的に
接続し、このパッド５とインナ−リ−ド間に金属細線３
を張架するのは前記の通りである（図２参照）。なお吊
りピン４数は最低２個である。
に明らかなように、図示しない枠体の対向する位置を起
点とする吊りピン４によりベッド部１を固定して機械的
な強度を持たせており、その周囲に配置するインナ−リ
−ド２端との距離は割合接近している。半導体素子には
能動層または受動層を形成し、これと電気的に接続する
配線層を周囲に伸ばしていわゆるパッド５とも電気的に
接続し、このパッド５とインナ−リ−ド間に金属細線３
を張架するのは前記の通りである（図２参照）。なお吊
りピン４数は最低２個である。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】樹脂封止型半導体装置
の中には表面実装型の機種が多用されており、他の電子
機器の表面に実装するに際しては、特殊な形状に整形し
たアウタ−リ−ドを半田などを介して他の電子機器に固
着するが、その固着に当たっては、いわゆるリフロ−方
式を採用するのが一般的である。
の中には表面実装型の機種が多用されており、他の電子
機器の表面に実装するに際しては、特殊な形状に整形し
たアウタ−リ−ドを半田などを介して他の電子機器に固
着するが、その固着に当たっては、いわゆるリフロ−方
式を採用するのが一般的である。
【０００６】一方リ−ドフレ−ムに形成するベッド部は
ほぼ長方形であり、その短辺側にパッド５を設けると共
にインナ−リ−ド２の先端も比較的近い位置に配置する
ことになり、他ピン素子においては多数のリ−ドを設置
せざるを得ない。従ってインナ−リ−ド２のラインスペ
−スを十分に採ろうとすると、逆に吊りピン４の幅があ
まり広くすることができない。
ほぼ長方形であり、その短辺側にパッド５を設けると共
にインナ−リ−ド２の先端も比較的近い位置に配置する
ことになり、他ピン素子においては多数のリ−ドを設置
せざるを得ない。従ってインナ−リ−ド２のラインスペ
−スを十分に採ろうとすると、逆に吊りピン４の幅があ
まり広くすることができない。
【０００７】これにより排出効果が十分でない。排出効
果とは、封止樹脂とリ−ドフレ−ムを構成する金属間に
生ずるわずかな隙間により、両材料に吸湿した水分が加
熱即ちリフロ−工程時に排出する効果を意味する。
果とは、封止樹脂とリ−ドフレ−ムを構成する金属間に
生ずるわずかな隙間により、両材料に吸湿した水分が加
熱即ちリフロ−工程時に排出する効果を意味する。
【０００８】前記のように多ピン素子にあっては、イン
ナ−リ−ドの幅、間隔が狭くなると共に、吊りピン４の
幅も狭くなるので、前記水分の排出が十分でない。この
ために、リフロ−工程時に水分が膨脹して封止樹脂層に
クラックを発生する基になる。
ナ−リ−ドの幅、間隔が狭くなると共に、吊りピン４の
幅も狭くなるので、前記水分の排出が十分でない。この
ために、リフロ−工程時に水分が膨脹して封止樹脂層に
クラックを発生する基になる。
【０００９】本発明は、このような事情により成された
もので、新規な樹脂封止型半導体装置を提供することを
目的とする。
もので、新規な樹脂封止型半導体装置を提供することを
目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】金属板体のほぼ中央部分
に設置するベッド部と，この周囲に配置するインナ−リ
−ドと，前記ベッド部に接続して設ける吊りピンと，こ
の吊りピンとこれに最も近い単独のインナ−リ−ドを合
体する幅広部と，前記ベッドにマウントする半導体素子
と，この半導体素子を被覆する封止樹脂層とに本発明に
係わる樹脂封止型半導体装置の特徴がある。更に前記ベ
ッド部を起点とする幅広部と，前記封止樹脂層に露出す
る前記幅広部からの複数終点と，この幅広部に形成する
最大幅部から前記複数終点を構成する単独の外部リ−ド
とにも特徴がある。
に設置するベッド部と，この周囲に配置するインナ−リ
−ドと，前記ベッド部に接続して設ける吊りピンと，こ
の吊りピンとこれに最も近い単独のインナ−リ−ドを合
体する幅広部と，前記ベッドにマウントする半導体素子
と，この半導体素子を被覆する封止樹脂層とに本発明に
係わる樹脂封止型半導体装置の特徴がある。更に前記ベ
ッド部を起点とする幅広部と，前記封止樹脂層に露出す
る前記幅広部からの複数終点と，この幅広部に形成する
最大幅部から前記複数終点を構成する単独の外部リ−ド
とにも特徴がある。
【００１１】
【作用】リ−ドフレ−ムを構成する金属層は、封止樹脂
層との間に生ずるわずかな隙間から吸蔵水分を排出する
効果を備えており、その排出が不十分な場合には、封止
樹脂層から成る外囲器にクラックが発生する。その証拠
としては、樹脂封止型半導体装置を約１２５℃で６時間
乾燥するとｐ．ｐ．ｍのオ−ダで重量が減少する事実が
明らかになった。即ち、６０％の湿度を保ち８５℃に維
持した吸湿オ−ブンに樹脂封止型半導体装置を１６８時
間入れると、１０００ｐ．ｐ．ｍのオ−ダで重量が減少
する事実に基ずいて本発明は完成し、特に平面実装型の
樹脂封止型半導体装置に好適する。
層との間に生ずるわずかな隙間から吸蔵水分を排出する
効果を備えており、その排出が不十分な場合には、封止
樹脂層から成る外囲器にクラックが発生する。その証拠
としては、樹脂封止型半導体装置を約１２５℃で６時間
乾燥するとｐ．ｐ．ｍのオ−ダで重量が減少する事実が
明らかになった。即ち、６０％の湿度を保ち８５℃に維
持した吸湿オ−ブンに樹脂封止型半導体装置を１６８時
間入れると、１０００ｐ．ｐ．ｍのオ−ダで重量が減少
する事実に基ずいて本発明は完成し、特に平面実装型の
樹脂封止型半導体装置に好適する。
【００１２】
【実施例】本発明に係わる実施例を図３ならびに図４を
参照して説明する。両図はリ−ドフレ−ムに半導体素子
をマウントした後の上面図であり、SOP (Small Out Lin
ePackage)樹脂封止型半導体装置により説明する。
参照して説明する。両図はリ−ドフレ−ムに半導体素子
をマウントした後の上面図であり、SOP (Small Out Lin
ePackage)樹脂封止型半導体装置により説明する。
【００１３】図２ならびに図３に明らかなように、SOP
型樹脂封止型半導体装置に使用するリ−ドフレ−ムも、
鉄や鉄−Ｎｉ合金更にクラッド材などから成る金属板体
をエッチングやプレス工程によって、所定の形状に成形
する。この形状は樹脂封止型半導体装置の型により異な
るものの、１個の半導体素子をマウントするべッド部１
をほぼ中央部分に設け、これを複数個連続してその数に
より長尺か短尺かに区別する。
型樹脂封止型半導体装置に使用するリ−ドフレ−ムも、
鉄や鉄−Ｎｉ合金更にクラッド材などから成る金属板体
をエッチングやプレス工程によって、所定の形状に成形
する。この形状は樹脂封止型半導体装置の型により異な
るものの、１個の半導体素子をマウントするべッド部１
をほぼ中央部分に設け、これを複数個連続してその数に
より長尺か短尺かに区別する。
【００１４】べッド部１０の周囲には、やや間隔を保っ
てインナ−リ−ド１１端を配置して、マウントする半導
体素子の電極とインナ−リ−ド１１間に金属細線１２を
一定のル−プにより張架するのに役立たせると共に他の
電子機器との接続に備える。このようなリ−ドフレ−ム
の機械的強度を維持するためには、インナ−リ−ド１２
の起点である周囲の枠体に、いわゆる連結細条（図示せ
ず）を設け、樹脂封止工程後に除去するのが一般的であ
る。
てインナ−リ−ド１１端を配置して、マウントする半導
体素子の電極とインナ−リ−ド１１間に金属細線１２を
一定のル−プにより張架するのに役立たせると共に他の
電子機器との接続に備える。このようなリ−ドフレ−ム
の機械的強度を維持するためには、インナ−リ−ド１２
の起点である周囲の枠体に、いわゆる連結細条（図示せ
ず）を設け、樹脂封止工程後に除去するのが一般的であ
る。
【００１５】また、一連のマウント工程後には、トラン
スファモ−ルド(Transfer Mold) 工程いわゆる樹脂封止
工程を行って半導体素子を外部雰囲気から保護すると共
に、インナ−リ−ド１２を封止樹脂外に導出して外部の
電子機器との電気的接続を行う。
スファモ−ルド(Transfer Mold) 工程いわゆる樹脂封止
工程を行って半導体素子を外部雰囲気から保護すると共
に、インナ−リ−ド１２を封止樹脂外に導出して外部の
電子機器との電気的接続を行う。
【００１６】このようなリ−ドフレ−ムは図１の上面図
に明らかなように、図示しない枠体の対向する位置を起
点とする吊りピン１３によりベッド部１を固定して機械
的な強度を持たせており、その周囲に配置するインナ−
リ−ド１１端との距離は割合小さい。
に明らかなように、図示しない枠体の対向する位置を起
点とする吊りピン１３によりベッド部１を固定して機械
的な強度を持たせており、その周囲に配置するインナ−
リ−ド１１端との距離は割合小さい。
【００１７】一方半導体素子には通常の工程により特定
の不純物を拡散して能動層または受動層を形成し、これ
と電気的に接続する配線層を周囲に伸ばしていわゆるパ
ッド５とも電気的に接続し、このパッド１４とインナ−
リ−ド間に金属細線１２を張架するのは前記の通りであ
る。なお吊りピン１３の数は最低２個である。
の不純物を拡散して能動層または受動層を形成し、これ
と電気的に接続する配線層を周囲に伸ばしていわゆるパ
ッド５とも電気的に接続し、このパッド１４とインナ−
リ−ド間に金属細線１２を張架するのは前記の通りであ
る。なお吊りピン１３の数は最低２個である。
【００１８】しかし、本願では吊りピン１３とインナ−
リ−ド１２の関係が従来技術と相違する。即ち、図３及
び図４に明らかなように一方の吊りピン１３とこれに対
するインナ−リ−ドの本数を一本減らして、逆に吊りピ
ンに幅広部１５を形成して吸湿水分の排出効果を増大す
る。
リ−ド１２の関係が従来技術と相違する。即ち、図３及
び図４に明らかなように一方の吊りピン１３とこれに対
するインナ−リ−ドの本数を一本減らして、逆に吊りピ
ンに幅広部１５を形成して吸湿水分の排出効果を増大す
る。
【００１９】ただし他のインナ−リ−ドの間隔は従来と
同様であり、その出口は封止樹脂層（図示せず）表面の
３個所ａ、ｂ、ｃとなる。このような吊りピン１３を備
えたSOP リ−ドフレ−ムに半導体素子をマウント後いわ
ゆるモ−ルド(Transfer Moldの略) 工程を行って樹脂封
止型半導体装置を完成すると、吸湿水分の排出効果が向
上する。
同様であり、その出口は封止樹脂層（図示せず）表面の
３個所ａ、ｂ、ｃとなる。このような吊りピン１３を備
えたSOP リ−ドフレ−ムに半導体素子をマウント後いわ
ゆるモ−ルド(Transfer Moldの略) 工程を行って樹脂封
止型半導体装置を完成すると、吸湿水分の排出効果が向
上する。
【００２０】更にマウントする半導体素子に形成するパ
ッド１４と、吊りピン１３に最も近い位置のインナ−リ
−ド１２とを電気的に接続しない機種では、図４に示す
ように遊びのインナ−リ−ド１２と吊りピン１３を合体
して図３の場合より幅が大きい幅広部１５を形成する。
具体的には、インナ−リ−ド１２を途中で切離して残っ
た部分を図４の点線で示すように吊りピン１３と一体と
すれば図３の場合より幅の大きい幅広部１５が得られ
る。この結果、封止樹脂層との接触面積が増すので排出
効果が図３の例より増大する。
ッド１４と、吊りピン１３に最も近い位置のインナ−リ
−ド１２とを電気的に接続しない機種では、図４に示す
ように遊びのインナ−リ−ド１２と吊りピン１３を合体
して図３の場合より幅が大きい幅広部１５を形成する。
具体的には、インナ−リ−ド１２を途中で切離して残っ
た部分を図４の点線で示すように吊りピン１３と一体と
すれば図３の場合より幅の大きい幅広部１５が得られ
る。この結果、封止樹脂層との接触面積が増すので排出
効果が図３の例より増大する。
【００２１】
【発明の効果】平面実装型の樹脂封止型半導体装置をマ
ウントするリ−ドフレ−ムは、インナ−リ−ドのライン
スペ−スを十分に採ると広い面積の吊りピンが造れなか
ったので、実装工程におけるリフロ−工程で吸湿水分を
十分に排出できなかった。しかし、本発明に係わる平面
実装型の樹脂封止型半導体装置においては、インナ−リ
−ドの一部を吊りピンと一体として幅広部を形成したの
で、吸湿水分を確実に排出でき、ひいては水分が封止樹
脂内で膨脹して発生するクラックを防止できる。
ウントするリ−ドフレ−ムは、インナ−リ−ドのライン
スペ−スを十分に採ると広い面積の吊りピンが造れなか
ったので、実装工程におけるリフロ−工程で吸湿水分を
十分に排出できなかった。しかし、本発明に係わる平面
実装型の樹脂封止型半導体装置においては、インナ−リ
−ドの一部を吊りピンと一体として幅広部を形成したの
で、吸湿水分を確実に排出でき、ひいては水分が封止樹
脂内で膨脹して発生するクラックを防止できる。
【図１】従来のリ−ドフレ−ムの上面図である。
【図２】図１に示したリ−ドフレ−ムにマウントした半
導体素子のパッドとインナ−リ−ド間を金属細線により
接続する状態を示す上面図である。
導体素子のパッドとインナ−リ−ド間を金属細線により
接続する状態を示す上面図である。
【図３】本発明に係わる樹脂封止型半導体装置の組立工
程時の上面図である。
程時の上面図である。
【図４】本発明に係わる他の実施例の樹脂封止型半導体
装置組立工程時の上面図である。
装置組立工程時の上面図である。
１、１０：ベッド部、 ２、１１：インナ−リ−ド、 ３、１２：金属細線、 ４、１３：吊りピン、 ５、１４：パッド、 １５：幅広部、 ａ、ｂ、ｃ：出口。
Claims (2)
- 【請求項１】 金属板体のほぼ中央部分に設置するベッ
ド部と，この周囲に配置するインナ−リ−ドと，前記ベ
ッド部に接続して設ける吊りピンと，この吊りピンとこ
れに最も近い単独のインナ−リ−ドを合体して設ける幅
広部と，前記ベッドにマウントする半導体素子と，この
半導体素子を被覆する封止樹脂層を具備することを特徴
とする樹脂封止型半導体装置 - 【請求項２】 前記ベッド部を起点とする幅広部と，前
記封止樹脂層に露出する前記幅広部からの複数終点と，
この幅広部に形成する最大幅部から前記複数終点を構成
する単独の外部リ−ドとを具備することを特徴とする樹
脂封止型半導体装置
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5010332A JPH06224357A (ja) | 1993-01-26 | 1993-01-26 | 樹脂封止型半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5010332A JPH06224357A (ja) | 1993-01-26 | 1993-01-26 | 樹脂封止型半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06224357A true JPH06224357A (ja) | 1994-08-12 |
Family
ID=11747252
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5010332A Withdrawn JPH06224357A (ja) | 1993-01-26 | 1993-01-26 | 樹脂封止型半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06224357A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7589399B2 (en) | 2005-08-26 | 2009-09-15 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor device, lead frame used in the semiconductor device and electronic equipment using the semiconductor device |
| WO2023189650A1 (ja) * | 2022-03-31 | 2023-10-05 | ローム株式会社 | 半導体装置 |
-
1993
- 1993-01-26 JP JP5010332A patent/JPH06224357A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7589399B2 (en) | 2005-08-26 | 2009-09-15 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor device, lead frame used in the semiconductor device and electronic equipment using the semiconductor device |
| WO2023189650A1 (ja) * | 2022-03-31 | 2023-10-05 | ローム株式会社 | 半導体装置 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20000404 |