JPH06224467A - ポジションセンサ - Google Patents
ポジションセンサInfo
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- JPH06224467A JPH06224467A JP5009995A JP999593A JPH06224467A JP H06224467 A JPH06224467 A JP H06224467A JP 5009995 A JP5009995 A JP 5009995A JP 999593 A JP999593 A JP 999593A JP H06224467 A JPH06224467 A JP H06224467A
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- JP
- Japan
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- resistance
- diffusion layer
- impurity diffusion
- type impurity
- electrodes
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- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
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- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
- Measurement Of Optical Distance (AREA)
- Photo Coupler, Interrupter, Optical-To-Optical Conversion Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 ポジションセンサの光点位置直線性および光
点位置の高分解能を得る。また、工程を簡略化する。 【構成】 表面電極２および３の間の抵抗層を高濃度の
Ｐ+ 型不純物拡散層によって形成し、その形状は隣接す
る平行な直線部の間隔が等しい鋸歯状のパターンとされ
る。
点位置の高分解能を得る。また、工程を簡略化する。 【構成】 表面電極２および３の間の抵抗層を高濃度の
Ｐ+ 型不純物拡散層によって形成し、その形状は隣接す
る平行な直線部の間隔が等しい鋸歯状のパターンとされ
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、スチルカメラ，ＶＴＲ
カメラ等のオートフォーカスに使用されるポジションセ
ンサといわれる入射光点位置検出フォトダイオード（以
下ＰＳＤという）の改良に関するものである。
カメラ等のオートフォーカスに使用されるポジションセ
ンサといわれる入射光点位置検出フォトダイオード（以
下ＰＳＤという）の改良に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】スチルカメラ，ＶＴＲカメラ等のオート
フォーカスの方式としては、種々の方式が商品化されて
いるが、カメラと被写体との距離を三角測量の原理、す
なわち、カメラ内部の赤外発光ダイオードから射出され
た赤外光の被写体からの反射光点の光強度分布を受光素
子により検出し、その光強度の分布から前記反射光点の
位置を検出しカメラと被写体の距離を測定し、その結果
をフィードバックしフォーカシングを行なう投光測距方
式が中心となりつつある。
フォーカスの方式としては、種々の方式が商品化されて
いるが、カメラと被写体との距離を三角測量の原理、す
なわち、カメラ内部の赤外発光ダイオードから射出され
た赤外光の被写体からの反射光点の光強度分布を受光素
子により検出し、その光強度の分布から前記反射光点の
位置を検出しカメラと被写体の距離を測定し、その結果
をフィードバックしフォーカシングを行なう投光測距方
式が中心となりつつある。
【０００３】受光素子としては、二分割フォトダイオー
ド，多分割フォトダイオード，ＰＳＤ等がある。
ド，多分割フォトダイオード，ＰＳＤ等がある。
【０００４】受光素子として受光部が二分割された二分
割フォトダイオードを使用する場合、被写体からの反射
交点位置を検出するためには、二分割フォトダイオード
を移動させ反射交点を二分割フォトダイオードの中央に
結像させる必要がある。
割フォトダイオードを使用する場合、被写体からの反射
交点位置を検出するためには、二分割フォトダイオード
を移動させ反射交点を二分割フォトダイオードの中央に
結像させる必要がある。
【０００５】受光素子として多分割フォトダイオードを
使用した場合には、多分割フォトダイオードを固定させ
た状態で反射光点位置を検出できるが、連続的な位置検
出はできない。
使用した場合には、多分割フォトダイオードを固定させ
た状態で反射光点位置を検出できるが、連続的な位置検
出はできない。
【０００６】しかし、ＰＳＤを使用した場合には、ＰＳ
Ｄを固定させた状態で反射光点位置を連続的に直線性よ
く、かつ、高精度で検出できる。ＰＳＤで良好な交点位
置直線性を得るためには、その電極間の受光部のたとえ
ばＰ+ 型不純物拡散層による抵抗層の均一性が重要であ
る。また、ＰＳＤで光点位置を高分解能で検出するため
には、ＰＳＤの信号対雑音非の向上が必要である。すな
わち、下記の電流の低減が要求される。
Ｄを固定させた状態で反射光点位置を連続的に直線性よ
く、かつ、高精度で検出できる。ＰＳＤで良好な交点位
置直線性を得るためには、その電極間の受光部のたとえ
ばＰ+ 型不純物拡散層による抵抗層の均一性が重要であ
る。また、ＰＳＤで光点位置を高分解能で検出するため
には、ＰＳＤの信号対雑音非の向上が必要である。すな
わち、下記の電流の低減が要求される。
【０００７】 受光部のＰ+ 型不純物拡散層の抵抗に
よる熱雑音電流， オペアンプの雑音電流， オペ
アンプの入力オフセットの電位差による電流， 暗電
流，光電流によるショットキー雑音。
よる熱雑音電流， オペアンプの雑音電流， オペ
アンプの入力オフセットの電位差による電流， 暗電
流，光電流によるショットキー雑音。
【０００８】前記の〜の電流の低減のためには、電
極間の受光部のＰ+ 型不純物拡散層の抵抗が高いこと、
通常２００ｋΩ以上であることが要請される。
極間の受光部のＰ+ 型不純物拡散層の抵抗が高いこと、
通常２００ｋΩ以上であることが要請される。
【０００９】安価型のカメラでは、画面の中央部にのみ
赤外光を出射させ、単一のＰＳＤにより中央部の被写体
距離のみ測定している。したがって、離れた２人の人物
を写すときには、一度どちらかの人物を画面中央に写し
てオートフォーカスし、その後２人の中間部を画面中央
部に持ってきてシャッタを押さなければならない。
赤外光を出射させ、単一のＰＳＤにより中央部の被写体
距離のみ測定している。したがって、離れた２人の人物
を写すときには、一度どちらかの人物を画面中央に写し
てオートフォーカスし、その後２人の中間部を画面中央
部に持ってきてシャッタを押さなければならない。
【００１０】高級機のカメラでは、画面を３分割もしく
は５分割等に分割し、それぞれの領域について設けたＰ
ＳＤによりオートフォーカスする方式をとっている。こ
の場合、赤外光は３個もしくは５個等のＬＥＤからそれ
ぞれの領域に出射される。それぞれの領域の物体から反
射された光は、３分割もしくは５分割等の複数の領域の
ＰＳＤにそれぞれ入射され、被写体の距離を計測する。
は５分割等に分割し、それぞれの領域について設けたＰ
ＳＤによりオートフォーカスする方式をとっている。こ
の場合、赤外光は３個もしくは５個等のＬＥＤからそれ
ぞれの領域に出射される。それぞれの領域の物体から反
射された光は、３分割もしくは５分割等の複数の領域の
ＰＳＤにそれぞれ入射され、被写体の距離を計測する。
【００１１】図５は従来の単一のＰＳＤの一例の平面図
であり、図６はその断面図である。矩形のＮ型半導体基
板１の表面には、ほぼ全面にわたりイオン注入による受
光部のＰ+ 型不純物拡散層４が形成され、その短辺側の
両端には、別の工程で電極とのコンタクト確保のため、
さらに高濃度のＰ+ 型不純物拡散層による表面電極コン
タクト５，５が形成されている。表面はＳｉＯ2 膜９で
覆われ、これを貫いて位置検出用のＡｌ蒸着による表面
電極２および３が表面電極コンタクト５，５に接続され
ている。Ｎ型半導体基板１の表面周辺には、Ｎ+ 型拡散
層によるチャネルストッパ６が形成され、Ｎ型半導体基
板１の裏面に設けた裏面電極８と基板との間には、裏面
電極とのコンタクトを良好ならしめるためＮ+ 型不純物
拡散層７が設けられている。図５においてＳｉＯ2 膜９
は省略されている。
であり、図６はその断面図である。矩形のＮ型半導体基
板１の表面には、ほぼ全面にわたりイオン注入による受
光部のＰ+ 型不純物拡散層４が形成され、その短辺側の
両端には、別の工程で電極とのコンタクト確保のため、
さらに高濃度のＰ+ 型不純物拡散層による表面電極コン
タクト５，５が形成されている。表面はＳｉＯ2 膜９で
覆われ、これを貫いて位置検出用のＡｌ蒸着による表面
電極２および３が表面電極コンタクト５，５に接続され
ている。Ｎ型半導体基板１の表面周辺には、Ｎ+ 型拡散
層によるチャネルストッパ６が形成され、Ｎ型半導体基
板１の裏面に設けた裏面電極８と基板との間には、裏面
電極とのコンタクトを良好ならしめるためＮ+ 型不純物
拡散層７が設けられている。図５においてＳｉＯ2 膜９
は省略されている。
【００１２】図５および図６に示されるＰＳＤのＰ+ 型
不純物拡散層４の抵抗値として２００ｋΩ以上を実現す
るためには、ほぼ全面にわたりＰ+ 型拡散層を設けてい
るから、その不純物注入量を低くしなければならない。
この場合、受光部のＰ+ 型不純物拡散層４上のＳｉＯ2
膜９の中のＮａ+ イオン等により、Ｐ+ 型不純物拡散層
４の表面がＮ型反転層となり、Ｐ+ 型不純物拡散層４の
抵抗が不均一となる。さらに前記不純物注入量が低い場
合には、Ｎ型半導体基板の不純物濃度の不均一性によ
り、Ｐ+ 型不純物拡散層の抵抗が不均一となる。また、
位置検出用の表面電極のコンタクト確保のため、通常抵
抗部より高濃度のＰ+ 型不純物拡散層５，５が表面電極
コンタクト部に、抵抗部のＰ+ 型不純物拡散層の形成と
は別の工程で形成される。
不純物拡散層４の抵抗値として２００ｋΩ以上を実現す
るためには、ほぼ全面にわたりＰ+ 型拡散層を設けてい
るから、その不純物注入量を低くしなければならない。
この場合、受光部のＰ+ 型不純物拡散層４上のＳｉＯ2
膜９の中のＮａ+ イオン等により、Ｐ+ 型不純物拡散層
４の表面がＮ型反転層となり、Ｐ+ 型不純物拡散層４の
抵抗が不均一となる。さらに前記不純物注入量が低い場
合には、Ｎ型半導体基板の不純物濃度の不均一性によ
り、Ｐ+ 型不純物拡散層の抵抗が不均一となる。また、
位置検出用の表面電極のコンタクト確保のため、通常抵
抗部より高濃度のＰ+ 型不純物拡散層５，５が表面電極
コンタクト部に、抵抗部のＰ+ 型不純物拡散層の形成と
は別の工程で形成される。
【００１３】前記問題を解決するため、図７の平面図お
よび図８の断面図に示されるように、Ｎ型半導体基板１
の矩形状の受光部の短辺側に配置された一対の対向する
信号検出用の表面電極２および３の間を１本の細い均一
な幅の高濃度のＰ+ 型不純物拡散層４−１で接続し、さ
らに前記Ｐ+ 型不純物拡散層４−１に垂直方向に魚骨状
に等間隔に均一な幅の多数のＰ+ 型不純物拡散層４−２
を設けた構造としたものがある。この場合には、前記の
問題が発生しないように、比較的高い濃度の不純物注入
量で高抵抗の電極間抵抗が得られる。図７においてＳｉ
Ｏ2 膜９は省略されている。その他は図５および図６の
場合と同様である。
よび図８の断面図に示されるように、Ｎ型半導体基板１
の矩形状の受光部の短辺側に配置された一対の対向する
信号検出用の表面電極２および３の間を１本の細い均一
な幅の高濃度のＰ+ 型不純物拡散層４−１で接続し、さ
らに前記Ｐ+ 型不純物拡散層４−１に垂直方向に魚骨状
に等間隔に均一な幅の多数のＰ+ 型不純物拡散層４−２
を設けた構造としたものがある。この場合には、前記の
問題が発生しないように、比較的高い濃度の不純物注入
量で高抵抗の電極間抵抗が得られる。図７においてＳｉ
Ｏ2 膜９は省略されている。その他は図５および図６の
場合と同様である。
【００１４】また、特願平２−１８５６４８に述べられ
るような矩形波状のパターンの不純物拡散層を設けたも
のもある。
るような矩形波状のパターンの不純物拡散層を設けたも
のもある。
【００１５】図９は、複数のＰＳＤたとえば７分割のＰ
ＳＤを用い、しかも個々のＰＳＤ間でも使用できる中間
電極型のＰＳＤの平面図であり、図１０はそのＣ−Ｃ′
断面図である。図５〜図８と同一の部分は同一の符号を
付してある。
ＳＤを用い、しかも個々のＰＳＤ間でも使用できる中間
電極型のＰＳＤの平面図であり、図１０はそのＣ−Ｃ′
断面図である。図５〜図８と同一の部分は同一の符号を
付してある。
【００１６】図に示されるように、０．５ｍｍ間隔の両
端および中間の各表面電極２０，２０…を接続するよう
に位置検出用の基幹抵抗部２１を設け、基幹抵抗部２１
に垂直に約１００μｍ間隔で長さ１．０ｍｍの受光部抵
抗層２３，２３…を設けている。この受光部抵抗層２
３，２３…は、Ｎ型半導体基板１で発生したキャリアを
集める。各表面電極２０，２０…間の抵抗は、ＰＳＤの
ＳＮ比の見地より、通常２００〜４００ＫΩ等である。
上記受光部抵抗層２３，２３…は、通常基幹抵抗部２１
と同一の拡散で形成されたＰ+ 型不純物拡散層である。
図９において、ＳｉＯ2 膜９は省略されている。２２，
２２…は表面電極コンタクトである。必要に応じ表面電
極２０を接続する。
端および中間の各表面電極２０，２０…を接続するよう
に位置検出用の基幹抵抗部２１を設け、基幹抵抗部２１
に垂直に約１００μｍ間隔で長さ１．０ｍｍの受光部抵
抗層２３，２３…を設けている。この受光部抵抗層２
３，２３…は、Ｎ型半導体基板１で発生したキャリアを
集める。各表面電極２０，２０…間の抵抗は、ＰＳＤの
ＳＮ比の見地より、通常２００〜４００ＫΩ等である。
上記受光部抵抗層２３，２３…は、通常基幹抵抗部２１
と同一の拡散で形成されたＰ+ 型不純物拡散層である。
図９において、ＳｉＯ2 膜９は省略されている。２２，
２２…は表面電極コンタクトである。必要に応じ表面電
極２０を接続する。
【００１７】
【発明が解決しようとする課題】しかし、前記の図７，
８に示されるような魚骨状の不純物拡散層による構造の
ＰＳＤでは、信号検出用の表面電極の間隔が小さい場合
には高抵抗が得られない。
８に示されるような魚骨状の不純物拡散層による構造の
ＰＳＤでは、信号検出用の表面電極の間隔が小さい場合
には高抵抗が得られない。
【００１８】また、矩形波状のパターンによる構造のＳ
ＰＤでは、光の入射位置に対して抵抗値が比例していな
いため、入射スポット光が小さい場合検出誤差が大きく
なる。
ＰＤでは、光の入射位置に対して抵抗値が比例していな
いため、入射スポット光が小さい場合検出誤差が大きく
なる。
【００１９】前記の図９，１０に示されるような、従来
の中間電極型のＰＳＤでは、基幹抵抗部２１の他にＰ+
型不純物拡散層による受光部抵抗層２３，２３…の抵抗
が加わるため、シリーズ抵抗が大きくなる。
の中間電極型のＰＳＤでは、基幹抵抗部２１の他にＰ+
型不純物拡散層による受光部抵抗層２３，２３…の抵抗
が加わるため、シリーズ抵抗が大きくなる。
【００２０】ＰＳＤは抵抗が大きくなると、回路のＣＲ
時定数により、応答時間が遅くなるという不具合があ
る。
時定数により、応答時間が遅くなるという不具合があ
る。
【００２１】
【課題を解決するための手段】本発明のＰＳＤにおいて
は、位置検出用の電極間を接続する不純物拡散層による
抵抗層を、高濃度の不純物拡散層によって形成し、隣接
する平行な直線部の間隔が等しい鋸歯状のパターンを有
するようにした。かつ、鋸歯状パターンの屈曲部に複数
の電極を設け複数の領域に分割した。
は、位置検出用の電極間を接続する不純物拡散層による
抵抗層を、高濃度の不純物拡散層によって形成し、隣接
する平行な直線部の間隔が等しい鋸歯状のパターンを有
するようにした。かつ、鋸歯状パターンの屈曲部に複数
の電極を設け複数の領域に分割した。
【００２２】
【作用】上記の構造により、受光面のＰ型不純物拡散層
はそれに注入される不純物濃度が高いから、その表面が
Ｎ反転することなく、かつ、Ｎ型半導体基板の不純物濃
度に影響されない。また、細い幅でかつ長くできるから
高抵抗の均一な電極間抵抗が得られる。位置検出電極の
コンタクト確保のための高濃度のＰ型不純物拡散層は、
受光部のＰ型不純物拡散層と同一工程で作成できるから
工程が簡単になる。シリーズ抵抗を適当に選定し、回路
の時定数を短くし、応答時間を早くすることができる。
はそれに注入される不純物濃度が高いから、その表面が
Ｎ反転することなく、かつ、Ｎ型半導体基板の不純物濃
度に影響されない。また、細い幅でかつ長くできるから
高抵抗の均一な電極間抵抗が得られる。位置検出電極の
コンタクト確保のための高濃度のＰ型不純物拡散層は、
受光部のＰ型不純物拡散層と同一工程で作成できるから
工程が簡単になる。シリーズ抵抗を適当に選定し、回路
の時定数を短くし、応答時間を早くすることができる。
【００２３】
【実施例】図１は本発明の一実施例の平面図であり図２
はその断面図である。これは以下のようにして作成され
る。図１においてＳｉＯ2 膜９は省略されている。
はその断面図である。これは以下のようにして作成され
る。図１においてＳｉＯ2 膜９は省略されている。
【００２４】Ｎ型で比抵抗が約１０００Ω・ｃｍのシリ
コンのＮ型半導体基板１上に、フォトエッチングおよび
イオン注入により、その表面より選択的に高濃度のボロ
ン注入を行ない、受光部に均一な幅の高濃度のＰ+ 型不
純物拡散層１０を形成する。このとき受光部のＰ+ 型不
純物拡散層１０は、電極間の抵抗値を高くするためフォ
トエッチングにより、図に示されるような均一な幅の鋸
歯状のパターンに作成される。このとき位置検出用の表
面電極の接続を良好ならしめるため、電極予定位置に高
濃度のＰ+ 型不純物拡散層による表面電極コンタクト
５，５が同時に形成される。鋸歯状のパターンの隣接す
る平行な直線部の間隔Ｌは全面にわたって等しくされ
る。
コンのＮ型半導体基板１上に、フォトエッチングおよび
イオン注入により、その表面より選択的に高濃度のボロ
ン注入を行ない、受光部に均一な幅の高濃度のＰ+ 型不
純物拡散層１０を形成する。このとき受光部のＰ+ 型不
純物拡散層１０は、電極間の抵抗値を高くするためフォ
トエッチングにより、図に示されるような均一な幅の鋸
歯状のパターンに作成される。このとき位置検出用の表
面電極の接続を良好ならしめるため、電極予定位置に高
濃度のＰ+ 型不純物拡散層による表面電極コンタクト
５，５が同時に形成される。鋸歯状のパターンの隣接す
る平行な直線部の間隔Ｌは全面にわたって等しくされ
る。
【００２５】次に、高濃度のＮ+ 型のチャネルストッパ
６、および半導体基板の裏面の後で形成される裏面電極
８のコンタクト性確保のため、高濃度のＮ+ 型不純物拡
散層７が裏面の全面に同時に拡散される。
６、および半導体基板の裏面の後で形成される裏面電極
８のコンタクト性確保のため、高濃度のＮ+ 型不純物拡
散層７が裏面の全面に同時に拡散される。
【００２６】この後位置検出用のＡｌによる表面電極
２，３および半導体基板の裏面のＡｕによる裏面電極８
が、それぞれ蒸着により形成される。
２，３および半導体基板の裏面のＡｕによる裏面電極８
が、それぞれ蒸着により形成される。
【００２７】この裏面電極８はチップの表面にＡｌ電極
として引き出して設けることもできる。ＳｉＯ2 膜９お
よび表面電極２，３の形成については図５，６の場合と
同様である。
として引き出して設けることもできる。ＳｉＯ2 膜９お
よび表面電極２，３の形成については図５，６の場合と
同様である。
【００２８】図３は他の実施例の平面図であり、図４は
そのＢ−Ｂ′断面図である。なお、図３において、図４
のＳｉＯ2 膜９は省略してある。
そのＢ−Ｂ′断面図である。なお、図３において、図４
のＳｉＯ2 膜９は省略してある。
【００２９】比抵抗が約１０００Ω・ｃｍのシリコンの
Ｎ型半導体基板１に、フォトエッチングおよびイオン注
入により、その表面より選択的に高濃度のボロン注入を
行ない、受光部に細い均一の幅の高濃度のＰ+ 型不純物
拡散層１１を形成する。このとき、Ｐ+ 型不純物拡散層
１１は、図１の場合と同様に、フォトエッチング技術に
より、均一の幅の鋸歯状のパターンに作成される。間隔
はたとえば１００μｍとされる。
Ｎ型半導体基板１に、フォトエッチングおよびイオン注
入により、その表面より選択的に高濃度のボロン注入を
行ない、受光部に細い均一の幅の高濃度のＰ+ 型不純物
拡散層１１を形成する。このとき、Ｐ+ 型不純物拡散層
１１は、図１の場合と同様に、フォトエッチング技術に
より、均一の幅の鋸歯状のパターンに作成される。間隔
はたとえば１００μｍとされる。
【００３０】次にＮ+ 型のチャネルストッパ３および、
Ａｕによる裏面電極８のコンタクト性確保のため、高濃
度Ｎ+ 型不純物拡散層７が同時に拡散される。
Ａｕによる裏面電極８のコンタクト性確保のため、高濃
度Ｎ+ 型不純物拡散層７が同時に拡散される。
【００３１】この後、表面位置検出のための両端および
中間の表面電極２０，２０…および裏面電極８がそれぞ
れ蒸着技術により形成される。中間の電極２０，２０…
は鋸歯状のパターンの屈曲部に設けられる。
中間の表面電極２０，２０…および裏面電極８がそれぞ
れ蒸着技術により形成される。中間の電極２０，２０…
は鋸歯状のパターンの屈曲部に設けられる。
【００３２】この裏面電極９は、チップの表面にＡｌ電
極として設けてよい。また、Ｎ+ 型のチャネルストッパ
３および裏面のＮ+ 型拡散層７は、ボロン注入より前に
拡散してもよい。ＳｉＯ2 膜９および表面電極２０，２
０…の形成については、図１および２の場合とほぼ同様
である。２２，２２…は表面電極コンタクトであるが、
必要な個数だけ設ければよい。
極として設けてよい。また、Ｎ+ 型のチャネルストッパ
３および裏面のＮ+ 型拡散層７は、ボロン注入より前に
拡散してもよい。ＳｉＯ2 膜９および表面電極２０，２
０…の形成については、図１および２の場合とほぼ同様
である。２２，２２…は表面電極コンタクトであるが、
必要な個数だけ設ければよい。
【００３３】図９および１０の従来例と比較すると、基
幹抵抗部２１と受光部抵抗層２３が鋸歯状のパターンの
抵抗層であるＰ+ 型不純物拡散層１１に置き換えられた
ことになる。
幹抵抗部２１と受光部抵抗層２３が鋸歯状のパターンの
抵抗層であるＰ+ 型不純物拡散層１１に置き換えられた
ことになる。
【００３４】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、位置検出
用の電極間間隔が小さい場合でも、Ｎ反転することな
く、かつ、半導体基板の不純物濃度に影響されない、比
較的高いボロン注入量で抵抗層となるＰ+ 型不純物拡散
層を形成でき、高抵抗でかつ均一な電極間抵抗が得られ
る。したがって良好な光点位置直線性および光点位置の
高分解能が得られる。また工程も簡略化される。抵抗値
の調節により、応答時間を早くできる。
用の電極間間隔が小さい場合でも、Ｎ反転することな
く、かつ、半導体基板の不純物濃度に影響されない、比
較的高いボロン注入量で抵抗層となるＰ+ 型不純物拡散
層を形成でき、高抵抗でかつ均一な電極間抵抗が得られ
る。したがって良好な光点位置直線性および光点位置の
高分解能が得られる。また工程も簡略化される。抵抗値
の調節により、応答時間を早くできる。
【図１】本発明の一実施例の平面図である。
【図２】図１のＡ−Ａ′断面図である。
【図３】他の実施例の平面図である。
【図４】図３のＢ−Ｂ′断面図である。
【図５】従来の一例の平面図である。
【図６】図５の断面図である。
【図７】従来の他の例の平面図である。
【図８】図７の断面図である。
【図９】従来の他の例の平面図である。
【図１０】図９のＣ−Ｃ′断面図である。
１ Ｎ型半導体基板 ２，３，２０ 表面電極 ４ Ｐ+ 型不純物拡散層 ５，２２ 表面電極コンタクト ６ チャネルストッパ ７ Ｎ+ 型不純物拡散層 ８ 裏面電極 １１ ｐ+ 型不純物拡散層
Claims (2)
- 【請求項１】 第１の導電型の半導体基板と、 前記の基板の両端に形成された電極と、 前記の電極間を接続する均一な幅の第２の導電型の不純
物拡散層によって前記基板の表面に形成された抵抗層と
よりなり、 前記の抵抗層は隣接する平行な直線部の間隔が等しい鋸
歯状のパターンを有することを特徴とするポジションセ
ンサ。 - 【請求項２】 鋸歯状パターンの複数の屈曲部に電極を
設け複数の領域に分割されたことを特徴とする請求項１
記載のポジションセンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5009995A JPH06224467A (ja) | 1993-01-25 | 1993-01-25 | ポジションセンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5009995A JPH06224467A (ja) | 1993-01-25 | 1993-01-25 | ポジションセンサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06224467A true JPH06224467A (ja) | 1994-08-12 |
Family
ID=11735442
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5009995A Withdrawn JPH06224467A (ja) | 1993-01-25 | 1993-01-25 | ポジションセンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06224467A (ja) |
-
1993
- 1993-01-25 JP JP5009995A patent/JPH06224467A/ja not_active Withdrawn
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