JPH06224520A - 半導体レーザ光源装置 - Google Patents
半導体レーザ光源装置Info
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- JPH06224520A JPH06224520A JP1051593A JP1051593A JPH06224520A JP H06224520 A JPH06224520 A JP H06224520A JP 1051593 A JP1051593 A JP 1051593A JP 1051593 A JP1051593 A JP 1051593A JP H06224520 A JPH06224520 A JP H06224520A
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- 230000010287 polarization Effects 0.000 claims abstract description 78
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 13
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- 230000002194 synthesizing effect Effects 0.000 abstract 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
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- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体レーザ光源装置において、レーザ光の
偏光方向がチップ接合面に対して水平方向からズレてい
る場合であっても、レーザ光の合成効率を低下させるこ
となく合成光束を得ることができるようにする。 【構成】 第１の半導体レーザ１と、第２の半導体レー
ザ２と、各半導体レーザ１，２から発せられるレーザ光
の光軸を通るように配されたコリメータレンズ３，４
と，第２の半導体レーザ２から発せられたレーザ光の光
軸上に配置されたλ／２板５と、第１の半導体レーザ１
から発せられたレーザ光と第２の半導体レーザ２から発
せられたレーザ光とが交差する点に配置された偏光ビー
ムスプリッタ６とから装置を構成する。偏光ビームスプ
リッタ６に入射される各レーザ光の偏光面が互いに直交
するように、半導体レーザ２から発せられるレーザ光の
偏光面をλ／２板５により回転させる。
偏光方向がチップ接合面に対して水平方向からズレてい
る場合であっても、レーザ光の合成効率を低下させるこ
となく合成光束を得ることができるようにする。 【構成】 第１の半導体レーザ１と、第２の半導体レー
ザ２と、各半導体レーザ１，２から発せられるレーザ光
の光軸を通るように配されたコリメータレンズ３，４
と，第２の半導体レーザ２から発せられたレーザ光の光
軸上に配置されたλ／２板５と、第１の半導体レーザ１
から発せられたレーザ光と第２の半導体レーザ２から発
せられたレーザ光とが交差する点に配置された偏光ビー
ムスプリッタ６とから装置を構成する。偏光ビームスプ
リッタ６に入射される各レーザ光の偏光面が互いに直交
するように、半導体レーザ２から発せられるレーザ光の
偏光面をλ／２板５により回転させる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体レーザ光源装置に
関し、とくに詳しくは、２つの半導体レーザの光をビー
ムスプリッタを使用して重ね合せた半導体レーザ光源装
置に関するものである。
関し、とくに詳しくは、２つの半導体レーザの光をビー
ムスプリッタを使用して重ね合せた半導体レーザ光源装
置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】通常、半導体レーザから発せられる光は
直線偏光した光であるため、２つの半導体レーザの光を
光量ロスなく重ね合せるためには多層膜がプリズムに形
成された偏光プリズム、ウオーラストンプリズム等の偏
光ビームスプリッタの利用が考えられる。偏光ビームス
プリッタを使用する場合、この偏光ビームスプリッタに
は偏光方向が直交する光をそれぞれ入射させなければな
らないため、この２つの半導体レーザは偏光ビームスプ
リッタに関してそれぞれのチップ接合面が直交状態にな
るようにに配置しなければならない。
直線偏光した光であるため、２つの半導体レーザの光を
光量ロスなく重ね合せるためには多層膜がプリズムに形
成された偏光プリズム、ウオーラストンプリズム等の偏
光ビームスプリッタの利用が考えられる。偏光ビームス
プリッタを使用する場合、この偏光ビームスプリッタに
は偏光方向が直交する光をそれぞれ入射させなければな
らないため、この２つの半導体レーザは偏光ビームスプ
リッタに関してそれぞれのチップ接合面が直交状態にな
るようにに配置しなければならない。
【０００３】しかしながら、一般に半導体レーザは発光
面の長手方向（チップ接合面に平行方向）の発散角に比
べて短手方向（チップ接合面に垂直方向）の発散角が大
きいため、遠距離領域においては、レーザ光の光束断面
図は発光面の長手方向に対応する方向の長さに比べ短手
方向の長さが長くなり、２個の半導体レーザの発光面を
偏光ビームスプリッタに関して直交するように配した場
合、断面が細長い２つのビームが十字状に直交した合成
ビームが得られることとなる。しかしながら、このよう
な直交合成ビームをアナモフィック光学系で処理する場
合、略円形のスポット光が必要な場合であっても、円形
スポット光を得ることができないという問題があった。
面の長手方向（チップ接合面に平行方向）の発散角に比
べて短手方向（チップ接合面に垂直方向）の発散角が大
きいため、遠距離領域においては、レーザ光の光束断面
図は発光面の長手方向に対応する方向の長さに比べ短手
方向の長さが長くなり、２個の半導体レーザの発光面を
偏光ビームスプリッタに関して直交するように配した場
合、断面が細長い２つのビームが十字状に直交した合成
ビームが得られることとなる。しかしながら、このよう
な直交合成ビームをアナモフィック光学系で処理する場
合、略円形のスポット光が必要な場合であっても、円形
スポット光を得ることができないという問題があった。
【０００４】この問題を解決するために、偏光ビームス
プリッタに関して半導体レーザのチップ接合面を平行に
配し、一方の半導体レーザと偏光ビームスプリッタとの
間に１／２波長板のような偏光面を90度回転させる手段
を配し、偏光ビームスプリッタからの光束をそれぞれの
半導体レーザの発光面の方向を一致させて重ね合わせる
ようにした半導体レーザ光源装置が知られている（特公
昭60-53857号公報）。
プリッタに関して半導体レーザのチップ接合面を平行に
配し、一方の半導体レーザと偏光ビームスプリッタとの
間に１／２波長板のような偏光面を90度回転させる手段
を配し、偏光ビームスプリッタからの光束をそれぞれの
半導体レーザの発光面の方向を一致させて重ね合わせる
ようにした半導体レーザ光源装置が知られている（特公
昭60-53857号公報）。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、半導体
レーザではその半導体を構成する材料によっては、レー
ザ光の偏光方向がチップ接合面に対して必ずしも平行と
はならず、最大±20度程度のズレを生じることがある。
このような半導体レーザを上述した特公昭60-53857号公
報の装置に適用した場合、偏光ビームスプリッタに入射
する各レーザ光の偏光方向が、チップ接合面に対して水
平あるいは垂直方向からズレてしまい、各レーザ光が直
交することができなくなり、レーザ光の合成効率が低下
してしまうという問題があった。
レーザではその半導体を構成する材料によっては、レー
ザ光の偏光方向がチップ接合面に対して必ずしも平行と
はならず、最大±20度程度のズレを生じることがある。
このような半導体レーザを上述した特公昭60-53857号公
報の装置に適用した場合、偏光ビームスプリッタに入射
する各レーザ光の偏光方向が、チップ接合面に対して水
平あるいは垂直方向からズレてしまい、各レーザ光が直
交することができなくなり、レーザ光の合成効率が低下
してしまうという問題があった。
【０００６】本発明は上記事情に鑑み、レーザ光の偏光
方向がチップ接合面に対して水平方向からズレている場
合であっても、レーザ光の合成効率を低下させることな
く合成光束を得ることができる半導体レーザ光源装置を
提供することを目的とするものである。
方向がチップ接合面に対して水平方向からズレている場
合であっても、レーザ光の合成効率を低下させることな
く合成光束を得ることができる半導体レーザ光源装置を
提供することを目的とするものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明による半導体レー
ザ光源装置は、２個の半導体レーザと、該各半導体レー
ザから発せられるレーザ光を重ね合せて出射する偏光ビ
ームスプリッタとからなり、前記各半導体レーザが、前
記偏光ビームスプリッタで重ね合せられた前記各レーザ
光の断面形状の長手方向を一致させるように配置された
半導体レーザ光源装置において、前記各半導体レーザの
うち少なくとも一方の半導体レーザと前記偏光ビームス
プリッタとの間に前記レーザ光の偏光面を前記各半導体
レーザから発せられる前記レーザ光の偏光方向に応じて
所定角度回転させる偏光面回転手段を配したことを特徴
とするものである。
ザ光源装置は、２個の半導体レーザと、該各半導体レー
ザから発せられるレーザ光を重ね合せて出射する偏光ビ
ームスプリッタとからなり、前記各半導体レーザが、前
記偏光ビームスプリッタで重ね合せられた前記各レーザ
光の断面形状の長手方向を一致させるように配置された
半導体レーザ光源装置において、前記各半導体レーザの
うち少なくとも一方の半導体レーザと前記偏光ビームス
プリッタとの間に前記レーザ光の偏光面を前記各半導体
レーザから発せられる前記レーザ光の偏光方向に応じて
所定角度回転させる偏光面回転手段を配したことを特徴
とするものである。
【０００８】また、本発明による別の半導体レーザ光源
装置は、上述した本発明の半導体レーザ光源装置におい
て、前記偏光面回転手段が、前記レーザ光の光軸のまわ
りに回転可能とされたλ／２板であることを特徴とする
ものである。
装置は、上述した本発明の半導体レーザ光源装置におい
て、前記偏光面回転手段が、前記レーザ光の光軸のまわ
りに回転可能とされたλ／２板であることを特徴とする
ものである。
【０００９】
【作用】本発明による半導体レーザ光源装置は、２つの
半導体レーザのうち少なくとも一方の半導体レーザと偏
光ビームスプリッタとの間にレーザ光の偏光面を各半導
体レーザから発せられるレーザ光の偏光方向に応じて所
定角度回転させる偏光面回転手段を配するようにしたた
め、チップ接合面に対するレーザ光の偏光方向が半導体
レーザによって異なる場合であっても、偏光ビームスプ
リッタに入射される各レーザ光の偏光面を回転させて、
偏光ビームスプリッタに入射される各レーザ光の偏光面
が略直交状態となるようにすることができ、レーザ光の
合成効率を低下させることなく合成光束を得ることがで
きる。
半導体レーザのうち少なくとも一方の半導体レーザと偏
光ビームスプリッタとの間にレーザ光の偏光面を各半導
体レーザから発せられるレーザ光の偏光方向に応じて所
定角度回転させる偏光面回転手段を配するようにしたた
め、チップ接合面に対するレーザ光の偏光方向が半導体
レーザによって異なる場合であっても、偏光ビームスプ
リッタに入射される各レーザ光の偏光面を回転させて、
偏光ビームスプリッタに入射される各レーザ光の偏光面
が略直交状態となるようにすることができ、レーザ光の
合成効率を低下させることなく合成光束を得ることがで
きる。
【００１０】
【実施例】以下、図面を参照して本発明の実施例につい
て説明する。
て説明する。
【００１１】図１は本発明の第１実施例による半導体レ
ーザ光源装置の光学的配置を表す図である。図１に示す
ように本発明の第１実施例による半導体レーザ光源装置
は、第１の半導体レーザ１と、第２の半導体レーザ２
と、各半導体レーザ１，２から発せられるレーザ光の光
軸を通るように配されたコリメータレンズ３，４と，第
２の半導体レーザ２から発せられたレーザ光の光軸上に
配置されたλ／２板５と、第１の半導体レーザ１から発
せられたレーザ光と第２の半導体レーザ２から発せられ
たレーザ光とが交差する点に配置された偏光ビームスプ
リッタ６とからなるものである。
ーザ光源装置の光学的配置を表す図である。図１に示す
ように本発明の第１実施例による半導体レーザ光源装置
は、第１の半導体レーザ１と、第２の半導体レーザ２
と、各半導体レーザ１，２から発せられるレーザ光の光
軸を通るように配されたコリメータレンズ３，４と，第
２の半導体レーザ２から発せられたレーザ光の光軸上に
配置されたλ／２板５と、第１の半導体レーザ１から発
せられたレーザ光と第２の半導体レーザ２から発せられ
たレーザ光とが交差する点に配置された偏光ビームスプ
リッタ６とからなるものである。
【００１２】なお、コリメータレンズ３，４は、，半導
体レーザ１，２が直交方向での発散原点の違いが無視で
きるものであれば回転対称レンズ、発散原点の違いが無
視できない場合は直交方向で焦点距離が異なるレンズで
あることが望ましい。
体レーザ１，２が直交方向での発散原点の違いが無視で
きるものであれば回転対称レンズ、発散原点の違いが無
視できない場合は直交方向で焦点距離が異なるレンズで
あることが望ましい。
【００１３】ここで、半導体レーザ１，２は、波長が68
0nm のレーザ光を発するものであり、この半導体レーザ
１，２を構成するチップの材料としては、Ｇａ、Ａｌ、
Ａｓ（ヒ素）、Ｐ等の半導体が挙げられる。このような
半導体を使用した半導体レーザから発せられるレーザ光
は、偏光面が半導体のチップ接合面に対して必ずしも平
行とはならず、最大±20度程度のズレを生じることがあ
る。したがって、本実施例においては、第１の半導体レ
ーザから発せられるレーザ光の偏光面の偏光方向がチッ
プ接合面に対して０度（チップ接合面に対して平行方
向）、第２の半導体レーザから発せられるレーザ光の偏
光面がチップ接合面に対して＋10度（時計回りを正とす
る）回転しているものとする。また、λ／２板５の偏光
面回転角度を80度となるようにλ／２板５を所定角度θ
1 回転させる。
0nm のレーザ光を発するものであり、この半導体レーザ
１，２を構成するチップの材料としては、Ｇａ、Ａｌ、
Ａｓ（ヒ素）、Ｐ等の半導体が挙げられる。このような
半導体を使用した半導体レーザから発せられるレーザ光
は、偏光面が半導体のチップ接合面に対して必ずしも平
行とはならず、最大±20度程度のズレを生じることがあ
る。したがって、本実施例においては、第１の半導体レ
ーザから発せられるレーザ光の偏光面の偏光方向がチッ
プ接合面に対して０度（チップ接合面に対して平行方
向）、第２の半導体レーザから発せられるレーザ光の偏
光面がチップ接合面に対して＋10度（時計回りを正とす
る）回転しているものとする。また、λ／２板５の偏光
面回転角度を80度となるようにλ／２板５を所定角度θ
1 回転させる。
【００１４】このように、レーザ光の偏光面がチップ接
合面に対して平行でない半導体レーザ２を使用した場合
であっても、λ／２板５の偏光面回転角度をレーザ光の
偏光面の偏光方向に応じた角度θ1 とすることにより、
２つの半導体レーザ１，２から発せられて偏光ビームス
プリッタ６に入射される各レーザ光の偏光面は互いに直
交するようになるため、レーザ光の合成効率を最大とす
ることができる。
合面に対して平行でない半導体レーザ２を使用した場合
であっても、λ／２板５の偏光面回転角度をレーザ光の
偏光面の偏光方向に応じた角度θ1 とすることにより、
２つの半導体レーザ１，２から発せられて偏光ビームス
プリッタ６に入射される各レーザ光の偏光面は互いに直
交するようになるため、レーザ光の合成効率を最大とす
ることができる。
【００１５】一方、レーザ光の偏光ビームスプリッタ６
における透過ロスが３％以下となる場合を本実施例にお
ける装置の使用可能な状態とすれば、第１の半導体レー
ザ１としては、レーザ光の偏光面がチップ接合面に対し
て−10〜＋10度回転しているものが使用でき、第２の半
導体レーザ２としては、レーザ光の偏光面がチップ接合
面に対して０〜＋20度回転しているものが使用できる。
このように本実施例においては、レーザ光の偏光面がチ
ップ接合面に対して−10〜＋20度回転している半導体レ
ーザを使用することができ、特公昭60-53857号公報に記
載された装置においては、レーザ光の偏光面がチップ接
合面に対して−10〜＋10度回転しているものしか使用で
きないことを考えると、半導体レーザの得率を向上させ
ることができ、装置のコストダウンをはかることができ
る。
における透過ロスが３％以下となる場合を本実施例にお
ける装置の使用可能な状態とすれば、第１の半導体レー
ザ１としては、レーザ光の偏光面がチップ接合面に対し
て−10〜＋10度回転しているものが使用でき、第２の半
導体レーザ２としては、レーザ光の偏光面がチップ接合
面に対して０〜＋20度回転しているものが使用できる。
このように本実施例においては、レーザ光の偏光面がチ
ップ接合面に対して−10〜＋20度回転している半導体レ
ーザを使用することができ、特公昭60-53857号公報に記
載された装置においては、レーザ光の偏光面がチップ接
合面に対して−10〜＋10度回転しているものしか使用で
きないことを考えると、半導体レーザの得率を向上させ
ることができ、装置のコストダウンをはかることができ
る。
【００１６】次いで、本発明の第２実施例について説明
する。
する。
【００１７】図２は本発明の第２実施例による半導体レ
ーザ光源装置の光学的配置を表す図である。図２に示す
ように、本発明の第２実施例による半導体レーザ光源装
置は、第１の半導体レーザ11と、第２の半導体レーザ12
と、各半導体レーザ11，12から発せられるレーザ光の光
軸を通るように配されたコリメータレンズ13，14と、第
１の半導体レーザ11から発せられたレーザ光の光軸上に
配置されたλ／２板15と、第２の半導体レーザ12から発
せられたレーザ光の光軸上に配置されたλ／２板16と、
第１の半導体レーザ11から発せられたレーザ光と第２の
半導体レーザ12から発せられたレーザ光とが交差する点
に配置された偏光ビームスプリッタ17とからなるもので
ある。
ーザ光源装置の光学的配置を表す図である。図２に示す
ように、本発明の第２実施例による半導体レーザ光源装
置は、第１の半導体レーザ11と、第２の半導体レーザ12
と、各半導体レーザ11，12から発せられるレーザ光の光
軸を通るように配されたコリメータレンズ13，14と、第
１の半導体レーザ11から発せられたレーザ光の光軸上に
配置されたλ／２板15と、第２の半導体レーザ12から発
せられたレーザ光の光軸上に配置されたλ／２板16と、
第１の半導体レーザ11から発せられたレーザ光と第２の
半導体レーザ12から発せられたレーザ光とが交差する点
に配置された偏光ビームスプリッタ17とからなるもので
ある。
【００１８】ここで、半導体レーザ11，12は、上述した
本発明の第１実施例と同様に、Ｇａ、Ａｌ、Ａｓ（ヒ
素）、Ｐ等の半導体により構成され、波長が680nm のレ
ーザ光を発するものである。また、半導体レーザ11，12
から発せられるレーザ光の偏光面は各半導体レーザ11，
12のチップ接合面に対して所定角度ズレているものであ
る。したがって、本実施例においては、第１の半導体レ
ーザから発せられるレーザ光の偏光面をチップ接合面に
対して−10度（時計回りを正とする）、第２の半導体レ
ーザから発せられるレーザ光の偏光面をチップ接合面に
対して＋10度回転しているものとする。また、λ／２板
15の偏光回転角度を10度、λ／２板16の偏光回転角度を
80度となるようにそれぞれ所定角度θ2 ，θ3 回転させ
る。
本発明の第１実施例と同様に、Ｇａ、Ａｌ、Ａｓ（ヒ
素）、Ｐ等の半導体により構成され、波長が680nm のレ
ーザ光を発するものである。また、半導体レーザ11，12
から発せられるレーザ光の偏光面は各半導体レーザ11，
12のチップ接合面に対して所定角度ズレているものであ
る。したがって、本実施例においては、第１の半導体レ
ーザから発せられるレーザ光の偏光面をチップ接合面に
対して−10度（時計回りを正とする）、第２の半導体レ
ーザから発せられるレーザ光の偏光面をチップ接合面に
対して＋10度回転しているものとする。また、λ／２板
15の偏光回転角度を10度、λ／２板16の偏光回転角度を
80度となるようにそれぞれ所定角度θ2 ，θ3 回転させ
る。
【００１９】このように、レーザ光の偏光面がチップ接
合面に対して平行でない半導体レーザ11，12を使用した
場合であっても、λ／２板15，16の偏光面回転角度をレ
ーザ光の偏光面に応じた角度θ2 ，θ3 とすることによ
り、２つの半導体レーザ11，12から発せられ偏光ビーム
スプリッタ17に入射される各レーザ光の偏光面は互いに
直交するようになるため、レーザ光の合成効率を最大と
することができる。
合面に対して平行でない半導体レーザ11，12を使用した
場合であっても、λ／２板15，16の偏光面回転角度をレ
ーザ光の偏光面に応じた角度θ2 ，θ3 とすることによ
り、２つの半導体レーザ11，12から発せられ偏光ビーム
スプリッタ17に入射される各レーザ光の偏光面は互いに
直交するようになるため、レーザ光の合成効率を最大と
することができる。
【００２０】一方、レーザ光の偏光ビームスプリッタ17
における透過ロスが３％以下となる場合を本実施例の使
用可能な状態とすれば、第１の半導体レーザ11として
は、レーザ光の偏光面がチップ接合面に対して−20〜＋
０度回転しているものが使用でき、第２の半導体レーザ
12としては、レーザ光の偏光面がチップ接合面に対して
０〜＋20度回転しているものが使用できる。このように
本実施例においては、レーザ光の偏光面がチップ接合面
に対して−20〜＋20度回転している半導体レーザを使用
することができ、特公昭60-53857号公報に記載された装
置においては、偏光面がチップ接合面に対して−10〜＋
10度回転しているものしか使用できないことを考える
と、上述した本発明の実施例と同様に、半導体レーザの
得率を向上させることができ、装置のコストダウンを図
ることができる。
における透過ロスが３％以下となる場合を本実施例の使
用可能な状態とすれば、第１の半導体レーザ11として
は、レーザ光の偏光面がチップ接合面に対して−20〜＋
０度回転しているものが使用でき、第２の半導体レーザ
12としては、レーザ光の偏光面がチップ接合面に対して
０〜＋20度回転しているものが使用できる。このように
本実施例においては、レーザ光の偏光面がチップ接合面
に対して−20〜＋20度回転している半導体レーザを使用
することができ、特公昭60-53857号公報に記載された装
置においては、偏光面がチップ接合面に対して−10〜＋
10度回転しているものしか使用できないことを考える
と、上述した本発明の実施例と同様に、半導体レーザの
得率を向上させることができ、装置のコストダウンを図
ることができる。
【００２１】なお、上述した実施例においては、半導体
レーザから発せられるレーザ光の偏光面を偏光方向に応
じて回転させる手段としてλ／２板を用いているが、こ
のλ／２板をレーザ光の光軸を中心として回転可能とし
てもよい。例えば、図３に示すように本発明の第２実施
例による半導体レーザ光源装置のλ／２板15，16を矢印
方向に回転可能なものとし、さらに、偏光ビームスプリ
ッタ17から出射されるレーザ光の光量をモニタする光量
モニタ手段20を設け、光量モニタ手段20でモニタするレ
ーザ光の光量が最大となるようにλ／２板15，16を回転
させるようにする。これにより、半導体レーザ光源装置
における半導体レーザを取り替えた場合であっても、こ
の取り替えた半導体レーザから発せられるレーザ光の偏
光面の傾きに応じてλ／２板を回転させることにより、
各半導体レーザから発せられるレーザ光の偏光面が互い
に直交するように構成でき、ビーム合成効率を低下させ
ることなく合成光束を得ることができる。
レーザから発せられるレーザ光の偏光面を偏光方向に応
じて回転させる手段としてλ／２板を用いているが、こ
のλ／２板をレーザ光の光軸を中心として回転可能とし
てもよい。例えば、図３に示すように本発明の第２実施
例による半導体レーザ光源装置のλ／２板15，16を矢印
方向に回転可能なものとし、さらに、偏光ビームスプリ
ッタ17から出射されるレーザ光の光量をモニタする光量
モニタ手段20を設け、光量モニタ手段20でモニタするレ
ーザ光の光量が最大となるようにλ／２板15，16を回転
させるようにする。これにより、半導体レーザ光源装置
における半導体レーザを取り替えた場合であっても、こ
の取り替えた半導体レーザから発せられるレーザ光の偏
光面の傾きに応じてλ／２板を回転させることにより、
各半導体レーザから発せられるレーザ光の偏光面が互い
に直交するように構成でき、ビーム合成効率を低下させ
ることなく合成光束を得ることができる。
【００２２】また、上記実施例においては、λ／２板を
コリメータレンズの後方に配置するようにしているが、
これに限定されるものではなく、半導体レーザとコリメ
ータレンズとの間、あるいは半導体レーザの出射端面に
接触させるように配してもよい。
コリメータレンズの後方に配置するようにしているが、
これに限定されるものではなく、半導体レーザとコリメ
ータレンズとの間、あるいは半導体レーザの出射端面に
接触させるように配してもよい。
【００２３】
【発明の効果】以上詳細に説明したように、本発明によ
る半導体レーザ光源装置は、２つの半導体レーザから発
せられる各レーザ光の偏光方向が半導体レーザのチップ
接合面に水平な方向に対してズレている場合であって
も、偏光ビームスプリッタに入射される各レーザ光の偏
光面を直交させることができるため、ビーム合成効率を
最大とすることができ、半導体レーザ光源装置の得率を
向上させ、装置のコストダウンをはかることができる。
る半導体レーザ光源装置は、２つの半導体レーザから発
せられる各レーザ光の偏光方向が半導体レーザのチップ
接合面に水平な方向に対してズレている場合であって
も、偏光ビームスプリッタに入射される各レーザ光の偏
光面を直交させることができるため、ビーム合成効率を
最大とすることができ、半導体レーザ光源装置の得率を
向上させ、装置のコストダウンをはかることができる。
【図１】本発明の第１実施例による半導体レーザ光源装
置を表す図
置を表す図
【図２】本発明の第２実施例による半導体レーザ光源装
置を表す図
置を表す図
【図３】本発明の第２実施例においてλ／２板を回転可
能とした半導体レーザ光源装置を表す図
能とした半導体レーザ光源装置を表す図
１，２，11，12 半導体レーザ ３，４，13，14 コリメータレンズ ５，14，15 λ／２板 ６，17 偏光ビームスプリッタ
Claims (2)
- 【請求項１】 ２個の半導体レーザと、該各半導体レー
ザから発せられるレーザ光を重ね合せて出射する偏光ビ
ームスプリッタとからなり、前記各半導体レーザが、前
記偏光ビームスプリッタで重ね合せられた前記各レーザ
光の断面形状の長手方向を一致させるように配置された
半導体レーザ光源装置において、 前記各半導体レーザのうち少なくとも一方の半導体レー
ザと前記偏光ビームスプリッタとの間に前記レーザ光の
偏光面を前記各半導体レーザから発せられる前記レーザ
光の偏光方向に応じて所定角度回転させる偏光面回転手
段を配したことを特徴とする半導体レーザ光源装置。 - 【請求項２】 前記偏光面回転手段が、前記レーザ光の
光軸のまわりに回転可能とされたλ／２板であることを
特徴とする請求項１記載の半導体レーザ光源装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1051593A JPH06224520A (ja) | 1993-01-26 | 1993-01-26 | 半導体レーザ光源装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1051593A JPH06224520A (ja) | 1993-01-26 | 1993-01-26 | 半導体レーザ光源装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06224520A true JPH06224520A (ja) | 1994-08-12 |
Family
ID=11752366
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1051593A Withdrawn JPH06224520A (ja) | 1993-01-26 | 1993-01-26 | 半導体レーザ光源装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06224520A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2316891B (en) * | 1996-04-04 | 1999-10-27 | Sumitomo Electric Industries | Method of making optical fibre product |
| JP2010127918A (ja) * | 2008-12-01 | 2010-06-10 | Mitsubishi Electric Corp | 光波レーダ装置 |
-
1993
- 1993-01-26 JP JP1051593A patent/JPH06224520A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2316891B (en) * | 1996-04-04 | 1999-10-27 | Sumitomo Electric Industries | Method of making optical fibre product |
| JP2010127918A (ja) * | 2008-12-01 | 2010-06-10 | Mitsubishi Electric Corp | 光波レーダ装置 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20000404 |