JPH062273A - セルロース繊維のウオッシュ アンド ウェア加工法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 加工時及び得られた製品からホルムアルデヒ
ドが遊離発生せず、しかも室温付近の低温で加工し繊維
の損傷の少ないセルロース繊維のウオッシュ アンド ウ
ェア加工法を提供する。 【構成】 ビニル基を２つ以上有するモノマーあるいは
オリゴマーと膨潤剤をセルロース繊維に付与した後、こ
の繊維を低温プラズマ処理あるいは電子線照射処理によ
り、繊維内部のビニル化合物は、重合し、繊維を架橋し
て、セルロース繊維をウオッシュ アンド ウェア性のあ
る繊維に変化させる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、セルロース繊維のウオ
ッシュアンドウェア加工法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来、セルロース繊維のウオッシュアン
ドウェア加工剤として、ジメチロール−４,５−ハイド
ロキシエチレン尿素等のＮ−メチロール化合物およびそ
れらのＮ−アルコキシメチル化合物が用いられている。
そしてパッド-ドライ-キュア法で加工され、キュア条件
は一般に150℃〜160℃×２〜３分である。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】上記の化合物とセルロ
ース繊維との反応は平衡反応であるために、加工時及び
製品となった後に高濃度のホルムアルデヒドが遊離発生
し問題がある。繊維製品の遊離ホルムアルデヒドは法規
制され、２才以下の乳幼児用製品には検出されないこ
と、そして一般用肌着類には75ppm以下と規制されてい
る。

【０００４】またキュア温度が150℃〜160℃と高いため
に、セルロース繊維の黄変、強度低下等の問題があり、
さらに熱に弱い繊維との混紡、交編織布の加工は困難で
ある。

【０００５】本発明は、このような事情に鑑みて、加工
時及び得られた製品からホルムアルデヒドが遊離発生せ
ず、しかも室温付近の低温で加工し繊維の損傷の少ない
セルロース繊維のウオッシュアンドウェア加工法を提供
することを目的としている。

【０００６】

【課題を解決するための手段】本発明は、このような目
的を達成するために、ビニル基を２つ以上有するモノマ
ーあるいはオリゴマーと膨潤剤をセルロース繊維に付与
した後、この繊維を低温プラズマ処理あるいは電子線照
射処理することを特徴とするセルロース繊維のウオッシ
ュアンドウェア加工法を要旨としている。

【０００７】

【作用】上記構成により、セルロース繊維に付与された
膨潤剤は繊維を膨潤させ、ビニル基を２つ以上有するモ
ノマーあるいはオリゴマーを繊維内部に浸透するのを容
易にし、その後の低温プラズマ処理あるいは電子線照射
処理により、繊維内部のビニル化合物は、重合し、繊維
を架橋して、セルロース繊維をウオッシュアンドウェア
性のある繊維に変化させる。

【０００８】

【実施例】以下に、本発明を、その実施例を参照しつつ
詳しく説明する。

【０００９】ビニル基を２つ以上有するモノマーあるい
はオリゴマーと膨潤剤とが付与されたセルロース繊維
に、低温プラズマあるいは電子線を照射することによ
り、ラジカルが発生し、このラジカルが開始剤となり、
グラフト重合体が形成され、セルロース繊維分子を架橋
し、繊維にウオッシュアンドウェア性及び防縮性を付与
することができる。

【００１０】ビニル基を２つ以上有するモノマーあるい
はオリゴマーとしては、Ｎ,Ｎ'−メチレンビスアクリル
アミド、アジピン酸ジビニル、ジビニルベンゼン、ジビ
ニルスルホン、ジアリルフタレート、ジアクリルイソフ
タレート、３,９−ジビニル-２,４,８,10−テトラオキ
サスピロ〔５,５〕ウンデカン、ジエチレングリコール
ジメタクリレート、ポリエチレングリコールジアクリレ
ート、ビスフェノールＡ-ジエポキシ-アクリル酸付加
物、グリセリンジメタクリレート、ヘキサメチレンジイ
ソシアネート、ウレタンプレポリマーなどのジビニルモ
ノマー、１,３,５−トリアクリロイルヘキサハイドロ−
s−トリアジン、１,２,４−トリビニルシクロヘキサ
ン、トリメリト酸トリアリル、トリアリルイソシアヌレ
ート、トリアリルシアヌレート、トリメチロールプロパ
ントリアクリレートなどのようなトリビニルモノマー、
ペンタエリスリトールテトラアクリレート、ジペンタエ
リスリトールヘキサアクリレートなどが挙げられる。

【００１１】膨潤剤としては、アセトン、ジオキサン、
ＤＭＳＤ、ＤＭＦ、ペンタオキサペンタデカン、エチレ
ングリコール、ジエチレングリコール、トリエチレング
リコール、トリエチレングリコールモノメチルエーテ
ル、トリエチレングリコールジメチルエーテル、ポリエ
チレングリコール、ポリエチレングリコールジメチルエ
ーテル、ポリエチレングリコールモノメチルエーテル、
スルホラン、苛性ソーダ水溶液、苛性カリ水溶液、塩化
マグネシウム水溶液、塩化カルシウム水溶液などが挙げ
れる。

【００１２】低温プラズマ処理において用いる放電ガス
は、エッチング作用の大きなガスでなければ、特に限定
されないが、例えば、窒素ガスが挙げられる。

【００１３】放電ガスとして窒素ガスを用いた場合の処
理条件としては、プラズマが発生する条件であれば、特
に限定されないが、真空度が1.0Torr、放電出力が120W
程度が好ましい。処理時間としては、30分以内が好まし
い。30分を越えると、逆にエッチングにより繊維を傷め
る恐れがある。

【００１４】電子線照射処理の場合は、空気中でも構わ
ないが、窒素中の方が好い。

【００１５】電子線照射の条件は、繊維を損傷しなけれ
ば、特に限定されなが、線量としては１〜10Mrad程度が
好ましい。

【００１６】本加工にホルムアルデヒドを遊離発生しな
い柔軟剤、シリコン樹脂、ウレタン樹脂を併用しても構
わない。

【００１７】本方法において処理する繊維としては、
綿、麻、レーヨン等のセルロース繊維及びこれらの混紡
繊維、交編織布がある。

【００１８】〔実施例１〕Ｎ,Ｎ'−メチレンビスアクリ
ルアミド４wt％、ジエチレングリコール20wt％の水溶液
に綿ブロード（目付120.1g／m²）を浸漬した後、乾燥し
て、Ｎ,Ｎ'−メチレンビスアクリルアミドとジエチレン
グリコールの付着率が32.1％の布を得た。

【００１９】この布を周波数が13.56MHz、放電ガスが窒
素ガス、真空度が1.0Torr、放電出力が120Wの条件でプ
ラズマ処理を5.2分間行った。処理後、65℃の条件下で
長時間湯洗いを行った後、乾燥して加工布を得た。この
加工布のポリマーの付着率は、1.49％であった。得られ
た加工布のモンサント法による乾防しわ性は開角度（タ
テ＋ヨコ）184゜（原布169゜）、湿防しわ性が開角度
（タテ＋ヨコ）217゜（原布173゜）であった。

【００２０】〔実施例２〕Ｎ,Ｎ'−メチレンビスアクリ
ルアミド５wt％、ジエチレングリコール30wt％の水溶液
にて、綿ブロードを実施例１と同様に処理して、付着率
35.5％の布を得た。

【００２１】この布を150W以外は実施例１と同条件で3.
5分間低温プラズマ処理した。そして実施例１と同様に
湯洗、乾燥して、ポリマーの付着率3.30％の加工布を得
た。得られた加工布のモンサント法による湿防しわ性は
開角度（タテ＋ヨコ）213゜（原布173゜）であった。

【００２２】〔実施例３〕Ｎ,Ｎ'−メチレンビスアクリ
ルアミド10wt％、ジエチレングリコール50wt％の水溶液
にて、綿ブロードを実施例１と同様に処理して、付着率
83.1％の布を得た。

【００２３】この布を実施例１と同条件で6.5分間低温
プラズマ処理した。そして実施例１と同様に湯洗、乾燥
して、ポリマーの付着率7.29％の加工布を得た。得られ
た加工布のモンサント法による湿防しわ性は開角度（タ
テ＋ヨコ）223゜（原布173゜）であった。

【００２４】〔比較例１〕Ｎ,Ｎ'−メチレンビスアクリ
ルアミド３wt％の水溶液にて、綿ブロードを実施例１と
同様に処理して、付着率4.73％の布を得た。

【００２５】この布を150W以外は実施例１と同条件で3.
0分間低温プラズマ処理した。そして実施例１と同様に
湯洗、乾燥して、ポリマーの付着率1.06％の加工布を得
た。得られた加工布のモンサント法による湿防しわ性は
開角度（タテ＋ヨコ）178゜（原布173゜）であった。

【００２６】〔実施例４〕１,３,５−トリアクリロイル
ヘキサハイドロ-s-トリアジン５wt％、ジエチレングリ
コール30wt％の水溶液にて、綿ブロードを実施例１と同
様に処理して、付着率41.5％の布を得た。

【００２７】この布を実施例１と同条件で5.2分間低温
プラズマ処理した。そして実施例１と同様に湯洗、乾燥
して、ポリマーの付着率3.67％の加工布を得た。得られ
た加工布のモンサント法による湿防しわ性は開角度（タ
テ＋ヨコ）198゜（原布173゜）であった。

【００２８】〔実施例５〕ＮＫＯＬＩＧＯＵ−４ＨＡ
（新中村化学工業（株）製、ペンタエリスリトールテト
ラアクリレートヘキサメチレンジイソシアネートウレタ
ンプレポリマー）５wt％、ジエチレングリコール30wt％
のメタノール溶液にて、綿ブロードを実施例１と同様に
処理して、付着率41.8％の布を得た。

【００２９】この布を実施例１と同条件で5.0分間低温
プラズマ処理した。そして実施例１と同様に湯洗、乾燥
して、ポリマーの付着率7.59％の加工布を得た。得られ
た加工布のモンサント法による湿防しわ性は開角度（タ
テ＋ヨコ）192゜（原布173゜）であった。

【００３０】〔実施例６〕トリアリルシアヌレート５wt
％、ジエチレングリコール30wt％のメタノール溶液に
て、綿ブロードを実施例１と同様に処理して、付着率3
7.2％の布を得た。この布を実施例１と同条件で4.8分間
低温プラズマ処理した。そして実施例１と同様に湯洗、
乾燥して、ポリマーの付着率3.43％の加工布を得た。得
られた加工布のモンサント法による湿防しわ性は開角度
（タテ＋ヨコ）181゜（原布173゜）であった。

【００３１】〔実施例７〕Ｎ,Ｎ'−メチレンビスアクリ
ルアミド10wt％、ジエチレングリコール50wt％の水溶液
に綿ブロード（目付120.1g／m²）を浸漬した後、乾燥し
て、Ｎ,Ｎ'−メチレンビスアクリルアミドとジエチレン
グリコールの付着率が74.6％の布を得た。

【００３２】この布をエリアビーム形電子線照射装置に
より窒素中で電子線照射を行なった。条件は加速電圧17
5kV、電子流11mA、トレー搬送速度20m／分で、照射量線
は８Mradであった。処理後、65℃の条件下で長時間湯洗
いを行なった後、乾燥し加工布を得た。この加工布のポ
リマーの付着率は14.29％であった。得られた加工布の
モンサント法による湿防しわ性は開角度（タテ＋ヨコ）
214゜（原布173゜）であった。

【００３３】

【発明の効果】本発明にかかるセルロース繊維のウオッ
シュアンドウェア加工法は、以上のように、ビニル基を
２つ以上有するモノマーあるいはオリゴマーと膨潤剤を
セルロース繊維に付与した後、この繊維を低温プラズマ
処理あるいは電子線照射処理するようになっているの
で、優れたウォッシュアンドウェア性を得ることができ
る。しかも、従来のように、Ｎ−メチロール化合物を用
いることがないので、加工中及び製品からホルムアルデ
ヒドが遊離発生しない。また室温付近〜80℃程度の低温
で処理することができ、繊維の強度低下も少ない加工布
を得ることができる。

【手続補正書】

【提出日】平成４年６月１８日

【手続補正１】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００１０

【補正方法】変更

【補正内容】

【００１０】 ビニル基を２つ以上有するモノマーある
いはオリゴマーとしては、Ｎ，Ｎ’−メチレンビスアク
リルアミド、アジピン酸ジビニル、ジビニルベンゼン、
ジビニルスルホン、ジアリルフタレート、ジアリルイソ
フタレート、３，９−ジビニル−２，４，８，１０−テ
トラオキサスピロ〔５，５〕 ウンデカン、ジエチレン
グリコールジメタクリレート、ポリエチレングリコール
ジアクリレート、ピスフェノールＡ−ジエポキシ−アク
リル酸付加物、グリセリンジメタクリレート、ヘキサメ
チレンジイソシアネート、ウレタンプレポリマーなどの
ジビニルモノマー、１，３，５−トリアクリロイルヘキ
サハイドロ−ｓ−トリアジン、１，２，４−トリビニル
シクロヘキサン、トリメリト酸トリアリル、トリアリル
イソシアヌレート、トリアリルシアヌレート、トリメチ
ロールプロパントリアクリレートなどのようなトリビニ
ルモノマー、ペンタエリスリトールテトラアクリレー
ト、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレートなどが
挙げられる。

【手続補正２】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００１５

【補正方法】変更

【補正内容】

【００１５】 電子線照射の条件は、繊維を損傷しなけ
れば、特に限定されないが、線量としては１〜１０Ｍｒ
ａｄ程度が好ましい。

【手続補正３】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００３２

【補正方法】変更

【補正内容】

【００３２】 この布をエリアビーム形電子線照射装置
により窒素中で電子線照射を行なった。条件は加速電圧
１７５ｋＶ，電子流１１ｍＡ、トレー搬送速度２０ｍ／
分で、照射線量は８Ｍｒａｄであった。処理後、６５℃
の条件下で長時間湯洗いを行なった後、乾燥し加工布を
得た。この加工布のポリマーの付着率は１４．２９％で
あった。得られた加工布のモンサント法による湿防しわ
性は開角度（タテ＋ヨコ）２１４゜（原布１７３゜）で
あった。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 久保田 静男 和歌山県伊都郡かつらぎ町東渋田567番地 (72)発明者 伊藤 修 和歌山県和歌山市島51−11 県職員住宅２ 号

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 ビニル基を２つ以上有するモノマーある
   いはオリゴマーと膨潤材をセルロース繊維に付与した
   後、この繊維を低温プラズマ処理あるいは電子線照射処
   理することを特徴とするセルロース繊維のウオッシュア
   ンドウェア加工法。