JPH06227861A - 誘電体磁器組成物 - Google Patents
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Abstract
く、さらに10μm以下の薄層化に対応可能で、二次相
の存在しない組織の均一な誘電体磁器組成物を提供す
る。 【構成】 不純物として含まれるアルカリ金属酸化物の
含有量が0.04重量%以下のBaTiO3 と、Tb2
O3 ,Dy2 O3 ,Ho2 O3 ,Er2 O3 の中から選
ばれる少なくとも1種類の希土類酸化物(Re2 O3 )
と、NiOとの配合比が、BaTiO3 92.0〜9
9.4モル%と、Re2 O3 0.3〜4.0モル%と、
NiO0.3〜4.0モル%との範囲内にある主成分1
00モル%に対し、副成分として、MgO0.2〜5.
0モル%と、MnO0.05〜1.0モル%とを含有す
る、誘電体磁器組成物である。
Description
し、特にたとえば、薄膜対応の積層コンデンサなどの誘
電体材料として用いられる、誘電体磁器組成物に関す
る。
電極ペーストが塗布されたシート状のBaTiO3 を主
成分とする誘電体を複数枚積層するとともに、各シート
の内部電極を交互に並列に一対の外部接続用電極に接続
し、これを焼結して一体化することによって形成され
る。このような積層コンデンサは、近年のエレクトロニ
クスの進展に伴って、広範囲の電子回路に使用され、ま
た、そのサイズもますます小型化される傾向にある。
磁器組成物として、従来よりさまざまな種類の組成が提
案されてきた。それらの中で、高誘電率を有し、かつ容
量の温度変化率が小さい誘電体磁器組成物として、特開
昭61−275164号などに開示されているBaTi
O3 −Nb2 O5 −Co2 O3 系組成物が最も一般的で
あり、広範な積層コンデンサの基本的な組成として使用
されている。これらの誘電体磁器組成物では、BaTi
O3 にNb2 O5 およびCo2 O3 が部分的に拡散した
構造からなっており、純粋なBaTiO3 のキュリー点
を有する組成部分と、室温あるいは室温以下にキュリー
点を有する組成部分とが、主としてセラミックス結晶粒
の中心部と周辺部とに存在している複合体、いわゆるc
ore−shellによって、容量の温度変化の平坦性
が得られている。
およびCo2 O3 などを部分的に拡散させた構造からな
る誘電体を主成分とする誘電体磁器組成物は、容量の温
度変化率が小さいにもかかわらず、3500〜4000
の高誘電率を示すため、小型大容量用途の積層コンデン
サ材料として広く用いられている。
の誘電体磁器組成物では、BaTiO3 のTiサイトに
固溶しやすいNbおよびCoを部分的にBaTiO3 に
拡散させるため、焼成時に掃き出されたTiがBaTi
O3 との間で低融点のTiリッチな相、たとえばBaT
i4 O9 相,Ba4 Ti13O30相,Ba6 Ti17O40相
などで代表される二次相を生成しやすいという性質があ
った。これらの二次相は低誘電率であるため、容量値の
低下が問題となっていた。さらに、これらのTiリッチ
な二次相は針状結晶に成長しやすく、積層コンデンサの
小型大容量化のために素子厚を薄層化すると、時として
素子厚を越え内部電極間にわたって針状結晶が存在する
場合があり、高温における信頼性の点で大きな問題とな
っていた。したがって、これらの従来の誘電体磁器組成
物は、高誘電率を有する組成系ではあるものの、薄層化
には限界があり、今後さらに進行するであろう小型大容
量化には、対応不可能であった。
b2 O5 −Co2 O3 系組成のみならず、BaTiO3
−Nb2 O5 −MnO系組成などのNb2 O5 を含むB
aTiO3 系組成物一般にあてはまることであった。
量化のためには、二次相の存在しない、薄層化に対応可
能な誘電体磁器組成物が必要であった。
誘電率を有し、容量の温度変化率が小さく、さらに10
μm以下の薄層化に対応可能で、二次相の存在しない組
織の均一な誘電体磁器組成物を提供することである。
て含まれるアルカリ金属酸化物の含有量が0.04重量
%以下のBaTiO3 と、Tb2 O3 ,Dy2 O3 ,H
o2 O3 ,Er2 O3の中から選ばれる少なくとも1種
類の希土類酸化物(Re2 O3 )と、NiOとの配合比
が、BaTiO3 92.0〜99.4モル%と、Re2
O3 0.3〜4.0モル%と、NiO0.3〜4.0モ
ル%との範囲内にある主成分100モル%に対し、副成
分として、MgO0.2〜5.0モル%と、MnO0.
05〜1.0モル%とを含有する、誘電体磁器組成物で
ある。
下含有させてもよい。
て、BaO−SrO−Li2 O−SiO2 を主成分とす
る酸化物ガラスを2.5重量部以下含有させてもよい。
類酸化物およびNiOを主成分とする誘電体材料にMg
O,MnOを添加することによって、3500以上の高
誘電率を有し、容量の温度変化率が小さく、さらに10
μm以下の薄層化に対応可能で、二次相が存在せず、組
織が均一で、高温における信頼性に優れた誘電体磁器組
成物を得ることができる。さらに、SiO2 あるいは酸
化物ガラスを添加することによって、焼成温度の低下お
よび焼成コストの削減が可能である。
とえば積層セラミックコンデンサの誘電体材料として用
いれば、従来の組成系では不可能であった10μm以下
の薄層化への展開が可能となり、積層セラミックコンデ
ンサのこれまで以上の小型大容量化を容易に達成するこ
とが可能となる。
徴および利点は、以下の実施例の詳細な説明から一層明
らかとなろう。
カリ金属酸化物の含有量が異なるBaTiO3 ,希土類
酸化物,NiO,MgO,MnO,SiO2 ,酸化物ガ
ラスを準備した。これらの原料を表1に示す組成割合と
なるように秤量して、秤量物を得た。なお、試料番号1
〜21については、アルカリ金属酸化物の含有量が0.
03重量%のBaTiO3 を使用し、試料番号22につ
いては、アルカリ金属酸化物の含有量が0.05重量%
のBaTiO3 を使用し、試料番号23については、ア
ルカリ金属酸化物の含有量が0.07重量%のBaTi
O3 を使用した。
ボールを用いたボールミルで混合し、原料スラリを調製
した。次に、この原料スラリに有機系バインダ,可塑剤
を添加し、十分に攪拌した後、ドクターブレード法によ
ってシート成形して、セラミックグリーンシートを得
た。なお、このときのセラミックグリーンシートの厚さ
は12μmであった。
クグリーンシートの一面に、内部電極形成用導電ペース
トを塗布し、乾燥後複数枚のセラミックグリーンシート
を積層したのち、厚み方向に圧着することによって積層
体を得、この積層体から切り出すことによって、積層コ
ンデンサ生ユニットを得た。このユニットに320℃で
5時間保持の条件で脱バインダを行った後、H2 /N2
の体積比率が3/100の還元雰囲気ガス気流中におい
て、表2に示す温度で2時間焼成し、焼結体を得た。こ
のとき、焼成後のユニットの誘電体素子厚は8μmであ
った。
を塗布して、焼き付けることによって、積層セラミック
コンデンサとした。そして、この積層セラミックコンデ
ンサの室温における容量値,誘電損失tanδ,絶縁抵
抗値(IR),容量の温度変化率(TCC)および超加
速ライフ試験におけるMTTF(mean timet
o failure)を測定した。その結果を表2にま
とめて示す。なお、容量値は誘電率εに換算して示す。
温度25℃、周波数1kHz、交流電圧1Vの条件で測
定した。また、絶縁抵抗値については、温度25℃にお
いて直流電圧16Vを2分間電圧印加して測定し、その
結果を静電容量値との積、すなわちCR積で示す。さら
に、温度変化率(TCC)については、25℃の容量値
を基準とした時の−55℃,125℃における変化率お
よび−55℃〜+125℃の間において、容量温度変化
率が最大である値の絶対値、すなわち最大変化率につい
て示す。また、MTTFについては、試料数n=18個
について、150℃で電界強度を16.0(kV/m
m)印加したときの絶縁破壊に至るまでの時間から、ワ
イブルプロットによって算出した結果について示してい
る。
る誘電体磁器組成物を用いた積層セラミックコンデンサ
は、薄層であっても優れた特性を示し、高温における信
頼性において非常に優れている。
囲を上述のように限定する理由は次の通りである。
明する。
2.0〜99.4モル%とするのは、構成比率が92.
0モル%未満の場合には、希土類元素およびNiOの構
成比率が多くなるため、試料番号4に示すように、絶縁
抵抗値および誘電率の低下が生じ好ましくない。また、
BaTiO3 の構成比率が99.4モル%を超える場合
には、希土類元素およびNiOの添加の効果がなく、試
料番号3に示すように、高温部(キュリー点付近)の容
量温度変化率が大きく(+)側にはずれ好ましくない。
さらに、BaTiO3 中のアルカリ金属酸化物含有量を
0.04重量%以下とするのは、0.04重量%を超え
ると、試料番号22および23に示すように、誘電率の
低下が生じ、実用的でなくなり好ましくない。
明する。
るのは、添加量が0.2モル%未満の場合には、試料番
号17に示すように、積層コンデンサの素子厚を薄層化
した場合に、容量温度変化率を示す曲線がシングルピー
ク化する傾向があり、低温部で(−)側にはずれ、キュ
リー点近傍の高温部で(+)側にはずれる傾向があると
ともに、絶縁抵抗値の低下が生じるので好ましくない。
また、添加量が5.0モル%を超える場合には、試料番
号15に示すように、誘電率および絶縁抵抗値の低下が
生じるので好ましくない。
するのは、添加量が0.05モル%未満の場合には、試
料番号9に示すように、絶縁抵抗値の低下、誘電損失の
増大およびMTTF値の低下が生じるので好ましくな
い。また、添加量が1.0モル%を超える場合には、試
料番号12に示すように、絶縁抵抗値の低下およびMT
TF値の低下が生じるので好ましくない。
のは、添加量が3.0モル%を超える場合には、試料番
号21に示すように、誘電率の低下が生じ好ましくな
い。
O2 を主成分とする酸化物ガラスの添加量を2.5重量
部以下とするのは、添加量が2.5重量部を超える場合
には、試料番号19に示すように、SiO2 の場合と同
様に、誘電率の低下が生じるので好ましくない。
Claims (3)
- 【請求項1】 不純物として含まれるアルカリ金属酸化
物の含有量が0.04重量%以下のBaTiO3 と、T
b2 O3 ,Dy2 O3 ,Ho2 O3 ,Er2O3 の中か
ら選ばれる少なくとも1種類の希土類酸化物(Re2 O
3 )と、NiOとの配合比が、 BaTiO3 92.0〜99.4モル%、 Re2 O3 0.3〜4.0モル%、および NiO 0.3〜4.0モル% の範囲内にある主成分100モル%に対し、 副成分として、 MgO 0.2〜5.0モル%、および MnO 0.05〜1.0モル% を含有する、誘電体磁器組成物。 - 【請求項2】 さらに副成分として、SiO2 を3.0
モル%以下含有する、請求項1の誘電体磁器組成物。 - 【請求項3】 さらに上記全成分を100重量部とし
て、BaO−SrO−Li2 O−SiO2 を主成分とす
る酸化物ガラスを2.5重量部以下含有する、請求項1
の誘電体磁器組成物。
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|---|---|---|---|
| JP04052593A JP3259406B2 (ja) | 1993-02-03 | 1993-02-03 | 誘電体磁器組成物 |
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Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| JP2001135544A (ja) * | 1999-11-01 | 2001-05-18 | Tdk Corp | 誘電体磁器組成物および電子部品 |
| US6396680B1 (en) | 1999-12-10 | 2002-05-28 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Monolithic capacitor and process for producing the capacitor |
| JP2003192433A (ja) * | 2002-10-16 | 2003-07-09 | Tdk Corp | 誘電体磁器組成物および電子部品 |
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-
1993
- 1993-02-03 JP JP04052593A patent/JP3259406B2/ja not_active Expired - Lifetime
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| CN102875144A (zh) * | 2006-07-20 | 2013-01-16 | 株式会社村田制作所 | 电介质陶瓷及其制造方法以及叠层陶瓷电容器 |
| JPWO2009037922A1 (ja) * | 2007-09-19 | 2011-01-06 | 株式会社村田製作所 | 誘電体セラミック、及び積層セラミックコンデンサ |
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|---|---|
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