JPH06230202A - 薄膜の形成方法 - Google Patents
薄膜の形成方法Info
- Publication number
- JPH06230202A JPH06230202A JP5017246A JP1724693A JPH06230202A JP H06230202 A JPH06230202 A JP H06230202A JP 5017246 A JP5017246 A JP 5017246A JP 1724693 A JP1724693 A JP 1724693A JP H06230202 A JPH06230202 A JP H06230202A
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- JP
- Japan
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- film
- zns
- substrate
- thin film
- forming
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 基板との高い密着性、耐久性を得ることがで
き、内部応力の緩和によりクラック発生の防止効果を持
つ形成方法を提供する。 【構成】 赤外光に対して透明な光学部品基板の表面
に、その膜に電子銃４によって電子線照射をおこないつ
つ硫化亜鉛の薄膜を形成する。
き、内部応力の緩和によりクラック発生の防止効果を持
つ形成方法を提供する。 【構成】 赤外光に対して透明な光学部品基板の表面
に、その膜に電子銃４によって電子線照射をおこないつ
つ硫化亜鉛の薄膜を形成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、例えば赤外線検知器等
に使用される赤外線用光学部品の反射防止膜の形成方法
に関する。
に使用される赤外線用光学部品の反射防止膜の形成方法
に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、赤外用光学材料としてゲルマニウ
ム（Ｇｅ）、シリコン（Ｓｉ）が知られているが、これ
らの屈折率はそれぞれＧｅ：ｎ＝４.０、Ｓｉ：ｎ＝３.
４（ｎ：屈折率）であり基板自体の反射が片面当りそれ
ぞれ１７％、３１％であり反射がきわめて大きく、光学
部品として使用する場合には反射防止が必要である。
ム（Ｇｅ）、シリコン（Ｓｉ）が知られているが、これ
らの屈折率はそれぞれＧｅ：ｎ＝４.０、Ｓｉ：ｎ＝３.
４（ｎ：屈折率）であり基板自体の反射が片面当りそれ
ぞれ１７％、３１％であり反射がきわめて大きく、光学
部品として使用する場合には反射防止が必要である。
【０００３】特にこれらに用いられる反射防止膜として
はＺｎＳによる単層反射防止膜、ＺｎＳ、フッ化マグネ
シウム（ＭｇＦ2）による２層反射防止膜等が知られて
いる。ＺｎＳは約２５μｍまでの赤外域において透明で
屈折率が高く、また蒸着も容易に行えることから特に有
用に使用されている光学材料の１つである。
はＺｎＳによる単層反射防止膜、ＺｎＳ、フッ化マグネ
シウム（ＭｇＦ2）による２層反射防止膜等が知られて
いる。ＺｎＳは約２５μｍまでの赤外域において透明で
屈折率が高く、また蒸着も容易に行えることから特に有
用に使用されている光学材料の１つである。
【０００４】このうち、Ｓｉ基板にＺｎＳの単層反射防
止膜を例に用いて、以下図面を参照しながら従来のＺｎ
Ｓの反射防止膜とその形成方法について説明する。
止膜を例に用いて、以下図面を参照しながら従来のＺｎ
Ｓの反射防止膜とその形成方法について説明する。
【０００５】図２がＳｉ基板６の表面にＺｎＳの反射防
止膜７をｎｄ＝λ0／４（ｎｄ：光学的厚み、λ0：反射
防止膜の中心波長）の厚みで形成したときの断面図であ
る。ＺｎＳの反射防止膜７は、例えば図３に示す蒸着装
置を用いて通常真空蒸着法によって形成される。蒸発源
２より供給される蒸着蒸気によって、ホルダ３に保持さ
れた基板上に薄膜を形成する。５は基板を加熱するため
のヒータである。基板側が室温である時に蒸着したＺｎ
Ｓ膜は付着が弱く傷つき易い。しかし基板をヒータ５に
より約１５０℃に加熱し、さらに蒸着の直前に５分以内
のグロー放電による処理をおこなうと、付着が強く傷つ
きにくい膜が得られることは一般技術としてよく知られ
ている（たとえば「真空蒸着」９−３−１ ＺｎＳ、沢
木司著、日刊工業新聞社）。
止膜７をｎｄ＝λ0／４（ｎｄ：光学的厚み、λ0：反射
防止膜の中心波長）の厚みで形成したときの断面図であ
る。ＺｎＳの反射防止膜７は、例えば図３に示す蒸着装
置を用いて通常真空蒸着法によって形成される。蒸発源
２より供給される蒸着蒸気によって、ホルダ３に保持さ
れた基板上に薄膜を形成する。５は基板を加熱するため
のヒータである。基板側が室温である時に蒸着したＺｎ
Ｓ膜は付着が弱く傷つき易い。しかし基板をヒータ５に
より約１５０℃に加熱し、さらに蒸着の直前に５分以内
のグロー放電による処理をおこなうと、付着が強く傷つ
きにくい膜が得られることは一般技術としてよく知られ
ている（たとえば「真空蒸着」９−３−１ ＺｎＳ、沢
木司著、日刊工業新聞社）。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ＺｎＳ
は内部応力が大きな物質であり、上記の方法により反射
防止膜を形成したとしても遠赤外線のような長い波長域
に合わせて膜厚を厚くした場合、形成後にきわめてクラ
ックが生じ易くなるという欠点があり、量産性に優れて
いるとは言い難い。このため最近ではイオン源で生成し
た不活性ガスイオンを数百〜数ｋＶに加速し、形成され
つつある被膜に照射することにより（以下イオンビーム
アシストと記す）被膜の内部応力の緩和を行い、また同
時に充填密度の増大、付着力の改善など、従来の手法で
は得られない諸性質を得る方法も提案されている。しか
しこの方法でも、ＺｎＳ膜に関してはむしろ結晶性が良
くなりすぎクラックが発生する。
は内部応力が大きな物質であり、上記の方法により反射
防止膜を形成したとしても遠赤外線のような長い波長域
に合わせて膜厚を厚くした場合、形成後にきわめてクラ
ックが生じ易くなるという欠点があり、量産性に優れて
いるとは言い難い。このため最近ではイオン源で生成し
た不活性ガスイオンを数百〜数ｋＶに加速し、形成され
つつある被膜に照射することにより（以下イオンビーム
アシストと記す）被膜の内部応力の緩和を行い、また同
時に充填密度の増大、付着力の改善など、従来の手法で
は得られない諸性質を得る方法も提案されている。しか
しこの方法でも、ＺｎＳ膜に関してはむしろ結晶性が良
くなりすぎクラックが発生する。
【０００７】そこで本発明は上記問題点に鑑み、クラッ
クを発生することなく、且つ付着力が強く傷つきにくい
ＺｎＳ膜の形成方法を提供しようとするものである。
クを発生することなく、且つ付着力が強く傷つきにくい
ＺｎＳ膜の形成方法を提供しようとするものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに本発明では、光学材料にＺｎＳからなる蒸着膜を真
空蒸着により蒸着する際に、その膜に電子線照射をおこ
ないつつ、薄膜を形成するものである。
めに本発明では、光学材料にＺｎＳからなる蒸着膜を真
空蒸着により蒸着する際に、その膜に電子線照射をおこ
ないつつ、薄膜を形成するものである。
【０００９】
【作用】本発明は上記した構成の薄膜の形成方法によっ
てＺｎＳ膜の耐クラック性、付着力、耐久性を向上させ
ることが出来る。
てＺｎＳ膜の耐クラック性、付着力、耐久性を向上させ
ることが出来る。
【００１０】
【実施例】以下本発明を、実施例に基づき、その図面を
参照しながら説明する。
参照しながら説明する。
【００１１】図１に本発明の薄膜形成方法の一実施例を
具備した薄膜形成装置と、その装置における反射防止膜
の形成時の様子を示す。光学基板６は、基板ホルダによ
って、蒸発源２、電子銃４に対向するように保持されて
いる。
具備した薄膜形成装置と、その装置における反射防止膜
の形成時の様子を示す。光学基板６は、基板ホルダによ
って、蒸発源２、電子銃４に対向するように保持されて
いる。
【００１２】同実施例装置により図２に断面図を示す光
学部品を得ようとするものである。図２において光学基
材である基板６はＳiであり、７はＺｎＳ膜である。
学部品を得ようとするものである。図２において光学基
材である基板６はＳiであり、７はＺｎＳ膜である。
【００１３】ＺｎＳ膜の形成条件は次の通りである。真
空蒸着槽１の内部を２．０×１０-5Ｔｏｒｒまで排気し
た後、基板ホルダ３に取り付けた無加熱の基板に対し電
子銃４からの電子線を照射しつつ、蒸発源２より蒸発し
てくるＺｎＳを、光学的膜厚がｎｄ＝λ0／４（λ0＝１
０μｍ）である厚さに蒸着速度約８〜１１Å／ｓｅｃで
基板上に形成した。
空蒸着槽１の内部を２．０×１０-5Ｔｏｒｒまで排気し
た後、基板ホルダ３に取り付けた無加熱の基板に対し電
子銃４からの電子線を照射しつつ、蒸発源２より蒸発し
てくるＺｎＳを、光学的膜厚がｎｄ＝λ0／４（λ0＝１
０μｍ）である厚さに蒸着速度約８〜１１Å／ｓｅｃで
基板上に形成した。
【００１４】形成中にＺｎＳに電子線を照射することに
より、イオンビームアシストと同様、内部応力の緩和が
行われクラックの発生を抑え、密着力を向上させる効果
がある。しかし、イオンビームアシストを行った際の欠
点であったＺｎＳの結晶性が良くなり過ぎるというよう
なことはない。
より、イオンビームアシストと同様、内部応力の緩和が
行われクラックの発生を抑え、密着力を向上させる効果
がある。しかし、イオンビームアシストを行った際の欠
点であったＺｎＳの結晶性が良くなり過ぎるというよう
なことはない。
【００１５】上記実施例の反射防止膜の密着性、耐久性
を確認するために行った試験は、 （１）粘着テープ剥離試験（温度４０℃、相対湿度８５
％の高温・高湿雰囲気中に１０００時間放置した後、粘
着テープを光学部品表面に密着し、引きはがす） （２）耐湿試験（温度４０℃、相対湿度９５％の高温・
高湿雰囲気中に１０００時間放置） （３）熱衝撃試験（温度−４０℃、１２０℃の低温・高
温雰囲気中に交互に３０分間ずつ放置を約１００時間） である。
を確認するために行った試験は、 （１）粘着テープ剥離試験（温度４０℃、相対湿度８５
％の高温・高湿雰囲気中に１０００時間放置した後、粘
着テープを光学部品表面に密着し、引きはがす） （２）耐湿試験（温度４０℃、相対湿度９５％の高温・
高湿雰囲気中に１０００時間放置） （３）熱衝撃試験（温度−４０℃、１２０℃の低温・高
温雰囲気中に交互に３０分間ずつ放置を約１００時間） である。
【００１６】
【表１】
【００１７】（表１）から分かるように本実施例の反射
防止膜は、密着性、耐久性に優れている。
防止膜は、密着性、耐久性に優れている。
【００１８】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
の光学部品の反射防止膜は、光学材料の表面にＺｎＳか
らなる蒸着膜を真空蒸着により任意の厚さに蒸着、形成
する際、その膜に電子線照射をおこないつつ膜を形成す
ることによりクラック発生の防止効果を持ち、密着力、
耐湿性の向上を可能としている。
の光学部品の反射防止膜は、光学材料の表面にＺｎＳか
らなる蒸着膜を真空蒸着により任意の厚さに蒸着、形成
する際、その膜に電子線照射をおこないつつ膜を形成す
ることによりクラック発生の防止効果を持ち、密着力、
耐湿性の向上を可能としている。
【図１】本発明の薄膜形成方法の一実施例を具現化した
蒸着装置の断面図
蒸着装置の断面図
【図２】同実施例装置により形成された光学部品の断面
図
図
【図３】従来の蒸着装置の断面構成図
１ 真空蒸着槽 ２ 蒸発源 ３ 基板ホルダ ４ 電子銃 ５ ヒータ ６ 基板 ７ 硫化亜鉛（ＺｎＳ）膜
Claims (1)
- 【請求項１】 赤外光に対して透明な光学基材の表面に
硫化亜鉛（ＺｎＳ）からなる反射防止膜を形成するに際
して、前記光学基材に向け電子線照射を行いつつＺｎＳ
を形成することを特徴とする薄膜の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5017246A JPH06230202A (ja) | 1993-02-04 | 1993-02-04 | 薄膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5017246A JPH06230202A (ja) | 1993-02-04 | 1993-02-04 | 薄膜の形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06230202A true JPH06230202A (ja) | 1994-08-19 |
Family
ID=11938598
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5017246A Pending JPH06230202A (ja) | 1993-02-04 | 1993-02-04 | 薄膜の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06230202A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100408768B1 (ko) * | 2001-03-30 | 2003-12-11 | 전영국 | 이온빔 보조전자빔을 갖는 진공증착기로 완성한 수지계평판표시소자 및 그 제조방법 |
| CN100460895C (zh) * | 2007-07-04 | 2009-02-11 | 中国航空工业第一集团公司第六一三研究所 | 一种锗基底零件表面的红外截止滤光膜膜系及其镀制方法 |
| CN116360017A (zh) * | 2023-03-04 | 2023-06-30 | 昆明理工大学 | 一种硫系玻璃irg206基底长波红外镜片及其制备方法 |
-
1993
- 1993-02-04 JP JP5017246A patent/JPH06230202A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100408768B1 (ko) * | 2001-03-30 | 2003-12-11 | 전영국 | 이온빔 보조전자빔을 갖는 진공증착기로 완성한 수지계평판표시소자 및 그 제조방법 |
| CN100460895C (zh) * | 2007-07-04 | 2009-02-11 | 中国航空工业第一集团公司第六一三研究所 | 一种锗基底零件表面的红外截止滤光膜膜系及其镀制方法 |
| CN116360017A (zh) * | 2023-03-04 | 2023-06-30 | 昆明理工大学 | 一种硫系玻璃irg206基底长波红外镜片及其制备方法 |
| CN116360017B (zh) * | 2023-03-04 | 2025-05-23 | 昆明理工大学 | 一种硫系玻璃irg206基底长波红外镜片及其制备方法 |
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