JPH06232052A - 化合物半導体薄膜の気相成長法 - Google Patents
化合物半導体薄膜の気相成長法Info
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- JPH06232052A JPH06232052A JP1719993A JP1719993A JPH06232052A JP H06232052 A JPH06232052 A JP H06232052A JP 1719993 A JP1719993 A JP 1719993A JP 1719993 A JP1719993 A JP 1719993A JP H06232052 A JPH06232052 A JP H06232052A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 遷移領域のない急峻な層界面を有する多層構
造の化合物半導体薄膜を得る。 【構成】 減圧型の有機金属気相成長装置による気相成
長法にて同一導電型でキャリア濃度の異なる結晶層を連
続して成長させるために、層成長切替え時にIII族有機
金属原料ガスの供給を止め、Ｖ族有機金属原料ガスとド
ーピングガスを流して成長温度をＢの方向に上昇させ、
キャリア濃度が低くなった成長温度で再びIII 族有機金
属原料ガスを供給することで、ドーピング量は変らずに
異なるキャリア濃度の多層構造の半導体薄膜が得られ
る。
造の化合物半導体薄膜を得る。 【構成】 減圧型の有機金属気相成長装置による気相成
長法にて同一導電型でキャリア濃度の異なる結晶層を連
続して成長させるために、層成長切替え時にIII族有機
金属原料ガスの供給を止め、Ｖ族有機金属原料ガスとド
ーピングガスを流して成長温度をＢの方向に上昇させ、
キャリア濃度が低くなった成長温度で再びIII 族有機金
属原料ガスを供給することで、ドーピング量は変らずに
異なるキャリア濃度の多層構造の半導体薄膜が得られ
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は有機金属気相成長法に
よってIII −Ｖ族化合物半導体の結晶薄膜を成長させる
方法に関するものである。
よってIII −Ｖ族化合物半導体の結晶薄膜を成長させる
方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】有機金属気相成長法は、有機金属化合物
と金属水素化合物を反応炉の中で熱分解することによ
り、基板上に薄膜の単結晶を成長させる方法であり、超
薄膜の多層構成を量産性高く容易に形成することができ
るので、化合物半導体基板の作製に広く用いられてい
る。
と金属水素化合物を反応炉の中で熱分解することによ
り、基板上に薄膜の単結晶を成長させる方法であり、超
薄膜の多層構成を量産性高く容易に形成することができ
るので、化合物半導体基板の作製に広く用いられてい
る。
【０００３】例えば、図３は特開昭５８−２５２２３号
公報に開示された従来のIII −Ｖ族化合物半導体の気相
成長装置であり、図４および図５は、例えば第４３回応
用物理学会学術講演会の講演予稿集（１９８２年）の第
１４４頁に開示された従来の図３のような気相成長装置
にて成長したプレーナ型ＩｎＰ／ＩｎＧａＡｓ−ＡＰＤ
用結晶構造およびこの構造の深さ方向のｎ形領域におけ
るキャリア濃度分布である。図において、２１は内部が
第１の成長室２１ａと第２の成長室２１ｂに分かれた反
応管であり、２２はサセプタ２３に支持されたＩｎＰ基
板結晶である。そして、第１成長室２１ａ内の上流には
III 族の金属インジウム２４と金属ガリウム２５がそれ
ぞれ石英ボードに入れられており、Ｖ族元素および不純
物元素を供給する導入口２６が設けられている。また、
第２成長室２１ｂ内の上流にはIII 族の金属インジウム
２４が石英ボートに入れられており、Ｖ族元素および不
純物元素を供給する導入口２７が設けられている。
公報に開示された従来のIII −Ｖ族化合物半導体の気相
成長装置であり、図４および図５は、例えば第４３回応
用物理学会学術講演会の講演予稿集（１９８２年）の第
１４４頁に開示された従来の図３のような気相成長装置
にて成長したプレーナ型ＩｎＰ／ＩｎＧａＡｓ−ＡＰＤ
用結晶構造およびこの構造の深さ方向のｎ形領域におけ
るキャリア濃度分布である。図において、２１は内部が
第１の成長室２１ａと第２の成長室２１ｂに分かれた反
応管であり、２２はサセプタ２３に支持されたＩｎＰ基
板結晶である。そして、第１成長室２１ａ内の上流には
III 族の金属インジウム２４と金属ガリウム２５がそれ
ぞれ石英ボードに入れられており、Ｖ族元素および不純
物元素を供給する導入口２６が設けられている。また、
第２成長室２１ｂ内の上流にはIII 族の金属インジウム
２４が石英ボートに入れられており、Ｖ族元素および不
純物元素を供給する導入口２７が設けられている。
【０００４】次に、上記図３の装置による従来の気相成
長例をプレーナ型ＩｎＰ／ＩｎＧａＡｓ−ＡＰＤについ
て説明すると、まずＩｎＰ基板２２をサセプタ２３にセ
ットしてこれを反応管２１内に設置する。次いで、反応
管２１内の第１成長室２１ａにＨ2 によって希釈された
ＨＣｌガスを通し、同室内の石英ボートに入れられたII
I 族の金属Ｉｎ２４、金属Ｇａ２５と反応させて、Ｉｎ
Ｃｌ、ＧａＣｌの塩化物としてＩｎＰ基板へ運び、この
塩化物と導入口２６から供給したＨ2 で希釈されたＶ族
のアルシン（ＡｓＨ3 ）、ドーパントであるＨ2 Ｓと反
応させることで図４のようにＩｎＰ基板２２上にｎ- −
ＩｎＧａＡｓ光吸収層３１を成長させる。
長例をプレーナ型ＩｎＰ／ＩｎＧａＡｓ−ＡＰＤについ
て説明すると、まずＩｎＰ基板２２をサセプタ２３にセ
ットしてこれを反応管２１内に設置する。次いで、反応
管２１内の第１成長室２１ａにＨ2 によって希釈された
ＨＣｌガスを通し、同室内の石英ボートに入れられたII
I 族の金属Ｉｎ２４、金属Ｇａ２５と反応させて、Ｉｎ
Ｃｌ、ＧａＣｌの塩化物としてＩｎＰ基板へ運び、この
塩化物と導入口２６から供給したＨ2 で希釈されたＶ族
のアルシン（ＡｓＨ3 ）、ドーパントであるＨ2 Ｓと反
応させることで図４のようにＩｎＰ基板２２上にｎ- −
ＩｎＧａＡｓ光吸収層３１を成長させる。
【０００５】同様にして、第２成長室２１ｂ内にＨ2 に
よって希釈されたＨＣｌガスを通し、同室内の石英ボー
トに入れられた金属Ｉｎ２４と反応させて、ＩｎＣｌと
し、導入口２７から供給されたＨ2 で希釈されたＰ
Ｈ3 、Ｈ2 Ｓと反応させることでｎ- −ＩｎＧａＡｓ光
吸収層３１上にｎ−ＩｎＰアバランシェ増倍層３２、ｎ
-−ＩｎＰガードリング層３３を連続成長させる。Ｉｎ
Ｐ系のｎ形ドーパントとしてはＨ2 Ｓがよく用いられ
る。ここで、ｎ−ＩｎＰアバランシェ増倍層３２と、ｎ
- −ＩｎＰガードリング層３３は、ＡＰＤ動作を行わせ
るためにキャリア濃度差をつけており、ｎ−ＩｎＰアバ
ランシェ増倍層の不純物濃度はＮD ＝２×１０16ｃ
ｍ-3、ｎ- −ＩｎＰガードリング層はＮD ＜５×１０15
ｃｍ-3としている。図５は、ｎ- −ＩｎＰガードリング
層３３の表面から深さ方向にキャリア濃度を同定したも
のである。
よって希釈されたＨＣｌガスを通し、同室内の石英ボー
トに入れられた金属Ｉｎ２４と反応させて、ＩｎＣｌと
し、導入口２７から供給されたＨ2 で希釈されたＰ
Ｈ3 、Ｈ2 Ｓと反応させることでｎ- −ＩｎＧａＡｓ光
吸収層３１上にｎ−ＩｎＰアバランシェ増倍層３２、ｎ
-−ＩｎＰガードリング層３３を連続成長させる。Ｉｎ
Ｐ系のｎ形ドーパントとしてはＨ2 Ｓがよく用いられ
る。ここで、ｎ−ＩｎＰアバランシェ増倍層３２と、ｎ
- −ＩｎＰガードリング層３３は、ＡＰＤ動作を行わせ
るためにキャリア濃度差をつけており、ｎ−ＩｎＰアバ
ランシェ増倍層の不純物濃度はＮD ＝２×１０16ｃ
ｍ-3、ｎ- −ＩｎＰガードリング層はＮD ＜５×１０15
ｃｍ-3としている。図５は、ｎ- −ＩｎＰガードリング
層３３の表面から深さ方向にキャリア濃度を同定したも
のである。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】従来の気相成長法は、
以上のように行われ、ｎ−ＩｎＰアバランシェ増倍層を
成長後、低キャリア濃度のｎ- −ＩｎＰガードリング層
を得るために、Ｈ2 Ｓのようなド−ピングガスの流量を
減じていくが、ｎ−ＩｎＰアバランシェ増倍層とｎ- −
ＩｎＰガードリング層間には、このド−ピングガスの流
量を減じていく過程で発生した遷移領域３５が形成され
る結果、この両層界面を急峻にすることができず、ＡＰ
Ｄの増倍に起因する所望の層厚、キャリア濃度等を得る
のは困難であるという問題があった。
以上のように行われ、ｎ−ＩｎＰアバランシェ増倍層を
成長後、低キャリア濃度のｎ- −ＩｎＰガードリング層
を得るために、Ｈ2 Ｓのようなド−ピングガスの流量を
減じていくが、ｎ−ＩｎＰアバランシェ増倍層とｎ- −
ＩｎＰガードリング層間には、このド−ピングガスの流
量を減じていく過程で発生した遷移領域３５が形成され
る結果、この両層界面を急峻にすることができず、ＡＰ
Ｄの増倍に起因する所望の層厚、キャリア濃度等を得る
のは困難であるという問題があった。
【０００７】この発明は、上記のような問題点を解消す
るべく検討の結果なされたものであって、ｎ−ＩｎＰア
バランシェ増倍層とｎ- −ＩｎＰガードリング層間の成
長層界面の急峻性を達成するための気相成長法を提供す
ることを目的とするものである。
るべく検討の結果なされたものであって、ｎ−ＩｎＰア
バランシェ増倍層とｎ- −ＩｎＰガードリング層間の成
長層界面の急峻性を達成するための気相成長法を提供す
ることを目的とするものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】即ち、この発明の気相成
長法は不純物をドーピングし、キャリア濃度の異なる同
一導電形の結晶を、半導体基板上に連続して成長させて
多層構造の結晶薄膜を得る方法であって、第１、第２の
半導体結晶層を成長したのち、第３の半導体結晶層の成
長において、引き続きＶ族有機金属元素の原料ガスと不
純物を通すが、III 族有機金属元素の原料ガスの供給を
止めて成長温度を可変させ、その後上記Ｖ族有機金属元
素の原料ガス、不純物とともに再びIII 族有機金属元素
の原料ガスを供給することを特徴とするものである。
長法は不純物をドーピングし、キャリア濃度の異なる同
一導電形の結晶を、半導体基板上に連続して成長させて
多層構造の結晶薄膜を得る方法であって、第１、第２の
半導体結晶層を成長したのち、第３の半導体結晶層の成
長において、引き続きＶ族有機金属元素の原料ガスと不
純物を通すが、III 族有機金属元素の原料ガスの供給を
止めて成長温度を可変させ、その後上記Ｖ族有機金属元
素の原料ガス、不純物とともに再びIII 族有機金属元素
の原料ガスを供給することを特徴とするものである。
【０００９】
【作用】この発明は第２の半導体結晶層であるｎ−Ｉｎ
Ｐアバランシェ増倍層上に第３の半導体結晶層のｎ- −
ＩｎＰガードリング層を成長する時に両界面の急峻性を
達成するために、層切換え時にＡｓＨ3 あるいはＰＨ3
のようなＶ族有機金属元素の原料ガスとＨ2 Ｓの不純物
ドーピングガスを流した状態で、ＴＭＩｎのようなIII
族の原料ガスの供給を止めて成長温度を上昇または下降
させ、キャリア濃度の温度依存性を利用して所望の温度
にて再びＴＭＩｎガスを流して成長させるようにしたも
のである。
Ｐアバランシェ増倍層上に第３の半導体結晶層のｎ- −
ＩｎＰガードリング層を成長する時に両界面の急峻性を
達成するために、層切換え時にＡｓＨ3 あるいはＰＨ3
のようなＶ族有機金属元素の原料ガスとＨ2 Ｓの不純物
ドーピングガスを流した状態で、ＴＭＩｎのようなIII
族の原料ガスの供給を止めて成長温度を上昇または下降
させ、キャリア濃度の温度依存性を利用して所望の温度
にて再びＴＭＩｎガスを流して成長させるようにしたも
のである。
【００１０】これにより、例えばキャリア濃度の高い結
晶層を成長後、成長を止め、キャリア濃度が低くなる成
長温度になった時に再び成長させることによって、不純
物のドーピング量は変わらずにその目的を達成すること
ができる。そしてこの成長法では２層間で連続的なキャ
リア分布が発生せず、界面の急峻な遷移領域のない多層
構造の結晶層を得ることができる。
晶層を成長後、成長を止め、キャリア濃度が低くなる成
長温度になった時に再び成長させることによって、不純
物のドーピング量は変わらずにその目的を達成すること
ができる。そしてこの成長法では２層間で連続的なキャ
リア分布が発生せず、界面の急峻な遷移領域のない多層
構造の結晶層を得ることができる。
【００１１】
【実施例】以下、この発明の一実施例を図に基づいて詳
細に説明する。図１はこの発明の実施例において使用す
る気相成長装置の一例を示す概略構成図である。図にお
いて、１は反応管であり、この反応管１内には反応ガス
を導入するフローチャンネル２、グラファイト製サセプ
タ４が設けられ、このサセプタ４上に単結晶ＩｎＰ基板
３が設置されている。５は反応管１内を排気するに用い
る真空ポンプ、６は加熱炉であって、基板３が適当な温
度に保持される。そして、７ａ、７ｂはＴＭＩｎ、ＴＭ
Ｇａの有機金属化合物を夫々収容しているバブラで、恒
温槽８ａ、８ｂにて所定の温度に保たれており、このバ
ブラにマスフローコントローラ１０ａ、１０ｂを介して
キャリアガスとしてＨ2 ガスまたはＨＣｌガスを混合し
たＨ2ガスが供給される。９ａ、９ｂはＡｓＨ3 やＰＨ
3 などの金属水素化物であり、マスフローコントローラ
１１ａ、１１ｂを介して反応管１に供給される。１２は
ガスの供給、停止を切り換えるバルブである。
細に説明する。図１はこの発明の実施例において使用す
る気相成長装置の一例を示す概略構成図である。図にお
いて、１は反応管であり、この反応管１内には反応ガス
を導入するフローチャンネル２、グラファイト製サセプ
タ４が設けられ、このサセプタ４上に単結晶ＩｎＰ基板
３が設置されている。５は反応管１内を排気するに用い
る真空ポンプ、６は加熱炉であって、基板３が適当な温
度に保持される。そして、７ａ、７ｂはＴＭＩｎ、ＴＭ
Ｇａの有機金属化合物を夫々収容しているバブラで、恒
温槽８ａ、８ｂにて所定の温度に保たれており、このバ
ブラにマスフローコントローラ１０ａ、１０ｂを介して
キャリアガスとしてＨ2 ガスまたはＨＣｌガスを混合し
たＨ2ガスが供給される。９ａ、９ｂはＡｓＨ3 やＰＨ
3 などの金属水素化物であり、マスフローコントローラ
１１ａ、１１ｂを介して反応管１に供給される。１２は
ガスの供給、停止を切り換えるバルブである。
【００１２】次に、この発明の気相成長法をＩｎＰ／Ｉ
ｎＧａＡｓ−ＡＰＤについて説明すると、ＩｎＰ基板上
へのＩｎＧａＡｓ光吸収層の形成は、上記した従来の装
置による方法と同様でもよいが、大面積化、層厚や組成
の均一化を図るには図１のような減圧型の有機金属気相
成長装置によるのが望ましい。
ｎＧａＡｓ−ＡＰＤについて説明すると、ＩｎＰ基板上
へのＩｎＧａＡｓ光吸収層の形成は、上記した従来の装
置による方法と同様でもよいが、大面積化、層厚や組成
の均一化を図るには図１のような減圧型の有機金属気相
成長装置によるのが望ましい。
【００１３】即ち、まずバブラ７ａ、７ｂにマスフロー
コントローラ１０ａ、１０ｂで流量を調整したキャリア
ガスを送り、キャリアガスとともにＴＭＩｎ、ＴＭＧａ
蒸気を反応管１内に導入し、同時にマスフローコントロ
ーラ１１ａで流量を調整した９ａのＡｓＨ3 ガスをＨ2
ガスで導入し、ドーピングガスとしてＨ2 Ｓガスを用い
ることにより、これらのガスが基板３上で熱分解し、図
４と同じように基板上にＩｎＧａＡｓ光吸収層３１が成
長する。次いで、バブラ７ａのＴＭＩｎ蒸気をキャリア
ガスとともに流し、同時にマスフローコントローラ１１
ａで流量を調整した９ｂのＰＨ3 ガスとＨ2 Ｓドーピン
グガスを流すことによってＩｎＧａＡｓ光吸収層３１上
にｎ−ＩｎＰアバランシェ増倍層３２を成長させた。
コントローラ１０ａ、１０ｂで流量を調整したキャリア
ガスを送り、キャリアガスとともにＴＭＩｎ、ＴＭＧａ
蒸気を反応管１内に導入し、同時にマスフローコントロ
ーラ１１ａで流量を調整した９ａのＡｓＨ3 ガスをＨ2
ガスで導入し、ドーピングガスとしてＨ2 Ｓガスを用い
ることにより、これらのガスが基板３上で熱分解し、図
４と同じように基板上にＩｎＧａＡｓ光吸収層３１が成
長する。次いで、バブラ７ａのＴＭＩｎ蒸気をキャリア
ガスとともに流し、同時にマスフローコントローラ１１
ａで流量を調整した９ｂのＰＨ3 ガスとＨ2 Ｓドーピン
グガスを流すことによってＩｎＧａＡｓ光吸収層３１上
にｎ−ＩｎＰアバランシェ増倍層３２を成長させた。
【００１４】その後、バブル７ａからのＴＭＩｎの供給
のみを止めて、ＰＨ3 ガスとＨ2 Ｓドーピングガスを流
し続けて成長温度を図２のＢの方向に上昇させる。即
ち、上記で得られたｎ−ＩｎＰアバランシェ増倍層のキ
ャリア濃度ＮD は、図２のようにＨ2 Ｓを１０ｃｃ流し
て約５６０℃でＮD ＝２×１０16ｃｍ-3であるが、ＴＭ
Ｉｎの供給を止めて成長温度を６００℃以上に上げる
と、同じ１０ｃｃのＨ2 Ｓの流量でキャリア濃度ＮD は
ＮD ＜５×１０15ｃｍ-3となることが予測される。そこ
で、成長温度が６００℃以上になったところで再びバブ
ラ７ａのＴＭＩｎ蒸気をキャリアガスとともに反応管１
内に導入してｎ−ＩｎＰアバランシェ増倍層３２上にｎ
−ＩｎＰガードリング層３３を成長させた。
のみを止めて、ＰＨ3 ガスとＨ2 Ｓドーピングガスを流
し続けて成長温度を図２のＢの方向に上昇させる。即
ち、上記で得られたｎ−ＩｎＰアバランシェ増倍層のキ
ャリア濃度ＮD は、図２のようにＨ2 Ｓを１０ｃｃ流し
て約５６０℃でＮD ＝２×１０16ｃｍ-3であるが、ＴＭ
Ｉｎの供給を止めて成長温度を６００℃以上に上げる
と、同じ１０ｃｃのＨ2 Ｓの流量でキャリア濃度ＮD は
ＮD ＜５×１０15ｃｍ-3となることが予測される。そこ
で、成長温度が６００℃以上になったところで再びバブ
ラ７ａのＴＭＩｎ蒸気をキャリアガスとともに反応管１
内に導入してｎ−ＩｎＰアバランシェ増倍層３２上にｎ
−ＩｎＰガードリング層３３を成長させた。
【００１５】このように、ｎ−ＩｎＰアバランシェ増倍
層３２上へｎ−ＩｎＰガードリング層３３を成長させる
に当たって、ＴＭＩｎの供給を止めて、ＰＨ3 ガスとＨ
2 Ｓドーピングガスを流し続けて成長温度を上昇させる
操作を行うことによって、ｎ−ＩｎＰアバランシェ増倍
層３２とｎ−ＩｎＰガードリング層３３間に遷移領域が
発生するのを防止することができて、両層界面の急峻な
多結晶構造の化合物半導体薄膜を得ることができる。
層３２上へｎ−ＩｎＰガードリング層３３を成長させる
に当たって、ＴＭＩｎの供給を止めて、ＰＨ3 ガスとＨ
2 Ｓドーピングガスを流し続けて成長温度を上昇させる
操作を行うことによって、ｎ−ＩｎＰアバランシェ増倍
層３２とｎ−ＩｎＰガードリング層３３間に遷移領域が
発生するのを防止することができて、両層界面の急峻な
多結晶構造の化合物半導体薄膜を得ることができる。
【００１６】なお、上記実施例においては、ｎ−ＩｎＰ
アバランシェ増倍層上にキャリア濃度の低いｎ−ＩｎＰ
ガードリング層を成長させたが、その逆の構造、即ちキ
ャリア濃度の高い（図２の矢印Ａの方向）結晶も作製で
き、同じように両層界面の急峻な多結晶構造の化合物半
導体薄膜を得ることができる。
アバランシェ増倍層上にキャリア濃度の低いｎ−ＩｎＰ
ガードリング層を成長させたが、その逆の構造、即ちキ
ャリア濃度の高い（図２の矢印Ａの方向）結晶も作製で
き、同じように両層界面の急峻な多結晶構造の化合物半
導体薄膜を得ることができる。
【００１７】また、上記実施例ではＴＭＩｎの供給を停
止している間も流し続けるＰＨ3 ガスとＨ2 Ｓドーピン
グガスの流量は変えずに、成長温度のみを変化させた
が、この間のＰＨ3 ガスあるいはＨ2 Ｓドーピングガス
の流量を変えても差し支えない。図２における矢印Ｃは
ＴＭＩｎの供給を停止している間も流し続けるＨ2 Ｓド
ーピングガスの流量を５０ｃｃから１０ｃｃに減らし
て、所望のキャリア濃度の多層構造を作製する方向を表
している。
止している間も流し続けるＰＨ3 ガスとＨ2 Ｓドーピン
グガスの流量は変えずに、成長温度のみを変化させた
が、この間のＰＨ3 ガスあるいはＨ2 Ｓドーピングガス
の流量を変えても差し支えない。図２における矢印Ｃは
ＴＭＩｎの供給を停止している間も流し続けるＨ2 Ｓド
ーピングガスの流量を５０ｃｃから１０ｃｃに減らし
て、所望のキャリア濃度の多層構造を作製する方向を表
している。
【００１８】
【発明の効果】以上説明したように、この発明によれ
ば、ｎ−ＩｎＰアバランシェ増倍層上にｎ−ＩｎＰガー
ドリング層を成長させるに際し、III 族の金属の供給を
停止し、Ｖ族の金属蒸気とドーピングガスを流しつづけ
る時に、成長温度を可変させることで両層界面の急峻な
遷移領域のない多層構造の結晶層を得ることができ、こ
れによってデバイスのより一層の特性向上を図ることが
できる。
ば、ｎ−ＩｎＰアバランシェ増倍層上にｎ−ＩｎＰガー
ドリング層を成長させるに際し、III 族の金属の供給を
停止し、Ｖ族の金属蒸気とドーピングガスを流しつづけ
る時に、成長温度を可変させることで両層界面の急峻な
遷移領域のない多層構造の結晶層を得ることができ、こ
れによってデバイスのより一層の特性向上を図ることが
できる。
【図１】この発明で使用する減圧型有機金属気相成長装
置の概略構成図である。
置の概略構成図である。
【図２】結晶層におけるキャリア濃度の成長温度依存性
を示す説明図である。
を示す説明図である。
【図３】従来の気相成長装置の一例の概略構成図であ
る。
る。
【図４】プレーナ形ＩｎＰ／ＩｎＧａＡｓ−ＡＰＤ結晶
構造の断面図である。
構造の断面図である。
【図５】従来の気相成長法により得られた結晶層の深さ
方向のキャリア濃度分布を示す説明図である。
方向のキャリア濃度分布を示す説明図である。
１ 反応管 ２ フローチャンネル ３ ＩｎＰ基板 ４ サセプタ ５ 真空ポンプ ６ 加熱炉 ７ａ バブラ ７ｂ バブラ ８ａ 恒温槽 ８ｂ 恒温槽 ９ａ ＡｓＨ3 ９ｂ ＰＨ3 １０ａ マスフローコントローラ １０ｂ マスフローコントローラ １１ａ マスフローコントローラ １１ｂ マスフローコントローラ １２ バルブ ２２ ＩｎＰ基板 ３１ ｎ- −ＩｎＧａＡｓ光吸収層 ３２ ｎ−ＩｎＰアバランシェ増倍層 ３３ ｎ- −ＩｎＰガードリング層
Claims (2)
- 【請求項１】 不純物をドーピングし、キャリア濃度の
異なる同一導電形の結晶を、半導体基板上に連続して成
長させて多層構造の結晶薄膜を得る方法であって、各層
成長時の不純物ドーピング量を不変として成長温度を可
変させることを特徴とする化合物半導体薄膜の気相成長
法。 - 【請求項２】 不純物をドーピングし、キャリア濃度の
異なる同一導電形の結晶を、半導体基板上に連続して成
長させて多層構造の結晶薄膜を得る方法であって、第
１、第２の半導体結晶層を成長したのち、第３の半導体
結晶層の成長において、引き続きＶ族有機金属元素の原
料ガスと不純物を通すが、III 族有機金属元素の原料ガ
スの供給を止めて成長温度を可変させ、その後上記Ｖ族
有機金属元素の原料ガス、不純物とともに再びIII 族有
機金属元素の原料ガスを供給することを特徴とする化合
物半導体薄膜の気相成長法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1719993A JPH06232052A (ja) | 1993-02-04 | 1993-02-04 | 化合物半導体薄膜の気相成長法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1719993A JPH06232052A (ja) | 1993-02-04 | 1993-02-04 | 化合物半導体薄膜の気相成長法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06232052A true JPH06232052A (ja) | 1994-08-19 |
Family
ID=11937274
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1719993A Pending JPH06232052A (ja) | 1993-02-04 | 1993-02-04 | 化合物半導体薄膜の気相成長法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06232052A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5685904A (en) * | 1995-04-28 | 1997-11-11 | Lucent Technologies Inc. | Method of making multi-quantum well lasers |
-
1993
- 1993-02-04 JP JP1719993A patent/JPH06232052A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5685904A (en) * | 1995-04-28 | 1997-11-11 | Lucent Technologies Inc. | Method of making multi-quantum well lasers |
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