JPH06232081A - Ｉｃｐプラズマ処理装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 試料を汚染するおそれがなく，しかも将来の
試料の大口径化にも対応可能なＩＣＰプラズマ処理装
置。 【構成】 試料１に高周波バイアスをかけつつ，アンテ
ナ４により発生させた電磁波を誘電体３を介して真空容
器２内に導入することにより，この容器内に試料１をプ
ラズマ処理するプラズマを発生させる装置Ａ′のアンテ
ナ４と導電体３との間に電磁波の透過機能を備えた導電
体５を設け，これを真空容器２に電気的に接続した構成
となっている。上記構成により試料を汚染するおそれが
なく，しかも将来の試料の大口径化にも対応できる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明はＩＣＰプラズマ処理装置
に係り，例えば半導体製造に使用されるＩＣＰプラズマ
処理装置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】近年，半導体集積回路製造におけるエッ
チング等のプラズマ処理の過程は，単位面積当りの素子
の数を多くし，且つ集積回路全体のチップ面積を増加さ
せることにより集積度を向上させ，素子の経済性を向上
させる傾向にある。その結果，集積回路の素子の最小加
工幅は年々小さくなり，同時に処理を行う半導体基板は
大口径化している。従って，プラズマ処理装置として
は，大口径で高密度，かつ均一なプラズマを得ることが
要求されている。ここに，電磁誘導のみを用いたプラズ
マ処理装置の１つであるＩＣＰ（Inductively Coupled
Plasma) プラズマ処理装置は，高周波電力を用いて，し
かも固定磁場を必要とせずにプラズマを発生できる。こ
のため，プラズマを磁化せずに均一なプラズマを得易
く，それまで無磁場では達成出来なかった高密度な大面
積プラズマ（Φ２００mm以上で，数mTorr の圧力下で１
立法センチメートル当り１０の１２剩以上）が得られ
る。このように，ＩＣＰプラズマ処理装置は集積回路製
造に要求されている大面積プラズマを実現できることか
ら注目されるようになった。もともと，電磁誘導を用い
たプラズマ処理装置は初期段階においては，円筒形状の
石英管にアンテナとなるコイルをソレノイド状に巻きつ
けて，電磁誘導によりプラズマを発生させていた。しか
しながら，基本的にアンテナ付近でプラズマが発生する
ために，円筒の直径を大きくした場合にはプラズマの円
筒の筒軸に直角の断面方向の面分布の均一性を確保する
ことができない。従って，処理基板が大口径になるに伴
い使用されなくなった。ＩＣＰプラズマ処理装置はソレ
ノイド状のコイルの代わりに，平面状のコイルを用いる
ことにより大面積プラズマを得ることができるため，近
年再び注目されるに至ったのである。図５はこのような
従来のＩＣＰプラズマ処理装置Ａの一例における概略構
成を示す模式図である。図５に示す如く，従来のＩＣＰ
プラズマ処理装置Ａは，処理基板等の試料１を収納する
金属等の導電性の真空容器２と，真空容器２の一部を構
成しこの容器内に電磁波を導入する石英窓等の誘電体３
と，誘電体３の外側に設けられて高周波電流を流すこと
により電磁波を発生させるアンテナ４等を備え，試料１
に高周波バイアスをかけつつ，アンテナ４により発生さ
せた電磁波を誘電体３を介して真空容器２内に導入する
ことによりこの容器内に試料１をプラズマ処理するプラ
ズマを発生させるように構成されている。

【０００３】以下，従来装置Ａによるプラズマ発生の機
構等を説明する。プラズマ発生の機構は，基本的には旧
来の電磁誘導を用いたプラズマ処理装置と同じである。
まず，アンテナ用高周波電源４_a からマッチボックス４
_b を介してアンテナ４に高周波電流を流すことにより誘
起された電磁波を，誘電体３を通じて真空容器２内部に
伝達し，この容器内部に高周波電場を誘起する。この高
周波電場によって，自然放射線等により，真空容器２内
部に発生した電子を加速する。加速により得られた電子
の運動エネルギは，電子が外部から供給される処理ガス
中に含まれる中性原子と衝突することにより中性原子に
与えられ，中性原子をイオン化してイオンと電子とを生
成する。新たに生成した電子は高周波電場により加速さ
れる。これらの過程を繰り返してプラズマの発生，維持
を行っている。次に，プラズマ密度がある程度上昇する
と，プラズマ中の電子の密度が上昇してプラズマ中の電
子の応答周波数を上昇させる。このために，プラズマが
あたかも導電体であるかの様に作用して高周波電界を遮
断するように電流が流れて，電磁波を遮断し始める。こ
のとき，プラズマ固有の特殊なモード（周波数）以外は
プラズマ内部に電磁波が入らないため，表面のプラズマ
のみがアンテナ４により放射される電磁波のエネルギを
得てプラズマ密度をさらに上昇させ，プラズマ内部に拡
散する。従って，アンテナ４付近ではプラズマ密度が高
いが，アンテナ４より遠ざかるにつれてプラズマ密度が
減少する傾向がある。このため，処理を行う試料１はプ
ラズマ発生位置からあまり離すことができない。その結
果，試料１の口径が大きくなった場合には，プラズマか
ら試料１までのギャップを一定に維持しながら，扁平な
プラズマを発生させることになる。このように発生させ
た扁平なプラズマ中のイオンを試料１に照射して，例え
ばエッチングを行う場合，イオンを試料１に対して理想
的な角度で入射させることが困難である。このために，
試料１を載置し真空容器２と電気的に絶縁された電極１
_a に，バイアス用高周波電源１_b からマッチボックス１
_c を介して高周波電流を流すことにより，試料１に高周
波バイアスをかける。これにより，試料１にイオンを引
きつけて処理を行い，エッチング形状等について一定の
処理性能を確保していた。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】上記従来のＩＣＰプラ
ズマ処理装置Ａでは，現状直径８インチまでの試料１を
処理する程度の均一なプラズマを得ることができるもの
の，以下の問題点があった。 （１）処理の際，アンテナ４とプラズマとの間に形成さ
れる１種のアンテナ回路には高周波の電位を生じ，プラ
ズマ電位に対して負の電位を生じるためにこの負の電位
がプラズマ中のイオンを引きつけて，真空を封止してい
る誘電体３に衝突させて誘電体３をスパッタする。そし
て誘電体３を分解し，プラズマ中に不純物を混入させる
おそれがある。 （２）また，バイアス印加用の高周波電流は，試料１の
載置された電極１_a から試料１及びプラズマ中を通って
試料１と対向する側３_a に流れる。このため，この対向
側３_a の内面の境界条件により，バイアス印加用高周波
の電流が異なることになる。扁平なプラズマでは，対向
側３_a の内面の境界条件は，周辺部３_a′が金属等の導
電性の真空容器２であるのに対して，中心部分３_a ″は
電磁波導入用の誘電体３（絶縁体）であるので，プラズ
マ中心部分を流れるバイアス印加用の高周波電流と周辺
部分を流れるバイアス印加用の高周波電流とでは電流に
差を生じる。従って，この電流の差はバイアス印加用高
周波により発生するイオンの加速電位を異ならせて，処
理の均一性を低下させる場合がある。この処理の均一性
の低下傾向はプラズマが扁平になるに従って増大するの
で，将来の試料１の大口径化に伴い問題が発生するおそ
れがある。 本発明は，このような従来の技術における課題を解決す
るために，ＩＣＰプラズマ処理装置を改良し，試料を汚
染するおそれがなく，しかも将来の試料の大口径化にも
対応可能なＩＣＰプラズマ処理装置を提供することを目
的とするものである。

【０００５】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に，第１の発明は試料を収納する導電性の真空容器と，
上記真空容器の一部を構成し該容器内に電磁波を導入す
る誘電体と，上記誘電体の外側に配設されて高周波電流
を流すことにより上記電磁波を発生させるアンテナとを
具備し，上記アンテナにより発生させた電磁波を上記誘
電体を介して上記真空容器内に導入することにより該容
器内に上記試料をプラズマ処理するプラズマを発生させ
るＩＣＰプラズマ処理装置において，上記アンテナと上
記誘電体との間に，電磁波の透過機能を備えた導電体を
設け，かつ該導電体を上記真空容器に電気的に接続して
なることを特徴とするＩＣＰプラズマ処理装置として構
成されている。また，第２の発明は試料を収納する導電
性の真空容器と，上記真空容器の一部を構成し該容器内
に電磁波を導入する誘電体と，上記誘電体の外側に配設
されて高周波電流を流すことにより上記電磁波を発生さ
せるアンテナとを具備し，上記試料に高周波バイアスを
かけつつ，上記アンテナにより発生させた電磁波を上記
誘電体を介して上記真空容器内に導入することにより該
容器内に上記試料をプラズマ処理するプラズマを発生さ
せるＩＣＰプラズマ処理装置において，上記アンテナと
上記プラズマとの間に，電磁波の透過機能を備えた導電
体を設け，かつ該導電体を上記真空容器に電気的に接続
してなることを特徴とするＩＣＰプラズマ処理装置とし
て構成されている。更には，試料を収納する導電性の真
空容器と，上記真空容器の一部を構成し該容器内に電磁
波を導入する誘電体と，上記誘電体の外側に配設されて
高周波電流を流すことにより上記電磁波を発生させるア
ンテナとを具備し，上記試料に高周波バイアスをかけつ
つ，上記アンテナにより発生させた電磁波を上記誘電体
を介して上記真空容器内に導入することにより該容器内
に上記試料をプラズマ処理するプラズマを発生させるＩ
ＣＰプラズマ処理装置において，上記アンテナと上記誘
電体との間に，電磁波の透過機能を備えた第１の導電体
を設けると共に，上記アンテナと上記プラズマとの間に
電磁波の透過機能を備えた第２の導電体を設け，かつ該
第１，第２の導電体を上記真空容器に電気的に接続して
なることを特徴とするＩＣＰプラズマ処理装置である。
更には，上記第１の導電体が上記第２の導電体を兼ねる
ＩＣＰプラズマ処理装置である。更には，上記導電体の
電磁波透過機能が，上記アンテナ中を流れる高周波電流
と直角方向のスリットを上記導電体に適宜数形成するこ
とによって達成されるＩＣＰプラズマ処理装置である。
更には，上記導電体の電磁波透過機能が，上記導電体を
薄肉化することによって達成されるＩＰＣプラズマ処理
装置である。

【０００６】

【作用】第１の発明によれば，アンテナに高周波電流を
流して発生させた電磁波を誘導体を介して導電性の真空
容器内に導入することによって，該容器内に試料をプラ
ズマ処理するプラズマを発生させる。この際，上記アン
テナとプラズマとの間に形成されるアンテナ回路には高
周波電位によりプラズマ電位に対して負の電位が発生す
るが，該負の電位は上記アンテナと上記誘電体との間に
電磁波の透過機能を備えた導電体を設け，かつ該導電体
を上記真空容器に電気的に接続することによって消滅す
る。上記負の電位はプラズマ中のイオンを引きつけて誘
電体に衝突させるものであり，その消滅により上記誘電
体がスパッタされて分解し，プラズマ中に不純物が混入
するおそれがなくなる。従って，プラズマ処理される試
料を汚染するおそれがなくなる。第２の発明によれば，
試料に高周波バイアスをかけつつ，アンテナに高周波電
流を流して発生させた電磁波を誘電体を介して導電性の
真空容器内に導入することによって，該容器内に試料を
プラズマ処理するプラズマを発生させる。この際，高周
波バイパス印加用の高周波電流はプラズマを通って試料
と対向する側に流れるが，該高周波電流は，上記アンテ
ナと上記プラズマとの間に電磁波の透過機能を備えた導
電体を設け，かつ該導電体を上記真空容器に電気的に接
続することによって，均一に流れる。従って，プラズマ
中のバイアス印加用高周波により生じるイオンの加速電
位が均一となり，処理の均一性が確保されるため，将来
の試料の大口径化にも対応可能となる。更に，上記第１
の発明における導電体を，上記第２の発明における導電
体と兼用することにより別々に設けた場合に比べて装置
のコンパクト化を図ることができる。更に，上記誘電体
の電磁波透過機能が，上記アンテナ中を流れる高周波電
流と直角方向のスリットを上記導電体に適宜数形成する
ことによって，又は上記導電体を薄肉化することによっ
て達成される。このように比較的簡単な方法で上記導電
体を具現化できる。その結果，試料を汚染するおそれが
なく，しかも将来の試料の大口径化にも対応可能なＩＣ
Ｐプラズマ処理装置を得ることができる。

【０００７】

【実施例】以下，添付図面を参照して本発明を具体化し
た実施例につき説明し，本発明の理解に供する。尚以下
の実施例は，本発明を具体化した一例であって，本発明
の技術的範囲を限定する性格のものではない。ここに，
図１は本発明の一実施例に係るＩＣＰプラズマ処理装置
Ａ′の概略構成を示す模式図，図２はアンテナの平面構
造例を示す説明図，図３は導電体の平面構造例を示す説
明図（ａ），（ｂ），図４は導電体の取り付け状態の変
形例を示す説明図（ａ），（ｂ）である。尚，前記図５
に示した従来のＩＣＰプラズマ処理装置Ａの一例におけ
る概略構成を示す模式図と共通する要素には同一の符号
を使用する。図１に示す如く，本発明（第１，第２の発
明）の一実施例に係るＩＣＰプラズマ処理装置Ａ′は処
理基板等の試料１を収納する金属等の導電性の真空容器
２と，真空容器２の一部を構成し，この容器内に電磁波
を導入する石英窓等の誘電体３と，誘電体３の外側に設
けられて高周波電流を流すことにより電磁波を発生させ
るアンテナ４等を備え，試料１に高周波バイアスをかけ
つつ，アンテナ４により発生された電磁波を誘電体３を
介して真空容器２に導入することによりこの容器内に試
料１をプラズマ処理するプラズマを発生させるように構
成されている点で従来例と同様である。また，アンテナ
４に流される高周波電流はアンテナ用高周波電源４_a か
らマッチボックス４_b を介して供給され，試料１にかけ
られる高周波バイアス用の高周波電流は試料１を載置し
真空容器２と電気的に絶縁された電極１_a にバイアス用
高周波電源１_b からマッチボックス１_c を介して供給さ
れる点でも従来例と同様である。しかし，第１の発明で
は，アンテナ４と誘電体３との間に電磁波の透過機能を
備えた導電体５を設け，かつ導電体５を真空容器２に電
気的に接続した点で従来例と異なる。また，第２の発明
では，アンテナ４とプラズマとの間に電磁波の透過機能
を備えた誘電体５′を設け，かつ導電体５′を真空容器
３に電気的に接続した点で従来例と異なる。図１は説明
の便宜上，第１の発明に係る導電体５が，第２の発明に
係る導電体５′を兼ねる場合を示しているが，両導電体
５，５′を別々に設けてもよい。その場合は導電体５′
は真空容器２内部に設置される。

【０００８】以下，本実施例では主として従来例と異な
る部分について説明し，従来例と同様の部分は既述の通
りであるので，その詳細説明は省略する。まず，この装
置Ａ′の基本原理等について概略説明する。電磁波は，
一般的に絶縁体中（真空中，大気中，誘電体中等）では
直交する電界と磁界が時間的に交互に変化を繰返して空
間中を伝搬する。それに対して，導電体中では多くの自
由電子が存在する為に，誘起された電界の電位差により
自由電子が力を受けて移動して電界を打ち消すように電
流が流れる。このために電磁波は導電体中を伝搬せずに
反射してしまう。従って，例えば前記従来例で問題とな
ったアンテナ４部分に発生する，プラズマ電位に対して
発生する負の電位を無くそうとして単なる導電体をアン
テナ４とプラズマとの間に置き，この導電体を真空容器
２と同電位（接地電位）に接続した場合は電磁波が伝搬
しないために問題を解決できない。しかしながら，電磁
波（電波）により誘起される電界の方向が決まっている
場合は，導電体であっても誘起される電界を打消す方向
の電流のみを遮断し，電磁波（電波）を遮断することな
く電磁波を伝搬できることが知られている。この様な導
電体はファラデーシールドとして知られている。即ち，
アンテナ４近傍での電磁波は，アンテナ４中を流れる高
周波電流に対して直角方向に交播磁界を発生させ，さら
にこの交播磁界に直角な方向に交播電界が発生するた
め，結果的にアンテナ４中を流れる電流と平行な方向の
電流が電磁波を遮断する働きがある。従って，この方向
の電流を流れなくすることにより，発生する交播電界を
打ち消すような電流を遮ることなく，導電体であっても
電磁波を透過させることができるのである。また，導電
体を非常に薄くすることによっても，電磁波を透過させ
ることができることも周知である。この装置Ａ′におけ
る導電体５はこれらの基本原理を応用したものである。
即ち，導電体５にアンテナ４中を流れる方向と直角な方
向のスリットを設けて，アンテナ４中の電流を遮る電流
を阻止するか，もしくは導電体５を薄肉化して電磁波透
過機能を持たせる。

【０００９】第１の発明では，このような導電体５を，
アンテナ４と誘電体３との間に設置し，真空容器２と同
電位（接地電位）に接続することにより，アンテナ４に
発生する，プラズマ電位に対して発生する負の電位を消
滅させる。この負の電位は前述した如くプラズマ中のイ
オンを引きつけて誘電体３に衝突させるものであり，そ
の消滅により誘電体３がスパッタされて分解し，プラズ
マ中に不純物を混入させるおそれがなくなる。従って，
プラズマ処理される試料１を汚染するおそれをなくすこ
とができる。また，第２の発明では，導電体５を試料１
に対して平行に配置することにより，試料１を載置して
いる電極１_a と導電体５との距離を均一にして通常処理
時にプラズマ中を流れるバイアス印加用の高周波電流を
均一にする。これにより試料１に印加されるバイアス電
位を均一にして処理の均一性を向上できる。引き続い
て，この装置Ａ′の動作について図２〜図４を参照しつ
つ説明する。まず，図２に示すような渦巻き状のアンテ
ナ４を用いてプラズマ発生用高周波を石英窓（誘導体
３）を通して導入し，プラズマを発生させる。アンテナ
４には大電流が流れるので外径φ６mmの銅製のパイプを
使用し，中心に冷却水を流して冷却した。アンテナ４の
外径はφ１５０mmで内径はφ４０mmとして３回転の渦を
描くようにした。既述の如くアンテナ４の最外部は真空
容器２と同電位になるように接続されている。また，真
空容器２自体も接地電位に接続されている。プラズマ発
生用高周波は１３．５６ＭＨｚの周波数のものを用い，
最大１．２ｋＷの電力を導入できるアンテナ用高周波電
源４_a を用いた。試料１を載置できる電極１_a は，既述
の如く真空容器２と電気的に絶縁されており，プラズマ
発生用とは別のバイアス印加用高周波が印加できるよう
にバイアス用高周波電源１_b に接続されている。バイア
ス印加用高周波の周波数は１００ｋＨｚを用いた。電力
は，処理を行うプロセスに応じて変化させて最大２ｋＶ
のバイアス電位を試料１に印加できる。導電体５は，図
３（ａ）に示すように材厚０．５mmのＳＵＳ３０４製の
ステンレス板に幅０．５mm長さ３cmのスリットを多数設
けて真空容器２と同電位（接地電位）に接続した。スリ
ットの方向はアンテナ４に流れる電流方向と直角方向と
するためアンテナ４の形状に依存し，アンテナ４を変形
した場合はスリットの方向を変える必要がある。例えば
放射状のアンテナを用いた場合は，図３（ｂ）に示すよ
うなスリットの方向とする必要がある。

【００１０】尚，第１の発明では導電体５自体のスパッ
タ防止上，導電体５は真空容器２の外部に置く必要があ
る。これに対して第２の発明ではバイアス電流の均一化
を目的とするため導電体５は真空容器２の外部に置いて
も，真空容器２の内部においても良い。真空容器２の外
部に置いた場合は，誘電体３が介在するためバイアス印
加用の高周波電流の均一性は多少低下するものの，この
場合は第１の発明における導電体と兼用できるため別々
に設けた場合に比べて装置のコンパクト化を図ることが
できる。尚，導電体５にはプラズマ発生用の高周波電流
の一部やバイアス印加用の高周波電流が流れる為に加熱
するので，大気側に接地した場合は空冷により冷却を行
った。ここで，塩素ガス１００％，１ｍＴｏｒｒ，プラ
ズマ発生用高周波（１３．５６ＭＨｚ）電力６００Ｗ，
バイアス印加用高周波（１００ｋＨＺ）５０Ｗ，（バイ
アス電位−１５０Ｖ）の条件下でポリシリコンをエッチ
ングした場合のエッチング速度の均一性についての実験
結果を以下に示す。 （１）導電体５無し；エッチング速度のばらつき７％ （エッチング速度３５０nm/min） （２）導電体５あり；エッチング速度のばらつき５％ （エッチング速度３００nm/min） （導電体５は真空容器２の外部に設置） （３）導電体５あり；エッチング速度のばらつき３％ （エッチング速度３００nm/min） （導電体５は真空容器２の内部に設置） また，同条件でアルミニウム板をエッチングしたとこ
ろ，導電体５無しでは，酸素原子混入のためエッチング
できなかったが，導電体５を真空容器２の外部に設置す
ることによりエッチングが行えた。この時のエッチング
速度のばらつきは５％（エッチング速度４００nm/min）
であった。このように導電体５を設けた場合，エッチン
グ速度のばらつきが比較的小さくなり，エッチング形状
を改善することができた。このことは，将来の試料１の
大口径化に充分対応可能であることを意味する。また，
同様の実験で導電体５無しの場合には誘電体３にアンテ
ナ４と同形状のスパッタ跡が観察されたが，導電体５を
真空容器２外部に設置した場合にはスパッタがなくなる
ことが確認できた。以上のように，本発明によればプラ
ズマ処理される試料１を汚染するおそれがなく，しかも
将来の試料１の大口径化にも対応可能なＩＣＰプラズマ
処理装置を得ることができる。尚，上記実施例では，導
電体５を誘電体３とアンテナ４との間に単に設置すると
したが，実使用に際しては図４（ａ），（ｂ）に示すよ
うに誘電体３と導電体５とを貼り合せてもよい。その場
合は導電体５により誘電体３の機械的な補強を図ること
ができる。尚，上記実施例では導電体５を，接地された
真空容器２に電気的に接続したが，実使用に際しては導
電体５を直接接地しても何ら支障はない。

【００１１】

【発明の効果】第１の発明は上記したように構成されて
いるため，アンテナ部分に発生する，プラズマ電化に対
して発生する負の電位を消滅させることができる。この
負の電位はプラズマ中のイオンを引きつけて誘電体に衝
突させるものであるから，その消滅により上記誘電体が
スパッタされて分解し，プラズマ中に不純物が混入する
おそれがなくなる。従って，プラズマ処理される試料を
汚染するおそれがなくなる。また，第２の発明は上記し
たように構成されているため，プラズマ中のイオンの加
速電位が均一となり処理の均一性が確保される。従って
将来の試料の大口径化に対応可能となる。更に，上記第
１，第２の発明における誘電体を兼用することにより別
々に設けた場合に比べて装置のコンパクト化を図ること
ができる。更に，上記誘電体の電磁波透過機能を該誘電
体にスリットを形成もしくは該誘電体の薄肉化により達
成することができるため，比較的簡単な方法で上記誘電
体を具現化できる。その結果，プラズマ処理される試料
を汚染するおそれがなく，しかも将来の試料の大口径化
にも対応可能なＩＣＰプラズマ処理装置を得ることがで
きる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明の一実施例に係るＩＣＰプラズマ処理
装置Ａ′の概略構成を示す模式図。

【図２】 アンテナの平面構造例を示す説明図。

【図３】 導電体の平面構造例を示す説明図（ａ），
（ｂ）。

【図４】 導電体の取り付け状態の変形例を示す説明図
（ａ），（ｂ）。

【図５】 従来のＩＣＰプラズマ処理装置Ａの一例にお
ける概略構成を示す模式図。

【符号の説明】

Ａ′…ＩＣＰプラズマ処理装置 １…試料 ２…真空容器 ３…誘電体 ４…アンテナ ５…導電体

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 試料を収納する導電性の真空容器と，上
   記真空容器の一部を構成し該容器内に電磁波を導入する
   誘電体と，上記誘電体の外側に配設されて高周波電流を
   流すことにより上記電磁波を発生させるアンテナとを具
   備し，上記アンテナにより発生させた電磁波を上記誘電
   体を介して上記真空容器内に導入することにより該容器
   内に上記試料をプラズマ処理するプラズマを発生させる
   ＩＣＰプラズマ処理装置において，上記アンテナと上記
   誘電体との間に，電磁波の透過機能を備えた導電体を設
   け，かつ該導電体を上記真空容器に電気的に接続してな
   ることを特徴とするＩＣＰプラズマ処理装置。
2. 【請求項２】 試料を収納する導電性の真空容器と，上
   記真空容器の一部を構成し該容器内に電磁波を導入する
   誘電体と，上記誘電体の外側に配設されて高周波電流を
   流すことにより上記電磁波を発生させるアンテナとを具
   備し，上記試料に高周波バイアスをかけつつ，上記アン
   テナにより発生させた電磁波を上記誘電体を介して上記
   真空容器内に導入することにより該容器内に上記試料を
   プラズマ処理するプラズマを発生させるＩＣＰプラズマ
   処理装置において，上記アンテナと上記プラズマとの間
   に，電磁波の透過機能を備えた導電体を設け，かつ該導
   電体を上記真空容器に電気的に接続してなることを特徴
   とするＩＣＰプラズマ処理装置。
3. 【請求項３】 試料を収納する導電性の真空容器と，上
   記真空容器の一部を構成し該容器内に電磁波を導入する
   誘電体と，上記誘電体の外側に配設されて高周波電流を
   流すことにより上記電磁波を発生させるアンテナとを具
   備し，上記試料に高周波バイアスをかけつつ，上記アン
   テナにより発生させた電磁波を上記誘電体を介して上記
   真空容器内に導入することにより該容器内に上記試料を
   プラズマ処理するプラズマを発生させるＩＣＰプラズマ
   処理装置において，上記アンテナと上記誘電体との間
   に，電磁波の透過機能を備えた第１の導電体を設けると
   共に，上記アンテナと上記プラズマとの間に電磁波の透
   過機能を備えた第２の導電体を設け，かつ該第１，第２
   の導電体を上記真空容器に電気的に接続してなることを
   特徴とするＩＣＰプラズマ処理装置。
4. 【請求項４】 上記第１の導電体が上記第２の導電体を
   兼ねる請求項３記載のＩＣＰプラズマ処理装置。
5. 【請求項５】 上記導電体の電磁波透過機能が，上記ア
   ンテナ中を流れる高周波電流と直角方向のスリットを上
   記導電体に適宜数形成することによって達成される請求
   項１，２，３又は４記載のＩＣＰプラズマ処理装置。
6. 【請求項６】 上記導電体の電磁波透過機能が，上記導
   電体を薄肉化することによって達成される請求項１，
   ２，３又は４記載のＩＰＣプラズマ処理装置。