JPH06232088A - プラズマ装置及びプラズマ処理方法 - Google Patents
プラズマ装置及びプラズマ処理方法Info
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- JPH06232088A JPH06232088A JP5034249A JP3424993A JPH06232088A JP H06232088 A JPH06232088 A JP H06232088A JP 5034249 A JP5034249 A JP 5034249A JP 3424993 A JP3424993 A JP 3424993A JP H06232088 A JPH06232088 A JP H06232088A
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- vdc
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 プラズマ処理される被処理物における実際の
ＶDCレベルをモニタするための装置を提供する。 【構成】 高周波電源１１による高周波電力によって処
理室１内にプラズマを発生させる装置において、半導体
ウエハＷなどの被処理物周辺位置にＶDCモニタ用のモニ
タ端子４１を設ける。モニタ端子４１からのモニタ信号
はＶDCモニタ４６に入力される。 【効果】 半導体ウエハＷにおける実際のＶDCレベル
が、ＶDCモニタ４６によってモニタできる。
ＶDCレベルをモニタするための装置を提供する。 【構成】 高周波電源１１による高周波電力によって処
理室１内にプラズマを発生させる装置において、半導体
ウエハＷなどの被処理物周辺位置にＶDCモニタ用のモニ
タ端子４１を設ける。モニタ端子４１からのモニタ信号
はＶDCモニタ４６に入力される。 【効果】 半導体ウエハＷにおける実際のＶDCレベル
が、ＶDCモニタ４６によってモニタできる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、プラズマ処理装置及び
その装置を用いたプラズマ処理方法に関するものであ
る。
その装置を用いたプラズマ処理方法に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】例えばプラズマを発生させて半導体ウエ
ハにエッチング処理を行う場合、イオンのエネルギーに
大きく影響してエッチングの１つのパラメータとなるシ
ースの電圧ＶSは、プラズマの電位ＶPと陰極側にバイア
スされる負電位ＶDCとによって定まるが、ＶDCはＶPよ
りもより支配的な要素であるため、とりわけこのＶDCを
測定することはエッチング処理にとって重要である。
ハにエッチング処理を行う場合、イオンのエネルギーに
大きく影響してエッチングの１つのパラメータとなるシ
ースの電圧ＶSは、プラズマの電位ＶPと陰極側にバイア
スされる負電位ＶDCとによって定まるが、ＶDCはＶPよ
りもより支配的な要素であるため、とりわけこのＶDCを
測定することはエッチング処理にとって重要である。
【０００３】この点、従来は図３に示す方法によって上
記ＶDCをモニタしていた。即ち、一般的なＲＩＥ型のプ
ラズマ処理装置１０１によれば、処理室１０２内の上下
に上部電極１０３と下部電極１０４を夫々設け、別設の
高周波電源１０５からの高周波電力をマッチング回路１
１３及びブロッキングコンデンサ１０６を介して下部電
極１０４に印加させて、上記上部電極１０３と下部電極
１０４との間にプラズマを発生させ、下部電極１０４上
面に設けられた静電チャック１０７上の半導体ウエハ１
０８に対してプラズマ処理している。そしてこのような
プラズマ処理装置１０１におけるＶDCをモニタするにあ
たっては、上記下部電極１０４とブロッキングコンデン
サ１０６との間の電力供給線１０９に、適宜のリード線
１１０を処理室１０２外部にて接続し、このリード線１
１０にＲＦフィルタ１１１を介して接続されるＶDCモニ
タ１１２によってモニタしていた。
記ＶDCをモニタしていた。即ち、一般的なＲＩＥ型のプ
ラズマ処理装置１０１によれば、処理室１０２内の上下
に上部電極１０３と下部電極１０４を夫々設け、別設の
高周波電源１０５からの高周波電力をマッチング回路１
１３及びブロッキングコンデンサ１０６を介して下部電
極１０４に印加させて、上記上部電極１０３と下部電極
１０４との間にプラズマを発生させ、下部電極１０４上
面に設けられた静電チャック１０７上の半導体ウエハ１
０８に対してプラズマ処理している。そしてこのような
プラズマ処理装置１０１におけるＶDCをモニタするにあ
たっては、上記下部電極１０４とブロッキングコンデン
サ１０６との間の電力供給線１０９に、適宜のリード線
１１０を処理室１０２外部にて接続し、このリード線１
１０にＲＦフィルタ１１１を介して接続されるＶDCモニ
タ１１２によってモニタしていた。
【０００４】また、下部電極１０４の表面はアルマイト
処理１０４ａされており、一方静電チャック１０７も絶
縁材によって構成されているため、これらに直接リード
線１１０を接続しても、正確なＶDCをモニタできない。
処理１０４ａされており、一方静電チャック１０７も絶
縁材によって構成されているため、これらに直接リード
線１１０を接続しても、正確なＶDCをモニタできない。
【０００５】そのため従来はやむなく、上記のように電
力供給線１０９にＲＦフィルタ１１１を介してＶDCモニ
タ１１２を接続し、それによって得た値を、いわば半導
体ウエハ１０８上のＶDCと擬制していた。
力供給線１０９にＲＦフィルタ１１１を介してＶDCモニ
タ１１２を接続し、それによって得た値を、いわば半導
体ウエハ１０８上のＶDCと擬制していた。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記のよ
うなモニタ方法は、結局半導体ウエハ１０８周辺のＶDC
を実際にモニタしている訳ではないので、正確なＶDCの
レベルが得られず、そのためＶDCモニタ１１２でモニタ
したＶDCレベルに基づいて高周波電源１０５の周波数や
出力を調整しても、期待したプラズマ処理の結果が得ら
れないことがあった。
うなモニタ方法は、結局半導体ウエハ１０８周辺のＶDC
を実際にモニタしている訳ではないので、正確なＶDCの
レベルが得られず、そのためＶDCモニタ１１２でモニタ
したＶDCレベルに基づいて高周波電源１０５の周波数や
出力を調整しても、期待したプラズマ処理の結果が得ら
れないことがあった。
【０００７】本発明はかかる点に鑑みてなされたもので
あり、半導体ウエハなどの被処理物上のＶDCレベルをよ
り正確にモニタできるプラズマ装置、及びこのプラズマ
装置を用いた新規なプラズマ処理方法提供して上記問題
の解決を図ることを目的とするものである。
あり、半導体ウエハなどの被処理物上のＶDCレベルをよ
り正確にモニタできるプラズマ装置、及びこのプラズマ
装置を用いた新規なプラズマ処理方法提供して上記問題
の解決を図ることを目的とするものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、まず請求項１として、高周波電源による高周波電力
を処理室内の電極に印加して処理室内にプラズマを発生
させ、当該処理室内の被処理物を処理するプラズマ装置
において、当該被処理物周辺位置にＶDCモニタ用の端子
を設けたことを特徴とする、プラズマ装置を提供する。
上記構成において、ＶDCモニタ用の端子の高さは、実際
にプラズマ処理すべき被処理物の処理面の高さと略同一
にすることが好ましい。
め、まず請求項１として、高周波電源による高周波電力
を処理室内の電極に印加して処理室内にプラズマを発生
させ、当該処理室内の被処理物を処理するプラズマ装置
において、当該被処理物周辺位置にＶDCモニタ用の端子
を設けたことを特徴とする、プラズマ装置を提供する。
上記構成において、ＶDCモニタ用の端子の高さは、実際
にプラズマ処理すべき被処理物の処理面の高さと略同一
にすることが好ましい。
【０００９】そして請求項２では、上記請求項１の装置
におけるＶDCモニタ用の端子からモニタした結果に基づ
いて、高周波電源の周波数や出力を調整するプラズマ処
理方法を提供する。
におけるＶDCモニタ用の端子からモニタした結果に基づ
いて、高周波電源の周波数や出力を調整するプラズマ処
理方法を提供する。
【００１０】
【作用】請求項１のプラズマ装置によれば、被処理物の
周辺位置にＶDCモニタ用の端子が設けられているから、
このＶDCモニタ用の端子に適宜のリード線を介してＶDC
モニタを接続することにより、被処理物における実際の
ＶDCレベルをモニタすることができる。また上記ＶDCモ
ニタ用の端子を被処理物の周辺位置に複数箇所配設する
ことにより、被処理物の周辺位置の個々のＶDCレベルが
測定できるので、それに基づきそのときのプラズマ状態
の把握も可能となる。
周辺位置にＶDCモニタ用の端子が設けられているから、
このＶDCモニタ用の端子に適宜のリード線を介してＶDC
モニタを接続することにより、被処理物における実際の
ＶDCレベルをモニタすることができる。また上記ＶDCモ
ニタ用の端子を被処理物の周辺位置に複数箇所配設する
ことにより、被処理物の周辺位置の個々のＶDCレベルが
測定できるので、それに基づきそのときのプラズマ状態
の把握も可能となる。
【００１１】請求項２のプラズマ処理方法によれば、上
記の作用により、被処理物に対する実際のＶDCレベルに
基づいて高周波電源を制御するので、発生させるプラズ
マを指示通りのレベルで安定させたり、より実際の状態
に即した調整を行うことが可能である。
記の作用により、被処理物に対する実際のＶDCレベルに
基づいて高周波電源を制御するので、発生させるプラズ
マを指示通りのレベルで安定させたり、より実際の状態
に即した調整を行うことが可能である。
【００１２】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明
すると、本実施例はエッチング処理装置として構成した
例であり、図１はその側面の断面を模式的に示してお
り、アルミ等の材質で構成され接地された気密容器であ
る処理室１内の底部には、セラミック等の絶縁板２を介
してサセプタ支持台３が設けられている。このサセプタ
支持体３の内部には例えば冷却ジャケットなどの冷却室
４が形成されており、この冷却室４内には、上記処理室
１の底部に設けられた冷媒導入管５から導入されかつ冷
媒排出管６から排出される冷却冷媒が循環するようにな
っている。
すると、本実施例はエッチング処理装置として構成した
例であり、図１はその側面の断面を模式的に示してお
り、アルミ等の材質で構成され接地された気密容器であ
る処理室１内の底部には、セラミック等の絶縁板２を介
してサセプタ支持台３が設けられている。このサセプタ
支持体３の内部には例えば冷却ジャケットなどの冷却室
４が形成されており、この冷却室４内には、上記処理室
１の底部に設けられた冷媒導入管５から導入されかつ冷
媒排出管６から排出される冷却冷媒が循環するようにな
っている。
【００１３】上記サセプタ支持台３の上面には、アルミ
等の材質からなり下部電極を構成するサセプタ７が着脱
自在に設けられ、さらにこのサセプタ７の上面には被処
理物である半導体ウエハＷを直接載置する静電チャック
８が設けられている。
等の材質からなり下部電極を構成するサセプタ７が着脱
自在に設けられ、さらにこのサセプタ７の上面には被処
理物である半導体ウエハＷを直接載置する静電チャック
８が設けられている。
【００１４】上記サセプタ７の内部にはガス導入管９と
通ずるガス流路１０が形成されており、別設のガス供給
装置（図示せず）によって例えばＨｅガスをこのガス導
入管９から上記ガス流路１０内に供給すると、このＨｅ
ガスには上記冷却冷媒によって所定温度にされた上記サ
セプタ支持台３の冷熱が熱伝導される。そしてそのよう
に冷却されたＨｅガスにより、上記静電チャック８上に
載置された半導体ウエハＷが所定の温度に冷却されるよ
うになっている。
通ずるガス流路１０が形成されており、別設のガス供給
装置（図示せず）によって例えばＨｅガスをこのガス導
入管９から上記ガス流路１０内に供給すると、このＨｅ
ガスには上記冷却冷媒によって所定温度にされた上記サ
セプタ支持台３の冷熱が熱伝導される。そしてそのよう
に冷却されたＨｅガスにより、上記静電チャック８上に
載置された半導体ウエハＷが所定の温度に冷却されるよ
うになっている。
【００１５】そして上記サセプタ７には、処理室１外部
に設けられている高周波電源１１からの例えば周波数が
１３．５６ＭＨｚの高周波電力が、マッチング回路１
２、ブロッキングコンデンサ１３を介して電力供給線１
４によって供給される。
に設けられている高周波電源１１からの例えば周波数が
１３．５６ＭＨｚの高周波電力が、マッチング回路１
２、ブロッキングコンデンサ１３を介して電力供給線１
４によって供給される。
【００１６】上記静電チャック８は、例えば電界箔銅か
らなる導電層１５を上下両側からポリイミド・フィルム
等の絶縁体で挟んで接着した構成を有しており、供給リ
ード線１６を介して処理室１外部の高圧直流電源１７に
よって直流電圧が上記導電層１５に印加されると、クー
ロン力によって上記半導体ウエハＷは上記静電チャック
８に吸引保持される。
らなる導電層１５を上下両側からポリイミド・フィルム
等の絶縁体で挟んで接着した構成を有しており、供給リ
ード線１６を介して処理室１外部の高圧直流電源１７に
よって直流電圧が上記導電層１５に印加されると、クー
ロン力によって上記半導体ウエハＷは上記静電チャック
８に吸引保持される。
【００１７】上記サセプタ７の上端周縁部には、上記半
導体ウエハＷを囲むようにして絶縁性を有する環状のフ
ォーカスリング１８が配設されており、プラズマ発生し
た際の反応性イオンはこのフォーカスリング１８の存在
によって、上記半導体ウエハＷに効果的に入射される。
導体ウエハＷを囲むようにして絶縁性を有する環状のフ
ォーカスリング１８が配設されており、プラズマ発生し
た際の反応性イオンはこのフォーカスリング１８の存在
によって、上記半導体ウエハＷに効果的に入射される。
【００１８】一方上記処理室１内の上部において、この
処理室１とは電気的に絶縁されて配設されている上部電
極２１の少なくとも上記サセプタ７と対向する面２１ａ
は、例えばアモルファス・カーボンやシリコンなどの材
質で構成され、上部電極２１全体は中空構造となってお
り、接地線２２を介して接地されている。そしてこの上
部電極２１における既述の半導体ウエハＷとの対向面２
１ａには多数の吐出口２３が穿設され、上部電極２１の
上部に設けられているガス導入口２４から供給される処
理ガスはこれら多数の吐出口２３から半導体ウエハＷに
向けて吐出されるようになっている。
処理室１とは電気的に絶縁されて配設されている上部電
極２１の少なくとも上記サセプタ７と対向する面２１ａ
は、例えばアモルファス・カーボンやシリコンなどの材
質で構成され、上部電極２１全体は中空構造となってお
り、接地線２２を介して接地されている。そしてこの上
部電極２１における既述の半導体ウエハＷとの対向面２
１ａには多数の吐出口２３が穿設され、上部電極２１の
上部に設けられているガス導入口２４から供給される処
理ガスはこれら多数の吐出口２３から半導体ウエハＷに
向けて吐出されるようになっている。
【００１９】また上記処理室１内の底部には、処理室内
のガスを排気するための真空ポンプ（図示せず）に通ず
る排気管３１が接続されており、処理室１内は真空引き
が可能で、例えば処理室１内を０．５Ｔｏｒｒに維持で
きるようになっている。
のガスを排気するための真空ポンプ（図示せず）に通ず
る排気管３１が接続されており、処理室１内は真空引き
が可能で、例えば処理室１内を０．５Ｔｏｒｒに維持で
きるようになっている。
【００２０】そして本実施例におけるＶDC検出用のモニ
タ端子４１は、上記静電チャック８と上記フォーカスリ
ング１８との間におけるサセプタ７上面に配設されてい
る。このモニタ端子４１の構成の詳細を図２に基づいて
説明すると、電極体４２は、例えばシリコン系導電材料
であるＳｉＣやプラズマに対してスパッタされにくい高
融点金属材料からなり、さらにこの電極体４２は、例え
ば石英などからなる絶縁材４３の凹部内に嵌入固定さ
れ、電極体４２の頂上部のみが上記絶縁材４３から突出
している。この電極体４２の当該頂上部の高さは、静電
チャック８上に吸引保持される半導体ウエハＷの処理面
（上面）と同一の高さとなるように設定されている。ま
た上記電極体４２に接続されるリード線４４は、図１に
示したようにその外周が絶縁被覆材４５で覆われ、上記
サセプタ７、サセプタ支持材３、絶縁板２の内部を通っ
て、処理室１外部へと導出される。
タ端子４１は、上記静電チャック８と上記フォーカスリ
ング１８との間におけるサセプタ７上面に配設されてい
る。このモニタ端子４１の構成の詳細を図２に基づいて
説明すると、電極体４２は、例えばシリコン系導電材料
であるＳｉＣやプラズマに対してスパッタされにくい高
融点金属材料からなり、さらにこの電極体４２は、例え
ば石英などからなる絶縁材４３の凹部内に嵌入固定さ
れ、電極体４２の頂上部のみが上記絶縁材４３から突出
している。この電極体４２の当該頂上部の高さは、静電
チャック８上に吸引保持される半導体ウエハＷの処理面
（上面）と同一の高さとなるように設定されている。ま
た上記電極体４２に接続されるリード線４４は、図１に
示したようにその外周が絶縁被覆材４５で覆われ、上記
サセプタ７、サセプタ支持材３、絶縁板２の内部を通っ
て、処理室１外部へと導出される。
【００２１】処理室１外部へと導出されたリード線４４
は、ＶDCモニタ４６に接続され、このＶDCモニタによっ
て、上記電極体４２が検出したＶDCレベルが測定でき
る。そして上記ＶDCモニタ４６は、上記高周波電源１１
の出力や周波数を制御するコントローラ４７と接続さ
れ、ＶDCモニタ４６の検出結果に基づいて、例えばフィ
ードバック制御により、上記高周波電源１１の出力や周
波数は調整される。
は、ＶDCモニタ４６に接続され、このＶDCモニタによっ
て、上記電極体４２が検出したＶDCレベルが測定でき
る。そして上記ＶDCモニタ４６は、上記高周波電源１１
の出力や周波数を制御するコントローラ４７と接続さ
れ、ＶDCモニタ４６の検出結果に基づいて、例えばフィ
ードバック制御により、上記高周波電源１１の出力や周
波数は調整される。
【００２２】本実施例は以上のように構成されており、
その動作などについて説明すると、例えば被処理物たる
半導体ウエハに対してエッチング処理を行う場合には、
まずそのプラズマ調整を事前に行うため、ダミーウエハ
が上記処理室１内に搬入される。即ち、処理室１の側面
に設けられたゲートバルブ（図示せず）が開かれ、搬送
装置（図示せず）によって、半導体ウエハＷと同一形
態、同一材質からなるダミーウエハが処理室１内に搬入
されて静電チャック８上の所定の位置に載置され、高圧
直流電源１７からの直流電圧の印加によって静電チャッ
ク８が作動して、上記ダミーウエハは吸着保持される。
その動作などについて説明すると、例えば被処理物たる
半導体ウエハに対してエッチング処理を行う場合には、
まずそのプラズマ調整を事前に行うため、ダミーウエハ
が上記処理室１内に搬入される。即ち、処理室１の側面
に設けられたゲートバルブ（図示せず）が開かれ、搬送
装置（図示せず）によって、半導体ウエハＷと同一形
態、同一材質からなるダミーウエハが処理室１内に搬入
されて静電チャック８上の所定の位置に載置され、高圧
直流電源１７からの直流電圧の印加によって静電チャッ
ク８が作動して、上記ダミーウエハは吸着保持される。
【００２３】そして別設の処理ガス供給装置から供給さ
れる、例えばＣＦ4ガスがガス導入口２４から上部電極
２１の吐出口２３を経て、上記ダミーウエハに向かって
吐出され、それと同時に処理室１内の圧力は例えば０．
５Ｔｏｒｒに維持される。
れる、例えばＣＦ4ガスがガス導入口２４から上部電極
２１の吐出口２３を経て、上記ダミーウエハに向かって
吐出され、それと同時に処理室１内の圧力は例えば０．
５Ｔｏｒｒに維持される。
【００２４】そして高周波電源１１によって、例えば周
波数が１３．５６ＭＨｚ、電力が１ｋｗに夫々設定され
た高周波電力を印加すると、処理室１内にプラズマが発
生し、上記ダミーウエハに対してエッチング処理がなさ
れる。このとき、モニタ端子４１によってダミーウエハ
上のＶDCは検出され、ＶDCモニタ４６によってモニタさ
れているから、上記発生したプラズマによるＶDCレベル
は、リアルタイムで知覚できる。
波数が１３．５６ＭＨｚ、電力が１ｋｗに夫々設定され
た高周波電力を印加すると、処理室１内にプラズマが発
生し、上記ダミーウエハに対してエッチング処理がなさ
れる。このとき、モニタ端子４１によってダミーウエハ
上のＶDCは検出され、ＶDCモニタ４６によってモニタさ
れているから、上記発生したプラズマによるＶDCレベル
は、リアルタイムで知覚できる。
【００２５】このＶDCモニタ４６のモニタ結果に基づ
き、コントローラ４７によって上記高周波電源１１の出
力や周波数を制御することにより、ＶDCレベルを変え、
企図したプラズマ状態を実現することが可能である。従
って例えば、ＶDCのシフト量が一定値にシフトした場合
に、高周波電源１１の出力を下げたりして、ダメージに
よる破損を未然に防止することも容易である。以上のよ
うにしてプラズマの調整を行った後に、ダミーウエハを
プラズマ処理する半導体ウエハと交換して、実際のプラ
ズマ処理（本実施例ではエッチング処理）を行っていけ
ばよい。
き、コントローラ４７によって上記高周波電源１１の出
力や周波数を制御することにより、ＶDCレベルを変え、
企図したプラズマ状態を実現することが可能である。従
って例えば、ＶDCのシフト量が一定値にシフトした場合
に、高周波電源１１の出力を下げたりして、ダメージに
よる破損を未然に防止することも容易である。以上のよ
うにしてプラズマの調整を行った後に、ダミーウエハを
プラズマ処理する半導体ウエハと交換して、実際のプラ
ズマ処理（本実施例ではエッチング処理）を行っていけ
ばよい。
【００２６】上記実施例の場合、モニタ端子４１の電極
体４２の頂上部は、ダミーウエハの処理面と同一高さと
なるように設定してあるので、ＶDCモニタ４６がモニタ
しているＶDCレベルは、実際のダミーウエハ上のＶDCレ
ベルと同一とみなせるものであり、従来のモニタ方法に
較べると、格段に正確なＶDCレベルが検出できる。しか
も電極体４２の材質は、シリコン系導電材料であるＳｉ
Ｃや高融点金属材料などで構成されているので、プラズ
マに曝されてもスパッタされるおそれはなく、導電部分
露出による弊害はない。
体４２の頂上部は、ダミーウエハの処理面と同一高さと
なるように設定してあるので、ＶDCモニタ４６がモニタ
しているＶDCレベルは、実際のダミーウエハ上のＶDCレ
ベルと同一とみなせるものであり、従来のモニタ方法に
較べると、格段に正確なＶDCレベルが検出できる。しか
も電極体４２の材質は、シリコン系導電材料であるＳｉ
Ｃや高融点金属材料などで構成されているので、プラズ
マに曝されてもスパッタされるおそれはなく、導電部分
露出による弊害はない。
【００２７】なお上記実施例においては、電極体４２を
別途絶縁材４３の凹部内に嵌入する構成を採ったが、こ
れに限らず、例えばフォーカスリング１８に直接設ける
構成としてもよい。
別途絶縁材４３の凹部内に嵌入する構成を採ったが、こ
れに限らず、例えばフォーカスリング１８に直接設ける
構成としてもよい。
【００２８】上記実施例ではモニタ端子４１を１カ所の
みに設けていたが、例えば半導体ウエハなどプラズマ処
理される被処理物の周辺位置に複数のモニタ端子を設け
てもよく、この場合には各モニタ端子が検出するＶDCレ
ベルに基づいて例えばプラズマの傾斜など、実際のプラ
ズマ状態をより実際的に把握することができ、それに基
づいて、電極などの調整を行えば、プラズマの均一化を
図ることも可能である。これらの場合、基となるＶDCレ
ベルは既述の如く被処理物上の実際のＶDCレベルである
から、極めて実状に即した正確な調整を実施することが
可能である。
みに設けていたが、例えば半導体ウエハなどプラズマ処
理される被処理物の周辺位置に複数のモニタ端子を設け
てもよく、この場合には各モニタ端子が検出するＶDCレ
ベルに基づいて例えばプラズマの傾斜など、実際のプラ
ズマ状態をより実際的に把握することができ、それに基
づいて、電極などの調整を行えば、プラズマの均一化を
図ることも可能である。これらの場合、基となるＶDCレ
ベルは既述の如く被処理物上の実際のＶDCレベルである
から、極めて実状に即した正確な調整を実施することが
可能である。
【００２９】上記実施例で使用したモニタ端子は４１
は、電極体４２を絶縁材４３の凹部に嵌入固定した構造
であったが、例えば電極体４２自体を上下動自在に構成
したり、電極体４２自体を着脱自在に構成すれば、被処
理物の厚さが代わっても、常に当該被処理物の高さと同
一レベルの高さに電極体の頂上部を設定することがで
き、厚さの異なった被処理物に対しても、極めて正確な
ＶDCレベルを検出することができる。
は、電極体４２を絶縁材４３の凹部に嵌入固定した構造
であったが、例えば電極体４２自体を上下動自在に構成
したり、電極体４２自体を着脱自在に構成すれば、被処
理物の厚さが代わっても、常に当該被処理物の高さと同
一レベルの高さに電極体の頂上部を設定することがで
き、厚さの異なった被処理物に対しても、極めて正確な
ＶDCレベルを検出することができる。
【００３０】なお上記実施例では、エッチング処理装置
に適用したが、これに限らず例えばアッシング装置やＣ
ＶＤ装置など、本発明は処理室内にプラズマを発生させ
る他のプラズマ装置に対して適用可能である。
に適用したが、これに限らず例えばアッシング装置やＣ
ＶＤ装置など、本発明は処理室内にプラズマを発生させ
る他のプラズマ装置に対して適用可能である。
【００３１】
【発明の効果】請求項１のプラズマ装置によれば、処理
室内に発生させるプラズマによる被処理物における実際
のＶDCがモニタできる。従ってＶDCモニタによって得ら
れるＶDCレベルは、従来よりも格段に正確なものであ
る。
室内に発生させるプラズマによる被処理物における実際
のＶDCがモニタできる。従ってＶDCモニタによって得ら
れるＶDCレベルは、従来よりも格段に正確なものであ
る。
【００３２】請求項２のプラズマ処理方法によれば、被
処理物における実際のＶDCレベルに基づいて高周波電源
を制御するので、発生させるプラズマを指示通りのレベ
ルで安定させたり、より実際の状態に即したプラズマ調
整を行うことが可能である。
処理物における実際のＶDCレベルに基づいて高周波電源
を制御するので、発生させるプラズマを指示通りのレベ
ルで安定させたり、より実際の状態に即したプラズマ調
整を行うことが可能である。
【図１】本発明の実施例の側面の断面を示す説明図であ
る。
る。
【図２】本発明の実施例におけるモニタ端子付近の側面
断面図である。
断面図である。
【図３】従来技術の説明図である。
１ 処理室 ７ サセプタ ８ 静電チャック １１ 高周波電源 ２１ 上部電極 ４１ モニタ端子 ４２ 電極体 ４３ 絶縁材 ４６ ＶDCモニタ ４７ コントローラ Ｗ 半導体ウエハ
Claims (2)
- 【請求項１】 高周波電源による高周波電力を処理室内
の電極に印加して処理室内にプラズマを発生させ、当該
処理室内の被処理物を処理するプラズマ装置において、
当該被処理物周辺位置にＶDCモニタ用の端子を設けたこ
とを特徴とする、プラズマ装置。 - 【請求項２】 高周波電力を処理室内の電極に印加して
処理室内にプラズマを発生させ、当該処理室内の被処理
物を処理するプラズマ装置において、当該被処理物周辺
位置にＶDCモニタ用の端子を設け、当該ＶDCモニタ用の
端子からモニタした結果に基づいて、上記高周波電源を
制御することを特徴とする、プラズマ処理方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5034249A JPH06232088A (ja) | 1993-01-29 | 1993-01-29 | プラズマ装置及びプラズマ処理方法 |
| KR1019940001585A KR100290748B1 (ko) | 1993-01-29 | 1994-01-28 | 플라즈마 처리장치 |
| TW083101059A TW297986B (ja) | 1993-01-29 | 1994-02-08 | |
| US08/735,489 US5665166A (en) | 1993-01-29 | 1996-10-23 | Plasma processing apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5034249A JPH06232088A (ja) | 1993-01-29 | 1993-01-29 | プラズマ装置及びプラズマ処理方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06232088A true JPH06232088A (ja) | 1994-08-19 |
Family
ID=12408898
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5034249A Withdrawn JPH06232088A (ja) | 1993-01-29 | 1993-01-29 | プラズマ装置及びプラズマ処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06232088A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0837500A3 (en) * | 1996-10-17 | 1999-03-31 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and method for actively controlling the DC potential of a cathode pedestal |
| US7513954B2 (en) | 2001-07-27 | 2009-04-07 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing apparatus and substrate mounting table employed therein |
| JP2013511814A (ja) * | 2009-11-19 | 2013-04-04 | ラム リサーチ コーポレーション | プラズマ処理システムを制御するための方法および装置 |
| CN109417013A (zh) * | 2016-06-13 | 2019-03-01 | 应用材料公司 | 用于在等离子体处理期间控制在基板的电压波形的系统与方法 |
| KR20210065037A (ko) * | 2019-11-25 | 2021-06-03 | 어드밴스드 마이크로 패브리케이션 이큅먼트 인코퍼레이티드. 차이나 | 웨이퍼 클램핑 장치 및 플라즈마 처리 설비 |
-
1993
- 1993-01-29 JP JP5034249A patent/JPH06232088A/ja not_active Withdrawn
Cited By (8)
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| JP2019523993A (ja) * | 2016-06-13 | 2019-08-29 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ | プラズマ処理中に基板における電圧波形を制御するためのシステム及び方法 |
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| US12456611B2 (en) | 2016-06-13 | 2025-10-28 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for controlling a voltage waveform at a substrate during plasma processing |
| KR20210065037A (ko) * | 2019-11-25 | 2021-06-03 | 어드밴스드 마이크로 패브리케이션 이큅먼트 인코퍼레이티드. 차이나 | 웨이퍼 클램핑 장치 및 플라즈마 처리 설비 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20000404 |