JPH06232109A - 処理装置 - Google Patents
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- JPH06232109A JPH06232109A JP5032515A JP3251593A JPH06232109A JP H06232109 A JPH06232109 A JP H06232109A JP 5032515 A JP5032515 A JP 5032515A JP 3251593 A JP3251593 A JP 3251593A JP H06232109 A JPH06232109 A JP H06232109A
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Abstract
向上及び被処理体の汚染防止を図れるようにした処理装
置を提供する。 【構成】 スピンチャック1の駆動軸11を半導体ウエ
ハWの保持面側に流体を流出する流路11aを有する中
空軸にて形成する。駆動軸11の流体流入側に、モータ
10との間に第1のシール部材16aを介して第1の室
17aを形成すると共に、この第1の室17aとの間に
駆動軸11に非接触のラビリンスシール16bを介して
第2の室17bを形成する。第1の室17aに流体排出
口18を形成し、第2の室17bを、駆動軸11の流路
11aに連通すると共に、流体供給源に接続する。
Description
等の被処理体を回転保持しつつ処理する処理装置に関す
るものである。
体例えば半導体ウエハ(以下にウエハという)の表面の
回路パターン面を下向きにすると共に、水平に保持して
回転させ、半導体ウエハの上面に処理液(洗浄液)を供
給すると共に、例えばナイロンやモヘヤ等にて形成され
るブラシをウエハの表面(回路パターンが形成されてい
ない面)に押し当てて表面の粒子汚染物を除去する処理
装置が知られている。
に回路パターン面が位置するために、真空吸着によって
ウエハを保持することができないため、ウエハ周縁部分
を保持するようにし回転保持手段であるスピンチャック
の駆動軸を中空状に形成し、この駆動軸内に形成された
流路を介して例えば窒素(N2 )ガス又は空気等の流体
をウエハの下面に向けて流出し、この流体の流出によっ
て洗浄液がウエハの下面側に回り込むのを防止してい
る。
この種の処理装置においては、駆動軸の回転により軸受
部に発生したごみが、供給される流体と共に搬送されて
ウエハの回路パターン面に付着することがあり、歩留り
の低下をきたすという問題があった。また、スピンチャ
ックの駆動源であるモータの内部にもごみあるいは供給
される液体が浸入する虞れがあり、この液体(水分)等
の侵入によってモータに支障をきたすという問題もあっ
た。
を、流体供給側流路と排出側流路とを有する二重中空軸
にて形成して、流体供給側流路と排出側流路とをシール
部材にて区画する構造のものが考えられる。しかし、こ
の構造のもにおいては、流体が被処理体に向って流出す
る部分において、流体供給側流路と排出側流路とが近接
するため、エゼクタ作用によって排出側流路内の流体が
吸上げられてモータ下部で発生したごみを被処理体側に
巻上げてしまう虞れがあった。そのため、このごみの巻
上げを防止するために、排出側流路に吸引手段を接続し
て排出流路内の流体を吸引する必要がある。しかも、こ
の二重中空構造のものにおいては、供給圧と吸引圧との
バランスが崩れると、スピンチャックの回転に伴って振
動を生じることがある。更には、内側中空軸と外側中空
軸とを接触させずに小さい(具体的には1mm程度)隙間
にする必要があるため、高精度が要求されるなどの問題
がある。
が直接被処理体に接触するため、被処理体にダメージを
与える虞れがあると共に、流体中の汚れが被処理体に付
着する虞れもあった。
で、回転駆動源側に発生するごみや供給される流体中に
含まれる汚れが被処理体に付着するのを防止すると共
に、歩留りの向上を図れるようにした処理装置を提供す
ることを目的とするものである。
に、この発明の第1の処理装置は、被処理体を回転保持
手段にて保持すると共に、被処理体の表面に処理液を供
給して処理する処理装置を前提とし、上記回転保持手段
の駆動軸を、上記被処理体の保持面側に流体を流出する
流路を有する中空軸にて形成し、上記駆動軸の流体流入
側と上記回転保持手段の駆動源との間に第1のシール部
材を介して第1の室を形成すると共に、この第1の室と
上記流体流入側との間に駆動軸に非接触の第2のシール
部材を介して第2の室を形成し、上記第1の室に流体排
出口を形成し、上記第2の室を、上記駆動軸の流路に連
通すると共に、流体供給源に接続してなることを特徴と
するものである。
第1の処理装置と同様に、被処理体を回転保持手段にて
保持すると共に、被処理体の表面に処理液を供給して処
理する処理装置を前提とし、上記回転保持手段の駆動軸
を、上記被処理体の保持面側に流体を流出する流路を有
する中空軸にて形成し、上記駆動軸の流体流出口側に、
上記被処理体の周辺部に流体を案内する流体案内手段を
配設してなることを特徴とするものである。
よれば、流体供給源から第2の室内に流体を供給するこ
とにより、流体は駆動軸の流路を介して被処理体の下面
側を周縁方向に向って流れて、被処理体の上面に供給さ
れる処理液の下面への回り込みを防止する。また、第2
の室内に供給された流体は、第2のシール部材と駆動軸
との間の僅かな隙間を通って第1の室内に流れ込み、流
体排出口から排出されるので、エゼクタ作用によって第
1のシール部材に付着するごみを同時に排出することが
できる。このとき、第2の室から第1の室に流体が流れ
るので、第1の室から第2の室へはごみが流れることは
なく、流体流入側からの被処理体へのごみの付着を防止
することができる。
の周辺部に流体を案内する流体案内手段を配設すること
により、流体が直接被処理体に当ることがないので、流
体による被処理体へのダメージを防止することができる
と共に、流体の汚れによって被処理体が汚染されるのを
防止することができる。
詳細に説明する。この実施例では、この発明の処理装置
を半導体ウエハの洗浄処理装置に適用した場合について
説明する。
図、図2は第一実施例の洗浄処理装置の要部断面図が示
されている。
体ウエハW(以下にウエハという)を回路パターン面を
下向きにして水平状態に保持する回転保持手段であるス
ピンチャック1と、このスピンチャック1にて保持され
るウエハWの上面に処理液すなわち洗浄液をジェット流
にして噴出するジェットノズル3と、このジェットノズ
ル3から供給される洗浄液を用いてウエハWの上面に付
着する粒子汚染物を洗浄除去するブラシ2とで主要部が
構成されている。
10によって回転される駆動軸11の上端部に水平に連
結する回転板12と、この回転板12の外周辺に適宜間
隔をおいて立設されてウエハWの周縁部分を支持し水平
状態に保持する保持爪13とで構成されている。
下面に流体を流出する流路11aを有する例えばステン
レス鋼製の中空軸にて形成されると共に、その内周面に
汚れ防止用のフッ素樹脂製チューブ11bを嵌合してな
る。そして、モータ10内を貫通した状態に配設されて
おり、この駆動軸11の下部の流体流入側はモータ10
の下端より下方に突出し、その外側にモータ10の下端
部との間に例えば塩化ビニル製部材にて形成される絶縁
性の中間ブロック14を介して例えばステンレス鋼製の
シールブロック15が固定されている。この場合、シー
ルブロック15には、中間ブロック14に取付けられる
第1のシール部材16a(例えば、Oリング,メカニカ
ルシールなど)を介してモータ10と区画される第1の
室17a(空間部)と、この第1の室17aとの間に駆
動軸11の外周部と非接触の第2のシール部材であるラ
ビリンス(labyrinth)シール16bを介して
区画される第2の室17b(空間部)が形成されてい
る。ラビリンスシール16bを駆動軸11との間に僅か
な隙間を残して取付けるには、駆動軸11の外周にシー
トを巻き付けてラビリンスシール16bを取付けた後、
駆動軸11に巻き付けたシートを取外すことによって行
うことができる。そして、ラビリンスシール16bと駆
動軸11とが非接触か否かを調べるには、中間ブロック
14が絶縁性であるので、駆動軸11とラビリンスシー
ル16b(具体的にはシールブロック15)との間をテ
スターにて電気的にチェックすることによって行うこと
ができる。
17aには図示しない真空ポンプ等の吸引手段に接続す
る流体排出口18が設けられ、また第2の室17bは、
駆動軸11の流路11aに流体流入口18dを介して連
通されると共に、図示しない流体例えば窒素(N2 )ガ
スのN2 ガス供給源と接続する流体供給口19が設けら
れている。したがって、N2 ガス供給源から第2の室1
7b内に供給されるN2 ガスは駆動軸11の流路11a
を通ってウエハWと回転板12との間に流れてウエハW
の周辺方向に向い、ウエハWの上面に供給される洗浄液
のウエハW下面への回り込みの防止に供される。また、
第2の室17b内に供給されたN2 ガスはラビリンスシ
ール16bと駆動軸11との僅かな隙間を通って第1の
室17a内に流れた後、流体排出口18から排出される
ように構成しておき、第1の室17a内の圧力が第2の
室17b内の圧力より低圧となるようにしておくことに
より、このエゼクタ作用によって駆動軸11のベアリン
グ10aにて発生して第1のシール部材16aに付着す
るごみは排出流と共に排出される。
軸11の流路11aと同軸方向に貫通口15aが設けら
れており、この貫通口15aの開口部には例えば石英ガ
ラス等の透明板40が装着されている。そして、駆動軸
11の上方に発光素子41が配設され、透明板40の下
方側には受光素子42が配設されて、発光素子41から
の投光が受光素子42にて受光されるようになってい
る。したがって、これら発光素子41と受光素子42と
によってスピンチャック1上に載置されるウエハWの有
無の検出を行うことができる。
に配設される操作軸4の先端部に回転可能に装着される
螺旋状の例えばナイロンあるいはモヘヤ等にて形成され
ている。このブラシ2は、図示しない駆動手段によって
駆動する操作軸4によってスピンチャック1の回転板1
2上に回転(θ)移動すると共に、垂直方向(Z)に移
動するように構成されており、待機中にブラシ洗浄器5
によってブラシ自身が洗浄されるようになっている。こ
のようにブラシ2を螺旋状に形成することにより、ディ
スクブラシに比較して有効接触面積を大きく取ることが
でき、かつ、ロールブラシによる直線的接触による接触
圧の不均一を防止して、洗浄能力の向上と均一な洗浄処
理が可能となる。
うに、スピンチャック1に関してブラシ2と対向する側
に配設されており、操作機構6によって垂直方向(Z)
及び水平方向(X)に移動可能なアーム7の先端部に装
着されている。このジェットノズル3は洗浄液(純水)
供給管8を介して純水収容タンク9に接続されており、
洗浄液供給管8に配設されるポンプP及びバルブVによ
って所定量の洗浄液である純水がウエハ上に散布される
ようになっている。このジェットノズル3は、ブラシ2
の使用時にあるいは単独にウエハWの上面に移動して純
水収容タンク9から供給される純水をブラシ2の近傍位
置に散布し得るようになっている。なお、純水収容タン
ク9の外周側にはヒータHが配設されて、純水Lの温度
を常に一定の温度に温めている。したがって、温められ
た純水Lを用いてウエハWの洗浄を行うことによって、
洗浄効率の向上が図れ、また、ウエハW自体が温まるの
で、洗浄処理後の乾燥処理の短縮化が図れる。
置において、ウエハWを洗浄処理する場合には、まず、
図示しないフォーク状のウエハ搬送アームにて搬送され
るウエハWの回路パターン面を下向きにして保持爪13
の上に仮載置した後、ウエハ搬送アームを下方に移動さ
せてスピンチャック1から後退させる。次に、N2 ガス
供給源からシールブロック15の流体供給口19を介し
て第2の室17b内にN2 ガスを供給すると、後述する
一部を残してN2 ガスは駆動軸11の流体流入口18d
を介して流路11a内を通ってウエハWの裏面側(回路
パターン面側)に流出されると共に、ウエハWの周辺側
に流れる。このN2 ガスの流れによってウエハWの裏面
と回転板12との間にベルヌーイ効果によって負圧が生
じ、この負圧によってウエハWが回転板12側に向って
吸引され保持爪13上に保持される。
保持した状態で、モータ10が駆動して駆動軸11を回
転してウエハWを水平回転する。そして、ブラシ2とジ
ェットノズル3をウエハWの上方に移動すると共に、ジ
ェットノズル3からウエハWの表面に純水を散布して、
ブラシ2によってウエハWの上面(回路パターンが形成
されていない面)に付着する粒子汚染物を除去する。こ
のとき、ウエハWの裏面側には、ウエハWの中心部から
外周方向に向ってN2 ガスが流れるので、ウエハWの上
面に供給される洗浄液のウエハ裏面への回り込みを防止
することができる。なお、上記洗浄はジェットノズル3
のみによるものであってもよい。
ガスの一部は、ラビリンスシール16bと駆動軸11と
の僅かな隙間を通って第1の室17a内に流れた後、流
体排出口18から排出される。したがって、第1の室1
7a内の圧力が第2の室17b内の圧力より低圧とな
り、このエゼクタ作用によって駆動軸11のベアリング
10aにて発生して第1のシール部材16aに付着する
ごみは排出流と共に排出されるので、ウエハWの下面の
回路パターン面へのごみの付着を防止することができ
る。また、第1の室17aからモータ10の内部へのご
みの侵入を防止することができる。
給される流体がN2 ガスである場合について説明した
が、必ずしもN2 ガスである必要はなく、その他の不活
性ガスや空気あるいは純水等の液体であってもよい。純
水等の液体を使用する場合には、洗浄液供給管8から分
岐される管路をシールブロック15の流体流入口19に
接続すればよい。このように流体に純水を用いることに
より、ウエハWの保持及びウエハWの裏面への洗浄後の
洗浄液(純水)の付着を防止する純水の供給と、洗浄用
純水の供給とを同一の純水収容タンク9から供給するこ
とができ、洗浄処理の効率化と装置の小型化を図ること
ができる。
理装置の断面図、図4はその要部斜視図が示されてい
る。
るN2 ガスによってウエハWが受けるダメージの緩和と
更に確実な汚染防止を図れるようにした場合である。す
なわち、スピンチャック1の回転板12を取付けるボス
部12aにおける駆動軸11の流体流出口11cの上方
にN2 ガスの流れをウエハWの周辺部に案内する流体案
内手段である案内板50を取付けた場合である。この場
合、案内板50は、円盤部材にて形成されており、その
下面における同心円上の4箇所に脚部51を設け、この
脚部51を貫通してボス部12aにねじ結合される取付
ねじ52にてボス部12a上に固定されている。したが
って、駆動軸11の流路11aを流れるN2 ガスは直接
ウエハWに衝突するのではなく、一旦案内板50の下面
に衝突した後、脚部51間の案内通路53からウエハW
の周辺部に流れるので、ウエハWには案内板50によっ
て衝撃が緩和されたN2 ガスが当り、ウエハWのダメー
ジを緩和することができ、かつ、N2 ガスに含まれてい
る微小な汚れはウエハWに強い衝撃で衝突することがな
いので、ウエハWに付着する可能性は低く、したがって
ウエハWは汚染されることがない。なお、案内板50の
直径を可能な限り大きくしてウエハWの外周辺近傍位置
まで延ばすことにより、更に確実にウエハWのダメージ
及び汚染を防止することができる。
の流体流出口11cの上方に案内板50を配設したた
め、ウエハWを回転板12上に近接させて配設すること
ができ、洗浄液のウエハ下面への回り込みを更に確実に
防止することができる。なお、ウエハWを回転板12に
近接させることによってウエハWと回転板12との間に
ウエハ受け渡し用アームを挿入させることができなくな
る可能性があるが、この場合には、図4に示すように、
回転板12の外周辺の3箇所にスリット12bを設け、
ウエハ搬送用のメインアーム33には、馬蹄形状のアー
ム本体33aの内周面の3箇所にウエハ係止爪33bを
設けておき、そして、メインアーム33の係止爪33b
が回転板12のスリット12b内を通る位置でメインア
ーム33を昇降移動することによってウエハWの受け渡
しを行うことができる。
第一実施例と同じに形成してもよく、あるいは、従来の
この種の処理装置と同様に駆動軸を二重中空軸に形成し
てもよい。
N2 ガスや純水等の液体等の流体の供給により生じる負
圧を利用してウエハWの保持を行う機構について説明し
たが、必ずしも流体の負圧によってウエハWを保持する
機構にのみ適用できるものではなく、別途にリンク機構
等を用いたウエハ保持機構を設けた処理装置においても
適用できることは勿論である。
置は、図1に示すような単独の半導体ウエハの洗浄装置
として使用される他、後述する半導体ウエハの塗布現像
装置等に組込まれて使用される。
に示すように、ウエハWに種々の処理を施す処理機構が
配置された処理機構ユニット30と、処理機構ユニット
30にウエハWを自動的に搬入・搬出する搬入・搬出機
構20とで主要部が構成されている。
を収納するウエハキャリア21と、処理後のウエハWを
収納するウエハキャリア22と、ウエハWを吸着保持す
るア−ム23と、このア−ム23をX,Y(水平),Z
(垂直)及びθ(回転)方向に移動させる移動機構24
と、ウエハWがアライメントされかつ処理機構ユニット
30との間でウエハWの受け渡しがなされるアライメン
トステージ25とを備えている。
ステージ25よりX方向に形成された搬送路31に沿っ
て移動自在に搬送機構32が設けられており、この搬送
機構32にはY,Z及びθ方向に移動自在にウエハ搬送
用のメインアーム33が設けられている。搬送路31の
一方の側には、ウエハWとレジスト液膜との密着性を向
上させるためのアドヒージョン処理を行うアドヒージョ
ン処理機構34と、ウエハWに塗布されたレジスト中に
残存する溶剤を加熱蒸発させるためのプリベーク機構3
5と、過熱処理されたウエハWを冷却する冷却機構36
とが配置されている。搬送路31の他方の側にはウエハ
Wの表面にレジストを塗布する処理液塗布機構37と、
ウエハWの表面に付着する粒子汚染物を洗浄処理する洗
浄処理装置38(この発明の処理装置)とが配置されて
いる。
現像装置において、まず、処理前のウエハWは、搬入・
搬出機構20のア−ム23によってウエハキャリア21
から搬出されてアライメントステージ25上に載置され
る。次いで、アライメントステージ25上のウエハW
は、搬送機構32のメインアーム33に保持されて、各
処理機構34〜38へと搬送されて適宜処理後に洗浄処
理が施される。そして、処理後のウエハWはメインアー
ム33によってアライメントステージ25に戻され、更
にア−ム23により搬送されてウエハキャリア22に収
納される。
エハの場合について説明したが、被処理体は必ずしも半
導体ウエハに限られるものではなく、例えばLCD基
板、フォトマスク、セラミック基板、コンパクトディス
ク、あるいはプリント基板について同様に洗浄等の処理
を施すものについても適用できるものである。
装置によれば、上記のように構成されているので、以下
のような効果が得られる。
処理体の下面への処理液の回り込みを防止することがで
きると共に、被処理体へのごみの付着を防止することが
できるので、製品歩留りの向上及び被処理体の汚染防止
を図ることができる。
動軸の流体流出口側に、被処理体の周辺部に流体を案内
する流体案内手段を配設するので、流体による被処理体
へのダメージを防止することができると共に、流体の汚
れによって被処理体が汚染されるのを防止することがで
きる。
視図である。
る。
断面図である。
置に適用した状態の全体を示す平面図である。
Claims (2)
- 【請求項1】 被処理体を回転保持手段にて保持すると
共に、被処理体の表面に処理液を供給して処理する処理
装置において、 上記回転保持手段の駆動軸を、上記被処理体の保持面側
に流体を流出する流路を有する中空軸にて形成し、 上記駆動軸の流体流入側と上記回転保持手段の駆動源と
の間に第1のシール部材を介して第1の室を形成すると
共に、この第1の室と上記流体流入側との間に駆動軸に
非接触の第2のシール部材を介して第2の室を形成し、 上記第1の室に流体排出口を形成し、 上記第2の室を、上記駆動軸の流路に連通すると共に、
流体供給源に接続してなることを特徴とする処理装置。 - 【請求項2】 被処理体を回転保持手段にて保持すると
共に、被処理体の表面に処理液を供給して処理する処理
装置において、 上記回転保持手段の駆動軸を、上記被処理体の保持面側
に流体を流出する流路を有する中空軸にて形成し、 上記駆動軸の流体流出口側に、上記被処理体の周辺部に
流体を案内する流体案内手段を配設してなることを特徴
とする処理装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3251593A JP2835479B2 (ja) | 1993-01-29 | 1993-01-29 | 処理装置 |
| KR1019930008470A KR100230694B1 (ko) | 1992-05-18 | 1993-05-18 | 기판세정처리장치 |
| US08/062,536 US5375291A (en) | 1992-05-18 | 1993-05-18 | Device having brush for scrubbing substrate |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3251593A JP2835479B2 (ja) | 1993-01-29 | 1993-01-29 | 処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06232109A true JPH06232109A (ja) | 1994-08-19 |
| JP2835479B2 JP2835479B2 (ja) | 1998-12-14 |
Family
ID=12361112
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3251593A Expired - Lifetime JP2835479B2 (ja) | 1992-05-18 | 1993-01-29 | 処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2835479B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9452452B2 (en) | 2012-03-09 | 2016-09-27 | Tokyo Electron Limited | Liquid processing apparatus |
-
1993
- 1993-01-29 JP JP3251593A patent/JP2835479B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9452452B2 (en) | 2012-03-09 | 2016-09-27 | Tokyo Electron Limited | Liquid processing apparatus |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2835479B2 (ja) | 1998-12-14 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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