JPH0623670B2 - 光電子増倍管 - Google Patents
光電子増倍管Info
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- JPH0623670B2 JPH0623670B2 JP1239190A JP23919089A JPH0623670B2 JP H0623670 B2 JPH0623670 B2 JP H0623670B2 JP 1239190 A JP1239190 A JP 1239190A JP 23919089 A JP23919089 A JP 23919089A JP H0623670 B2 JPH0623670 B2 JP H0623670B2
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J43/00—Secondary-emission tubes; Electron-multiplier tubes
- H01J43/04—Electron multipliers
- H01J43/06—Electrode arrangements
- H01J43/12—Anode arrangements
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
- G01T1/00—Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
- G01T1/16—Measuring radiation intensity
- G01T1/28—Measuring radiation intensity with secondary-emission detectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J43/00—Secondary-emission tubes; Electron-multiplier tubes
- H01J43/04—Electron multipliers
- H01J43/045—Position sensitive electron multipliers
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- High Energy & Nuclear Physics (AREA)
- Molecular Biology (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
- Measurement Of Radiation (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は入射された微弱光を増倍して検出する光電子増
倍管（フォトマルチプライヤチューブ：ＰＭＴ）に関
し、特に微弱光の入射位置をマルチアノードにより検出
するＰＭＴに関するものである。
倍管（フォトマルチプライヤチューブ：ＰＭＴ）に関
し、特に微弱光の入射位置をマルチアノードにより検出
するＰＭＴに関するものである。
従来、この種のＰＭＴは、例えば、ポジトロンＣＴ（コ
ンピュータ断層撮影）における放射線検出器等に用いら
れる。放射線検出器はディスクリートなクリスタルと１
本のＰＭＴとによって構成されのが一般的である。クリ
スタルは放射線が照射されることにより発光し、ＰＭＴ
はクリスタルに生じた光を光電変換して増倍する。そし
て、ＰＭＴに設けられたアノードにより、放射線の入射
位置が検出される。第７図および第８図は、いずれもト
ランザクション・オン・ニュークリア・サイエンス（IE
EE Transactions on Nuclear Science Vol.36 NO.1 Feb
uruary 1989）の文献に示された放射線検出器に用いら
れるＰＭＴを示すものである。
ンピュータ断層撮影）における放射線検出器等に用いら
れる。放射線検出器はディスクリートなクリスタルと１
本のＰＭＴとによって構成されのが一般的である。クリ
スタルは放射線が照射されることにより発光し、ＰＭＴ
はクリスタルに生じた光を光電変換して増倍する。そし
て、ＰＭＴに設けられたアノードにより、放射線の入射
位置が検出される。第７図および第８図は、いずれもト
ランザクション・オン・ニュークリア・サイエンス（IE
EE Transactions on Nuclear Science Vol.36 NO.1 Feb
uruary 1989）の文献に示された放射線検出器に用いら
れるＰＭＴを示すものである。
第７図はマルチセグメントＰＭＴの構造を示し、同図
（ａ）は側面図，（ｂ）は正面図，（ｃ）は平面図であ
る。ＰＭＴ５は４セグメント１〜４に分離されて構成さ
れており、フォトカソード６に入射された光は各セグメ
ント１〜４毎に増倍される。つまり、フォトカソード６
により光電変換された光電子はダイノード７〜１６の２
次電子放出作用によって増倍され、アノード１７により
検出される。そして、どのセグメント１〜４のアノード
１７に検出されたかにより、光の入射位置が弁別され
る。
（ａ）は側面図，（ｂ）は正面図，（ｃ）は平面図であ
る。ＰＭＴ５は４セグメント１〜４に分離されて構成さ
れており、フォトカソード６に入射された光は各セグメ
ント１〜４毎に増倍される。つまり、フォトカソード６
により光電変換された光電子はダイノード７〜１６の２
次電子放出作用によって増倍され、アノード１７により
検出される。そして、どのセグメント１〜４のアノード
１７に検出されたかにより、光の入射位置が弁別され
る。
第８図はモザイクＢＧＯによる放射線検出器の構成を示
すものであり、多数のクリスタル２１と１本の位置検出
型ＰＭＴ２２とから構成されている。クリスタル２１に
γ線が照射されるとフォトンが生じ、このフォトンはウ
ィンド２３を介してフォトカソード２４に衝突する。こ
れによって得られた光電子はメッシュ状のダイノード２
５およびラストダイノード２６によって増倍され、Ｘ，
Ｙ方向に交差して形成されたマルチワイヤアノード２７
により、γ線の入射位置が検出される。
すものであり、多数のクリスタル２１と１本の位置検出
型ＰＭＴ２２とから構成されている。クリスタル２１に
γ線が照射されるとフォトンが生じ、このフォトンはウ
ィンド２３を介してフォトカソード２４に衝突する。こ
れによって得られた光電子はメッシュ状のダイノード２
５およびラストダイノード２６によって増倍され、Ｘ，
Ｙ方向に交差して形成されたマルチワイヤアノード２７
により、γ線の入射位置が検出される。
上記従来の検出器は、１本のＰＭＴ５，２２によって構
成されて多数の検出器を必要としないために経済的であ
る。しかしながら、入射される光の入射位置を精度良く
検出するためには、１本のＰＭＴで多数のセグメントを
弁別する必要がある。第７図に示されたＰＭＴ５におい
て、１本のＰＭＴ５を分離して多数のセグメントを形成
することは、現在の電子管技術では困難である。また、
第８図に示されたＰＭＴ２２においては、比較的精度良
く光の入射位置を検出することは可能であるが、入射位
置を検出するための演算回路が複雑化する。このため、
検出器の応答速度は遅くなり、入射される放射線の計数
率は低下する。
成されて多数の検出器を必要としないために経済的であ
る。しかしながら、入射される光の入射位置を精度良く
検出するためには、１本のＰＭＴで多数のセグメントを
弁別する必要がある。第７図に示されたＰＭＴ５におい
て、１本のＰＭＴ５を分離して多数のセグメントを形成
することは、現在の電子管技術では困難である。また、
第８図に示されたＰＭＴ２２においては、比較的精度良
く光の入射位置を検出することは可能であるが、入射位
置を検出するための演算回路が複雑化する。このため、
検出器の応答速度は遅くなり、入射される放射線の計数
率は低下する。
本発明はこのような課題を解消するためになされたもの
で、光電子を収集するアノードは、特定方向に配置さ
れ、この特定方向における光電子の受光位置を検出する
複数の第１のアノードと、この複数の第１の各アノード
毎に前記特定方向と直交する方向に配置され、特定方向
と直交する方向における光電子の受光位置を検出する複
数の第２のアノードとから構成されたものである。
で、光電子を収集するアノードは、特定方向に配置さ
れ、この特定方向における光電子の受光位置を検出する
複数の第１のアノードと、この複数の第１の各アノード
毎に前記特定方向と直交する方向に配置され、特定方向
と直交する方向における光電子の受光位置を検出する複
数の第２のアノードとから構成されたものである。
光電子は複数の第１の各アノード毎に複数の第２のアノ
ードによって検出され、その入射位置が弁別される。
ードによって検出され、その入射位置が弁別される。
以下に本発明によるＰＭＴを、ポジトロンＣＴにおける
放射線検出器に適用した場合の一実施例について説明す
る。
放射線検出器に適用した場合の一実施例について説明す
る。
第２図は本発明の一実施例による放射線検出器のクリス
タル部の構造を示し、同図（ａ）は正面図，同図（ｂ）
は側面図である。ディスクリートなクリスタルはビスマ
ス酸ゲルマニウム（ＢＧＯ）アレイ４１によって構成さ
れ、このＢＧＯアレイ４１の１ブロックは同図（ａ）に
示されるようにＸ方向に１６分割されている。また、こ
の１ブロックは同図（ｂ）に示されるようにＹ方向に４
ブロックが並べられており、Ｘ，Ｙ方向に２次元配置さ
れている。Ｘ方向およびＹ方向は、ポジトロンＣＴにお
ける円周方向およびスライス方向に対応する方向であ
る。ＢＧＯアレイ４１の各ブロックの側面にはアバラン
シェフォトダイオード（ＡＰＤ）アレイ４２が各ブロッ
ク毎に固着されている。このＡＰＤアレイ４２は放射線
が入射される深さ方向に４個のＡＰＤ素子が配置される
ことにより構成されている。また、ＢＧＯアレイ４１は
２次元マルチアノード（２Ｄ−ＭＡ）ＰＭＴ４３の入力
面側に固着されている。
タル部の構造を示し、同図（ａ）は正面図，同図（ｂ）
は側面図である。ディスクリートなクリスタルはビスマ
ス酸ゲルマニウム（ＢＧＯ）アレイ４１によって構成さ
れ、このＢＧＯアレイ４１の１ブロックは同図（ａ）に
示されるようにＸ方向に１６分割されている。また、こ
の１ブロックは同図（ｂ）に示されるようにＹ方向に４
ブロックが並べられており、Ｘ，Ｙ方向に２次元配置さ
れている。Ｘ方向およびＹ方向は、ポジトロンＣＴにお
ける円周方向およびスライス方向に対応する方向であ
る。ＢＧＯアレイ４１の各ブロックの側面にはアバラン
シェフォトダイオード（ＡＰＤ）アレイ４２が各ブロッ
ク毎に固着されている。このＡＰＤアレイ４２は放射線
が入射される深さ方向に４個のＡＰＤ素子が配置される
ことにより構成されている。また、ＢＧＯアレイ４１は
２次元マルチアノード（２Ｄ−ＭＡ）ＰＭＴ４３の入力
面側に固着されている。
第１図（ａ）はこの２Ｄ−ＭＡ・ＰＭＴ４３のマルチア
ノードのパターン形状を示し、同図（ｂ）はこのパター
ンの一部拡大図である。光電子を加速して収集するマル
チ・アノードはＰＭＴ４３の出力面側に形成され、第１
のアノードである複数のＹアノード４４および第２のア
ノードである複数のＸアノード４５が２次元配置される
ことにより構成されている。つまり、Ｙアノード４４は
特定方向であるＹ方向に４列配置され、このＹ方向にお
ける光電子の入射位置を検出する。Ｘアノード４５はこ
の各Ｙアノード４４毎にＹ方向と直交する方向であるＸ
方向に１６個配置され、Ｘ方向における光電子の入射位
置を検出する。Ｘアノード４５には合計１６×４＝６４
個のアノードが使用されている。
ノードのパターン形状を示し、同図（ｂ）はこのパター
ンの一部拡大図である。光電子を加速して収集するマル
チ・アノードはＰＭＴ４３の出力面側に形成され、第１
のアノードである複数のＹアノード４４および第２のア
ノードである複数のＸアノード４５が２次元配置される
ことにより構成されている。つまり、Ｙアノード４４は
特定方向であるＹ方向に４列配置され、このＹ方向にお
ける光電子の入射位置を検出する。Ｘアノード４５はこ
の各Ｙアノード４４毎にＹ方向と直交する方向であるＸ
方向に１６個配置され、Ｘ方向における光電子の入射位
置を検出する。Ｘアノード４５には合計１６×４＝６４
個のアノードが使用されている。
Ｙ方向に粗に配置されたＹアノード４４は空領を挾んで
相互に電気的に独立しており、各Ｙアノード４４におい
て複数のセグメントが構成されている。また、Ｘ方向に
密に配置された各Ｘアノード４５はその周囲がＹアノー
ド４４と空領を挾んで形成され、各Ｙアノード４４にお
いて各Ｘアノード４５とＹアノード４４とは電気的に独
立している。各Ｙアノード４４間には図示しないスライ
スコリメータが配置される。また、１６個の各Ｘアノー
ド４５の中心がＢＧＯアレイ４１を構成する１６個の各
クリスタルの中心と１対１に対応するように、マルチア
ノードはＰＭＴ４３の面板に取り付けられている。
相互に電気的に独立しており、各Ｙアノード４４におい
て複数のセグメントが構成されている。また、Ｘ方向に
密に配置された各Ｘアノード４５はその周囲がＹアノー
ド４４と空領を挾んで形成され、各Ｙアノード４４にお
いて各Ｘアノード４５とＹアノード４４とは電気的に独
立している。各Ｙアノード４４間には図示しないスライ
スコリメータが配置される。また、１６個の各Ｘアノー
ド４５の中心がＢＧＯアレイ４１を構成する１６個の各
クリスタルの中心と１対１に対応するように、マルチア
ノードはＰＭＴ４３の面板に取り付けられている。
マルチアノード・パターンの外形寸法は６６mm×６２mm
である。また、Ｘアノード４５は８．８mm×１．５mm角
に形成され、Ｙアノード４４は６５．５mm×１２．８mm
角に形成されている。各セグメント毎における１６個の
Ｘアノード４５の合計面積とＹアノード４４の面積とは
等しく形成されている。これは、各セグメントにおい
て、Ｘアノード４５およびＹアノード４４の各アノード
に同量の信号を生じさせるためである。
である。また、Ｘアノード４５は８．８mm×１．５mm角
に形成され、Ｙアノード４４は６５．５mm×１２．８mm
角に形成されている。各セグメント毎における１６個の
Ｘアノード４５の合計面積とＹアノード４４の面積とは
等しく形成されている。これは、各セグメントにおい
て、Ｘアノード４５およびＹアノード４４の各アノード
に同量の信号を生じさせるためである。
第３図は本実施例の全体の構成を示すブロック図であ
る。γ線がＢＧＯアレイ４１に入射すると入射位置で発
光する。この光はＰＭＴ４３によって光電変換され、さ
らに光電子増幅されて上述のマルチアノードに与えられ
る。マルチアノードからは、γ線の２次元入射位置情報
が電気信号として出力される。つまり、Ｘアノード４５
からはＢＧＯアレイ４１の各セグメントに対応した電気
信号Ｘ０，Ｘ１，Ｘ２，Ｘ３が出力される。各信号Ｘは
１６分割のクリスタルに対応した１６個の信号成分から
なる（Ｘ−００〜１５）。Ｙアノード４４からは電気信
号Ｙが出力され、この信号Ｙは４ブロックのクリスタル
に対応した４個の信号成分からなる（Ｙ０〜３）。ま
た、これと同時にγ線の入射深さ情報は、ＡＰＤアレイ
４２によって検出され、４個の各ＡＰＤアレイ４２から
は電気信号ｄ０，ｄ１，ｄ２，ｄ３が出力される。各信
号ｄは深さ方向に配置された４つのＡＰＤ素子に対応し
た４個の信号成分からなる（ｄ−０〜３）。
る。γ線がＢＧＯアレイ４１に入射すると入射位置で発
光する。この光はＰＭＴ４３によって光電変換され、さ
らに光電子増幅されて上述のマルチアノードに与えられ
る。マルチアノードからは、γ線の２次元入射位置情報
が電気信号として出力される。つまり、Ｘアノード４５
からはＢＧＯアレイ４１の各セグメントに対応した電気
信号Ｘ０，Ｘ１，Ｘ２，Ｘ３が出力される。各信号Ｘは
１６分割のクリスタルに対応した１６個の信号成分から
なる（Ｘ−００〜１５）。Ｙアノード４４からは電気信
号Ｙが出力され、この信号Ｙは４ブロックのクリスタル
に対応した４個の信号成分からなる（Ｙ０〜３）。ま
た、これと同時にγ線の入射深さ情報は、ＡＰＤアレイ
４２によって検出され、４個の各ＡＰＤアレイ４２から
は電気信号ｄ０，ｄ１，ｄ２，ｄ３が出力される。各信
号ｄは深さ方向に配置された４つのＡＰＤ素子に対応し
た４個の信号成分からなる（ｄ−０〜３）。
マルチアノードからの信号ＸおよびＡＰＤアレイ４２か
らの信号ｄは、ＢＧＯアレイ４１の各セグメント毎に波
形整形回路５１〜５４に与えられ、マルチアノードから
の信号Ｙは波形整形回路５５に与えられる。各波形整形
回路５１〜５５に与えられた信号は増幅され、その後、
クリッピングにより波形整形されて出力される。各波形
整形回路５１〜５４から出力された各信号ｄ′および
Ｘ′はＸ，ｄ方向隣接コンパレータ５６〜５９に与えら
れ、隣接するＡＰＤ素子の各出力信号および隣接するＸ
アノード４５の各出力信号が後述するように比較され
る。この結果、ＢＧＯアレイ４１に入射したγ線の深さ
方向およびＸ方向の各位置が検出される。また、波形整
形回路５５から出力された信号Ｙ′はＹ方向隣接コンパ
レータ６０に与えられ、放射線入射のタイミングピック
オフおよびエネルギーのディスクリがかけられる。そし
て、隣接するＹアノード４４の各出力信号が後述するよ
うに比較され、γ線のＹ方向の入射位置が検出される。
らの信号ｄは、ＢＧＯアレイ４１の各セグメント毎に波
形整形回路５１〜５４に与えられ、マルチアノードから
の信号Ｙは波形整形回路５５に与えられる。各波形整形
回路５１〜５５に与えられた信号は増幅され、その後、
クリッピングにより波形整形されて出力される。各波形
整形回路５１〜５４から出力された各信号ｄ′および
Ｘ′はＸ，ｄ方向隣接コンパレータ５６〜５９に与えら
れ、隣接するＡＰＤ素子の各出力信号および隣接するＸ
アノード４５の各出力信号が後述するように比較され
る。この結果、ＢＧＯアレイ４１に入射したγ線の深さ
方向およびＸ方向の各位置が検出される。また、波形整
形回路５５から出力された信号Ｙ′はＹ方向隣接コンパ
レータ６０に与えられ、放射線入射のタイミングピック
オフおよびエネルギーのディスクリがかけられる。そし
て、隣接するＹアノード４４の各出力信号が後述するよ
うに比較され、γ線のＹ方向の入射位置が検出される。
このＹ方向の入射位置情報はＸ，ｄ方向の各隣接コンパ
レータ５６〜５９に信号１−ｃｋ０〜３として与えられ
る。各隣接コンパレータ５６〜５９はこれら信号を受
け、γ線の入射位置情報を情報出力バッファ６１〜６４
に出力する。情報出力バッファ６１〜６４はポジトロン
ＣＴの各リング出力Ring０〜３に対応している。隣接コ
ンパレータ６０からのタイミング信号Ｔ０〜３により各
位置情報はラッチされ、各バッファ６１〜６４からは最
終出力信号としてＸ方向４ビット，深さ方向２ビットの
エンコードされたアドレス信号がタイミング信号と共に
出力される。
レータ５６〜５９に信号１−ｃｋ０〜３として与えられ
る。各隣接コンパレータ５６〜５９はこれら信号を受
け、γ線の入射位置情報を情報出力バッファ６１〜６４
に出力する。情報出力バッファ６１〜６４はポジトロン
ＣＴの各リング出力Ring０〜３に対応している。隣接コ
ンパレータ６０からのタイミング信号Ｔ０〜３により各
位置情報はラッチされ、各バッファ６１〜６４からは最
終出力信号としてＸ方向４ビット，深さ方向２ビットの
エンコードされたアドレス信号がタイミング信号と共に
出力される。
第４図は各隣接コンパレータ５６〜５９に構成されるＸ
方向の位置検出を行う検出器の回路図である。Ｘアノー
ド４５を構成する１６個のアノード＃０〜＃１５から得
られる信号は、増幅器１００〜１１５により増幅され
る。増幅後、コンパレータ２００〜２１５により所定の
スレシホールドレベル以上の信号のみが出力され、ラッ
チ回路７０によりラッチされる。また、コンパレータ２
２１〜２３５により隣接する各アノード＃０〜＃１５の
出力信号どうしの大小が比較され、この出力信号もラッ
チ回路７０によってラッチされる。
方向の位置検出を行う検出器の回路図である。Ｘアノー
ド４５を構成する１６個のアノード＃０〜＃１５から得
られる信号は、増幅器１００〜１１５により増幅され
る。増幅後、コンパレータ２００〜２１５により所定の
スレシホールドレベル以上の信号のみが出力され、ラッ
チ回路７０によりラッチされる。また、コンパレータ２
２１〜２３５により隣接する各アノード＃０〜＃１５の
出力信号どうしの大小が比較され、この出力信号もラッ
チ回路７０によってラッチされる。
ここで、第５図に示されるような波形入力があったとす
ると、コンパレータ２２１〜２３５からは図のような出
力が得られ、この隣合う出力どうしがエクスクルシブオ
ア（ＥＯＲ）３０１〜３１４で比較される。この比較に
より、ＥＯＲ出力が「１」となる所、つまり、コンパレ
ータ出力が「０」→「１」となる箇所が検出される。こ
の場合、ピークの変化点にあるアノード出力のみが
「１」になる。このＥＯＲ出力とスレシホールドレベル
比較出力との論理積がアンド（ＡＮＤ）４００〜４１５
によって演算されることにより、１６個のアノード＃０
〜＃１５のうちの１個がピーク値として選択される。そ
して、スレシホールドレベル以上の有効な出力であれ
ば、エンコーダ７１によってアドレス信号に変換され、
ラッチ回路７２から４ビットのアドレス信号（ヘクサ信
号）が出力される。
ると、コンパレータ２２１〜２３５からは図のような出
力が得られ、この隣合う出力どうしがエクスクルシブオ
ア（ＥＯＲ）３０１〜３１４で比較される。この比較に
より、ＥＯＲ出力が「１」となる所、つまり、コンパレ
ータ出力が「０」→「１」となる箇所が検出される。こ
の場合、ピークの変化点にあるアノード出力のみが
「１」になる。このＥＯＲ出力とスレシホールドレベル
比較出力との論理積がアンド（ＡＮＤ）４００〜４１５
によって演算されることにより、１６個のアノード＃０
〜＃１５のうちの１個がピーク値として選択される。そ
して、スレシホールドレベル以上の有効な出力であれ
ば、エンコーダ７１によってアドレス信号に変換され、
ラッチ回路７２から４ビットのアドレス信号（ヘクサ信
号）が出力される。
以上の説明はＸ方向の位置検出のみを示しているが、深
さｄ方向およびＹ方向においても同様であり、その説明
は省略する。
さｄ方向およびＹ方向においても同様であり、その説明
は省略する。
マルチアノードおよびＡＰＤアレイ４２に検出された検
出信号は電子の拡がりによってある分布曲線として検出
される。しかし、この簡易な構成をした隣接コンパレー
タの演算により、各方向におけるピーク値は高速にかつ
誤りなく検出され、γ線の入射位置が各セグメントにお
いてＸ方向１６分割，深さ方向４分割で正確に弁別され
る。しかも、４つの各セグメント毎に並列処理されるた
め、次のような利点が生じる。
出信号は電子の拡がりによってある分布曲線として検出
される。しかし、この簡易な構成をした隣接コンパレー
タの演算により、各方向におけるピーク値は高速にかつ
誤りなく検出され、γ線の入射位置が各セグメントにお
いてＸ方向１６分割，深さ方向４分割で正確に弁別され
る。しかも、４つの各セグメント毎に並列処理されるた
め、次のような利点が生じる。
すなわち、第８図に示される（ＰＭＴ２２における）従
来のＸ，Ｙ方向のマルチワイヤアノードでは、例えば、
γ線が２カ所に同時に入射した場合には、Ｘ，Ｙ方向の
各ワイヤアノードにピーク値が２カ所生じる。このた
め、各方向における位置検出回路のＡＮＤ４００〜４１
５の出力に２カ所の「１」が生じる。この結果、各方向
における位置検出は不可能になる。しかし、上記の本実
施例によればこのようなことは無い。つまり、γ線が２
カ所に同時に入射しても、Ｙアノード４４は相互に独立
しており、Ｙ方向における各セグメント毎に並列演算処
理が進められているため、２カ所に入射したγ線の入射
位置は弁別される。
来のＸ，Ｙ方向のマルチワイヤアノードでは、例えば、
γ線が２カ所に同時に入射した場合には、Ｘ，Ｙ方向の
各ワイヤアノードにピーク値が２カ所生じる。このた
め、各方向における位置検出回路のＡＮＤ４００〜４１
５の出力に２カ所の「１」が生じる。この結果、各方向
における位置検出は不可能になる。しかし、上記の本実
施例によればこのようなことは無い。つまり、γ線が２
カ所に同時に入射しても、Ｙアノード４４は相互に独立
しており、Ｙ方向における各セグメント毎に並列演算処
理が進められているため、２カ所に入射したγ線の入射
位置は弁別される。
また、ＡＰＤアレイ４２を設けたことにより、γ線の深
さ方向の位置情報をも収集することができ、入射位置の
より正確な位置検出が可能になった。
さ方向の位置情報をも収集することができ、入射位置の
より正確な位置検出が可能になった。
なお、以上の本実施例の説明において、マルチアノード
は第１図に示される構成としたが、第６図に示される構
成であっても良く、上記実施例と同様な効果を奏する。
すなわち、同図（ａ）はＸアノード８１とＹアノード８
２とを空領を介して櫛歯状に配置した１セグメントを示
し、同図（ｂ）はＸアノード８３とＹアノード８４とを
絶縁膜を介して交互に配置し、各Ｙアノード８４を電気
的に接続した１セグメントを示す。
は第１図に示される構成としたが、第６図に示される構
成であっても良く、上記実施例と同様な効果を奏する。
すなわち、同図（ａ）はＸアノード８１とＹアノード８
２とを空領を介して櫛歯状に配置した１セグメントを示
し、同図（ｂ）はＸアノード８３とＹアノード８４とを
絶縁膜を介して交互に配置し、各Ｙアノード８４を電気
的に接続した１セグメントを示す。
また、上記実施例の説明において、Ｙ方向セグメントは
４個に構成したが、この数に限定されることはなく、他
の個数であっても良く、上記実施例と同様な効果を奏す
る。
４個に構成したが、この数に限定されることはなく、他
の個数であっても良く、上記実施例と同様な効果を奏す
る。
以上説明したように本発明によれば、光電子は複数の第
１の各アノード毎に複数の第２のアノードによって検出
され、その入射位置が弁別される。このため、１本のＰ
ＭＴで多数のセグメントを容易にかつ経済的に弁別する
ことが可能になるという効果を有する。また、ＰＭＴに
おける光の入射位置を検出するための演算回路は簡略化
され、検出器の応答速度は速まり、入射される放射線の
計数率は向上するという効果を有する。
１の各アノード毎に複数の第２のアノードによって検出
され、その入射位置が弁別される。このため、１本のＰ
ＭＴで多数のセグメントを容易にかつ経済的に弁別する
ことが可能になるという効果を有する。また、ＰＭＴに
おける光の入射位置を検出するための演算回路は簡略化
され、検出器の応答速度は速まり、入射される放射線の
計数率は向上するという効果を有する。
第１図は本発明の一実施例によるマルチアノードの構成
を示すパターン図、第２図はこの実施例に使用されるク
リスタル部の構造図、第３図はこの実施例の全体構成を
示すブロック図、第４図はこの実施例に使用される隣接
コンパレータによる位置検出の回路図、第５図は第４図
に示された回路により行われる演算を説明するための
図、第６図はマルチアノードの他の構成例を示すパター
ン図、第７図は従来のマルチセグメントＰＭＴの構造
図、第８図は従来の放射線検出器の構成図である。 ４１……ＢＧＯアレイ、４２……ＡＰＤアレイ、４３…
…２次元マルチアノードＰＭＴ、４４……Ｙアノード、
４５……Ｘアノード。
を示すパターン図、第２図はこの実施例に使用されるク
リスタル部の構造図、第３図はこの実施例の全体構成を
示すブロック図、第４図はこの実施例に使用される隣接
コンパレータによる位置検出の回路図、第５図は第４図
に示された回路により行われる演算を説明するための
図、第６図はマルチアノードの他の構成例を示すパター
ン図、第７図は従来のマルチセグメントＰＭＴの構造
図、第８図は従来の放射線検出器の構成図である。 ４１……ＢＧＯアレイ、４２……ＡＰＤアレイ、４３…
…２次元マルチアノードＰＭＴ、４４……Ｙアノード、
４５……Ｘアノード。
Claims (1)
- 【請求項１】入射した光を光電子に変換する光電面と、
この光電子を増倍するダイノードと、倍増された光電子
を収集するアノードとを備えて構成される光電子増倍管
において、前記アノードは、特定方向に配置されこの特
定方向における光電子の受光位置を検出する複数の第１
のアノードと、この複数の第１の各アノード毎に前記特
定方向と直交する方向に配置され前記特定方向と直交す
る方向における光電子の受光位置を検出する複数の第２
のアノードとから構成されたことを特徴とする光電子増
倍管。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1239190A JPH0623670B2 (ja) | 1989-09-14 | 1989-09-14 | 光電子増倍管 |
| US07/579,675 US5111051A (en) | 1989-09-14 | 1990-09-10 | Multi-anode array photomultiplier tube |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1239190A JPH0623670B2 (ja) | 1989-09-14 | 1989-09-14 | 光電子増倍管 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03102226A JPH03102226A (ja) | 1991-04-26 |
| JPH0623670B2 true JPH0623670B2 (ja) | 1994-03-30 |
Family
ID=17041056
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1239190A Expired - Lifetime JPH0623670B2 (ja) | 1989-09-14 | 1989-09-14 | 光電子増倍管 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5111051A (ja) |
| JP (1) | JPH0623670B2 (ja) |
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0627828B2 (ja) * | 1991-02-27 | 1994-04-13 | 浜松ホトニクス株式会社 | 位置検出器 |
| JP3445663B2 (ja) * | 1994-08-24 | 2003-09-08 | 浜松ホトニクス株式会社 | 光電子増倍管 |
| DE10144764C2 (de) * | 2001-09-11 | 2003-06-26 | Forschungszentrum Juelich Gmbh | Verfahren zum Auslesen von Meßsignalen aus Vielkanal-Photomultipliern sowie Schaltung dafür |
| US9490910B2 (en) * | 2013-03-15 | 2016-11-08 | Fairfield Industries Incorporated | High-bandwidth underwater data communication system |
| US9490911B2 (en) | 2013-03-15 | 2016-11-08 | Fairfield Industries Incorporated | High-bandwidth underwater data communication system |
| CN104215994A (zh) * | 2014-09-02 | 2014-12-17 | 中国原子能科学研究院 | 一种位置灵敏型大面积表面污染检测装置 |
| CN105428198B (zh) * | 2015-11-13 | 2017-07-25 | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 | 采用高温共烧多层陶瓷工艺制作矩阵阳极及方法 |
| US10186406B2 (en) * | 2016-03-29 | 2019-01-22 | KLA—Tencor Corporation | Multi-channel photomultiplier tube assembly |
| US10712458B2 (en) | 2016-06-30 | 2020-07-14 | Magseis Ff Llc | Seismic surveys with optical communication links |
| EP3758040A1 (en) * | 2019-06-26 | 2020-12-30 | Technical University of Denmark | Photo-cathode for a vacuum system |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4703168A (en) * | 1985-07-22 | 1987-10-27 | Princeton Applied Research Corporation | Multiplexed wedge anode detector |
| JPH0636032B2 (ja) * | 1987-05-30 | 1994-05-11 | 浜松ホトニクス株式会社 | 光又は放射線入射位置検出装置 |
-
1989
- 1989-09-14 JP JP1239190A patent/JPH0623670B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1990
- 1990-09-10 US US07/579,675 patent/US5111051A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH03102226A (ja) | 1991-04-26 |
| US5111051A (en) | 1992-05-05 |
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