JPH06236878A - 金属配線 - Google Patents
金属配線Info
- Publication number
- JPH06236878A JPH06236878A JP50A JP2114593A JPH06236878A JP H06236878 A JPH06236878 A JP H06236878A JP 50 A JP50 A JP 50A JP 2114593 A JP2114593 A JP 2114593A JP H06236878 A JPH06236878 A JP H06236878A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wiring
- metal
- alloy
- metal wiring
- insulating film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は、半導体装置の金属配線におけるCu
配線とAl配線との接合界面において、CuがAl配線中に拡
散しない構造を提供することを目的とする。 【構成】 半導体装置に設けられる金属配線構造におい
て、銅からなる第１の配線４１と、アルミニウム合金か
らなる第２の配線５１の接合部分にはバリア層４３ｂが
介在していることを特徴とする。
配線とAl配線との接合界面において、CuがAl配線中に拡
散しない構造を提供することを目的とする。 【構成】 半導体装置に設けられる金属配線構造におい
て、銅からなる第１の配線４１と、アルミニウム合金か
らなる第２の配線５１の接合部分にはバリア層４３ｂが
介在していることを特徴とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置に設けられ
る金属配線の構造に関するものである。
る金属配線の構造に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体装置は、ＬＳＩからＶＬＳ
Ｉへ、さらにはＵＬＳＩへとその集積度を向上させてお
り、これにともない配線の幅やコンタクトホールの径に
おける微細化が著しく進んでいる。
Ｉへ、さらにはＵＬＳＩへとその集積度を向上させてお
り、これにともない配線の幅やコンタクトホールの径に
おける微細化が著しく進んでいる。
【０００３】このような技術開発の進展において、半導
体装置の配線としてCuやCu合金を用いる技術（特開平２
−１１９１４０等）が開示されているが、Cuを用いた配
線はAlを用いたものに比べ、配線の劣化や切断等が起こ
りにくいという特徴を有する反面、微細加工が困難であ
り、また、加工コストも大きいこと等の欠点がある。そ
のため、半導体装置内の全ての配線にCuを用いるのでは
なく、特に信頼性が要求される部分にCuを用いて、他の
部分はAlを用いるようになった。
体装置の配線としてCuやCu合金を用いる技術（特開平２
−１１９１４０等）が開示されているが、Cuを用いた配
線はAlを用いたものに比べ、配線の劣化や切断等が起こ
りにくいという特徴を有する反面、微細加工が困難であ
り、また、加工コストも大きいこと等の欠点がある。そ
のため、半導体装置内の全ての配線にCuを用いるのでは
なく、特に信頼性が要求される部分にCuを用いて、他の
部分はAlを用いるようになった。
【０００４】例えば、多層配線間のヴィア孔や、素子と
配線間のコンタクト孔にのみCuを用いたり、金属配線の
一部分にのみCuを用いたり、或いは電源ラインにのみCu
を用いたりすることがある。
配線間のコンタクト孔にのみCuを用いたり、金属配線の
一部分にのみCuを用いたり、或いは電源ラインにのみCu
を用いたりすることがある。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】このように、Cu配線と
Al配線とを共用し、これらを接続するときは当然のこと
ながら両者の間に接合界面が生じることになる。
Al配線とを共用し、これらを接続するときは当然のこと
ながら両者の間に接合界面が生じることになる。
【０００６】しかし、このような接合界面においては、
外部から加わる熱や配線を流れる電流によって生じるジ
ュール熱等により、Cu配線中に含まれるCuがAl配線中に
拡散する場合がある。このために接合界面において電気
的な接続が不十分となる等して接合抵抗の上昇を招いた
り、また、配線自体の物理的強度の低下を招いたりし
て、配線の信頼性を損なうことがある。
外部から加わる熱や配線を流れる電流によって生じるジ
ュール熱等により、Cu配線中に含まれるCuがAl配線中に
拡散する場合がある。このために接合界面において電気
的な接続が不十分となる等して接合抵抗の上昇を招いた
り、また、配線自体の物理的強度の低下を招いたりし
て、配線の信頼性を損なうことがある。
【０００７】そこで、本発明は、上記問題点を解決する
金属配線を提供することを目的とする。
金属配線を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記問題点を解決するた
めに、本発明は、半導体装置に設けられる金属配線にお
いて、銅又は銅合金からなる第１の配線と、アルミニウ
ム又はアルミニウム合金からなる第２の配線とを有し、
第１の配線と、第２の配線との接合部分には同の拡散を
防止する導電性バリア層が介在していることを特徴とす
る。
めに、本発明は、半導体装置に設けられる金属配線にお
いて、銅又は銅合金からなる第１の配線と、アルミニウ
ム又はアルミニウム合金からなる第２の配線とを有し、
第１の配線と、第２の配線との接合部分には同の拡散を
防止する導電性バリア層が介在していることを特徴とす
る。
【０００９】また、導電性バリア層としては、ＶＩＩＩ
族金属又はＶＩＩＩ族金属の化合物が用いられることが
望ましい。
族金属又はＶＩＩＩ族金属の化合物が用いられることが
望ましい。
【００１０】
【作用】上記の構成によれば、Al配線と、Cu配線とはバ
リア層を介して接合されており、Cu又はCu合金と、Al又
はAl合金とが直接接触することがないので、両者が直接
反応し会うことがなく、このためCu配線に含まれるCuが
Al配線中に拡散することがない。
リア層を介して接合されており、Cu又はCu合金と、Al又
はAl合金とが直接接触することがないので、両者が直接
反応し会うことがなく、このためCu配線に含まれるCuが
Al配線中に拡散することがない。
【００１１】
【実施例】以下、添付図面を参照して本発明の実施例に
ついて説明する。なお、図面の説明において同一要素に
は同一符号を付し、重複する説明は省略する。
ついて説明する。なお、図面の説明において同一要素に
は同一符号を付し、重複する説明は省略する。
【００１２】図１に基づいて本実施例に係る半導体装置
について説明する。本実施例に係る半導体装置は、ｎ+
領域１１、１２を有するp-Si基板１０上には、SiＯ2 か
らなる第１絶縁膜２０が形成されている。ｎ+ 領域１１
と、ｎ+ 領域１２との間に形成されるチャネル領域上方
にはゲートポリシリコン２３が設けられている。このゲ
ートポリシリコン２３は第１絶縁膜２０内に形成されて
いるものである。ｎ+ 領域１１、１２の上方にはAl合金
からなる直径 0.5μｍのコンタクトプラグ２１、２２が
それぞれ設けられており、このコンタクトプラグ２１、
２２は、第１絶縁膜２０に穿設されたコンタクト孔に埋
め込まれている。
について説明する。本実施例に係る半導体装置は、ｎ+
領域１１、１２を有するp-Si基板１０上には、SiＯ2 か
らなる第１絶縁膜２０が形成されている。ｎ+ 領域１１
と、ｎ+ 領域１２との間に形成されるチャネル領域上方
にはゲートポリシリコン２３が設けられている。このゲ
ートポリシリコン２３は第１絶縁膜２０内に形成されて
いるものである。ｎ+ 領域１１、１２の上方にはAl合金
からなる直径 0.5μｍのコンタクトプラグ２１、２２が
それぞれ設けられており、このコンタクトプラグ２１、
２２は、第１絶縁膜２０に穿設されたコンタクト孔に埋
め込まれている。
【００１３】この第１絶縁膜２０上には厚さ１μｍの金
属配線３１、３２が形成されている。金属配線３１はAl
合金からなり、直径 0.5μｍのコンタクトプラグ２１を
介してｎ+ 領域１１と電気的に接続されている。金属配
線３２は、Al合金配線部３２ａとCu配線部３２ｂとを有
している。Cu配線部３２ｂと、Al合金配線部３２ａ及び
第２絶縁膜３０との間にはバリア膜として膜厚 0.1μｍ
のPd膜３２ｃが設けられている。Al合金配線部３２ａ
は、直径 0.5μｍのコンタクトプラグ２２を介してｎ+
領域１２と電気的に接続されている。
属配線３１、３２が形成されている。金属配線３１はAl
合金からなり、直径 0.5μｍのコンタクトプラグ２１を
介してｎ+ 領域１１と電気的に接続されている。金属配
線３２は、Al合金配線部３２ａとCu配線部３２ｂとを有
している。Cu配線部３２ｂと、Al合金配線部３２ａ及び
第２絶縁膜３０との間にはバリア膜として膜厚 0.1μｍ
のPd膜３２ｃが設けられている。Al合金配線部３２ａ
は、直径 0.5μｍのコンタクトプラグ２２を介してｎ+
領域１２と電気的に接続されている。
【００１４】金属配線３１、３２の形成された第１絶縁
膜２０上には、さらにSiＯ2 からなる第２絶縁膜３０が
形成されている。第２絶縁膜３０上にはAl合金からなる
厚さ１μｍの金属配線４１、４２が形成されている。金
属配線４１は直径 0.5μｍのヴィアプラグ３３を介して
金属配線３１と電気的に接続されている。金属配線４２
は直径 0.5μｍのヴィアプラグ３４を介して金属配線３
２と電気的に接続されている。これらヴィアプラグ３
３、３４は、第２絶縁膜３０に穿設されたヴィア孔にそ
れぞれ埋め込まれている。ヴィアプラグ３３は、Al合金
で形成されている。ヴィアプラグ３４は、Cuによって形
成されている。ヴィアプラグ３４と、絶縁膜３０及び金
属配線４２との間にはバリア層である厚さ 0.1μｍのPd
膜３４ａが設けられている。
膜２０上には、さらにSiＯ2 からなる第２絶縁膜３０が
形成されている。第２絶縁膜３０上にはAl合金からなる
厚さ１μｍの金属配線４１、４２が形成されている。金
属配線４１は直径 0.5μｍのヴィアプラグ３３を介して
金属配線３１と電気的に接続されている。金属配線４２
は直径 0.5μｍのヴィアプラグ３４を介して金属配線３
２と電気的に接続されている。これらヴィアプラグ３
３、３４は、第２絶縁膜３０に穿設されたヴィア孔にそ
れぞれ埋め込まれている。ヴィアプラグ３３は、Al合金
で形成されている。ヴィアプラグ３４は、Cuによって形
成されている。ヴィアプラグ３４と、絶縁膜３０及び金
属配線４２との間にはバリア層である厚さ 0.1μｍのPd
膜３４ａが設けられている。
【００１５】金属配線４１、４２の形成された第２絶縁
膜３０上には、さらにSiＯ2 からなる第３絶縁膜４０が
形成されている。第３絶縁膜４０上には厚さ１μｍの金
属配線５１、５２が形成されている。
膜３０上には、さらにSiＯ2 からなる第３絶縁膜４０が
形成されている。第３絶縁膜４０上には厚さ１μｍの金
属配線５１、５２が形成されている。
【００１６】金属配線５１はCuにより形成されている。
金属配線５１と保護膜５０とが接する部分には、膜厚
0.1μｍのPd膜５１ａが設けられている。この金属配線
５１は直径 0.5μｍのヴィアプラグ４３を介して金属配
線４１と電気的に接続されている。ヴィアプラグ４３
は、Cuにより形成されている。絶縁層４０及び金属配線
４１とヴィアプラグ４３との間にはバリア層である厚さ
0.1μｍのPd膜４３ｂが設けられている。
金属配線５１と保護膜５０とが接する部分には、膜厚
0.1μｍのPd膜５１ａが設けられている。この金属配線
５１は直径 0.5μｍのヴィアプラグ４３を介して金属配
線４１と電気的に接続されている。ヴィアプラグ４３
は、Cuにより形成されている。絶縁層４０及び金属配線
４１とヴィアプラグ４３との間にはバリア層である厚さ
0.1μｍのPd膜４３ｂが設けられている。
【００１７】金属配線５２は、Al合金配線部５２ａとCu
配線部５２ｂとを有している。Cu配線部５２ｂと、保護
膜５０及びAl合金配線部５２ａとの間には、バリア膜と
して膜厚 0.1μｍのPd膜５２ｃが設けられている。金属
配線５２は、Al合金配線部５２ａで直径 0.5μｍのヴィ
アプラグ４４を介して金属配線４２と電気的に接続され
ている。このヴィアプラグ４４はAl合金により形成され
ている。
配線部５２ｂとを有している。Cu配線部５２ｂと、保護
膜５０及びAl合金配線部５２ａとの間には、バリア膜と
して膜厚 0.1μｍのPd膜５２ｃが設けられている。金属
配線５２は、Al合金配線部５２ａで直径 0.5μｍのヴィ
アプラグ４４を介して金属配線４２と電気的に接続され
ている。このヴィアプラグ４４はAl合金により形成され
ている。
【００１８】上記ヴィアプラグ４３、４４が、第３絶縁
膜４０に穿設されたヴィア孔に埋め込まれていることは
いうまでもない。
膜４０に穿設されたヴィア孔に埋め込まれていることは
いうまでもない。
【００１９】そして、表面上に金属配線５１、５２の形
成された第３絶縁膜４０上には、保護膜５０が形成され
ている。
成された第３絶縁膜４０上には、保護膜５０が形成され
ている。
【００２０】なお、上記のAl合金は、Alに１％重量のSi
と、 0.5％重量のCuとが添加されたものである。このよ
うにAl中にCuを加えたのは、Al自身の耐性を高めるため
である。
と、 0.5％重量のCuとが添加されたものである。このよ
うにAl中にCuを加えたのは、Al自身の耐性を高めるため
である。
【００２１】このように、Al合金からなる配線と、Cuか
らなる配線との間にバリア層を設ければCuとAl合金とは
直接接触しないので、半導体装置を作動したときに発生
する熱によりCuがAl合金中に拡散することを防ぐことが
できる。また、Cu配線と絶縁膜との間にもバリア層が設
けられているので、絶縁膜中にCuが拡散することもな
い。
らなる配線との間にバリア層を設ければCuとAl合金とは
直接接触しないので、半導体装置を作動したときに発生
する熱によりCuがAl合金中に拡散することを防ぐことが
できる。また、Cu配線と絶縁膜との間にもバリア層が設
けられているので、絶縁膜中にCuが拡散することもな
い。
【００２２】このようなバリア層がない場合は、Al配線
とCu配線とが時間が経つに連れて互いに反応して、Cu2
Al、CuAl、CuAl2 、CuSi等の種々の反応層を生じること
がある。このような反応層の形成は完成した半導体装置
のみならず、製造過程においても問題となる。つまり、
絶縁膜を堆積させる等の時には基板を高温に曝すことに
なるが、このときバリア層がなければ、上記と同様にAl
配線とCu配線とが互いに反応して、やはり反応層を生じ
てしまうからである。
とCu配線とが時間が経つに連れて互いに反応して、Cu2
Al、CuAl、CuAl2 、CuSi等の種々の反応層を生じること
がある。このような反応層の形成は完成した半導体装置
のみならず、製造過程においても問題となる。つまり、
絶縁膜を堆積させる等の時には基板を高温に曝すことに
なるが、このときバリア層がなければ、上記と同様にAl
配線とCu配線とが互いに反応して、やはり反応層を生じ
てしまうからである。
【００２３】このような反応層は、金属配線に比べると
比抵抗が多きいため、電圧損失が大きくなり、また、ジ
ュール熱も大きくなるので配線部分の局所的温度上昇を
もたらし、この結果、エレクトロマイグレーションやス
トレスマイグレーションを加速することになり配線の劣
化や切断を引起こすことになる。また、このような反応
層は、機械的強度が弱く破壊しやすい上に周囲の金属配
線との膨脹率の差も大きいために、半導体装置の製造中
にCu配線とAl配線との接合界面で劣化が生ずることもあ
る。
比抵抗が多きいため、電圧損失が大きくなり、また、ジ
ュール熱も大きくなるので配線部分の局所的温度上昇を
もたらし、この結果、エレクトロマイグレーションやス
トレスマイグレーションを加速することになり配線の劣
化や切断を引起こすことになる。また、このような反応
層は、機械的強度が弱く破壊しやすい上に周囲の金属配
線との膨脹率の差も大きいために、半導体装置の製造中
にCu配線とAl配線との接合界面で劣化が生ずることもあ
る。
【００２４】従って、本発明は上記の反応層の形成をバ
リア層によって防ぐことができるので、既述した配線の
劣化や切断を防ぐことができる。
リア層によって防ぐことができるので、既述した配線の
劣化や切断を防ぐことができる。
【００２５】このバリア層は少なくともAl配線とCu配線
との界面に存在すればよく、バリア層を形成する材料が
配線以外の部分についても広がっている場合であっても
良い。
との界面に存在すればよく、バリア層を形成する材料が
配線以外の部分についても広がっている場合であっても
良い。
【００２６】なお、バリア層としては、本実施例で用い
たPd以外であっても、伝導性を有する材料で、製造中や
使用中の温度雰囲気でAl配線とCu配線とが直接反応する
ことを防ぐことができるものであれば金属、非金属、金
属化合物を問わず用いることができる。このような物質
として具体的には、Nb、Mo、Ta、Ｗ、Re、Hfなどの高融
点金属、Ｖ、Cr、Mn、Fe、Co、Ni等の典型遷移金属、P
d、Pt、Ru、RhなどのＶＩＩＩ族金属、Ag、Au等のＩＢ
族金属、TiＮ等の窒化物、TiＢ2 、ZrＢ2 、LaＢ6 等の
硼化物、ＷS12 、MoSi2 、Cr3 Si等の珪素化合物、Ti
Ｃ、ZrＣ等の炭化物、その他TiＷ、Bi2 Te2 、Ｂ1-X Ｃ
X 等の各種化合物を挙げることができる。この中でも特
に、本実施例で用いたPdを代表とするPt、Ru、Rh等のＶ
ＩＩＩ族金属あるいはこれらの化合物（例えば、Pt
3 Ｂ、PtＢ、Pd3 Si、PdSi、Pd2 Si、PdＰ3 、Pd3 Ｐ、
Pt3 Al、Pt5 Al3 、Pt3 Al2 ）は、優れた材料として評
価できる。ＶＩＩＩ族金属、あるいはこれらの化合物
は、安定でかつＶＩＩＩ族金属の原子量が大きいため、
Cuとの相互拡散が抑制されるからである。
たPd以外であっても、伝導性を有する材料で、製造中や
使用中の温度雰囲気でAl配線とCu配線とが直接反応する
ことを防ぐことができるものであれば金属、非金属、金
属化合物を問わず用いることができる。このような物質
として具体的には、Nb、Mo、Ta、Ｗ、Re、Hfなどの高融
点金属、Ｖ、Cr、Mn、Fe、Co、Ni等の典型遷移金属、P
d、Pt、Ru、RhなどのＶＩＩＩ族金属、Ag、Au等のＩＢ
族金属、TiＮ等の窒化物、TiＢ2 、ZrＢ2 、LaＢ6 等の
硼化物、ＷS12 、MoSi2 、Cr3 Si等の珪素化合物、Ti
Ｃ、ZrＣ等の炭化物、その他TiＷ、Bi2 Te2 、Ｂ1-X Ｃ
X 等の各種化合物を挙げることができる。この中でも特
に、本実施例で用いたPdを代表とするPt、Ru、Rh等のＶ
ＩＩＩ族金属あるいはこれらの化合物（例えば、Pt
3 Ｂ、PtＢ、Pd3 Si、PdSi、Pd2 Si、PdＰ3 、Pd3 Ｐ、
Pt3 Al、Pt5 Al3 、Pt3 Al2 ）は、優れた材料として評
価できる。ＶＩＩＩ族金属、あるいはこれらの化合物
は、安定でかつＶＩＩＩ族金属の原子量が大きいため、
Cuとの相互拡散が抑制されるからである。
【００２７】本実施例に係る半導体装置には次のような
特徴がある。
特徴がある。
【００２８】即ち、現在、各種半導体装置の内部配線と
しては、一般的にAlやAl合金が用いられているが、一方
で、半導体装置の集積度を向上させるための高集積化が
進む一方でその弊害として、配線の上下に形成されてい
る絶縁膜等との間に生ずる応力を起因とするストレスマ
イグレーションによる配線の劣化や切断、あるいはエレ
クトロマイグレーションによる通電中の配線の劣化・切
断が大きな問題となっている。
しては、一般的にAlやAl合金が用いられているが、一方
で、半導体装置の集積度を向上させるための高集積化が
進む一方でその弊害として、配線の上下に形成されてい
る絶縁膜等との間に生ずる応力を起因とするストレスマ
イグレーションによる配線の劣化や切断、あるいはエレ
クトロマイグレーションによる通電中の配線の劣化・切
断が大きな問題となっている。
【００２９】これに対し、本発明では、半導体装置の内
部配線やコンタクトプラグのうちで特に高い信頼性が要
求される部分にCuを用いているので、これらの問題が起
こりにくい。その理由は、第１に、CuはAlに比べて抵抗
値が低いため、ジュール熱による温度上昇が低いうえに
伝搬遅延時間も短いこと、第２に、CuはAlに比べて高融
点であるため、高温強度が高いこと、第３に、CuはAlに
比べて原子量が大きいため、エレクトロマイグレーショ
ンやストレスマイグレーションが発生しにくいことが挙
げられる。なお、本実施例に係る金属配線の形成方法に
ついては特に限定されるものではなく、例えば、スパッ
タ蒸着法、抵抗加熱蒸着法、電子ビーム蒸着法などの物
理気相蒸着法（ＰＶＤ）や化学気相成長法（ＣＶＤ）等
のほか、液相メッキ法などを用いることもできる。特
に、ＣＶＤを用いた場合には、数百度以上の高い温度で
処理されることから本発明の効果が特に発揮されること
になる。
部配線やコンタクトプラグのうちで特に高い信頼性が要
求される部分にCuを用いているので、これらの問題が起
こりにくい。その理由は、第１に、CuはAlに比べて抵抗
値が低いため、ジュール熱による温度上昇が低いうえに
伝搬遅延時間も短いこと、第２に、CuはAlに比べて高融
点であるため、高温強度が高いこと、第３に、CuはAlに
比べて原子量が大きいため、エレクトロマイグレーショ
ンやストレスマイグレーションが発生しにくいことが挙
げられる。なお、本実施例に係る金属配線の形成方法に
ついては特に限定されるものではなく、例えば、スパッ
タ蒸着法、抵抗加熱蒸着法、電子ビーム蒸着法などの物
理気相蒸着法（ＰＶＤ）や化学気相成長法（ＣＶＤ）等
のほか、液相メッキ法などを用いることもできる。特
に、ＣＶＤを用いた場合には、数百度以上の高い温度で
処理されることから本発明の効果が特に発揮されること
になる。
【００３０】また、バリア沿うの形成方法についても特
に限定されるものではなく、前述した金属配線と同様
に、例えば、スパッタ蒸着法、抵抗加熱蒸着法、電子ビ
ーム蒸着法などのＰＶＤやＣＶＤ等のほか、液相メッキ
法などを用いることもできる。
に限定されるものではなく、前述した金属配線と同様
に、例えば、スパッタ蒸着法、抵抗加熱蒸着法、電子ビ
ーム蒸着法などのＰＶＤやＣＶＤ等のほか、液相メッキ
法などを用いることもできる。
【００３１】
【発明の効果】以上、詳細に説明したように、本発明に
よれば、Al若しくはAl合金からなる配線と、Cu若しくは
Cu合金からなる配線との間にバリア層を設けるので、Cu
とAlとが直接反応し会うことがないため、CuがAl合金中
に拡散することを防ぐことができる。このためエレクト
ロマイグレーションやストレスマイグレーションを抑制
し、また機械的強度を保つことができるので配線の劣化
や切断を防止して信頼性の高い金属配線を得ることがで
きる。この結果、本発明に係る金属配線を用いた半導体
装置の寿命および信頼性は著しく向上する。
よれば、Al若しくはAl合金からなる配線と、Cu若しくは
Cu合金からなる配線との間にバリア層を設けるので、Cu
とAlとが直接反応し会うことがないため、CuがAl合金中
に拡散することを防ぐことができる。このためエレクト
ロマイグレーションやストレスマイグレーションを抑制
し、また機械的強度を保つことができるので配線の劣化
や切断を防止して信頼性の高い金属配線を得ることがで
きる。この結果、本発明に係る金属配線を用いた半導体
装置の寿命および信頼性は著しく向上する。
【図１】本実施例に係る半導体装置の断面図である。
１０…Si基板、２０，３０，４０，…絶縁膜、２２，２
３…コンタクトプラグ、３１，３２，４１，４２，５
１，５２…金属配線、３３，３４，４３，４４…ヴィア
プラグ。
３…コンタクトプラグ、３１，３２，４１，４２，５
１，５２…金属配線、３３，３４，４３，４４…ヴィア
プラグ。
Claims (2)
- 【請求項１】 半導体装置に設けられる金属配線におい
て、 銅又は銅合金からなる第１の配線と、 アルミニウム又はアルミニウム合金からなる第２の配線
とを有し、 前記第１の配線と、前記第２の配線との接合部分には銅
の拡散を防止する導電性バリア層が介在していることを
特徴とする金属配線。 - 【請求項２】 前記導電性バリア層としては、ＶＩＩＩ
族金属又はＶＩＩＩ族金属の化合物が用いられることを
特徴とする請求項１に記載の金属配線。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP50A JPH06236878A (ja) | 1993-02-09 | 1993-02-09 | 金属配線 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP50A JPH06236878A (ja) | 1993-02-09 | 1993-02-09 | 金属配線 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06236878A true JPH06236878A (ja) | 1994-08-23 |
Family
ID=12046737
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP50A Pending JPH06236878A (ja) | 1993-02-09 | 1993-02-09 | 金属配線 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06236878A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1022773A3 (en) * | 1999-01-24 | 2002-05-29 | Amitec - Advanced Multilayer Interconnect Technologies Ltd. | Chip carrier substrate |
| KR100426555B1 (ko) * | 2000-03-27 | 2004-04-08 | 가부시끼가이샤 도시바 | 반도체 장치 |
| US7002252B2 (en) | 1997-07-10 | 2006-02-21 | Kawasaki Microelectronics, Inc. | Wiring structure of a semiconductor integrated circuit and a method of forming the wiring structure |
| US7030493B2 (en) | 1998-02-23 | 2006-04-18 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor device having layered interconnect structure with a copper or platinum conducting film and a neighboring film |
| JP2008098521A (ja) * | 2006-10-13 | 2008-04-24 | Ulvac Japan Ltd | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
| JP2008098522A (ja) * | 2006-10-13 | 2008-04-24 | Ulvac Japan Ltd | 半導体装置の製造方法及び半導体装置の製造装置 |
| JP2009099583A (ja) * | 2007-10-12 | 2009-05-07 | Ulvac Japan Ltd | 半導体装置の製造方法及び半導体装置の製造装置 |
| WO2013108326A1 (ja) * | 2012-01-17 | 2013-07-25 | パナソニック株式会社 | 薄膜トランジスタアレイ装置及びそれを用いたｅｌ表示装置 |
-
1993
- 1993-02-09 JP JP50A patent/JPH06236878A/ja active Pending
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7002252B2 (en) | 1997-07-10 | 2006-02-21 | Kawasaki Microelectronics, Inc. | Wiring structure of a semiconductor integrated circuit and a method of forming the wiring structure |
| US8026609B2 (en) | 1998-02-23 | 2011-09-27 | Renesas Electronics Corporation | Semiconductor device and method for producing the same |
| US7030493B2 (en) | 1998-02-23 | 2006-04-18 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor device having layered interconnect structure with a copper or platinum conducting film and a neighboring film |
| US7253103B2 (en) | 1998-02-23 | 2007-08-07 | Hitachi, Ltd. | Method for producing semiconductor devices that includes forming a copper film in contact with a ruthenium film |
| US7701062B2 (en) | 1998-02-23 | 2010-04-20 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor device and method for producing the same |
| EP1022773A3 (en) * | 1999-01-24 | 2002-05-29 | Amitec - Advanced Multilayer Interconnect Technologies Ltd. | Chip carrier substrate |
| KR100426555B1 (ko) * | 2000-03-27 | 2004-04-08 | 가부시끼가이샤 도시바 | 반도체 장치 |
| JP2008098521A (ja) * | 2006-10-13 | 2008-04-24 | Ulvac Japan Ltd | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
| JP2008098522A (ja) * | 2006-10-13 | 2008-04-24 | Ulvac Japan Ltd | 半導体装置の製造方法及び半導体装置の製造装置 |
| JP2009099583A (ja) * | 2007-10-12 | 2009-05-07 | Ulvac Japan Ltd | 半導体装置の製造方法及び半導体装置の製造装置 |
| WO2013108326A1 (ja) * | 2012-01-17 | 2013-07-25 | パナソニック株式会社 | 薄膜トランジスタアレイ装置及びそれを用いたｅｌ表示装置 |
| JPWO2013108326A1 (ja) * | 2012-01-17 | 2015-05-11 | 株式会社Ｊｏｌｅｄ | 薄膜トランジスタアレイ装置及びそれを用いたｅｌ表示装置 |
| US9231038B2 (en) | 2012-01-17 | 2016-01-05 | Joled Inc | Thin film transistor array and EL display employing thereof |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4346866B2 (ja) | ＴａＮ材料のバリア層を含む構造 | |
| JP3704203B2 (ja) | チップ及びパッケージの相互接続用銅合金ならびにその製造法 | |
| JP3121589B2 (ja) | 相互接続構造部、及び、その形成方法 | |
| US7468320B2 (en) | Reduced electromigration and stressed induced migration of copper wires by surface coating | |
| US4970574A (en) | Electromigrationproof structure for multilayer wiring on a semiconductor device | |
| JP5078259B2 (ja) | １ないし５ｎｍの厚さの金属キャップを用いる改良されたオンチップＣｕ相互接続 | |
| US6706629B1 (en) | Barrier-free copper interconnect | |
| JPH0760852B2 (ja) | 銅合金導電プラグ形成方法及び装置 | |
| US7566975B2 (en) | Semiconductor device and method for manufacturing the same | |
| US7030493B2 (en) | Semiconductor device having layered interconnect structure with a copper or platinum conducting film and a neighboring film | |
| US5051812A (en) | Semiconductor device and method for manufacturing the same | |
| JP3128961B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JPH02123740A (ja) | 半導体装置 | |
| JP3368629B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JP3014887B2 (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JP2936483B2 (ja) | 薄膜配線及び半導体装置 | |
| JPH05102154A (ja) | 半導体装置 | |
| JP3178605B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JPH04192332A (ja) | 薄膜配線の製造方法並びに薄膜配線及び半導体装置 | |
| JP3035945B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JP2803188B2 (ja) | 半導体装置の製造方法および半導体装置 | |
| JP3325628B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP3017810B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0714833A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH06252146A (ja) | 半導体装置 |