JPH0623732B2 - ボルタンメトリツクな測定方法 - Google Patents
ボルタンメトリツクな測定方法Info
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- JPH0623732B2 JPH0623732B2 JP61170249A JP17024986A JPH0623732B2 JP H0623732 B2 JPH0623732 B2 JP H0623732B2 JP 61170249 A JP61170249 A JP 61170249A JP 17024986 A JP17024986 A JP 17024986A JP H0623732 B2 JPH0623732 B2 JP H0623732B2
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Landscapes
- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Electric Means (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明はボルタンメトリックな測定方法に関する。
（従来の技術） 従来溶液中のイオンや酸化還元物質の濃度を測定する手
段の1つとして電気化学分析が用いられ、この原理を利
用した素子が知られている。特に、ポテンショスタット
の装置を利用した2本の導電性電極と1本の基準電極を利
用したボルタンメトリックな方法と素子が知られてい
る。例えば、過酸化水素を測定する場合はワーキング電
極と呼ばれる一方の導電性電極の基準電極に対する電位
が0.6Ｖ近辺になる様、ワーキング電極と他方の金属電
極であるカウンター電極間に電位を加えこの時流れる電
流によって濃度を知る事が出来る(鈴木周一編「イオン
電極と酵素電極」p.80講談社サイエンティフィフ198
1)。この場合基準電極としては、飽和甘コウ電極(SCE)
や飽和ＫC1を内部液として持つ銀酸化銀電極など液絡部
を持つ電極のものが一般に使用される。
段の1つとして電気化学分析が用いられ、この原理を利
用した素子が知られている。特に、ポテンショスタット
の装置を利用した2本の導電性電極と1本の基準電極を利
用したボルタンメトリックな方法と素子が知られてい
る。例えば、過酸化水素を測定する場合はワーキング電
極と呼ばれる一方の導電性電極の基準電極に対する電位
が0.6Ｖ近辺になる様、ワーキング電極と他方の金属電
極であるカウンター電極間に電位を加えこの時流れる電
流によって濃度を知る事が出来る(鈴木周一編「イオン
電極と酵素電極」p.80講談社サイエンティフィフ198
1)。この場合基準電極としては、飽和甘コウ電極(SCE)
や飽和ＫC1を内部液として持つ銀酸化銀電極など液絡部
を持つ電極のものが一般に使用される。
一方上記測定を簡素化したものとして液絡部を有する基
準電極を廃し銀一塩化銀電極を参照電極カウンター電極
兼用としワーキング電極として白金を使うものがあり、
この場合2極間に0.65Ｖを印加し電流を測定するものが
提案されている(第２図「センサの基礎と応用」シンポ
ジウム予稿集p43)。又、プレーナー技術を用いたデバイ
スとして2本の金又は白金によるワーキング、カウンタ
ー各電極と1本の銀、塩化銀、参照電極によってシリコ
ンウエハ上に形成したものが最近報告されている(W.San
sen et al.トランスデューサーズ'85,1985インターナシ
ョナル コンファレンス オン ソリッド ステート セン
サーズ アンド アクチュエーターズ，ダイジェスト オ
ブ テクニカルペーパーズ,pp344-347)。
準電極を廃し銀一塩化銀電極を参照電極カウンター電極
兼用としワーキング電極として白金を使うものがあり、
この場合2極間に0.65Ｖを印加し電流を測定するものが
提案されている(第２図「センサの基礎と応用」シンポ
ジウム予稿集p43)。又、プレーナー技術を用いたデバイ
スとして2本の金又は白金によるワーキング、カウンタ
ー各電極と1本の銀、塩化銀、参照電極によってシリコ
ンウエハ上に形成したものが最近報告されている(W.San
sen et al.トランスデューサーズ'85,1985インターナシ
ョナル コンファレンス オン ソリッド ステート セン
サーズ アンド アクチュエーターズ，ダイジェスト オ
ブ テクニカルペーパーズ,pp344-347)。
（発明が解決しようとする問題点） 従来使われてきた3極法ボルタンメトリックな測定方法
の場合参照電極にSCE電極などを使用する必要があっ
た。SCE電極をはじめ参照電極は内部溶液を持ちこれの
被測定溶液への液絡部を有している。従って微小化とり
わけ半導体プレーナー技術の応用は困難であった。
の場合参照電極にSCE電極などを使用する必要があっ
た。SCE電極をはじめ参照電極は内部溶液を持ちこれの
被測定溶液への液絡部を有している。従って微小化とり
わけ半導体プレーナー技術の応用は困難であった。
又、Ｗ.Sansenらによるプレーナー技術によって銀一塩
化銀電極を作成したセンサ素子の場合、銀一塩化銀電極
自体の安定性そのものに問題があり、水中の塩素濃度に
よって電位が変動する。更に重要な欠点は溶液中への溶
解であり、電解による溶出によって参照電極自体が消耗
していくあるいは電極表面への物質析出があるため長期
使用が不可能な事である。今まで述べてきた様にボルタ
ンメトリックセンサにおける参照電極の存在が従来ボル
タンメトリックセンサの微小化に大きな阻害要因となっ
てきた。本発明者等は、液絡部を持たず溶出しない微小
電極を標準電極として使用する事で、上記3極ボルタメ
トリー測定方法の微小化実現する方法を提案した。
化銀電極を作成したセンサ素子の場合、銀一塩化銀電極
自体の安定性そのものに問題があり、水中の塩素濃度に
よって電位が変動する。更に重要な欠点は溶液中への溶
解であり、電解による溶出によって参照電極自体が消耗
していくあるいは電極表面への物質析出があるため長期
使用が不可能な事である。今まで述べてきた様にボルタ
ンメトリックセンサにおける参照電極の存在が従来ボル
タンメトリックセンサの微小化に大きな阻害要因となっ
てきた。本発明者等は、液絡部を持たず溶出しない微小
電極を標準電極として使用する事で、上記3極ボルタメ
トリー測定方法の微小化実現する方法を提案した。
（問題点を解決するための手段） MOS型トランジスターであるISFETは、pHに対する感受性
を持ちその出力は濃度変化1ケタに対して約60ｍＶとネ
ルンストの定数に従う(Jiri Janata,Robert J.Huber 編
“Solid State Chemical Sensors”Academic Press,198
5,pp65-pp.118，ジリ ジャナタロバートＪフーバー編
“ソリッドステート ケミカルセンサーズ”アカデミッ
クプレス，1985,pp65-118))事が良く知られている。又
この事は一定pH下でISFETが一定の値を示す事を意味し
ており、本発明者らは従来pH測定素子として使用されて
きたISFETを一定のpH範囲における標準電極として使用
する事により固定基準電極を提供出来ると考えるに至っ
た。すなわち2本の白金や金より成る導電性電極対とあ
らかじめ一定pHにおける電位を測定されたISFETを用意
し、ワーキング電極に標準電位からの所定の電位がかか
る様にISFET出力を基準にワーキングカウンター電極間
に電位を加えそこを流れる電流を測定する事によってボ
ルタンメトリックな測定方法が実現出来る。
を持ちその出力は濃度変化1ケタに対して約60ｍＶとネ
ルンストの定数に従う(Jiri Janata,Robert J.Huber 編
“Solid State Chemical Sensors”Academic Press,198
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“ソリッドステート ケミカルセンサーズ”アカデミッ
クプレス，1985,pp65-118))事が良く知られている。又
この事は一定pH下でISFETが一定の値を示す事を意味し
ており、本発明者らは従来pH測定素子として使用されて
きたISFETを一定のpH範囲における標準電極として使用
する事により固定基準電極を提供出来ると考えるに至っ
た。すなわち2本の白金や金より成る導電性電極対とあ
らかじめ一定pHにおける電位を測定されたISFETを用意
し、ワーキング電極に標準電位からの所定の電位がかか
る様にISFET出力を基準にワーキングカウンター電極間
に電位を加えそこを流れる電流を測定する事によってボ
ルタンメトリックな測定方法が実現出来る。
（作用） 第1図に本発明の根幹を形成する電極構成を従来との比
較で示す。第1図(a)に示すのが従来から使用されている
典型的ボルタンメトリック測定の電極並びに回絡構成で
ある。図中1,2は各々ワーキング、カウンター電極と呼
ばれる金属電極であり一般にカウンター電極2がワーキ
ング電極1に比較して大きな電極面積を有する。又材質
としては、例えば過酸化水素などの様にそれを酸化して
測定する場合カウンター電極に白金、ワーキング電極に
銀などという構成をとってもよいし、白金-白金、金-金
等でも支障はない。参照電極3は液絡部を持つSCEなどを
用いる事によって液位を固定するのに用いられる。電位
差計5によってワーキング電極1を測定しながらこれが一
定値になる様可変抵抗7の値を変化させて、定電圧直流
電源8の電圧の分圧をワーキング電極1、カウンター電極
2間に供給する。このとき電流計6の読みカウンター電流
がこの測定系の測定値となる。この様な測定計を組みあ
げたものが、ポテンショスタット9と呼ばれる装置であ
り、図中9aはカウンター電極端子、96はワーキング電極
端子、9cは参照電極端子を示す。第1図(b)に示すのが、
本発明によるISFETを参照電極として使用したボルタン
メトリック測定系であり、この場合参照電極として、IS
FET10が使用され、その出力が9c参照電極端子に接続さ
れている。この図に示した場合は、ISFET10のドレイン1
1、ソース12間に一定電圧、一定流を流す時のソース電
位を読みとるソースフォロワー回路13が用いられている
が、これに限らず他の回路構成をとる事も可能である。
本発明を作用の実施例に基いて説明する。第4図に示す
ワーキング電極が0.1mm×0.4mmでありカウンター電極
と、共に絶縁体基板上に金で作成された平面状電極を用
いて、第1図(b)の構成で作成したサイクリック・ボルタ
ノグラム第3図に示す。またSCEを用いた測定結果を第2
図に示す。ここに示す図は測定から30分経過後のもので
あり第1図(b)の場合は同一チップ内のISFETを使用し
た。共に測定は緩衝液としてpH7.0リン酸緩衝液(イオン
強度μ＝0.1)を用いて測定しているが、第3図に示すISE
FTを参照電極にした場合のボルタノグラムは第2図に示
す通常の測定によるボルタグラムを×軸に460ｍＶ平行
に負へ移動させるたものにほぼ一致する。この様にISFE
Tを参照電極として使用する事は、可能な事が判明し、
微小で液絡部を持たないボルタンメトリックな測定系を
提供出来る事が分かった。
較で示す。第1図(a)に示すのが従来から使用されている
典型的ボルタンメトリック測定の電極並びに回絡構成で
ある。図中1,2は各々ワーキング、カウンター電極と呼
ばれる金属電極であり一般にカウンター電極2がワーキ
ング電極1に比較して大きな電極面積を有する。又材質
としては、例えば過酸化水素などの様にそれを酸化して
測定する場合カウンター電極に白金、ワーキング電極に
銀などという構成をとってもよいし、白金-白金、金-金
等でも支障はない。参照電極3は液絡部を持つSCEなどを
用いる事によって液位を固定するのに用いられる。電位
差計5によってワーキング電極1を測定しながらこれが一
定値になる様可変抵抗7の値を変化させて、定電圧直流
電源8の電圧の分圧をワーキング電極1、カウンター電極
2間に供給する。このとき電流計6の読みカウンター電流
がこの測定系の測定値となる。この様な測定計を組みあ
げたものが、ポテンショスタット9と呼ばれる装置であ
り、図中9aはカウンター電極端子、96はワーキング電極
端子、9cは参照電極端子を示す。第1図(b)に示すのが、
本発明によるISFETを参照電極として使用したボルタン
メトリック測定系であり、この場合参照電極として、IS
FET10が使用され、その出力が9c参照電極端子に接続さ
れている。この図に示した場合は、ISFET10のドレイン1
1、ソース12間に一定電圧、一定流を流す時のソース電
位を読みとるソースフォロワー回路13が用いられている
が、これに限らず他の回路構成をとる事も可能である。
本発明を作用の実施例に基いて説明する。第4図に示す
ワーキング電極が0.1mm×0.4mmでありカウンター電極
と、共に絶縁体基板上に金で作成された平面状電極を用
いて、第1図(b)の構成で作成したサイクリック・ボルタ
ノグラム第3図に示す。またSCEを用いた測定結果を第2
図に示す。ここに示す図は測定から30分経過後のもので
あり第1図(b)の場合は同一チップ内のISFETを使用し
た。共に測定は緩衝液としてpH7.0リン酸緩衝液(イオン
強度μ＝0.1)を用いて測定しているが、第3図に示すISE
FTを参照電極にした場合のボルタノグラムは第2図に示
す通常の測定によるボルタグラムを×軸に460ｍＶ平行
に負へ移動させるたものにほぼ一致する。この様にISFE
Tを参照電極として使用する事は、可能な事が判明し、
微小で液絡部を持たないボルタンメトリックな測定系を
提供出来る事が分かった。
次に第4図に本発明による参照電極を一体化したセンサ
の構成について説明する。(a)に平面図、(b),(c),(d)に
各々A-A′,B-B′,C-C′における断面図を示す。図中14
はセンサチップ、15は酸化シリコン、16は金属極、17は
クロム、18は窒化シリコン膜、19はサファイア基板、20
はp形アース領域、21はn形ソース領域、22はp形ゲート
領域、23はn形ドレイン領域、24は酸化タンタル膜、25
はアルミ電極である。本センサ素子では、水中での使用
が容易なサファイア基板19上にISFETと金属電極を形成
しているが、これに限らずシリコン基板上に形成したIS
FETと素子上に金属電極を形成させる事によってセンサ
素子を実現させる事も可能である。チップの大きさは、
1,4mm×2.2mmであり、参照電極として使用するISFETと
共にワーキング電極、カウンター電極が金によってパタ
ーニングされている。この様な構成をした電極を使う事
によって1つのチップでISFETを参照にしたボルタンメト
リックセンサが実現出来、測定系としては、第1図(b)に
示した回路を組む事で容易に酸化還元物質を測定する事
が出来る。
の構成について説明する。(a)に平面図、(b),(c),(d)に
各々A-A′,B-B′,C-C′における断面図を示す。図中14
はセンサチップ、15は酸化シリコン、16は金属極、17は
クロム、18は窒化シリコン膜、19はサファイア基板、20
はp形アース領域、21はn形ソース領域、22はp形ゲート
領域、23はn形ドレイン領域、24は酸化タンタル膜、25
はアルミ電極である。本センサ素子では、水中での使用
が容易なサファイア基板19上にISFETと金属電極を形成
しているが、これに限らずシリコン基板上に形成したIS
FETと素子上に金属電極を形成させる事によってセンサ
素子を実現させる事も可能である。チップの大きさは、
1,4mm×2.2mmであり、参照電極として使用するISFETと
共にワーキング電極、カウンター電極が金によってパタ
ーニングされている。この様な構成をした電極を使う事
によって1つのチップでISFETを参照にしたボルタンメト
リックセンサが実現出来、測定系としては、第1図(b)に
示した回路を組む事で容易に酸化還元物質を測定する事
が出来る。
本発明による基準電極はISFETを用いているが、ISFETは
pHに対して感受性を持つため一定なpH下で測定の方が理
想的である。過酸化水素センサとして使用する場合、第
2図に示す様に0.3Ｖから0.65Ｖの範囲で電圧上昇時に還
元がおこりそのどこに設定してもほぼ問題はないが一般
に0.60Ｖあるいは0.65Ｖ位を使用する。仮に0.6Ｖを使
用するとした場合、基準電位の安定性として少なくとも
50ｍＶ以内の安定性が要求される。これはpH値が±0.8
以内に安定している事が、求められる事を意味している
が、一般に酵素センサのトランスデューサとして使用す
る場合緩衝液を使用して一定pH下で反応する事が普通で
あり、こういった酸素センサとしての用途にこのセンサ
は特に適している。
pHに対して感受性を持つため一定なpH下で測定の方が理
想的である。過酸化水素センサとして使用する場合、第
2図に示す様に0.3Ｖから0.65Ｖの範囲で電圧上昇時に還
元がおこりそのどこに設定してもほぼ問題はないが一般
に0.60Ｖあるいは0.65Ｖ位を使用する。仮に0.6Ｖを使
用するとした場合、基準電位の安定性として少なくとも
50ｍＶ以内の安定性が要求される。これはpH値が±0.8
以内に安定している事が、求められる事を意味している
が、一般に酵素センサのトランスデューサとして使用す
る場合緩衝液を使用して一定pH下で反応する事が普通で
あり、こういった酸素センサとしての用途にこのセンサ
は特に適している。
第5図に第4図に示すセンサのワーキング電極部に固定化
酵素膜26をパターニングしたものの平面図を示す。使用
する酵素としては、反応によって過酸化水素を発生する
オキシダーゼ系のものであればよく、酵素の基質となる
物質を検出する事が可能である。特にグルコースオキシ
ターゼを使用してグルコースを分解せしめ発生する過酸
化水素を測定するグルコースセンサは臨床検査上重要で
ある。
酵素膜26をパターニングしたものの平面図を示す。使用
する酵素としては、反応によって過酸化水素を発生する
オキシダーゼ系のものであればよく、酵素の基質となる
物質を検出する事が可能である。特にグルコースオキシ
ターゼを使用してグルコースを分解せしめ発生する過酸
化水素を測定するグルコースセンサは臨床検査上重要で
ある。
（実施例） 第4図に示す１つのチップ内にワーキング、カウンター
電極となる金のパターンと標準電極として使用するISFE
Tを有する素子を用いて実験を行なった。素子をpH7.0リ
ン酸緩衝液(イオン強度Ｍ＝0.1)に浸漬、ISFETのソース
電位が安定になるのを待ってから第1図(b)に示す構成で
サイクリックボルタメトリーの手法で30分間電極をエー
ジングした。この時得られたボルタノグラムが第3図実
験で示したものであるが、第2図に実線で示したSCEを参
照電極として用いたものをX軸上で460ｍＶ負の方向へ平
行したものにほぼ一致し、ISFETが標準電極として十分
使用可能な事が分かった。これに1ｍＭの過酸化水素を
添加した場合のボルタノグラムを同じく点線で示した。
第2図と第3図の関係より考えて第3図における＋200ｍＶ
から−100ｍＶ位の範囲の電圧上昇時の消費電流が、過
酸化水素濃度に相当すると考えられるため、各種濃度の
過酸化水素に対する出力を固定電位で測定した。ワーキ
ング電極-ISFET間電位を＋140ｍＶに固定して測定した
結果を第6図に示す。出力電流は過酸化水素濃度と実験
した1.25ｍＭ以下の濃度下で極めて良好な相関を示し
た。
電極となる金のパターンと標準電極として使用するISFE
Tを有する素子を用いて実験を行なった。素子をpH7.0リ
ン酸緩衝液(イオン強度Ｍ＝0.1)に浸漬、ISFETのソース
電位が安定になるのを待ってから第1図(b)に示す構成で
サイクリックボルタメトリーの手法で30分間電極をエー
ジングした。この時得られたボルタノグラムが第3図実
験で示したものであるが、第2図に実線で示したSCEを参
照電極として用いたものをX軸上で460ｍＶ負の方向へ平
行したものにほぼ一致し、ISFETが標準電極として十分
使用可能な事が分かった。これに1ｍＭの過酸化水素を
添加した場合のボルタノグラムを同じく点線で示した。
第2図と第3図の関係より考えて第3図における＋200ｍＶ
から−100ｍＶ位の範囲の電圧上昇時の消費電流が、過
酸化水素濃度に相当すると考えられるため、各種濃度の
過酸化水素に対する出力を固定電位で測定した。ワーキ
ング電極-ISFET間電位を＋140ｍＶに固定して測定した
結果を第6図に示す。出力電流は過酸化水素濃度と実験
した1.25ｍＭ以下の濃度下で極めて良好な相関を示し
た。
（実施例２） 図4に示すセンサ素子のワーキング電極部のみをグルコ
ースオキシダーゼ固定化膜で被い実施例1と同様サイク
リックボルタンメトリーの手法でエージングした。ここ
に使用したセンサの場合ISFETのソース電位はISFETに対
して430ｍＶ高く従ってサイクリックボルタモグラム
は、SCEを標準としたものを比較して負への430ｍＶ移動
したものとほぼ一致した。この場合ワーキング電極-ISF
ET間の電位を170ｍＶに設定して第1図(b)に示すポテン
ショスタットの定電位測定した場合のグルコースと出力
の関係を第7図に示した。測定した100mg/dl以内の濃度
範囲で濃度と出力は非常に良好な相関を示した。
ースオキシダーゼ固定化膜で被い実施例1と同様サイク
リックボルタンメトリーの手法でエージングした。ここ
に使用したセンサの場合ISFETのソース電位はISFETに対
して430ｍＶ高く従ってサイクリックボルタモグラム
は、SCEを標準としたものを比較して負への430ｍＶ移動
したものとほぼ一致した。この場合ワーキング電極-ISF
ET間の電位を170ｍＶに設定して第1図(b)に示すポテン
ショスタットの定電位測定した場合のグルコースと出力
の関係を第7図に示した。測定した100mg/dl以内の濃度
範囲で濃度と出力は非常に良好な相関を示した。
（発明の効果） これまで述べてきた様に本発明によるISFETの出力を参
照電位としたボルタンメトリックな測定は、通常の参照
電極を用いたものと同等の精度を持ちながら、微小化、
固体化出来る画期的測定方法であり、特にISFETと同一
チップ内に集積化された導電性電極を持つボルタンメト
リックセンサ素子を使用した場合その効果を最大に発揮
するものである事が判明した。
照電位としたボルタンメトリックな測定は、通常の参照
電極を用いたものと同等の精度を持ちながら、微小化、
固体化出来る画期的測定方法であり、特にISFETと同一
チップ内に集積化された導電性電極を持つボルタンメト
リックセンサ素子を使用した場合その効果を最大に発揮
するものである事が判明した。
第1図(a),(b)はそれぞれ従来型のボルタンメトリック測
定のシステムと本発明によるISFETを標準に使用したシ
ステムを示す図、第2図,第3図はボルタンメトリックな
測定の例を示す図、第4図は本発明によるセンサ素子の
一例を示す図、第5図は第4図に示す素子のワーキング電
極部のみに固定化酵素膜を形成した素子平面図、第6図
は測定液中の過酸化水素濃度と出力電流の関係図、第7
図はグルコース濃度と出力電流の関係を示す図である。 図において、 1:ワーキング電極、2:カウンター電極 3:参照電極、4:反応槽 5電位差計、6:電流測定器 7:抵抗、8:直流定電流 9:ポテンショスタット 9a:ポテンショスタットカウンター電極入力 9b:ポテンショスタットカウンタワーキング電極入力 9b:ポテンショスタット参照電極入力 10:ISFET 11:ISFETドレイン 12:ISFETソース 13:ISFET測定器路（ソースフォロワー） 14:センサチップ、15:酸化シリコン 16:金電極、17:クロム 18:窒化シリコン膜、19:サファイア基板 20:p形アース領域、21:n形ソース領域 22:p形ゲート領域 23:n形ドレイン領域、24:酸化タンタル膜 25:アルミ電極、26:固定化酵素膜 である。
定のシステムと本発明によるISFETを標準に使用したシ
ステムを示す図、第2図,第3図はボルタンメトリックな
測定の例を示す図、第4図は本発明によるセンサ素子の
一例を示す図、第5図は第4図に示す素子のワーキング電
極部のみに固定化酵素膜を形成した素子平面図、第6図
は測定液中の過酸化水素濃度と出力電流の関係図、第7
図はグルコース濃度と出力電流の関係を示す図である。 図において、 1:ワーキング電極、2:カウンター電極 3:参照電極、4:反応槽 5電位差計、6:電流測定器 7:抵抗、8:直流定電流 9:ポテンショスタット 9a:ポテンショスタットカウンター電極入力 9b:ポテンショスタットカウンタワーキング電極入力 9b:ポテンショスタット参照電極入力 10:ISFET 11:ISFETドレイン 12:ISFETソース 13:ISFET測定器路（ソースフォロワー） 14:センサチップ、15:酸化シリコン 16:金電極、17:クロム 18:窒化シリコン膜、19:サファイア基板 20:p形アース領域、21:n形ソース領域 22:p形ゲート領域 23:n形ドレイン領域、24:酸化タンタル膜 25:アルミ電極、26:固定化酵素膜 である。
フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 7235−2Ｊ Ｇ０１Ｎ 27/30 ３０１ Ｒ 7235−2Ｊ ３０１ Ｌ
Claims (3)
- 【請求項１】2本の導電性電極と1本の基準電極を用い、
2本の金属電極のうちの1本と基準電極間の電位を一定に
保つように、2本の導電性電極間に電位を加え、この時
流れる電流を測定するボルタンメトリックな測定方法に
おいて、基準電極にイオン感応性電界効果型トランジス
タ(ISFET)を用い、1つの半導体チップ内に2個の導電性
電極パターンと1つの前記イオン感応性電界効果型トラ
ンジスタが形成されたボルタンメトリックセンサ素子を
使用することを特徴とするボルタンメトリックな測定方
法。 - 【請求項２】2本の導電性電極と1本の基準電極を用い、
2本の金属電極のうちの1本と基準電極間の電位を一定に
保つように、2本の導電性電極間に電位を加え、この時
流れる電流を測定するボルタンメトリックな測定方法に
おいて、基準電極にイオン感応性電界効果型トランジス
タ(ISFET)を用い、2本の導電性電極のうちの一方の電極
には固定化酵素膜が形成されたものを用いることを特徴
とするボルタンメトリックな測定方法。 - 【請求項３】1つの半導体チップ内に2個の導電性電極パ
ターンと1つのイオン感応性電界効果型トランジスタが
形成されたボルタンメトリックセンサ素子を用いること
を特徴とする特許請求の範囲第2項記載のボルタンメト
リックな測定方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61170249A JPH0623732B2 (ja) | 1986-07-18 | 1986-07-18 | ボルタンメトリツクな測定方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61170249A JPH0623732B2 (ja) | 1986-07-18 | 1986-07-18 | ボルタンメトリツクな測定方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6326570A JPS6326570A (ja) | 1988-02-04 |
| JPH0623732B2 true JPH0623732B2 (ja) | 1994-03-30 |
Family
ID=15901438
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61170249A Expired - Lifetime JPH0623732B2 (ja) | 1986-07-18 | 1986-07-18 | ボルタンメトリツクな測定方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0623732B2 (ja) |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5825221B2 (ja) * | 1977-12-12 | 1983-05-26 | 株式会社クラレ | Ｆｅｔ比較電極 |
| JPS5834352A (ja) * | 1981-08-24 | 1983-02-28 | Shimadzu Corp | ソリッドステートレファレンス電極 |
-
1986
- 1986-07-18 JP JP61170249A patent/JPH0623732B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6326570A (ja) | 1988-02-04 |
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