JPH06239799A - 光学活性化合物、それらの製造法、該光学活性化合物を含む液晶組成物並びに該液晶組成物を用いた液晶光変調装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【目的】 大きな自発分極を有し、かつ低粘性である強
誘電性液晶を提供する。 【構成】 一般式（Ｉ）で表される光学活性化合物、そ
の製造法、それを含む液晶組成物並びに液晶光変調装
置。 〔式中、Ｒ¹ 、Ｒ² は、互いに同じでも異なっていても
よく、それぞれ炭素数１〜１４のアルキル基を示し、Ｒ
^* は を示し、Ｑ¹ 、Ｑ² は単結合、エーテル結合または（チ
オ）カルボン酸エステル結合を示し、 は、互いに同じでも異なってもよく、それぞれ置換され
てもよい を示し、Ｘはチオカルボン酸エステル結合を示し、ｌ、
ｍはそれぞれ０、１または２を示し、ｎは３または４を
示し、＊印を付した炭素は不斉炭素を意味する。ただ
し、ｌが０の時はＱおよびＸの何れか一方は単結合を示
し、ｍが０の時はＸは単結合を示し、ｌおよびｎがとも
に０を示さない。〕

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、光学活性基を有する新
規な液晶化合物、それらの製造法及び該光学活性化合物
を含む液晶組成物並びに該液晶組成物を用いた液晶光変
調装置に関する。本発明の化合物およびこれを含有する
組成物は、強誘電性液晶相を示し、例えば液晶表示素子
などの電気光学的スイッチング要素として有用であり、
液晶光変調装置に適用することができる。

【０００２】

【従来の技術】液晶表示素子は、その低電圧作動性、低
消費電力性、薄型軽量であること、受光性を目が疲れな
いなどの優れた特徴を有するため、各種の表示装置とし
て使用されている。現在、液晶表示素子としてツイステ
ッドネマチック型（ Twisted Nematic型：ＴＮ型と略称
する）と呼ばれるネマチック液晶を用いた表示方式が最
も広く使用されている。このＴＮ型液晶表示素子は、駆
動電圧が低い、消費電力が少ないなど多くの利点を有し
ているが、他の発光型の表示装置、例えばＣＲＴ，Ｅ
Ｌ，プラズマディスプレイ等と比較して応答が非常に遅
いという欠点があった。そのため表示情報量の多い大画
面ディスプレイに応用するとコントラストの良い表示が
できないため、広範囲な応用を図る上で制約を受けてい
た。最近、ねじれ角を１８０°から２７０°にした新し
いＴＮ表示素子、スーパーツイステッドネマチック型
（ Super Twisted Nematic型：ＳＴＮ型と略称する）ま
たはＳＢＥ型と呼ばれる表示方式が開発され、コントラ
スト面では著しく改善された。しかし、ＳＴＮ型表示に
おいても応答性が大幅に改善されたとは言い難く、表示
情報量のらさに多いディスプレイへの応用には限界があ
る。このため、応答性に優れた新しい液晶表示方式の開
発に向けて種々試みられているが、実現には至っていな
い。

【０００３】強誘電性液晶を用いる新しい表示方式は、
メモリー機能および高速応答性を示すことから大画面デ
ィスプレイへの応用に関して大きな期待が寄せられてい
る。この表示方式に用いられる強誘電性を示す液晶に
は、カイラルスメクチックＣ相（Ｓｃ＊相）やカイラル
スメクチックＨ，Ｉ相などが知られているが、これらの
うち、特に実用性が高いのはカイラルスメクチックＣ相
（Ｓｃ＊相）を示す強誘電性液晶と考えられている。カ
イラルスメクチックＣ相（Ｓｃ＊相）を示す強誘電性液
晶は、１９７５年にR.B.Meyer らにより始めて合成され
た化合物で、その代表例に４−（４′−ｎ−デシルオキ
シベンジリデンアミノ）ケイ皮酸−２−メチルブチルエ
ステル（以下、ＤＯＢＡＭＢＣと略称する）がある〔文
献： J.Physique. 36. 169 (1975) 〕。ＤＯＢＡＭＢＣ
を用いて薄膜タイプの液晶セルを作製し、μsec オーダ
ーの高速応答性が見いだされた〔文献： N.A.Clarkら,
Appl. Phys. Lett., 36. 89 (1980)〕のを契機に「カイ
ラルスメクチックＣ相（Ｓｃ＊相）を示す強誘電性液
晶」（以下、これを単に強誘電性液晶と称することもあ
る）を用いた液晶表示素子、光プリンターヘッド等の光
変調素子の開発が始められた。デバイステクノロジーの
著しい進歩とともに、多くのカイラルスメクチックＣ相
（Ｓｃ＊相）を示す強誘電性材料の開発が行われ、現在
では数多くの様々な強誘電性液晶化合物を知られるよう
になった。しかしながら、強誘電性液晶を用いた大画面
液晶ディスプレイ等を製造する上で信頼性や性能の面で
十分良好な強誘電性液晶化合物は未だ開発されていない
のが現状である。

【０００４】強誘電性液晶を液晶表示素子として実用化
するには、高速応答性を始めとして、配向性、メモリー
性、しきい値特性、これら特性の温度依存性等が良好で
あることが必要である。また、室温を含む十分に広い温
度範囲で動作し得るようにカイラルスメクチックＣ相
（Ｓｃ＊相）を示す温度範囲が広いこと、物理化学的に
安定性に優れていることなどが要求される。現在のとこ
ろ、このような要求を満たす単一化合物は知られておら
ず、いくつかの強誘電性液晶化合物や非強誘電性液晶化
合物を混合することによって、できるだけ要求される特
性を満たす強誘電性液晶組成物を調製しているのが現状
である。しかしながら、上記液晶別製のうち、できるだ
け多くの項目で良好な液晶物性を示す単一化合物を開発
することは実用的強誘電性液晶組成物を構築するにあた
って極めて重要である。これらのうち、物理的化学的に
安定であることは必須で、高速応答性、メモリー性を持
たせるためには、大きな自発分極を有しなおかつ低粘性
である強誘電性液晶を開発することが最重要課題であ
る。しかし、これまでに開発されてきた強誘電性液晶の
なかでは上記の性能を充足した化合物は見当たらない。
例えば、上述したＤＯＢＡＭＢＣハシッフ塩基系の化合
物であるため、水、光等に対する化学的安定性の面で難
点があり、また、自発分極も４ｎＣ／ｃｍ² 以下と小さ
い。

【０００５】化学的に安定な強誘電性液晶化合物とし
て、エステル系の化合物が報告されている。しかし、こ
れらは自発分極が十分には大きくないこと、カイラルス
メクチックＣ相（Ｓｃ＊相）の温度範囲が十分に広くな
いこと等満足のいくものとは言えない。一方、自発分極
を大きくするために、カイラルスメクチックＣ相（Ｓｃ
＊相）の出現に必須な光学活性基中に不斉炭素を２個導
入した強誘電性液晶化合物が合成されている。例えば、
ジキラルエポキシド側鎖を有する強誘電性液晶化合物
〔文献： D.N.Walbaら, J.Amer.Chem.Soc., 108, 742
(1986) 〕あるいは隣接する二つの不斉炭素それぞれに
ハロゲン原子とメチル基とを有する強誘電性液晶化合物
（例えば特開昭６０−１６８７８０、同６０−２１８３
５８、同６１−６８４４９、同６２−４０、同６２−４
６、同６２−１０３０４３、同６２−１１１９５０、同
６２−１４２１３１、同６２−１７５４４３号各公報
等）などを挙げることができる。その代表例として
（Ｓ）−３−メチル−２−クロロ吉草酸の４−（４′−
オクチルカルボニルオキシ）ビフェニリルエステル（特
開昭６１−６８４４９号公報）がある。この強誘電性液
晶化合物は自発分極が１８０ｎＣ／ｃｍ² と非常に大き
な値を示す。しかし、脂肪族の活性化されたクロル化合
物であるため化学的安定性に乏しい。物理的化学的安定
性の改善を目的として、（Ｓ）−２−メキトシ−（Ｓ）
−３−メチル吉草酸の４−（４′−オクチルカルボニル
オキシ）ビフェニリルエステル（特開昭６２−２２８０
３６号公報）が合成された。本化合物は物理的化学的安
定性には優れているが、自発分極が小さく（１７ｎＣ／
ｃｍ² ）なり、十分なものとはいえない。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】本発明者らは、物理的
化学的安定性に優れ、自発分極の大きな強誘電性液晶化
合物を見いだすべく鋭意研究を行い、種々の強誘電性液
晶化合物を開発してきた。すなわち、化学的に安定なエ
ステル化合物やエーテル化合物を選び、不斉炭素をでき
るだけ骨格成分に近接させるように分子デザインし、キ
ラル置換部分に２個の不斉炭素を有するキラル成分とこ
れら２個の不斉炭素上に化学的に安定な置換基を導入し
て種々の強誘電性液晶化合物を開発してきた（例えば特
開平２−１３８２３４、同２−８５２２７、同２−１３
８２３５、同２−２５６６３８各号公報等）。

【０００７】強誘電性液晶を用いる液晶表示素子は、 C
larkらの実験によれば、ある条件下で、μsec オーダー
の高速応答が可能と前記文献に報告されている。しか
し、表示情報量の多い、すなわち画素数の極めて多い大
画面ディスプレイを Clarkらの条件で実現できても、デ
ィスプレイとしての応答は更に速いことが望まれる。強
誘電性液晶の応答時間は、誘電異方性と外部電界とで生
じるトルクを無視すると近似的に下記数１の式で与えら
れ、高速応答化には、強誘電性液晶材料面からは自発分
極の拡大と低粘性化が有効である。

【数１】τ＝η／Ｐｓ・Ｅ （τ：応答時間、η：粘性係数、Ｐｓ：自発分極、Ｅ：
印加電界）

【０００８】本発明は、強誘電性液晶材料の自発分極の
拡大と低粘性化を課題としてなされたものである。発明
者が開発してきた上述の一連の化合物系（即ち、化学的
に安定なエステル化合物やエーテル化合物を選び、不斉
炭素をできるだけ骨格成分に近接させるように分子デザ
インし、キラル置換部分に２個の不斉炭素を有するキラ
ル成分とこれら２個の不斉炭素上に化学的に安定な置換
基を導入した強誘電性液晶化合物）に加え、本発明では
骨格内結合Ｘを種々変換してＳｃ＊相の安定化、自発分
極の拡大、低粘性化の改善を目標に鋭意検討を加えた。
Ｘがチオエステル基である場合、上述液晶物性のなかで
もとくにＳｃ＊相の安定化に顕著な改善がみられ本発明
を完成するに至った。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本発明の要旨は、下記一
般式（Ｉ）

【化１１】 〔式中、Ｒ¹ 、Ｒ² は、互いに同じでも異なっていても
よく、それぞれ炭素数１〜１４のアルキル基を示し、Ｒ
^* は

【化１２】 を示し、Ｑ¹ 、Ｑ² は単結合、エーテル結合または（チ
オ）カルボン酸エステル結合を示し、

【化１３】 は、互いに同じでも異なってもよく、それぞれ置換され
てもよい

【化１４】 を示し、Ｘは（チオ）カルボン酸エステル結合を示し、
ｌ、ｍはそれぞれ０、１または２を示し、ｎは３または
４を示し、＊印を付した炭素は不斉炭素を意味する。た
だし、ｌが０の時はＱおよびＸの何れか一方は単結合を
示し、ｍが０の時はＸは単結合を示し、ｌおよびｍがと
もに０を示さない。〕で表される光学活性化合物にあ
り、上記光学活性化合物の製造方法、上記光学活性化合
物を１種以上含有する液晶組成物及び該液晶組成物を用
いた液晶光変調装置を包含する。

【００１０】本発明に係る前記一般式（Ｉ）で表される
化合物において、Ｒ¹ およびＲ² は同一でも異なっても
よく、それぞれ炭素数１〜１４のアルキル基を示す。該
アルキル基は直鎖または分枝のいずれであってもよく、
具体的には、例えばメチル、エチル、プロピル、ブチ
ル、ペンチル、ヘキシル、ヘプチル、オクチル、ノニ
ル、デシル、ウンデシル、ドデシル、トリデシル、テト
ラデシル等の直鎖状アルキル基ならびにイソプロピル、
イソブチル、ｓｅｃ−ブチル、ｔｅｒｔ−ブチル、イソ
ペンチル、ネオペンチル、ｔｅｒｔ−ペンチル、イソヘ
キシル、１−メチルペンチル、２−メチルペンチル、５
−メチルヘキシル、２，３，５−トリメチルヘキシル、
２，７，８−トリメチルデシル、４−エチル−５−メチ
ルノニル等の分枝状のアルキル基を挙げることができ
る。Ｒ¹ についてはなかでも直鎖状で炭素数が６〜１２
のアルキル基、例えばヘキシル、ヘプチル、オクチル、
ノニル、デシル、ウンデシル、ドデシルが好ましい。一
方、Ｒ² についてはＲ¹ よりも炭素数が少ない直鎖状の
低級アルキル基、例えばメチル、エチル、プロピル、ブ
チル基などのＣ_1-6 アルキル基が好ましい。

【００１１】Ｑ¹ 、Ｑ² としてはそれぞれ単結合、エー
テル結合（−Ｏ−又は−Ｓ−）または（チオ）カルボン
酸エステル結合が挙げられるが、なかでも単結合、エー
テル結合（特に−Ｏ−）、カルボン酸エステル結合が好
ましい。なお、カルボン酸エステル結合では、

【化１５】 という逆エステル結合があるが、順エステル結合が好ま
しい。Ｘで示される骨格内結合についてはチオカルボン
酸結合であり、この場合も上述のカルボン酸エステル結
合の場合と同様に順エステル結合と逆エステル結合があ
るがいずれでもよい。

【００１２】さらに、

【化１６】 で示される環として、

【化１７】 等が挙げられるが、好ましくは、

【化１８】 等を挙げることができる。またベンゼン環の場合、置換
基として、ハロゲン、シアノ基等が置換していてもよ
く、好ましいハロゲン原子として特にフッ素原子が挙げ
られる。また、

【化１９】 は同一でも異なっていてもよい。ｌ、ｍはそれぞれ０、
１または２を示すが、ｌが０の時はＱおよびＸの何れか
一方は単結合を示し、ｍが０の時はＸは単結合を示し、
ｌおよびｍがともに０を示さない。すなわち、ｌが０の
時は、化合物（Ｉ）は下式

【化２０】 （式中、ｍ′は１または２を示し、その他の記号は前記
と同意義を示す）で表わされ、ｍが０の時は、化合物
（Ｉ）は下式

【化２１】 （式中、ｌ′は１または２を示し、その他の記号は前記
と同意義を示す）で表わされる。本発明化合物（Ｉ）の
好ましい態様としては、例えば下記式（Ｉ′）

【化２２】 （式中、Ｒ¹ ′は直鎖状の炭素数６〜１２のアルキル基
を示し、Ｒ² ′は直鎖状の炭素数１〜６のアルキル基を
示し、Ｒ^* は

【化２３】 を示し、Ｑ¹ ′およびＱ² ′はそれぞれ単結合、エーテ
ル結合又はカルボン酸エステル結合を示し、Ｘ′はチオ
カルボン酸エステル結合を示し、ｌ′およびｍ′はそれ
ぞれ０、１または２を示し、ｎ′は３または４を示し、
＊印を付した炭素は不斉炭素を意味する。ただし、ｌ′
が０の時はＱ¹ ′およびＸ′の何れか一方は単結合を示
し、ｍ′が０の時はＸ′は単結合を示し、ｌ′および
ｍ′がともに０を示さない。）で表わされる化合物など
が挙げられる。本発明の一般式（Ｉ）で表わされる光学
活性化合物は、分子内に２個の不斉炭素を有しており、
このため４種の光学異性体、すなわち２個の不斉炭素上
の絶対配置の組み合わせにより（Ｒ，Ｒ），（Ｒ，
Ｓ），（Ｓ，Ｒ）および（Ｓ，Ｓ）体の４種の光学異性
体が存在する。

【００１３】本発明の光学活性化合物（Ｉ）は、不斉炭
素が骨格成分に近接しており、不斉炭素上にダイポール
を有する酸素（エーテル結合）またはカルボニル基を有
しているため、大きな自発分極を発揮する。本発明の化
合物は強誘電性を利用する表示方式に適した液晶相、す
なわちカイラルスメクチックＣ相（Ｓｃ＊相）を安定に
示し、その温度域が広いという特徴を有するとともに、
非常に大きな自発分極を有する化合物系であることがわ
かった。また、本発明の化合物の結合子は単結合、エー
テル結合、エステル結合などの安定な結合のみから構成
されているので、熱、光、水分、空気に対して極めて安
定な化合物系である。このため、本発明の化合物を液晶
材料として実用に供する場合、過熱防止装置の設置や吸
湿・透湿を防止するためのガラスフリットシール等の処
置をほどこす等の煩雑な手間を省くことができる。

【００１４】本発明の光学活性化合物は、従来公知の液
晶化合物、例えばシッフ塩基系、ビフェニル系、フェニ
ルシクロヘキサン系、フェニルピリミジン系等の液晶化
合物との相溶性に優れているため、これらの液晶化合物
に添加配合することにより、優れた特性を示す液晶組成
物を構築することができる。

【００１５】本発明の光学活性化合物（Ｉ）を添加・配
合することのできる液晶化合物（液晶組成物）として
は、例えば強誘電性液晶化合物（強誘電性液晶組成物）
またはスメクチックＣ相（Ｓｃ＊相）を示す液晶化合物
（液晶組成物）を挙げることができる。強誘電性液晶化
合物としては、例えば特開昭５９−１１８７４４、同６
０−１３７２９号各公報に記載されたビフェニル型液
晶、特開昭５９−１２８３５７、同６０−５１１４７、
同６１−２２０５１、同６１−２４９９５３号各公報に
記載されたエステル型液晶、特開昭６０−２６０５６
４、同６１−２４７５６、同６１−８５３６８、同６１
−２１５３７３号各公報に記載されたピリミジン型液晶
等を挙げることができる。また、スメクチックＣ相を示
す液晶化合物としては、例えば特開昭６２−２２８０３
６号公報に記載されたエステル型の液晶化合物、第１６
回フライブルグ液晶討論会（１９８６．３）および第１
回強誘電性液晶に関する国際シンポジウム（１９８７．
９）の各資料に記載されているシクロヘキサン型および
複素環型液晶等を挙げることができる。

【００１６】本発明の強誘電性液晶化合物は「 Flussig
e Kristalle in Tabellen 」Ｉ＆IIＶＥＢ Verlag, Lei
pzigに述べられているネマチック液晶、コレステリック
液晶などに配合することも可能であり、市販のどのよう
なネマチック液晶化合物との混合も可能である。ネマチ
ック液晶に配合する場合、本発明の強誘電性液晶化合物
のキラリティを利用すれば良く、配合量によってネマチ
ック液晶組成物のコレステリックピッチのねじれ方向や
ピッチの長さを自由に制御し得る。

【００１７】本発明の光学活性化合物を添加しうる液晶
混合物（母体液晶）としては、例えば下記Ａ，Ｂ，Ｃ，
Ｄ，Ｅなる組成を持った混合物を挙げることができる。
また、市販の母体液晶ＨＣ−Ｃ１０３（チッソ社製）等
も挙げられる。この場合の本発明の光学活性化合物の添
加量は通常０．５〜５０％、好ましくは５〜２０％であ
る。

【００１８】

【化２４】

【化２５】

【化２６】

【００１９】本発明の光学活性化合物（Ｉ）およびこれ
を含有する組成物は、強誘電性液晶相を示し、例えば液
晶表示素子など電気光学的スイッチング要素として有用
であり、液晶光変調装置に適用することができる。本発
明の化合物は、例えば図１にしめされるような構成を有
する液晶表示素子において用いることができる。その際
に、色素を用いてゲスト−ホスト型の表示素子とするこ
ともできる。

【００２０】一般式（Ｉ）で示される本発明の化合物
は、例えば次に示す方法により製造することができる。

【化２７】 （ａ）製造例１

【化２８】 非キラル側鎖成分含有安息香酸と４−ヒドロキシチオフ
ェノール類を縮合剤存在下縮合させることにより、重要
中間体である骨格内結合（Ｘ）が、

【化２９】 であるフェノール類を得る。本縮合反応で用いられる非
キラル側鎖成分含有安息香酸類は活性誘導体として用い
られることが多く、代表例としてカルボン酸ハロゲン化
物が挙げられる。このカルボン酸ハロゲン化物と４−ヒ
ドロキシチオフェノール類との縮合反応に用いる塩基と
しては炭酸カリウム、炭酸ナトリウム等の無機塩基やピ
リジン、トリエチルアミン等の有機塩基を適宜使用する
ことができる。反応溶媒としては反応を阻害しないもの
であれば何れでもよく、また使用しなくてもよい。具体
的には反応溶媒としては炭化水素類、ハロゲン化炭化水
素類、アセトニトリル、エーテル類（ジエチルエーテ
ル、テトラヒドロフラン、ジオキサン等）、酢酸エチ
ル、アセトニトリル、ジメチルホルムアミド（ＤＭ
Ｆ）、ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）、ヘキサメチ
ルリン酸トリアミド（ＨＭＰＡ）等が挙げられる。

【００２１】反応温度は通常約−７８℃〜室温とする
が、この縮合反応はチオフェノール性チオール基とフェ
ノール性水酸基との反応性の差を利用した選択反応であ
るのでなるべく低温（−７８〜０℃）で行うのが好まし
い。以上のようにして合成した中間体（骨格内結合Ｘが

【化３０】 であるフェノール類）とキラルカルボン酸を縮合剤の存
在下で縮合させることにより本発明の化合物（Ｉ）を製
造する。

【化３１】

【００２２】この縮合反応で用いられる非キラル側鎖成
分含有安息香酸は活性誘導体として用いられることが多
く、代表例としてカルボン酸ハロゲン化物が挙げられ
る。このカルボン酸ハロゲン化物とチオフェノール類と
の縮合反応に用いられる塩基としては、炭酸カリウム、
炭酸ナトリウム等の無機塩基やピリジン、トリエチルア
ミン等の有機塩基が適宜使用される。反応溶媒としては
反応を阻害しなければ何れでもよく、また使用しなくて
もよい。具体的には反応溶媒としては炭化水素類、ハロ
ゲン化炭化水素類、エーテル類（ジエチルエーテル、テ
トラヒドロフラン、ジオキサン等）、酢酸エチル、アセ
トニトリル、ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）、ジメチ
ルスルホキシド（ＤＭＳＯ）、ヘキサメチルリン酸トリ
アミド（ＨＭＰＡ）等が挙げられる。反応温度は通常約
−７８℃〜１５０℃とし、その範囲内で、適宜選択する
が０℃〜８０℃程度が好ましい。

【００２３】（ｂ）製造例２

【化３２】 この場合は、例えば側鎖キラル成分含有安息香酸類と非
キラル側鎖含有チオフェノール類を縮合剤の存在下で縮
合させることにより、本発明化合物（Ｉ）を製造する。

【００２４】

【化３３】

【００２５】この縮合反応で用いられる側鎖キラル成分
含有安息香酸類は活性誘導体として用いられることが多
く、代表例としてカルボン酸ハロゲン化物が挙げられ
る。このカルボン酸ハロゲン化物とチオフェノール類と
の縮合反応に用いられる塩基としては、炭酸カリウム、
炭酸ナトリウム等の無機塩基やピリジン、トリエチルア
ミン等の有機塩基が適宜使用される。反応溶媒としては
反応を阻害しなければ何れでもよく、また使用しなくて
もよい。具体的には反応溶媒としては炭化水素類、ハロ
ゲン化炭化水素類、エーテル類（ジエチルエーテル、テ
トラヒドロフラン、ジオキサン等）、酢酸エチル、アセ
トニトリル、ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）、ジメチ
ルスルホキシド（ＤＭＳＯ）、ヘキサメチルリン酸トリ
アミド（ＨＭＰＡ）等が挙げられる。反応温度は通常約
−７８℃〜１５０℃位とし、その範囲内で適宜選択する
が、０℃〜８０℃位程度が好ましい。上記反応における
反応時間は、反応温度や基質の種類により異なるが通常
５分〜３日間、好ましくは５分〜２４時間、より好まし
くは５分〜２時間程度である。以上、本発明の液晶化合
物（Ｉ）の代表的製造方法について述べたが、本発明は
これらの方法に限定されるものではない。

【００２６】なお、基本骨格ビフェニルチオフェノール
類は従来法に準じ、下記経路で合成した。

【化３４】

【００２７】このように、本発明の光学活性化合物
（Ｉ）を製造するための骨格成分にチオエステル結合を
含むフェノール性化合物は、いずれも公知の物質である
か、あるいは公知の物質から容易に誘導することができ
る。上記フェノール性化合物と反応されるべき光活性ジ
キラル化合物、すなわち下記一般式（III)で表されるＲ
² Ｑ² −Ｒ^* −ＣＯＯＨ（Ｒ² ，Ｑ² ，Ｒ^* は前記と同
意義）は公知の光学活性ジキラル化合物から誘導するこ
とができ、特に化学的な方法による不斉合成（モリソン
等、「不斉合成」第１巻（１９８３）〜５巻（１９８
５）；ボスニッチ等、“アシメトリック触媒”（１９８
６）；シヤッター等“アンナーレン”，１９８３，９３
９）、「酵素、微生物を用いる生物学的方法による不斉
合成」〔ジョーンズ等，“アプリケーションズ・オブ・
バイオケミカル・システム・イン・オルガニック・ケミ
ストリー”ジョン・ウイリィー，ニューヨーク（１９７
６）；フレッター等，“テトラヘドロン”，４０，１２
６９（１９８４）；ホフマン等，“ケミッシェ・ベリィ
ヒテ”，１１４，２７８６（１９８１）；ナカムラ等，
“テトラヘドロン・レターズ”、２７，３１５５（１９
８６）〕、光学分割〔ヤッターズ等、“エテンチオマー
ズ・ラセメイツ・アンド・レゾルーションズ”ジョンウ
イリーアンドサンズ（１９８１）；インガーソル、“オ
ルガニック・シンセシス”，コレクティブ・ボリュー
ム，２，５０６（１９４３）；野平等，“ケミストリー
・レターズ”，１９８１，８７５，９５１〕などの手法
によって得ることができる。

【００２８】例えば、

【化３５】 で表わされる３−アルキルオキシ−２−メチル酪酸がそ
の１例である。このような化合物として、さらに具体的
には、例えば３−メトキシ−２−メチル酪酸、３−エト
キシ−２−メチル酪酸、３−プロポキシ−２−メチル酪
酸、３−ブトキシ−２−メチル酪酸、３−ペンチルオキ
シ−２−メチル酪酸、３−ヘキシルオキシ−２−メチル
酪酸、３−ヘプチルオキシ−２−メチル酪酸、３−ノニ
ルオキシ−２−メチル酪酸、３−デシルオキシ−２−メ
チル酪酸等あるいは３−イソプロポキシ−２−メチル酪
酸、３−イソブトキシ−２−メチル酪酸、３−ｔｅｒｔ
−ブトキシ−２−メチル酪酸、３−（２−メチルペンチ
ルオキシ）−２−メチル酪酸、３−（３−メチルペンチ
ルオキシ）−２−メチル酪酸等を挙げることができる。

【００２９】また光学活性環状ジキラル化合物は、次に
示す経路により公知の方法で合成することができる。

【化３６】

【００３０】即ち、公知化合物ａをパン酵母を用いる公
知の方法〔 B.S.Deol ら、Aust.J.Chem., ２９，２４５
９（１９７６）〕により不斉還元し、ついで得られた化
合物ｂをアルキル化反応に付し、化合物ｃを得、さらに
このものを加水分解することにより化合物ｄを得る。そ
の他の化合物も公知方法により製造される。化合物ｃ及
びｄは新規で本発明の液晶化合物の中間体として有用で
ある。尚、光学活性環状化合物はプロキラル環状１，２
−ジエステルを酵素により加水分解する方法〔 M.Schne
iderら、Angev Chem.Internat.Ed.,Engl.,２３，６７
（１９８４）〕などの公知の方法により製造される。

【００３１】光学活性環状ジキラルカルボン酸（III)の
例として、次のものを挙げることができる。

【化３７】 （Ｒ⁴ ＝Ｃ_1-10のアルキル） （２−アルキルオキシシクロペンタンカルボン酸） このような化合物として、さらに具体的には、例えば、
２−メトキシシクロペンタンカルボン酸、２−エトキシ
シクロペンタンカルボン酸、２−プロポキシシクロペン
タンカルボン酸、２−ブトキシシクロペンタンカルボン
酸、２−ペンチルオキシシクロペンタンカルボン酸、２
−ヘキシルオキシシクロペンタンカルボン酸、２−ヘプ
チルオキシシクロペンタンカルボン酸、２−オクチルオ
キシシクロペンタンカルボン酸、２−ノニルオキシシク
ロペンタンカルボン酸、２−デシルオキシシクロペンタ
ンカルボン酸等の直鎖状アルキルオキシシクロペンタン
カルボン酸、あるいは２−イソプロポキシシクロペンタ
ンカルボン酸、２−イソブトキシシクロペンタンカルボ
ン酸、２−ｔｅｒｔ−ブトキシシクロペンタンカルボン
酸、２−（２−メチルペンチルオキシ）シクロペンタン
カルボン酸、２−（３−メチルペンチルオキシ）シクロ
ペンタンカルボン酸等の分枝状アルキルオキシシクロペ
ンタンカルボン酸を挙げることができる。

【００３２】

【化３８】 （Ｒ⁴ ＝Ｃ_1-10のアルキル） （２−アルキルオキシシクロヘキサンカルボン酸） このような化合物として、さらに具体的には、例えば、
２−メトキシシクロヘキサンカルボン酸、２−エトキシ
シクロヘキサンカルボン酸、２−プロポキシシクロヘキ
サンカルボン酸、２−ブトキシシクロヘキサンカルボン
酸、２−ペンチルオキシシクロヘキサンカルボン酸、２
−ヘキシルオキシシクロヘキサンカルボン酸、２−ヘプ
チルオキシシクロヘキサンカルボン酸、２−オクチルオ
キシシクロヘキサンカルボン酸、２−ノニルオキシシク
ロヘキサンカルボン酸、２−デシルオキシシクロヘキサ
ンカルボン酸等の直鎖状アルキルオキシシクロヘキサン
カルボン酸、あるいは２−イソプロポキシシクロヘキサ
ンカルボン酸、２−イソブトキシシクロヘキサンカルボ
ン酸、２−ｔｅｒｔ−ブトキシシクロヘキサンカルボン
酸、２−（２−メチルペンチルオキシ）シクロヘキサン
カルボン酸、２−（３−メチルペンチルオキシ）シクロ
ヘキサンカルボン酸等の分枝状アルキルオキシシクロヘ
キサンカルボン酸を挙げることができる。

【００３３】上述の方法により生成した本発明の目的化
合物（Ｉ）は、通常用いられている分離精製手段、例え
ば抽出、転溶、カラムクロマトグラフィー、液体クロマ
トグラフィー、再結晶などの手段を用いて反応液から分
離精製することができる。

【００３４】以上、ジキラル部分を構成する重要な原料
の典型的な例を挙げたが、本発明に用いられる他の原料
も、それ自体公知の手段により製造することができる。
本発明の光学活性化合物に含有される光学活性ジキラル
側鎖成分の原料である光学活性なジキラルカルボン酸類
（III)の代表例を列挙した。本発明の光学活性化合物
（Ｉ）はこれら骨格成分と光学活性ジキラル成分とを適
宜組合せることにより製造されるが、特に上述の列挙し
た例に制限されるものではない。

【００３５】

【実施例】以下、実施例を挙げて、本発明をさらに具体
的に説明する。実施例で製造した光学活性化合物につい
て相系列ならびに相転移温度、および自発分極値を測定
した。測定結果を元素分析値と共にまとめて表１〜表２
に示した。

【００３６】参考例１ （１）シス−（１Ｒ，２Ｓ）−２−メトキシシクロペン
タン−１−カルボン酸の合成 この光学活性環状ジキラルカルボン酸は次の経路により
製造することができる。

【化３９】 すなわち、２−オキソシクロペンタン−１−カルボン酸
エチルエステルをパン酵母を用いる文献の方法〔 B.S.D
eol ら、Aust.J.Chem., ２９，２４５９（１９７６）〕
により不斉還元し、ついで得られたシス−（１Ｒ，２
Ｓ）−２−ヒドロキシシクロペンタン−１−カルボン酸
エチルエステルをメチル化反応、つづいて酸性加水分解
反応に対して表題化合物を製造する。得られた化合物の
ＩＲおよび ¹Ｈ−ＮＭＲスペクトルを次に示す。 ＩＲν^neat _max ｃｍ^-1：２７００−２４００，１７１０¹ Ｈ−ＮＭＲ（９０ＭＨｚ，ＣＤＣｌ₃ ） δ：１．４
−２．２５（６Ｈ，ｍ，ＣＨ₂ ），２．６−３．０５
（１Ｈ，ｍ，＞ＣＨＣＯＯ），３．３５（３Ｈ，ｓ，Ｏ
ＣＨ₃ ），３．８５−４．１５（１Ｈ，ｍ，＞ＣＨＯＣ
Ｈ₃ ），７．７−８．６（１Ｈ，ｂｒｏａｄ ｓ，ＣＯ
₂ Ｈ）

【００３７】尚、表題化合物のエチルエステル（無色油
状物質）の ¹Ｈ−ＮＭＲスペクトルも以下に示す。¹ Ｈ−ＮＭＲ（９０ＭＨｚ，ＣＤＣｌ₃ ） δ：１．２
６（３Ｈ，ｔ，Ｊ＝７．５Ｈｚ，ＯＣＨ₂ ＣＨ ₃ ），
１．３−２．３（６Ｈ，ｍ，ＣＨ₂ ），２．６−３．１
（１Ｈ，ｍ，＞ＣＨＣＯ₂ Ｅｔ），３．２８（３Ｈ，
ｓ，ＯＨ₃ ），３．８−４．４（３Ｈ，ｍ，＞ＣＨ−Ｏ
ＣＨ₃ 及びＣＯ₂ ＣＨ₂ ＣＨ₃ ）

【００３８】参考例２ （１）シス−（１Ｒ，２Ｓ）−２−メトキシシクロヘキ
サン−１−カルボン酸の合成 この光学活性環状ジキラルカルボン酸は次の経路により
製造することができる。

【化４０】 すなわち、２−オキソシクロヘキサン−１−カルボン酸
エチルエステルをパン酵母を用いる文献の方法〔 B.S.D
eol ら、Aust.J.Chem., ２９，２４５９（１９７９）〕
により不斉還元し、ついで得られたシス−（１Ｒ，２
Ｓ）−２−ヒドロキシシクロヘキサン−１−カルボン酸
エチルエステルをメチル化反応に付し、つづいて酸性加
水分解反応に対して表題化合物を得た。

【００３９】表題化合物のエチルエステル（無色油状物
質）の ¹Ｈ−ＮＭＲスペクトルを以下に示す。¹ Ｈ−ＮＭＲ（９０ＭＨｚ，ＣＤＣｌ₃ ） δ：０．８
−２．２（８Ｈ，ｍ，ＣＨ₂ ），１．２５（３Ｈ，ｔ，
Ｊ＝７．５Ｈｚ，ＣＯ₂ ＣＨ₂ ＣＨ ₃ ），２．２−２．
５５（１Ｈ，ｍ，＞ＣＨＣＯ₂ Ｅｔ），３．２９（３
Ｈ，ｓ，ＯＣＨ₃ ），３．５５−３．９（１Ｈ，ｍ，＞
ＣＨＯＣＨ₃ ），３．９−４．３５（２Ｈ，ｍ，ＣＯ₂
ＣＨ₂ ＣＨ₃ ）

【００４０】実施例１

【化４１】 （２Ｒ，３Ｓ）−３−メトキシ−２−メチル酪酸の４−
〔（４−オクチルオキシフェニル）カルボニルチオ〕フ
ェニルエステル〔一般式（１）において、Ｒ¹がｎ−Ｃ
₈ Ｈ₁₇、Ｒ² がＣＨ₃ 、Ｑ¹ ，Ｑ² が−Ｏ−、ｌが１、
ｍが１、Ｘが、

【化４２】 のもの〕の製造。 骨格フェノール性化合物としての４−〔（４−オクチル
オキシフェニル）カルボニルチオ〕フェノールおよび光
学活性（２Ｒ，３Ｓ）−３−メトキシ−２−メチル酪酸
から製造した酸クロリド体をＣＨ₂ Ｃｌ₂ に溶かした。
この混合液にほぼ当量のＥｔ₃ Ｎを０℃でかき混ぜなが
ら加えた。０℃で１０分かき混ぜたのち、反応液を減圧
下で濃縮した。残留物をシリカゲルカラムクロマトグラ
フィーに付し、精製した。目的画分を分散し、減圧下で
濃縮した。残渣をＡｃＯＥｔ−ｎ−ヘキサンから再結晶
すると表題化合物が無色結晶として得られた。得られた
化合物の ¹Ｈ−ＮＭＲ及び元素分析値を次に示す。 ＩＲν_max ^KBr ｃｍ^-1：１７５５，１６７０¹ Ｈ−ＮＭＲ（９０ＭＨｚ，ＣＤＣｌ₃ ） δ：０．８
９（３Ｈ，ｔ，ｇ＝６Ｈｚ），１．２６（３Ｈ，ｄ，Ｊ
＝６Ｈｚ），１．３０（３Ｈ，ｄ，Ｊ＝６Ｈｚ），１．
１〜３．０（２Ｈ，ｍ），２．７９（１Ｈ，ｑｕｉｎ
ｔ，Ｊ＝６Ｈｚ），３．３９（３Ｈ，ｓ），３．７４
（１Ｈ，ｑｕｉｎｔ，Ｊ＝６Ｈｚ），４．０３（２Ｈ，
ｔ，Ｊ＝６Ｈｚ），６．９２＆７．９８（２Ｈ×２，各
ｄ，Ｊ＝８Ｈｚ），７．１６＆７．５１（２Ｈ×２，各
ｄ，Ｊ＝８Ｈｚ） 元素分析値 Ｃ₂₇Ｈ₃₆Ｏ₅ Ｓ（４７６．６５）として 理論値 ： Ｃ ６８．６１ ； Ｈ ７．６８ 実測値 ： Ｃ ６８．５３ ； Ｈ ７．７７

【００４１】比較例１

【化４３】 （２Ｒ，３Ｓ）−３−メトキシ−２−メチル酪酸の４−
〔（４−オクチルオキシフェニル）カルボニルオキシ〕
フェニルエステルの製造 骨格フェノール性化合物として４−〔（４−オクチルオ
キシフェニル）カルボニルチオ〕フェノールのかわりに
４−〔（４−オクチルオキシフェニル）カルボニルオキ
シ〕フェノールを用いた他は実施例１と同様にして表題
化合物を製造した。本品はＳｃ^* 相を示さないので自発
分極の測定はできない。

【００４２】実施例２

【化４４】 （２Ｒ，３Ｓ）−３−メトキシ−２−メチル酪酸の４−
〔（４−オクチルフェニル〕カルボニルチオ〕フェニル
エステル〔一般式（１）において、Ｒ¹ がｎ−Ｃ
₈ Ｈ₁₇、Ｒ² がＣＨ₃ 、Ｑ¹ が単結合、Ｑ² が−Ｏ−、
ｍが１、Ｘが、

【化４５】 のもの〕の製造。 骨格フェノール性化合物として４−〔（４−オクチルフ
ェニル〕カルボニルチオ〕フェノールを用いた他は実施
例１と同様にして表題化合物を製造した。得られた化合
物の ¹Ｈ−ＮＭＲスペクトル及び元素分析値を示す。 ＩＲν_max ^Neatｃｍ^-1：１７６０，１６８０¹ Ｈ−ＮＭＲ（９０ＭＨｚ，ＣＤＣｌ₃ ） δ：０．８
６（３Ｈ，ｔ，Ｊ＝６Ｈｚ），１．２５（３Ｈ，ｄ，Ｊ
＝６Ｈｚ），２．６６（２Ｈ，ｔ，Ｊ＝６Ｈｚ），２．
８０（１Ｈ，ｑｕｉｎｔ，Ｊ＝６Ｈｚ），３．３９（３
Ｈ，ｓ），３．７４（１Ｈ，ｑｕｉｎｔ，Ｊ＝６Ｈ
ｚ），７．１５＆７．９１（２Ｈ×２，各ｄ，Ｊ＝８Ｈ
ｚ），７．２６＆７．５０（２Ｈ×２，各ｄ，Ｊ＝８Ｈ
ｚ） 元素分析値 Ｃ₂₇Ｈ₃₆Ｏ₄ Ｓ（４５６．６５）として 理論値 ： Ｃ ７１．０２ ； Ｈ ７．９５ 実測値 ： Ｃ ７０．７９ ； Ｈ ８．１１

【００４３】実施例３

【化４６】 （２Ｒ，３Ｓ）−３−メトキシ−２−メチル酪酸の４−
〔（４′−オクチルオキシビフェニリル）カルボニルチ
オ〕フェニルエステル〔一般式（１）において、Ｒ¹ が
ｎ−Ｃ₈ Ｈ₁₇、Ｒ² がＣＨ₃ 、Ｑ¹ 、Ｑ² が−Ｏ−、ｌ
が２、ｍが１、Ｘが、

【化４７】 のもの〕の製造。 骨格フェノール性化合物として４−〔（４′−オクチル
ビフェニリル）カルボニルチオ〕フェノールを用いた他
は実施例１と同様にして表題化合物を製造した。得られ
た化合物の ¹Ｈ−ＮＭＲスペクトル及び元素分析値を以
下に示す。 ＩＲν_max ^KBr ｃｍ^-1：１７６０，１６７５¹ Ｈ−ＮＭＲ（９０ＭＨｚ，ＣＤＣｌ₃ ） δ：０．８
９（３Ｈ，ｔ，Ｊ＝６Ｈｚ），１．２６（３Ｈ，ｄ，Ｊ
＝６Ｈｚ），１．３２（３Ｈ，ｄ，Ｊ＝６Ｈｚ），１．
１−２．０（１２Ｈ，ｍ），２．８０（１Ｈ，ｑｕｉｎ
ｔ，Ｊ＝６Ｈｚ），３．３９（３Ｈ，ｓ），３．７５
（１Ｈ，ｑｕｉｎｔ，Ｊ＝６Ｈｚ），４．００（２Ｈ，
ｔ，Ｊ＝６Ｈｚ），６．９７，７．１７，７．１８，
７．５１，７．５５，７．６３，８．０４（２Ｈ×６，
各ｄ，Ｊ＝８Ｈｚ） 元素分析値 Ｃ₃₃Ｈ₄₀Ｏ₅ Ｓ（５２０．３５）として 理論値 ： Ｃ ６９．９４ ； Ｈ ８．５２ 実測値 ： Ｃ ６９．９０ ； Ｈ ８．３１

【００４４】比較例２

【化４８】 （２Ｒ，３Ｓ）−３−メトキシ−２−メチル酪酸の４−
〔（４′−オクチルオキシビフェニリル）カルボニルオ
キシ〕フェニルエステルの製造 骨格フェノール性化合物として４−〔（４′−オクチル
ビフェニリル）カルボニルオキシ〕フェノールを用いた
他は実施例１と同様にして表題化合物を製造した。

【００４５】実施例４

【化４９】 シス−（１Ｒ，２Ｓ）−２−メトキシシクロペンタン−
１−カルボン酸の４−〔（４−オクチルオキシフェニ
ル）カルボニルチオ〕フェニルエステル〔一般式（１）
において、Ｒ¹ がｎ−Ｃ₈ Ｈ₁₇、Ｒ² がＣＨ₃ 、Ｑ¹ ，
Ｑ² が−Ｏ−、ｌが１、ｍが１、ｎが３、Ｘが、

【化５０】 のもの〕の製造。 ４−オクチルオキシチオ安息香酸の４−ヒドロキシフェ
ノールエステル１．４３ｇにジクロロメタン１４ｍｌ及
びトリエチルアミン０．６０ｇを加えて溶解し、反応液
に氷冷下で攪拌しながらシス−（１Ｒ，２Ｓ）−２−メ
トキシシクロペンタン−１−カルボン酸をオキサリルク
ロリドより反応して容易に得られる酸クロリド体０．９
５ｇをゆっくり加え、１時間反応させた。反応液を減圧
下濃縮して得られる残留物をシリカゲル（５０ｇ）及び
ジクロロエタン−ｎ−ヘキサン（１：１）を用いるカラ
ムクロマトグラフィーに付し目的画分から表題化合物
（０．８４ｇ）をろう状結晶として得た。この化合物の
¹Ｈ−ＮＭＲスペクトル及び元素分析値を次に示す。¹ Ｈ−ＮＭＲ（９０ＭＨｚ，ＣＤＣｌ₃ ） δ：０．８
９（３Ｈ，ｔ），１．２０〜２．３０（１８Ｈ，ｍ），
３．１（３Ｈ，ｔ），３．３７（３Ｈ，ｓ），４．０１
（２Ｈ，ｔ），４．１〜４．２４（１Ｈ，ｍ），６．９
〜８．１（４Ｈ，ｑ），７．１４〜７．５５（４Ｈ，
ｑ） 元素分析値 Ｃ₂₈Ｈ₃₆Ｏ₅ Ｓとして 計算値 ： Ｃ ６９．３９ ； Ｈ ７．４９ 実測値 ： Ｃ ６９．６７ ； Ｈ ７．５１

【００４６】実施例５

【化５１】 シス−（１Ｒ，２Ｓ）−２−メトキシシクロペンタン−
１−カルボン酸の４−〔（４−オクチルフェニル）カル
ボニルチオ〕フェニルエステル〔一般式（１）におい
て、Ｒ¹ がｎ−Ｃ₈ Ｈ₁₇、Ｒ² がＣＨ₃ 、Ｑ¹ が単結
合、Ｑ² が−Ｏ−、ｌが１、ｍが１、ｎが３、Ｘが、

【化５２】 のもの〕の製造。 実施例４と同様にして、シス−（１Ｒ，２Ｓ）−２−メ
トキシシクロペンタン−１−カルボン酸クロリド（０．
９５ｇ）と４−オクチルチオ安息香酸の４−ヒドロキシ
フェノールエステル（１．３７ｇ）より表題化合物
（１．１５ｇ）をろう状結晶として得た。得られた化合
物の ¹Ｈ−ＮＭＲスペクトル及び元素分析値を次に示
す。¹ Ｈ−ＮＭＲ（９０ＭＨｚ，ＣＤＣｌ₃ ） δ：０．８
９（３Ｈ，ｔ），１．２０〜２．３０（１８Ｈ，ｍ），
２．７（２Ｈ，ｔ），３．１（１Ｈ，ｑ），３．３７
（３Ｈ，ｓ），４．０５〜４．２５（１Ｈ，ｍ），７．
１〜８．０（８Ｈ，ｑ，ｑ） 元素分析値 Ｃ₂₈Ｈ₃₆Ｏ₄ Ｓとして 計算値 ： Ｃ ７１．７６ ； Ｈ ７．７４ 実測値 ： Ｃ ７１．９６ ； Ｈ ７．８６

【００４７】実施例６

【化５３】 シス−（１Ｒ，２Ｓ）−２−メトキシシクロペンタン−
１−カルボン酸の４−〔（４′−オクチルオキシビフェ
ニリル）カルボニルチオ〕フェニルエステル〔一般式
（１）において、Ｒ¹ がｎ−Ｃ₈ Ｈ₁₇、Ｒ² がＣＨ₃ 、
Ｑ¹ ，Ｑ² が−Ｏ−、ｌが２、ｍが１、ｎが３、Ｘが、

【化５４】 のもの〕の製造。 実施例４と同様にして、シス−（１Ｒ，２Ｓ）−２−メ
トキシシクロペンタン−１−カルボン酸クロリドと４′
−オクチルビフェニリル−４′−チオカルボン酸の４−
ヒドロキシフェノールエステルより表題化合物を得た。
得られた化合物の ¹Ｈ−ＮＭＲスペクトル及び元素分析
値を次に示す。¹ Ｈ−ＮＭＲ（９０ＭＨｚ，ＣＤＣｌ₃ ） δ：０．８
９（３Ｈ，ｔ），１．１５−２．１０（１８Ｈ，ｍ），
３．００−３．２０（１Ｈ，ｍ），３．３８（３Ｈ，
ｓ），４．０１（２Ｈ，ｔ，Ｊ＝６Ｈｚ），４．１５
（１Ｈ，ｍ），６．９９（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝９Ｈｚ），
７．２０（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝９Ｈｚ），７．４０−７．７
２（６Ｈ，ｍ），８．０６（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝９Ｈｚ） 元素分析値 Ｃ₃₄Ｈ₄₀Ｏ₅ Ｓとして 計算値 ： Ｃ ７２．８２ ； Ｈ ７．１９ 実測値 ： Ｃ ７２．８１ ； Ｈ ７．１７

【００４８】比較例３

【化５５】 シス−（１Ｒ，２Ｓ）−２−メトキシシクロペンタン−
１−カルボン酸の４−〔（４′−オクチルオキシビフェ
ニリル）カルボニルオキシ〕フェニルエステルの製造 実施例４と同様にして、シス−（１Ｒ，２Ｓ）−２−メ
トキシシクロペンタン−１−カルボン酸クロリドと４−
〔（４′−オクチルオキシビフェニリル）カルボニルオ
キシ〕フェノールより表題化合物を得た。

【００４９】実施例及び比較例で製造した光学活性化合
物について相系列ならびに相転移温度、および自発分極
値を測定した。測定結果を、表１及び表２に示した。な
お、相系列と相転移温度の測定は、偏光顕微鏡とＤＳＣ
を用いて行なった。また、自発分極の測定は、上述のソ
ーヤ・タワー法に準じて行った。自発分極の値はカイラ
ルスメクチックＣ相の上限温度から１０℃低い温度での
値である。液晶相など各相は、次の記号で示した。 Ｉｓｏ ： 等方相 Ｎ^* ：
カイラルネマチック相 Ｓ_A ： スメクチックＡ相 Ｋ ：
結晶相 Ｓ_C ^* ： カイラルスメクチックＣ相 Ｓ₁ ，Ｓ₂ ： 同定困難なスメクチック相

【００５０】

【表１】

【００５１】

【表２】

【００５２】

【表３】

【００５３】

【表４】

【００５４】

【発明の効果】本発明は物理的化学的安定性に優れ、大
きな自発分極を有するとともに低粘性でしかも安定にカ
イラルスメクチックＣ相を示す液晶化合物ないしは液晶
組成物を提供する。したがって、本発明の光学活性化合
物、これを含有する液晶組成物は液晶表示装置などの光
変調装置に用いる液晶として有用であり、応答性など優
れた性能を有する装置を提供するものである。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る液晶組成物を用いた液晶表示装置
の１例を模式的に示す概念図である。

【符号の説明】

１：偏光板 ２：フロントガラス ３：透明電極（信号電極） ４：強誘電性液晶 ５：シール ６：透明電極（走査電極） ７：背面ガラス陽極 ８：反射板

フロントページの続き (51)Int.Cl.⁵ 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｃ０７Ｃ 69/92 9279−4Ｈ 69/94 9279−4Ｈ 327/28 7106−4Ｈ Ｃ０７Ｄ 239/34 8615−4Ｃ Ｃ０９Ｋ 19/20 9279−4Ｈ 19/28 9279−4Ｈ 19/30 9279−4Ｈ 19/34 9279−4Ｈ Ｇ０２Ｆ 1/13 ５００ 9225−2Ｋ (72)発明者 飯田 浩一 茨城県つくば市春日１丁目７番地の９ 武 田春日ハイツ1103号 (72)発明者 内海 夕香 茨城県日立市大みか町７丁目１番１号 株 式会社日立製作所日立研究所内 (72)発明者 近藤 克己 茨城県日立市大みか町７丁目１番１号 株 式会社日立製作所日立研究所内

Claims (14)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 下記一般式（Ｉ） 【化１】 〔式中、Ｒ¹ 、Ｒ² は、互いに同じでも異なっていても
   よく、それぞれ炭素数１〜１４のアルキル基を示し、Ｒ
   ^* は 【化２】 を示し、Ｑ¹ 、Ｑ² は単結合、エーテル結合または（チ
   オ）カルボン酸エステル結合を示し、 【化３】 は、互いに同じでも異なってもよく、それぞれ置換され
   てもよい 【化４】 を示し、Ｘは（チオ）カルボン酸エステル結合を示し、
   ｌ、ｍはそれぞれ０、１または２を示し、ｎは３または
   ４を示し、＊印を付した炭素は不斉炭素を意味する。た
   だし、ｌが０の時はＱおよびＸの何れか一方は単結合を
   示し、ｍが０の時はＸは単結合を示し、ｌおよびｎがと
   もに０を示さない。〕で表される光学活性化合物。
2. 【請求項２】 一般式（Ｉ）中、Ｒ¹ が直鎖状で炭素数
   が６〜１２のアルキル基であり、Ｒ² がＲ¹ よりも炭素
   数の少ない直鎖状アルキル基であり、Ｒ^* が 【化５】 であり、Ｑ¹ 、Ｑ² がそれぞれ単結合またはエーテル結
   合であり、 【化６】 である請求項１に記載の化合物。
3. 【請求項３】 Ｘとしてのチオカルボン酸エステル結合
   が順エステルである請求項２に記載の化合物。
4. 【請求項４】 【化７】 がハロゲンまたはシアノ基で置換されている請求項２に
   記載の化合物。
5. 【請求項５】 ハロゲンがフッ素原子である請求項４に
   記載の化合物。
6. 【請求項６】 一般式（Ｉ）で表される化合物が、４−
   〔（１Ｒ，２Ｓ）−１−メチル−２−メトキシプロピル
   カルボキシ〕チオ安息香酸の４−オクチルオキシフェニ
   ルエステルである請求項１記載の化合物。
7. 【請求項７】 一般式（Ｉ）で表される化合物が、４−
   〔（１Ｒ，２Ｓ）−１−メチル−２−メトキシプロピル
   カルボキシ〕チオ安息香酸の４−オクチルオキシビフェ
   ニルエステルである請求項１記載の化合物。
8. 【請求項８】 一般式（Ｉ）で表される化合物が、４−
   〔シス−（１Ｒ，２Ｓ）−２−メトキシシクロペンタン
   −１−カルボキシ〕安息香酸４′−オクチルオキシチオ
   フェニルエステルである請求項１記載の化合物。
9. 【請求項９】 一般式（II） 【化８】 （式中、Ｒ¹ ，Ｑ¹ ，Ｘ，ｌ及びｍは請求項１記載と同
   意義を有する）で表される骨格成分としてのフェノール
   性化合物と下記一般式（III) Ｒ² Ｑ² −Ｒ^* −ＣＯＯＨ ・・・ （III) （式中、Ｒ² ，Ｑ² 及びＲ^* は請求項１記載と同意義を
   有する）で表されるキラルカルボン酸またはその誘導体
   とを反応させることを特徴とする一般式（Ｉ）で表され
   る光学活性化合物の製造方法。
10. 【請求項１０】 下記一般式（IV) 【化９】 （式中、Ｒ¹ ，Ｑ¹ ，ｍは請求項１記載と同意義を有す
    る）で表される骨格成分としてのチオフェノール化合物
    と下記一般式（Ｖ） 【化１０】 （式中、Ｒ² ，Ｑ² ，Ｒ^* 及びｎは請求項１記載と同意
    義を有する）で表されるキラル含有安息香酸と反応させ
    ることを特徴とする一般式（Ｉ）で表される光学活性化
    合物の製造方法。
11. 【請求項１１】 請求項１に記載の光学活性化合物の少
    なくとも１種を液晶化合物に配合してなることを特徴と
    する液晶組成物。
12. 【請求項１２】 液晶化合物が強誘電性液晶化合物であ
    る請求項１１に記載の液晶組成物。
13. 【請求項１３】 液晶化合物がスメクチックＣ相（Ｓｃ
    相）を示す液晶化合物である請求項１１に記載の液晶組
    成物。
14. 【請求項１４】 請求項１１〜１３の何れかに記載の液
    晶組成物を用いることを特徴とする液晶光変調装置。