JPH06240035A - 電磁波シールドプラスチック成形品 - Google Patents

電磁波シールドプラスチック成形品

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JPH06240035A
JPH06240035A JP2921793A JP2921793A JPH06240035A JP H06240035 A JPH06240035 A JP H06240035A JP 2921793 A JP2921793 A JP 2921793A JP 2921793 A JP2921793 A JP 2921793A JP H06240035 A JPH06240035 A JP H06240035A
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JP
Japan
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film
plasma
electromagnetic
plastic molded
molded product
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JP2921793A
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English (en)
Inventor
Akira Motoki
詮 元木
Yoichi Murayama
洋一 村山
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TOKYO INGUSU KK
Original Assignee
TOKYO INGUSU KK
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Publication date
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  • Shielding Devices Or Components To Electric Or Magnetic Fields (AREA)
  • Coating Of Shaped Articles Made Of Macromolecular Substances (AREA)
  • Treatments Of Macromolecular Shaped Articles (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【構成】 あらかじめ洗浄することなく、プライマーコ
ート層を配設せずにプラスチック成形品表面に同じ真空
槽内であらかじめ高周波励起プラズマによる0.7〜5.0
μmの膜厚の銅を成膜した後に、高周波励起プラズマに
より0.05〜2.0 μm厚の金属または合金膜を有機ガス雰
囲気中で配設してなる電磁波シールドプラスチック成形
品。 【効果】 気相蒸着の特徴を生かしつつ、電磁気シール
ド効果に優れ、省資源で、密着強度が大きく、耐食性、
耐ヒートショック性が良好で、強度とともに柔軟性にも
優れた電磁気シールドプラスチック成形品が提供され
る。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は、電磁波シールドプラ
スチック成形品に関するものである。さらに詳しくは、
電気機器、計算機、計測機器等の電磁波シールド効果に
優れ、しかも簡便で、低コスト生産が可能な、耐久性耐
食性、強度等の良好な高性能電磁波シールドプラスチッ
ク成形品に関するものである。
【0002】
【従来の技術とその課題】従来より、各種の電気・電子
機器、通信機器等には、様々な電磁波シールド構造が採
用されてきており、このような構造の一つとして、プラ
スチック成形品の表面に銅、ニッケル、アルミニウム等
の金属薄膜を無電解メッキや真空成膜等により配設した
ものが知られている。
【0003】なかでも真空蒸着によるものは、アルミニ
ウム成膜法が知られており、気相成膜としての特徴を有
し、今後の発展が期待されている。しかしながら、電気
回路の小型化、高密度化が進む今日、無電解メッキによ
るものと同等のシールド特性を得るためには3〜4μm
の膜厚のアルミニウムの成膜が必要とされている。しか
しながら、このアルミニウムの真空蒸着によるシールド
構造においては、3μm厚以上の膜厚にすると柱状構造
が著しく成長し、実際には、鉛筆硬度2H以上の強度が
必要とされるにもかかわらず、この水準の強度を実現す
ることは極めて困難な状況にある。
【0004】また、環境信頼性試験、たとえば耐湿試験
(65℃×95%RH、168時間)、耐塩水噴霧(J
IS Z2371に準拠:5%NaCl溶液、35℃、
8時間噴霧、16時間休止のサイクルを4サイクル実
施)に耐えられない状況にあり、密着性試験(ASTM
D3559−78)においてもクラス3以下になって
しまう。
【0005】しかも、アルミニウム真空蒸着膜の場合に
は、空気中で酸化皮膜(不動態層)が形成され、この皮
膜には絶縁性があるためにシールドに必要な他の金属と
の接点の導通が不充分になるという欠点がある。さら
に、従来のアルミ真空蒸着膜は、連続して水分濃度の高
い環境にさらされると、MIL−F−15072A(E
L)1969Kで示されるように、他の金属、たとえば
Cu,Niとの接点をとる場合には電池作用により腐食
を促進することがある。
【0006】もちろん、真空蒸着の蒸発材料としては、
シールド特性を考慮するとアルミニウム以外にも、金、
銀、銅、ニッケル、クロム等が考えられる。しかし、
金、銀は高価であって現実的ではない。一方、銅は、導
電性に優れており、コスト的にも使用可能であるが、高
温多湿の環境テストで酸化が著しく、シールド効果を急
速に失う。すなわち、銅は、アルミニウムのような不動
態層としての酸化皮膜を形成しないため、酸化腐食が著
しい。
【0007】そこで、この銅の酸化防止策として、ニッ
ケル(Ni)、金(Au)、銀(Ag)、クロム(C
r)等の被覆が考えられるが、実際に真空蒸着によって
銅膜の上に成膜してみると、初期密着性は良好であるも
のの、耐湿試験(60℃×95%×240hr)後の密
着性は悪く、実用化することはできない。このような密
着性の悪いことの欠点を解消する手段の一つとして、真
空蒸着に変えてプラズマ蒸着を行うことが考えられる。
つまり、低圧グロー放電プラズマ成膜である。
【0008】このプラズマ成膜により、真空蒸着に比べ
て、密着性は大きく向上するが、さらにサーマルショッ
クに強い成膜や、耐食性をより向上することが望まれて
いた。さらには、近年、電磁シールドは、ノートパソコ
ン、形態電話等への応用が進み、軽量化が図られ、成形
品の薄肉化が進んでいる。このような薄肉化とともに、
強度および柔軟性が成膜にも要求されるようになってき
ている。しかしながら、これまでの成膜品の場合には、
このような強度と柔軟性とを兼備えることは充分ではな
かった。
【0009】この発明は、以上の通りの事情に鑑みてな
されたものであって、従来の電磁波シールド構造体の欠
点を解消し、気相成膜の特徴を生かしつつ、しかも、そ
の付着強度や耐久性、耐食性耐サーマルショック等の特
性に優れ、かつ、生産性も良好で、廃液、廃ガス等の処
理負荷も小さい新規な電磁波シールドプラスチック成形
品を提供することを目的としている。
【0010】
【課題を解決するための手段】この発明は、上記の課題
を解決するものとして、あらかじめ洗浄することなく、
プライマーコート層を配設せずにプラスチック成形品表
面に同じ真空槽内であらかじめ高周波励起プラズマによ
る0.7 〜5.0 μmの膜厚の銅膜を配設し、次いで高周波
励起プラズマにより0.05〜2.0 μm厚の金属または合金
膜を有機ガス雰囲気中で配設してなる電磁波シールドプ
ラスチック成形品を提供する。
【0011】この発明の電磁波シールドプラスチック成
形品は、各種のプラスチックの射出成形、押出成形、注
型成形、あるいはそれらの表面成形したものを含み、そ
の目的、用途に応じて、表面に配設する高周波励起プラ
ズマによる銅の厚みを0.7 〜5.0 μmの適宜なものとす
る。たとえば、16ビットノートパソコン用の成形品の
場合には、0.7 μmでよく、32ビットパソコンの場合
には3μm以上とすることなどがある。
【0012】プラスチック成形品は、この発明の場合に
は、従来のようにフロン洗浄をあらかじめ行う必要は全
くないという特徴もある。高周波励起プラズマによる表
面ボンバード効果により、成形品に付着している金型
油、たとえば摺動油等の洗浄も容易に行われるからであ
る。オゾン層破壊の問題によって、その使用が禁止され
るフロン、あるいはその代替品に依存する必要は全くな
い。
【0013】さらに、従来は真空蒸着に先立って必須と
されていたプラスチック成形品表面へのプライマーコー
ト層の配設も必要がない。このプライマーコート層は、
プラスチック成形品表面と銅成膜との密着性の向上のた
めに欠かせないものであったが、この発明の電磁波シー
ルドプラスチック成形品の場合には、高周波励起プラズ
マによるボンバード粗面化効果、および励起イオン種に
よる活性化堆積作用によって、銅の密着強度は充分とな
る。3μm以上の膜厚においても、プライマーコート層
の配設は必要がない。
【0014】高周波励起プラズマによる成膜は、たとえ
ば1×10-4〜1×10-5Torr水準の真空度とした真空
室において、高周波電源からの電圧引火によって1×1
0-4〜1×10-3程度の分圧のアルゴン、ヘリウム等の
不活性ガス導入にともなうプラズマ励起によって可能と
なる。低圧グロー放電プラズマである。成膜材料として
の銅は、抵抗加熱、誘導加熱、電子ビーム照射、さらに
はホロカソード放電等による適宜な手段で蒸発させるこ
とができる。これらの蒸発粒子を高周波励起し、イオン
化してプラスチック成形品表面に付着成膜させることに
なる。
【0015】銅膜の形成に続いて、この発明では、同様
に高周波励起プラズマにより、0.05〜2.0 μmの金属ま
たは合金膜を有機ガス雰囲気中で蒸着する。この場合に
も、上記とほぼ同様の条件を採用することができる。蒸
着する金属または合金としては、Au,Ag,Ni,C
r,W,Zr,Sn,Co等の各種の金属またはそれら
の合金が使用できる。そして、これらの金属または合金
の高周波励起蒸着は、有機ガスの雰囲気中において行う
が、この際のガスは、炭化水素、たとえばメタン、エタ
ン、エチレン、プロピレン等の飽和もしくは不飽和の炭
化水素、そのヒドロキシ、アルコキシ、ガルボニル等の
置換体化合物から適宜に選択される。
【0016】これらの有機ガスの使用によって、金属ま
たは合金と有機ガス化合物とは組織的に複雑な混合膜を
形成し、耐食性、耐ヒートショック性をより大きく向上
させることになる。有機ガス成分は、通常1×10-4〜
1×10-2Torr程度の分圧として導入することができ
る。その割合は、金属または合金の組成割合に応じて選
択することがでるき。
【0017】従来では、前記の通り、環境試験において
銅膜の上のニッケル等の膜は剥離したが、この発明の高
周波励起プラズマ方法による場合には、プラズマによっ
て銅表面が活性化され、密着性が大きく向上し、付着強
度の増大が図られる。しかも、この発明の場合には、塩
水噴霧、亜硫酸ガス中で著しく耐食性まが向上する。サ
ーマルショックに強い成膜が得られる。そして、強度と
ともに柔軟性も良好な成膜が可能となる。
【0018】もちろんこのような高周波励起プラズマに
ついては、これまで公知の技術知識を踏まえつつ、適宜
に実施することができる。成膜はバッチ方式、あるいは
連続方式のいずれでも可能である。さらにまた、この発
明では、必要に応じて混合膜の上に、さらに金属、無機
物、ポリマー等の保護膜を配設することもできる。電解
メッキ、気相蒸着、いずれの方法によって形成してもよ
い。
【0019】以下、実施例を示し、さらに詳しくこの発
明について説明する。
【0020】
【実施例】実施例1 150×150×3.0mm ABSシートに、フロン洗浄お
よびプライマーコート層の配設を行うことなく、直接高
周波励起プラズマによる銅およびニッケルの成膜を行っ
た。
【0021】すなわち、同一の真空室において、その到
達真空度を3×10-5Torrとし、アルゴンを1×10-3
Torrの分圧として導入し、コイル状高周波励起(13.56
MHz)電極によって生成させたグロープラズマを10
分間放置し、直ちに1×10 -4Torrで0.6 μm厚の銅を
成膜した。次いで2分間プラズマを放置し、直ちにエチ
レン1.5 ×10-4Torrの雰囲気中で、0.2 μm厚の錫を
成膜した。
【0022】得られた電磁波シールドプラスチック成形
品の特性は、次の表1の通りであり、非常に良好であっ
た。また、得られたプラスチック成形品100×100
×1mmの板体を鉄板の上に置き、上方1mの距離より、
1ポンドの重さの鋼球を落下させたところ、成膜にはク
ラック発生は全く認められなかった。
【0023】一方、エチレンを導入せずに成膜したもの
には、同様のテストの結果、多数のクラックの発生が認
められた。また、アドバンテストによる電界波測定の結
果、無電解メッキ(Cu)1.3 μm厚の場合と同等のシ
ールド効果を示していた。
【0024】
【表1】
【0025】実施例2 ABS/PC(50/50)樹脂による150×150
mmの大きさで、厚み3mmの射出成形試料に対し、フロン
洗浄、プライマーコート層の配設を行うことなく、直
接、真空室において高周波励起プラズマ(13.56 MH
z)によって成膜した。
【0026】この場合、到達真空度は3×10-5Torrと
し、アルゴンを1×10-4Torrとなるように導入した。
プラズマを10分間放置し、直ちに1×10-4Torrで銅
膜を1.0 μm厚まで成膜した。さらにプラズマを2分間
放置し、1.5 ×10-4Torrエチレンガス雰囲気中で、0.
2 μm厚のNi60:Cr40のニッケル−クロム合金
膜を成膜した。
【0027】実施例1と同様にして、優れた特性の電磁
波シールドプラスチック成形品が得られた。
【0028】
【発明の効果】この発明によって、気相成膜の特徴を生
かしつつ、(1)電磁気シールド効果に優れ、(2)省
資源の薄膜で、(3)付着膜強度が大きく、(4)耐食
性、耐ヒートショック性に優れ、(5)強度とともに柔
軟性も良好な、(6)フロン洗浄を行うことなく、プラ
イマーコート層の配設を必要とすることなく、廃液、廃
気による汚染を心配することのない電磁気シールドプラ
スチック成形品が提供される。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 あらかじめ洗浄することなく、しかもプ
    ライマーコート層を配設せずにプラスチック成形品表面
    に同じ真空槽内であらかじめ高周波励起プラズマによる
    0.7 〜5.0 μmの膜厚の銅膜を配設し、次いで高周波励
    起プラズマにより0.05〜2.0 μm厚の金属または合金膜
    を有機ガス雰囲気中で配設してなる電磁波シールドプラ
    スチック成形品。
JP2921793A 1992-11-09 1993-02-18 電磁波シールドプラスチック成形品 Pending JPH06240035A (ja)

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JP2921793A JPH06240035A (ja) 1993-02-18 1993-02-18 電磁波シールドプラスチック成形品
EP93308934A EP0597670B1 (en) 1992-11-09 1993-11-09 Method of manufacturing electromagnetic wave shielding plastic molding
DE69317035T DE69317035T2 (de) 1992-11-09 1993-11-09 Herstellungsverfahren eines Kunststoffformkörpers mit elektromagnetischer Abschirmung
US08/149,533 US5462771A (en) 1992-11-09 1993-11-09 Method of manufacturing electromagnetic wave shielding plastic molding

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