JPH06243747A - 耐熱絶縁電線およびその製造方法 - Google Patents
耐熱絶縁電線およびその製造方法Info
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- JPH06243747A JPH06243747A JP5023143A JP2314393A JPH06243747A JP H06243747 A JPH06243747 A JP H06243747A JP 5023143 A JP5023143 A JP 5023143A JP 2314393 A JP2314393 A JP 2314393A JP H06243747 A JPH06243747 A JP H06243747A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 高温でも分解することなく絶縁性を維持し、
しかも、密着性よく皮膜が付着した耐熱絶縁電線および
その製造方法を提供する。 【構成】 導体より構成される基材と、基材の外表面上
に形成されるポリマー層とを含む耐熱絶縁電線であっ
て、ポリマー層は、主鎖が化学式−［Ｓｉ（Ｒ1 ） 2 −
Ｎ（Ｒ2 ）］n −（ただし、ｎ＞０かつＲ1 ，Ｒ2 ；炭
化水素）であり、側鎖に［−ＮＨＳｉ−（Ｒ3 ）3 ］
（ただし、Ｒ3 ；炭化水素）を含むポリマーに、重量比
で１０分の１以下のクロロボラジンで架橋したポリマー
層を、３００℃以上、５００℃以下で加熱処理して形成
されることを特徴とする。
しかも、密着性よく皮膜が付着した耐熱絶縁電線および
その製造方法を提供する。 【構成】 導体より構成される基材と、基材の外表面上
に形成されるポリマー層とを含む耐熱絶縁電線であっ
て、ポリマー層は、主鎖が化学式−［Ｓｉ（Ｒ1 ） 2 −
Ｎ（Ｒ2 ）］n −（ただし、ｎ＞０かつＲ1 ，Ｒ2 ；炭
化水素）であり、側鎖に［−ＮＨＳｉ−（Ｒ3 ）3 ］
（ただし、Ｒ3 ；炭化水素）を含むポリマーに、重量比
で１０分の１以下のクロロボラジンで架橋したポリマー
層を、３００℃以上、５００℃以下で加熱処理して形成
されることを特徴とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、耐熱絶縁電線および
その製造方法に関するものであり、特に、高真空中や高
温で使用されるソレノイド、トランス、モータなどに使
用される、耐熱性に優れた耐熱絶縁電線およびその製造
方法に関するものである。
その製造方法に関するものであり、特に、高真空中や高
温で使用されるソレノイド、トランス、モータなどに使
用される、耐熱性に優れた耐熱絶縁電線およびその製造
方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】耐熱絶縁電線は、加熱設備や火災報知器
等の高温下における安全性が要求される設備に使用され
ることがある。また、耐熱絶縁電線は、自動車内の高温
度に加熱される環境下においても用いられる。従来、こ
のような耐熱絶縁電線としては、たとえば、導体に、ポ
リイミド、ポリアミドイミド、ＰＥＥＫ、フッ素系樹
脂、ＰＰＳ、アラミドおよびポリマレイミド等の耐熱性
有機樹脂が被覆された耐熱絶縁電線が使用されている。
等の高温下における安全性が要求される設備に使用され
ることがある。また、耐熱絶縁電線は、自動車内の高温
度に加熱される環境下においても用いられる。従来、こ
のような耐熱絶縁電線としては、たとえば、導体に、ポ
リイミド、ポリアミドイミド、ＰＥＥＫ、フッ素系樹
脂、ＰＰＳ、アラミドおよびポリマレイミド等の耐熱性
有機樹脂が被覆された耐熱絶縁電線が使用されている。
【０００３】また、特公昭６１−７６８５に開示される
ような、未溶融無機物質を有機バインダとともに導体上
に被覆したものもある。これは、有機樹脂が加熱され熱
分解した後も、セラミックスが残存し絶縁性を維持する
ものである。
ような、未溶融無機物質を有機バインダとともに導体上
に被覆したものもある。これは、有機樹脂が加熱され熱
分解した後も、セラミックスが残存し絶縁性を維持する
ものである。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
このような耐熱絶縁電線に被覆される耐熱性有機樹脂の
耐熱温度は、十分なものではなかった。
このような耐熱絶縁電線に被覆される耐熱性有機樹脂の
耐熱温度は、十分なものではなかった。
【０００５】たとえば、耐熱性有機樹脂で最も耐熱温度
が高いとされるポリイミドＵｐｙｌｅｘでも、その耐熱
温度は２７０℃であり、ほとんどの耐熱性有機樹脂は２
５０℃以上で使用することはできない。
が高いとされるポリイミドＵｐｙｌｅｘでも、その耐熱
温度は２７０℃であり、ほとんどの耐熱性有機樹脂は２
５０℃以上で使用することはできない。
【０００６】また、特公昭５７−１２２４８に開示され
るような、未溶融無機物質を有機バインダとともに導体
上に被覆したものでは、有機バインダの耐熱温度を超え
て使用した場合、有機バインダが熱分解して、無機粉末
が残存する。分解後の皮膜の形態は多孔性であり、被覆
が当初有していた密着性も低下し、皮膜の脱落が観察さ
れる。また、分解の際には、炭化水素を主成分とするガ
スが発生し、着火することもある。
るような、未溶融無機物質を有機バインダとともに導体
上に被覆したものでは、有機バインダの耐熱温度を超え
て使用した場合、有機バインダが熱分解して、無機粉末
が残存する。分解後の皮膜の形態は多孔性であり、被覆
が当初有していた密着性も低下し、皮膜の脱落が観察さ
れる。また、分解の際には、炭化水素を主成分とするガ
スが発生し、着火することもある。
【０００７】この発明の目的は、上述の問題点を解決
し、高温でも分解することなく絶縁性を維持し、しか
も、密着性よく皮膜が付着した耐熱絶縁電線およびその
製造方法を提供することにある。
し、高温でも分解することなく絶縁性を維持し、しか
も、密着性よく皮膜が付着した耐熱絶縁電線およびその
製造方法を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】この発明の耐熱絶縁電線
の製造方法は、主鎖が化学式−［Ｓｉ（Ｒ1 ）2 −Ｎ
（Ｒ2 ）］n −（ただし、ｎ＞０かつＲ1 ，Ｒ2 ；炭化
水素）であり、側鎖に［−ＮＨＳｉ−（Ｒ3 ）3 ］（た
だし、Ｒ3 ；炭化水素）を含むポリマーに、重量比で１
０分の１以下のクロロボラジンを添加し、架橋構造を有
するポリマーを生成するステップと、架橋構造を有する
ポリマーを含有する塗布液を、導体より構成される基材
の外表面に塗布するステップと、塗布液が塗布された基
材を、３００℃以上、５００℃以下で加熱処理するステ
ップとを備えている。
の製造方法は、主鎖が化学式−［Ｓｉ（Ｒ1 ）2 −Ｎ
（Ｒ2 ）］n −（ただし、ｎ＞０かつＲ1 ，Ｒ2 ；炭化
水素）であり、側鎖に［−ＮＨＳｉ−（Ｒ3 ）3 ］（た
だし、Ｒ3 ；炭化水素）を含むポリマーに、重量比で１
０分の１以下のクロロボラジンを添加し、架橋構造を有
するポリマーを生成するステップと、架橋構造を有する
ポリマーを含有する塗布液を、導体より構成される基材
の外表面に塗布するステップと、塗布液が塗布された基
材を、３００℃以上、５００℃以下で加熱処理するステ
ップとを備えている。
【０００９】この発明の耐熱絶縁電線は、導体より構成
される基材と、基材の外表面上に形成されるポリマー層
とを含む耐熱絶縁電線であって、ポリマー層は、主鎖が
化学式−［Ｓｉ（Ｒ1 ）2 −Ｎ（Ｒ2 ）］n −（ただ
し、ｎ＞０かつＲ1 ，Ｒ2 ；炭化水素）であり、側鎖に
［−ＮＨＳｉ−（Ｒ3 ）3 ］（ただし、Ｒ3 ；炭化水
素）を含むポリマーに、重量比で１０分の１以下のクロ
ロボラジンで架橋したポリマー層を、３００℃以上、５
００℃以下で加熱処理して形成されることを特徴として
いる。
される基材と、基材の外表面上に形成されるポリマー層
とを含む耐熱絶縁電線であって、ポリマー層は、主鎖が
化学式−［Ｓｉ（Ｒ1 ）2 −Ｎ（Ｒ2 ）］n −（ただ
し、ｎ＞０かつＲ1 ，Ｒ2 ；炭化水素）であり、側鎖に
［−ＮＨＳｉ−（Ｒ3 ）3 ］（ただし、Ｒ3 ；炭化水
素）を含むポリマーに、重量比で１０分の１以下のクロ
ロボラジンで架橋したポリマー層を、３００℃以上、５
００℃以下で加熱処理して形成されることを特徴として
いる。
【００１０】好ましくは、炭化水素が、Ｒ1 はメチル
基、エチル基、プロピル基、ブチル基およびフェニル基
から選ばれる炭化水素であり、Ｒ2 は水素、メチル基、
エチル基、プロピル基、ブチル基およびフェニル基から
選ばれる炭化水素であり、Ｒ3はメチル基およびフェニ
ル基から選ばれる炭化水素であるとよい。
基、エチル基、プロピル基、ブチル基およびフェニル基
から選ばれる炭化水素であり、Ｒ2 は水素、メチル基、
エチル基、プロピル基、ブチル基およびフェニル基から
選ばれる炭化水素であり、Ｒ3はメチル基およびフェニ
ル基から選ばれる炭化水素であるとよい。
【００１１】また好ましくは、基材は、表面に、電気め
っき法により形成された酸化クロム含有層を含んでいる
とよい。
っき法により形成された酸化クロム含有層を含んでいる
とよい。
【００１２】
【作用】本発明で使用するポリマーの主鎖である化学式
−［Ｓｉ（Ｒ1 ）2 −Ｎ（Ｒ2）］n −（ただし、ｎ＞
０かつＲ1 ，Ｒ2 ；炭化水素）は、Ｒ1 がメチル基、エ
チル基、プロピル基、ブチル基およびフェニル基、Ｒ2
が水素、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基お
よびフェニル基のいずれの場合でも、１００℃以上３０
０℃以下の温度で熱可塑性を示し軟化する。さらに、こ
の有機基は、Ｒ1およびＲ2 にフェニル基を含まない場
合は、３００℃から５００℃にかけて熱分解を起こす。
Ｒ1 がフェニル基の場合は、フェニル基の熱分解による
脱離は、６５０℃付近で起こる。
−［Ｓｉ（Ｒ1 ）2 −Ｎ（Ｒ2）］n −（ただし、ｎ＞
０かつＲ1 ，Ｒ2 ；炭化水素）は、Ｒ1 がメチル基、エ
チル基、プロピル基、ブチル基およびフェニル基、Ｒ2
が水素、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基お
よびフェニル基のいずれの場合でも、１００℃以上３０
０℃以下の温度で熱可塑性を示し軟化する。さらに、こ
の有機基は、Ｒ1およびＲ2 にフェニル基を含まない場
合は、３００℃から５００℃にかけて熱分解を起こす。
Ｒ1 がフェニル基の場合は、フェニル基の熱分解による
脱離は、６５０℃付近で起こる。
【００１３】この主鎖に結合している側鎖には、トリア
ルキルシリル基［−ＮＨＳｉ−（Ｒ 3 ）3 ］（ただし、
Ｒ3 ；炭化水素）が含まれる。このトリアルキルシリル
基は、化１に示す構造を有するクロロボラジンと、以下
の化２に示す反応式に従い架橋反応を起こす。
ルキルシリル基［−ＮＨＳｉ−（Ｒ 3 ）3 ］（ただし、
Ｒ3 ；炭化水素）が含まれる。このトリアルキルシリル
基は、化１に示す構造を有するクロロボラジンと、以下
の化２に示す反応式に従い架橋反応を起こす。
【００１４】
【化１】
【００１５】
【化２】
【００１６】すなわち、トリアルキルシリル基１分子に
対し、トリクロロボラジンの塩素原子１つが置換し、架
橋構造を形成する。
対し、トリクロロボラジンの塩素原子１つが置換し、架
橋構造を形成する。
【００１７】発明者らは、このトリクロロボラジンをポ
リマーに重量比で１０分の１を超える量を添加した場
合、ポリマーは強固な固体となり、塗布するためには不
適当となることを実験により確かめた。
リマーに重量比で１０分の１を超える量を添加した場
合、ポリマーは強固な固体となり、塗布するためには不
適当となることを実験により確かめた。
【００１８】トリクロロボラジンで架橋したポリマー
は、５００℃までの加熱処理により、フェニル基以外の
有機基は加熱分解し脱離するが、主鎖の骨格を形成する
−（Ｓｉ−Ｎ）n −と骨格間を架橋するボラジンＢ3 Ｎ
3 が残存し、高温まで安定な化合物を与える。また、こ
のボラジンで架橋されたＳｉＮポリマーは、良好な可撓
性を示す。これらのことから、このポリマーの加熱に
は、３００℃〜５００℃の温度が好ましい。
は、５００℃までの加熱処理により、フェニル基以外の
有機基は加熱分解し脱離するが、主鎖の骨格を形成する
−（Ｓｉ−Ｎ）n −と骨格間を架橋するボラジンＢ3 Ｎ
3 が残存し、高温まで安定な化合物を与える。また、こ
のボラジンで架橋されたＳｉＮポリマーは、良好な可撓
性を示す。これらのことから、このポリマーの加熱に
は、３００℃〜５００℃の温度が好ましい。
【００１９】また、この発明によれば、皮膜の密着性を
増強することを目的として、表面に電気めっき法により
酸化クロム含有層を形成してもよい。酸化クロム含有層
は、本発明の有機金属ポリマーもしくはその溶液と濡れ
性がよいため、強固に密着させることができる。
増強することを目的として、表面に電気めっき法により
酸化クロム含有層を形成してもよい。酸化クロム含有層
は、本発明の有機金属ポリマーもしくはその溶液と濡れ
性がよいため、強固に密着させることができる。
【００２０】
（実施例１）まず、窒素気流下で、化３に示す構造を有
する１，１，１，３，３，３−ヘキサメチルジシラザン
４０ｇと、化４に示す構造を有するトリクロロモノフェ
ニルシラン２０ｇを混合し、７０℃で１時間撹拌した。
さらに、１６０℃で蒸留を行ない、副生成物を蒸留除去
した。続いて、２５０℃、５ｍｍＨｇで真空蒸留するこ
とにより、完全に副生成物を除去し得た。
する１，１，１，３，３，３−ヘキサメチルジシラザン
４０ｇと、化４に示す構造を有するトリクロロモノフェ
ニルシラン２０ｇを混合し、７０℃で１時間撹拌した。
さらに、１６０℃で蒸留を行ない、副生成物を蒸留除去
した。続いて、２５０℃、５ｍｍＨｇで真空蒸留するこ
とにより、完全に副生成物を除去し得た。
【００２１】
【化３】
【００２２】
【化４】
【００２３】このようにして、化５に示す構造を有する
ポリマーが得られた。
ポリマーが得られた。
【００２４】
【化５】
【００２５】次に、このポリマーを、ジクロロメタンに
溶解し、５０％の溶液とした。この溶液に、ジクロロメ
タンに溶解したトリクロロボラジン２％溶液１ｃｃを−
８０℃で混合し、１時間かけて室温まで温度を戻した。
溶解し、５０％の溶液とした。この溶液に、ジクロロメ
タンに溶解したトリクロロボラジン２％溶液１ｃｃを−
８０℃で混合し、１時間かけて室温まで温度を戻した。
【００２６】このようにして、化６に示すような架橋構
造を有するポリマーを含む塗布液が得られた。
造を有するポリマーを含む塗布液が得られた。
【００２７】
【化６】
【００２８】このポリマー含有塗布液を、外径１ｍｍの
ニッケルめっき銅線に塗布した。塗布は、基材を塗布液
に浸漬し、引上げ速度１０ｍｍ／分で基材を引上げるこ
とにより行なった。
ニッケルめっき銅線に塗布した。塗布は、基材を塗布液
に浸漬し、引上げ速度１０ｍｍ／分で基材を引上げるこ
とにより行なった。
【００２９】続いて、このようにしてコーティング溶液
が外表面に塗布された基材を、窒素雰囲気下、温度４５
０℃で１０分間加熱する工程を３回施し、厚さが５μｍ
の皮膜を形成した。
が外表面に塗布された基材を、窒素雰囲気下、温度４５
０℃で１０分間加熱する工程を３回施し、厚さが５μｍ
の皮膜を形成した。
【００３０】このようにして得られた耐熱絶縁電線の絶
縁性を評価するために、絶縁破壊電圧を測定した。その
結果、室温下においては、その絶縁破壊電圧は１６００
Ｖであった。一方、６００℃×１００時間加熱後の試料
を室温まで放冷し評価したところ、その絶縁破壊電圧は
１０００Ｖであった。また、直径３０ｃｍの円筒の外周
面上にこの耐熱絶縁電線を巻付けても、絶縁層の亀裂が
発生しなかった。
縁性を評価するために、絶縁破壊電圧を測定した。その
結果、室温下においては、その絶縁破壊電圧は１６００
Ｖであった。一方、６００℃×１００時間加熱後の試料
を室温まで放冷し評価したところ、その絶縁破壊電圧は
１０００Ｖであった。また、直径３０ｃｍの円筒の外周
面上にこの耐熱絶縁電線を巻付けても、絶縁層の亀裂が
発生しなかった。
【００３１】（実施例２）線径０．５ｍｍの銅線に、ｓ
ｕｓ３０４をパイプ嵌合法で１００μｍ被覆した線材
を、基材として用いた。まず、この基材に、酸化クロム
含有層を下記のような処理で形成した。
ｕｓ３０４をパイプ嵌合法で１００μｍ被覆した線材
を、基材として用いた。まず、この基材に、酸化クロム
含有層を下記のような処理で形成した。
【００３２】電気めっき液として、無水クロム酸２００
ｇ／ｌ、氷酢酸６．５ｇ／ｌ、塩化ニッケル８０ｇ／
ｌ、硝酸ナトリウム５ｇ／ｌを含む電解浴が用いられ
た。めっき条件は、導体を陰極として用い、浴温が４０
℃、電流密度が１００Ａ／ｄｍ2、処理時間が２分間で
あった。このようにして、導体の外表面に、厚さ約１μ
ｍの酸化クロム含有層が形成された。
ｇ／ｌ、氷酢酸６．５ｇ／ｌ、塩化ニッケル８０ｇ／
ｌ、硝酸ナトリウム５ｇ／ｌを含む電解浴が用いられ
た。めっき条件は、導体を陰極として用い、浴温が４０
℃、電流密度が１００Ａ／ｄｍ2、処理時間が２分間で
あった。このようにして、導体の外表面に、厚さ約１μ
ｍの酸化クロム含有層が形成された。
【００３３】次に、窒素気流下で、１，１，１，３，
３，３−ヘキサメチルジシラザン４０ｇと、化７に示す
構造を有するトリクロロモノメチルシラン１５ｇを混合
し、７０℃で１時間撹拌した。さらに、１６０℃で蒸留
を行ない、副生成物を蒸留除去した。続いて、１８０
℃、５ｍｍＨｇで真空蒸留することにより、完全に副生
成物を除去し得た。
３，３−ヘキサメチルジシラザン４０ｇと、化７に示す
構造を有するトリクロロモノメチルシラン１５ｇを混合
し、７０℃で１時間撹拌した。さらに、１６０℃で蒸留
を行ない、副生成物を蒸留除去した。続いて、１８０
℃、５ｍｍＨｇで真空蒸留することにより、完全に副生
成物を除去し得た。
【００３４】
【化７】
【００３５】このようにして、化８に示す構造を有する
ポリマーが得られた。
ポリマーが得られた。
【００３６】
【化８】
【００３７】このポリマーを、ジクロロメタンに溶解
し、５０％の溶液とした。この溶液に、ジクロロメタン
に溶解したトリクロロボラジン２％溶液１ｃｃを−８０
℃で混合し、１時間かけて室温まで温度を戻した。
し、５０％の溶液とした。この溶液に、ジクロロメタン
に溶解したトリクロロボラジン２％溶液１ｃｃを−８０
℃で混合し、１時間かけて室温まで温度を戻した。
【００３８】このようにして、化９に示すような架橋構
造を有するポリマーを含む塗布液が得られた。
造を有するポリマーを含む塗布液が得られた。
【００３９】
【化９】
【００４０】このポリマー含有塗布液を、上述の外表面
に酸化クロム層が形成された基材に塗布した。塗布は、
基材を塗布液に浸漬し、引上げ速度１０ｍｍ／分で基材
を引上げることにより行なった。
に酸化クロム層が形成された基材に塗布した。塗布は、
基材を塗布液に浸漬し、引上げ速度１０ｍｍ／分で基材
を引上げることにより行なった。
【００４１】続いて、このようにしてコーティング溶液
が外表面に塗布された基材を、窒素雰囲気下、温度３０
０℃で５０分間加熱する工程を３回施し、厚さが８μｍ
の皮膜を形成した。
が外表面に塗布された基材を、窒素雰囲気下、温度３０
０℃で５０分間加熱する工程を３回施し、厚さが８μｍ
の皮膜を形成した。
【００４２】このようにして得られた耐熱絶縁電線の絶
縁性を評価するために、絶縁破壊電圧を測定した。その
結果、室温下においては、その絶縁破壊電圧は１５００
Ｖであった。一方、８００℃×１００時間加熱後の試料
を室温まで放冷し評価したところ、その絶縁破壊電圧は
７００Ｖであった。また、直径３０ｃｍの円筒の外周面
上にこの耐熱絶縁電線を巻付けても、絶縁層に亀裂が発
生しなかった。
縁性を評価するために、絶縁破壊電圧を測定した。その
結果、室温下においては、その絶縁破壊電圧は１５００
Ｖであった。一方、８００℃×１００時間加熱後の試料
を室温まで放冷し評価したところ、その絶縁破壊電圧は
７００Ｖであった。また、直径３０ｃｍの円筒の外周面
上にこの耐熱絶縁電線を巻付けても、絶縁層に亀裂が発
生しなかった。
【００４３】なお、上述の実施例のように、酸化クロム
層は、電気化学的手法により形成される。酸化クロム層
を電気めっき法を用いて形成する場合は、クロム酸の水
溶液に少量の有機酸を添加したものが用いられる。一般
的に、クロムめっきを行なう際に使用する電解浴として
は、クロム酸、硫酸を主体とするサージェント浴が知ら
れているが、この発明におけるクロムめっきは、一般の
クロムめっきと以下の点で異なる。
層は、電気化学的手法により形成される。酸化クロム層
を電気めっき法を用いて形成する場合は、クロム酸の水
溶液に少量の有機酸を添加したものが用いられる。一般
的に、クロムめっきを行なう際に使用する電解浴として
は、クロム酸、硫酸を主体とするサージェント浴が知ら
れているが、この発明におけるクロムめっきは、一般の
クロムめっきと以下の点で異なる。
【００４４】すなわち、一般的なクロムめっきを行なう
際に使用する電解浴中に混合する鉱酸は、電気めっきの
際にめっき表面上に生成する酸化クロムを溶解する働き
がある。このため、光沢状の金属クロム層がめっきされ
る。しかしながら、この発明では、この酸化クロムを優
先的にめっきすることが必要である。また、濡れ性と皮
膜の付着性をより大きくするために、酸化クロムを主体
とする層の表面が粗面でビロード状であることが好まし
い。このため、一般に行なわれる光沢めっきとは、処理
電流密度等の条件が異なる。すなわち、光沢めっきで
は、処理温度にもよるが１０〜６０Ａ／ｄｍ2 の電流密
度が使用されるが、本発明では、１００〜２００Ａ／ｄ
ｍ2 の電流密度を使用し、粗面を有する酸化クロム層を
形成する。
際に使用する電解浴中に混合する鉱酸は、電気めっきの
際にめっき表面上に生成する酸化クロムを溶解する働き
がある。このため、光沢状の金属クロム層がめっきされ
る。しかしながら、この発明では、この酸化クロムを優
先的にめっきすることが必要である。また、濡れ性と皮
膜の付着性をより大きくするために、酸化クロムを主体
とする層の表面が粗面でビロード状であることが好まし
い。このため、一般に行なわれる光沢めっきとは、処理
電流密度等の条件が異なる。すなわち、光沢めっきで
は、処理温度にもよるが１０〜６０Ａ／ｄｍ2 の電流密
度が使用されるが、本発明では、１００〜２００Ａ／ｄ
ｍ2 の電流密度を使用し、粗面を有する酸化クロム層を
形成する。
【００４５】
【発明の効果】この発明によれば、高温でも分解するこ
となく絶縁性を維持し、しかも、密着性よく皮膜が付着
した耐熱絶縁電線が得られる。
となく絶縁性を維持し、しかも、密着性よく皮膜が付着
した耐熱絶縁電線が得られる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｂ 7/02 Ｆ 8936−5Ｇ 7/34 Ａ 7244−5Ｇ
Claims (6)
- 【請求項１】 主鎖が化学式−［Ｓｉ（Ｒ1 ）2 −Ｎ
（Ｒ2 ）］n −（ただし、ｎ＞０かつＲ1 ，Ｒ2 ；炭化
水素）であり、側鎖に［−ＮＨＳｉ−（Ｒ3 ） 3 ］（た
だし、Ｒ3 ；炭化水素）を含むポリマーに、重量比で１
０分の１以下のクロロボラジンを添加し、架橋構造を有
するポリマーを生成するステップと、 前記架橋構造を有するポリマーを含有する塗布液を、導
体より構成される基材の外表面に塗布するステップと、 前記塗布液が塗布された前記基材を、３００℃以上、５
００℃以下で加熱処理するステップとを備える、耐熱絶
縁電線の製造方法。 - 【請求項２】 前記炭化水素が、Ｒ1 はメチル基、エチ
ル基、プロピル基、ブチル基およびフェニル基から選ば
れる炭化水素であり、Ｒ2 は水素、メチル基、エチル
基、プロピル基、ブチル基およびフェニル基から選ばれ
る炭化水素であり、Ｒ3 はメチル基およびフェニル基か
ら選ばれる炭化水素である、請求項１記載の耐熱絶縁電
線の製造方法。 - 【請求項３】 前記基材は、表面に、電気めっき法によ
り形成された酸化クロム含有層を含む、請求項１または
請求項２記載の耐熱絶縁電線の製造方法。 - 【請求項４】 導体より構成される基材と、前記基材の
外表面上に形成されるポリマー層とを含む耐熱絶縁電線
であって、 前記ポリマー層は、主鎖が化学式−［Ｓｉ（Ｒ1 ）2 −
Ｎ（Ｒ2 ）］n −（ただし、ｎ＞０かつＲ1 ，Ｒ2 ；炭
化水素）であり、側鎖に［−ＮＨＳｉ−（Ｒ3）3 ］
（ただし、Ｒ3 ；炭化水素）を含むポリマーに、重量比
で１０分の１以下のクロロボラジンで架橋したポリマー
層を、３００℃以上、５００℃以下で加熱処理して形成
されることを特徴とする、耐熱絶縁電線。 - 【請求項５】 前記炭化水素が、Ｒ1 はメチル基、エチ
ル基、プロピル基、ブチル基およびフェニル基から選ば
れる炭化水素であり、Ｒ2 は水素、メチル基、エチル
基、プロピル基、ブチル基およびフェニル基から選ばれ
る炭化水素であり、Ｒ3 はメチル基およびフェニル基か
ら選ばれる炭化水素である、請求項４記載の耐熱絶縁電
線。 - 【請求項６】 前記基材は、表面に、電気めっき法によ
り形成された酸化クロム含有層を含む、請求項４または
請求項５記載の耐熱絶縁電線。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5023143A JPH06243747A (ja) | 1993-02-12 | 1993-02-12 | 耐熱絶縁電線およびその製造方法 |
| DE69406819T DE69406819T2 (de) | 1993-02-12 | 1994-02-11 | Wärmebeständige, isolierte Leitung und Verfahren zu ihrer Herstellung |
| EP94102158A EP0613155B1 (en) | 1993-02-12 | 1994-02-11 | Heat resistant insulated wire and method of preparing the same |
| US08/195,611 US5368935A (en) | 1993-02-12 | 1994-02-14 | Heat resistant insulated wire and method of preparing the same |
| US08/293,052 US5431954A (en) | 1993-02-12 | 1994-08-19 | Heat resistant insulated wire and method of preparing the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5023143A JPH06243747A (ja) | 1993-02-12 | 1993-02-12 | 耐熱絶縁電線およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06243747A true JPH06243747A (ja) | 1994-09-02 |
Family
ID=12102348
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5023143A Withdrawn JPH06243747A (ja) | 1993-02-12 | 1993-02-12 | 耐熱絶縁電線およびその製造方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US5368935A (ja) |
| EP (1) | EP0613155B1 (ja) |
| JP (1) | JPH06243747A (ja) |
| DE (1) | DE69406819T2 (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6071553A (en) * | 1996-08-02 | 2000-06-06 | Alcatel | Method for producing melt-bonding wires |
| CN1312201C (zh) * | 2002-10-23 | 2007-04-25 | 富士电机控股株式会社 | 电零部件用树脂成型品及其制造方法 |
| US20060052537A1 (en) * | 2002-10-23 | 2006-03-09 | Toshiyuki Kanno | Resin molded article for electric part and production process of the same |
| US20120274328A1 (en) * | 2011-04-28 | 2012-11-01 | Hanington Gary J | Axial high voltage transformer with signal pass-through ability |
| US9775536B2 (en) | 2013-09-25 | 2017-10-03 | Bardy Diagnostics, Inc. | Method for constructing a stress-pliant physiological electrode assembly |
| EP3074985B1 (de) * | 2013-11-25 | 2017-07-12 | LEONI Kabel GmbH | Datenleitung sowie verfahren zur herstellung der datenleitung |
| EP3987551B1 (en) * | 2019-08-23 | 2026-04-15 | Zeus Company LLC | Polymer-coated wires |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3011047C2 (de) * | 1979-03-23 | 1982-12-16 | Nippondenso Co., Ltd., Kariya, Aichi | Wärmebeständiger, isolierter elektrischer Leitungsdraht und Verfahren zu dessen Herstellung |
| JPS57122248A (en) * | 1981-01-21 | 1982-07-30 | Takeo Kon | Solar heat collector |
| JPS617685A (ja) * | 1984-06-21 | 1986-01-14 | イビデン株式会社 | 金属基材プリント配線板およびその製造方法 |
| FR2635528A1 (fr) * | 1988-08-17 | 1990-02-23 | Atochem | Procede de preparation de polyhydrosilazanes derives d'hydrazine et l'utilisation desdits silazanes comme precurseurs de ceramique |
| JPH02222511A (ja) * | 1989-02-23 | 1990-09-05 | Showa Electric Wire & Cable Co Ltd | 耐熱コイルの製造方法 |
| US5030744A (en) * | 1989-03-23 | 1991-07-09 | Tonen Corporation | Polyborosilazane and process for producing same |
| US5256487A (en) * | 1989-12-08 | 1993-10-26 | The B. F. Goodrich Company | High char yield silazane derived preceramic polymers and cured compositions thereof |
| JP2844896B2 (ja) * | 1990-10-17 | 1999-01-13 | 信越化学工業株式会社 | 耐熱性絶縁塗料 |
| US5254411A (en) * | 1990-12-05 | 1993-10-19 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Formation of heat-resistant dielectric coatings |
| JPH04320055A (ja) * | 1991-04-18 | 1992-11-10 | Denki Kagaku Kogyo Kk | リードフレームおよび半導体パッケージ |
-
1993
- 1993-02-12 JP JP5023143A patent/JPH06243747A/ja not_active Withdrawn
-
1994
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