JPH06244052A

JPH06244052A - 多層セラミックコンデンサ−の製造方法

Info

Publication number: JPH06244052A
Application number: JP50A
Authority: JP
Inventors: C Monshees John; シ−．モンシ−ズジョン; Joseph W Crownover; ダブリュ− クロ−ンオヴァ− ジョセフ; Aubrey M Burer; エムブ−ラ− アウブレイ
Original assignee: BMC Technology Corp
Current assignee: BMC Technology Corp
Priority date: 1993-01-18
Filing date: 1993-01-18
Publication date: 1994-09-02

Abstract

(57)【要約】（修正有）【目的】剥離に対して改良された抵抗を有する薄い一
体多層コンデンサーを製造する方法を提供する。【構成】基本的には、支持材の縁に沿って形成された
一連の位置決め穴等の位置決め表示を有する支持材を提
供し、樹脂結合材中のセラミック粒子基体を支持材上に
流延し、前記基体層を乾燥し、陰極スパッタリングによ
り所定パターンに薄い電極を形成し、減圧下で電極面に
追加の基体を流延し、所定回数、流延、乾燥およびスパ
ッタリング工程を繰り返し、最終電極上に基体材料のカ
バー層を形成することを特徴とする、多層コンデンサー
の製造方法である。個々のコンデンサーは、所望の切断
技術により所望の形状に多層生成物を切断することで造
られる。通常、電極は次の層と整合関係で２つの異なる
パターンに形成されている。この方法により、改良され
た層間の接合力を有する薄い多層のコンデンサーが製造
され、切断および使用中の剥離抵抗が増大される。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は多層コンデンサーの製造
方法に関するものであり、特に、改良された中間層結合
を有する多層コンデンサーの製造方法に関するものであ
る。

【０００２】

【従来の技術】従来の多層コンデンサーは、一般的に、
所定の領域において電気容量を増大するために、全てが
並列に接続され交互に配列された多くの導電性金属電極
と絶縁層とから構成されている。この構造は、一般的に
は、電極および絶縁材一体構造または一体コンデンサー
といわれる。絶縁材は、絶縁合成樹脂、セラミック材ま
たは他の絶縁材からなる。多くの導電性材料、特に金
属、が電極として使える。

【０００３】現時点では、電極は、一般に、樹脂担体中
に分散された微分割貴金属（代表的には約１ミクロメー
ターの径）を有する一種の印刷インキがスクリーンステ
ンシルを通して基体上に供給される“シルクスクリー
ン”印刷法により絶縁基体上に形成される。導電体と非
導電性樹脂マトリックスの粒子特性により、形成された
層は最適な高導電性を有さない。層の厚さが約０．００
０１インチ（０．００２５４ｍｍ）より小さいと、導電
性は好ましくない程度まで低下し、０．０００６インチ
（０．０１５２ｍｍ）以下で使用不可能となる。薄い付
着体による線形低下を越える導電性の低下は、基本的に
は以下の２つの結果に因るものである。（１）セラミッ
ク基体の表面荒さのため、適当な導電性が発生するまで
該荒さを埋める際に、０．０００６インチ（０．０１５
２ｍｍ）の湿式付着体に含まれる金属の約３０％を該基
体は吸収する。（２）シルクスクリーン電極の最終形態
の導電性は、固体の金属よりもかなり低い導電性を一般
に呈する高密度金属粉の導電性と同様である。これらの
結果により、金属粒子インク電極の０．０００６インチ
（０．０１５２ｍｍ）より薄い層の伝導性が著しく制限
される。

【０００４】シルクスクリーン法は通常の多層コンデン
サーの製造方法に用いられているが、導電層を電極に形
成する他の方法も行われている。

【０００５】米国特許第４，３７６，３２９号に記載さ
れているように、単純なコンデンサーが、基体上にアル
ミニウム等の金属を蒸着し、気相重合により合成樹脂を
形成し、他の金属層を蒸着することにより、形成され
る。この方法は複雑であり、金属およびセラミック絶縁
体の層を交互に有する多層セラミックコンデンサーを高
速度で効果的に製造することはできない。

【０００６】層状コンデンサーを形成する他の方法が、
米国特許第４，３７８，３８２号および同第４，５０
８，０４９号に示されている。担体はドラムの凹部に位
置しており、ドラムはアルミニウム等の金属および合成
樹脂絶縁体を真空蒸着する真空室に交互に回転移送す
る。これは、やはり複雑であり、ドラムが真空室に出入
りする複雑なシール機構が必要になる。この方法は、多
層セラミックコンデンサー系のセラミック絶縁体および
貴金属電極には適用できないと考えられる。

【０００７】グロー放電スパッタリング付着法は所定の
厚さの金属に対して導電性を高めるのを容易にし、薄い
電極と薄い絶縁体を用いることができる。しかしなが
ら、セラミック粒子および樹脂結合材からなる基体上に
直接電極をスパッタリングすることは、セラミック基体
の過熱を防止するために、非常に遅い速度で行われなけ
ればならないことが分かった。この加熱はスパッタリン
グの機能であるプラズマから得られる。セラミック／樹
脂基体を過熱することは、多くのセラミック基体を有す
るスパッタ電極がプレスされて中間金属電極とセラミッ
ク基体とのサンドイッチ構造を形成する層形成工程を阻
止する。高速スパッタリングは、基体を破損しないが、
効果的な層形成を阻害する。

【０００８】このように、良く積層された薄いセラミッ
ク絶縁性基体と薄い貴金属基体を用いて一体形成のコン
デンサーを形成する耐高温性の多層コンデンサーを製造
する方法に依然需要が在る。

【０００９】

【課題を解決するための手段】したがって、本発明の目
的は、良く積層された薄い基体と電極とを用いた多層コ
ンデンサーを形成する方法を提供することである。本発
明の他の目的は、多層コンデンサーの積層に悪影響な
く、電極が高速度で陰極スパッタリングにより形成され
る、多層コンデンサーの製造方法を提供することであ
る。

【００１０】上記目的を達成するために、本発明は、セ
ラミック／樹脂基体を、位置決め手段を有する、典型的
には長い連続的なロールの形の適当な支持材上に流延
（ｃａｓｔｉｎｇ）し；前記基体を乾燥し；適当なステ
ンシルを介して第１の金属電極層を該基体上にスパッタ
リングし；流延、乾燥およびスパッタリングを繰り返し
（ここで、金属電極をほぼ正確な位置決め状態に保持し
ながら最後に形成された金属電極層上にセラミック／樹
脂基体を流延する）、所望の回数（典型的には連続ロー
ルで）流延、乾燥およびスパッタリングを繰り返し、最
後にカバー（被覆）セラミック／樹脂基体を最終金属電
極層上に形成する方法を提供する。これにより、従来用
いられていた圧力および熱の条件下での機械的な積層の
必要性を部分的に無くすことができる。

【００１１】結合性を改良するために、最初の基体を形
成した後の基体の流延操作は、空気泡を除去するため
に、一般に約−１から−１．５ｍｍＨｇ、最適には少な
くとも約−１．２５ｍｍＨｇの減圧下で行う。基体の振
動も泡の除去に役立つ。

【００１２】得られた多層コンデンサーのプレフォーム
はパンチ加工され、個々のコンデンサーバーを形成し、
該バーは所定の形状の個々のコンデンサーに切断でき、
そして該コンデンサーは従来の様式で焼成される。こう
して、最終コンデンサーは薄い基体と電極を有し、非常
によく接合された層状一体コンデンサーを形成する。従
来の方法よりも数倍速いスパッタリング速度が用いられ
るので、製造時間は大きく短縮される。

【００１３】好ましい全体的な方法、装置、材料および
配列は、本出願人による米国特許出願第０７／６１０，
７８０号に記載されている。その記載を本願に参考とし
て含ませる。

【００１４】

【実施例】以下、図面を参照して、本発明を詳述する。

【００１５】多層コンデンサーの基本的製造方法は、図
１のブロック図に示されている。まず、巻回された支持
材料が提供される（ブロック１０）。支持材料は、紙や
プラスチックフィルム等の適当な薄いシート材である。
好適な材料は、この方法における温度に対して望ましい
可撓性、強度および抵抗を有する紙、キャプトン（ｋａ
ｐｔｏｎ）アルアミド等である。位置決め表示は、後述
するように、支持材料上に形成された基体に多層電極を
形成するのに用いられるステンシルを用いて、支持材料
のほぼ正確な位置決めをするように、支持材料上に設け
られる。好ましくは、位置決め表示は、映像フィルムの
整合穴のように、支持材料移動手段のピンと係合する、
支持材料の端にそった一様に離れたピンホールである。
必要に応じ、光学スキャンシステムにより読取られる一
定間隔のエッジマークのような位置決め手段を用いるこ
ともできる。

【００１６】第２のステップは、この方法のブロック１
２に示されるように、支持材料上に所望の厚さまで樹脂
マトリックス内に微細に粉砕されたセラミック粒子の湿
った混合物を流延（キャスティング）する。この生セラ
ミック層は、好ましくは、微細に粉砕された絶縁性セラ
ミック粒子であり、代表的には、５０重量％の樹脂およ
び溶媒と５０重量％のセラミック粒子の重量比で、樹脂
マトリックス中に分散された約０．５から２．０ミクロ
メートルの平均粒径を有する、バリウム、ストロンチウ
ム、チタンまたはそれらの混合物等の金属の酸化物であ
る。またその代表的な樹脂は、典型的にはトルエンまた
はエタノール溶媒で可塑化されたビニルポリマーおよび
アクリルポリマーである。所望により、水または適当な
有機溶媒中に溶解された他の樹脂を用いることもでき
る。樹脂材料は、代表的には、約２０重量％の樹脂と約
８０重量％の溶媒から成り、従来の家のペンキと同様な
粘稠度を有している。セラミック／樹脂混合物は、典型
的には所定の濡れ厚さにスリップ流延される。

【００１７】第３のステップ（ブロック１４）におい
て、流延基体層は、約１００から１５０°Ｆの温度で約
１０から１５分加熱して、部分的に乾燥されて、ほとん
どの溶媒が除去されそして部分的に乾燥され、取扱いが
容易で、妥当な程度強固な層が支持体上に形成される。

【００１８】ブロック１６で示されるステップにおい
て、適当な電極パターンがステンシルを介した陰極スパ
ッタリングにより形成される。ステンシルは、支持材料
の位置決め表示手段と整合し、支持材料とステンシル中
の位置決め表示ピンホールを介して延びたピンを受ける
ように、所望のパターンに開孔されている。ステンシル
の上に落ちた金属は後に除去され再使用される。上述の
ように、従来のシルクスクリーン法では使用できない多
くの金属も使用することができる。

【００１９】次に、ブロック１８のステップでは、流
延、乾燥およびスパッタリング工程が所定回数繰返さ
れ、多層コンデンサーを形成する。一般に、連続層は異
なる電極パターンを有しており、代表的には、後述する
ように、２つのパターンを交互に交替させる。使用され
たセラミック／樹脂混合物の各連続層は、電極面上の弱
い減圧状態中で流延される。仮に大気中で流延される
と、後述するように、過度の流延により乾燥層の荒い表
面に小さなエアーポケットが捕獲されることが分かっ
た。これらのエアーポケットは、残っていると、層破壊
および低強度の問題を後で引起こす。低真空度、典型的
には−１から−１．５ｍｍＨｇの真空度で上層を流延す
ると、エアーポットは除去される。

【００２０】上述のように、明らかに、単純に押付けた
だけでは結合しない乾燥樹脂面のため、積層された２つ
の乾燥基体は欠陥接合および後の剥離の問題を引起こ
す。第２の湿った層を用いると、下層の乾燥樹脂表面を
十分に湿らせ、僅かに溶かしそして修復し、良好な接合
が得られる。

【００２１】一旦所望の数の層が形成されると、ブロッ
ク２０に示すように、セラミック／樹脂混合物の最終カ
バー層が積層体上に流延され、乾燥される。積重ね層を
構成するすべての層が強固に接触し接合されることを確
実にするため、ブロック２１に示されるように、圧力を
積層体に掛けることが好ましい。所望により、プラテン
でプレスするか弾性ローラーで圧延するか、適当な様式
で圧力を加えるようにしても良い。

【００２２】積層体はパンチされるかカットされて、個
々のコンデンサーを形成する。所望により、コンデンサ
ーは適当な様式で乾燥、焼成され、接点が設けられ、適
当なハウジングに封入される。

【００２３】図２は、２層集成体の垂直断面図であり、
連続するセラミック／樹脂層の流延に低真空度を用いる
と有利かの理由を示している。最初の基体層２４はセラ
ミック粒子から生じる通常の僅かに荒い上面を有してい
る。スパッタされた電極層２６はこの荒さを充填し、ス
ムースな上面を形成する。セラミック／樹脂混合物２８
が第１の層に流れ第２の層を形成すると、エアーポケッ
ト３０が残り易く、２つの基体層の間に完全な接触およ
び効果的な接合を阻害する。下層が乾燥した場合、２つ
の基体間に最大限の接合を得るためには、第２層の樹脂
と溶媒の接触が重要になる。弱い減圧により、エアーポ
ケットは第２の基体２８を通過する小さな泡としてガス
抜きされる。第２の基体２８の表面は流延工程の直後は
僅かに不規則ではあるが、乾燥工程の初期段階にはその
面は平滑化される。真空処理や振動処理なくして得られ
た結合表面は良い場合もあるが、材料の真空処理や振動
処理は最良の製品の質を得るためには好ましい。

【００２４】前の層上に次のセラミック／樹脂層を流延
することは概略的に図３に示されている。流延基体とス
パッタされた電極の１つ以上の組合わせを有する支持ス
トリップ３５は供給ロールに捲回される。複数の層を有
する支持フィルムが捲回されると、供給ロールの外周が
増大するため、層の上部はわずかに伸びる。コンデンサ
ーによっては、製品の全厚さが約０．０４インチになる
場合もある。ロール３２のコアーが少なくとも２４イン
チの直径を有すると、コンデンサーの変形が少なく問題
が生じないことが分った。２４インチロールコアーで
は、標準コンデンサーの底と上部との差は約０．０００
５インチを越えない。もちろん、より小径のコアーを、
薄いコンデンサーに大きな問題無く用いることもでき
る。

【００２５】１つ以上の乾燥基体と電極の層を有する支
持ストリップ３５は真空室３４に運ばれる。真空室３４
において、流延装置３６はセラミック／樹脂混合物の次
の層に作用し、従来の平滑化装置により湿った層が所望
の厚さまで平滑化される。支持ストリップ３５は振動装
置３７と乾燥オーブン３８とを通過し、巻取ローラー４
０まで搬送される。

【００２６】支持材は図４で概略的に示されたスパッタ
リング部に移動され、電極パターンが形成される。図４
は、ストリップ３５上に被覆された生セラミック基体上
に金属電極被覆層を形成する装置を示している。ストリ
ップ３５は供給ロール３７からこの装置を介して巻取ロ
ール３９に供給される。典型的には、これらのロール３
７および３９は約２４インチの直径を有する。ストリッ
プ３５は該供給ロールと巻取ロールとの間のドラム４１
を通過する。図示しない一連の位置決め穴がストリップ
の端にそって設けられており、位置決めピン４３と係合
する。ドラム４１は、供給ロール３７からストリップ３
５を引く図示しない従来の駆動装置により所定の速度で
回転される。巻取ロール３９もドラム４１を離れたスト
リップ３５をスムースに巻取るように回転される。

【００２７】連続したステンシルウエブ４５はドラム３
５と２つのアイドルロール４７のまわりに設けられてい
る。位置決め穴が、ストリップ３５の端に沿った穴とド
ラム４１上の位置決めピン４３に対応して、ステンシル
ウエブ４５の端に沿って設けられている。位置決め穴は
ドラム４１の回りにステンシルウエブのループを駆動
し、ステンシルウエブ４５とストリップ３５との正確な
位置決めを維持する。ステンシルウエブ４５は、セラミ
ック基体上に形成される所望の電極に対応して、ステン
シル穴のパターンを有している。典型的には、ステンシ
ルウエブ４５が約５インチの幅であるとき、４０列のス
テンシル穴が設けられる。もちろん、これより多くのま
たは少ない穴列を有するより幅広い又は狭いウエブを、
所望に応じて、用いることができる。

【００２８】スパッタリング室４９はドラム４１に隣接
して、ストリップ３５上のセラミック基体層とステンシ
ルウエブ４５のサンドイッチ構造体の反対側に位置して
いる。代表的に約２１インチの全幅と約３６インチの高
さを有する全装置は図示しない従来の真空容器に包まれ
ている。典型的には、容器は約５×１０^-4から５×１０
^-9ｍｍＨｇの圧力に減圧され、約１０^-2から１０^-4ｍｍ
Ｈｇの圧力でアルゴン等の不活性ガスが充填され、この
範囲の圧力が維持される。

【００２９】スパッタリング室４９は、従来の様式でド
ラム４１上のサンドイッチ構造体に向って金属原子が推
進されるスパッタリングターゲット５１と、サンドイッ
チ構造体から離れたスパッタ原子を回収し、スクラップ
回収を容易にするシールド５３とを有している。スパッ
タリング技術としては従来の公知のものが使用できる。
スパッタリングとは、高圧により表面に向って加速さ
れた衝撃イオンにより固体面を崩壊することをいう。衝
撃イオンのモーメントは表面原子に伝達され、極めて高
い速度で該原子を射出させる。射出された原子はステン
シル穴２６内のセラミック基体と穴の間のステンシル自
体に付着される。このように、薄いフィルムが１原子ず
つ付着される。スパッタリング技術は非蒸発処理である
ので、高融点材料が付着される。本実施例の場合、スパ
ッタリングされる金属は、１０００℃以上の温度を必要
とする後の生セラミック基体の焼成処理中の電極の破損
を避けるために、十分に高い融点を有さなければならな
い。また、スパッタリングにより、合金組成を変更する
ことなく、ターゲットから基体まで合金を移送すること
もできる。

【００３０】従来は、スパッタリングは比較的遅い工程
であった。ダイオードの製造方法では、付着は１分間に
約２００から５００オングストロームに制限されてい
た。「プラナーマグネトロン」スパッタリングでは、１
分間に２０，０００オングストロームの割合で可能であ
るから、比較的厚いフィルムが満足する速度で形成され
ることがわかった。このように、ステンシル開口を介し
てステンシルウエブ４５の表面とセラミック基体３５と
にターゲット５１から金属原子の流れを生成するには、
従来のプラナーマグネトロンシステムを採用したほうが
良い。金属層はウエブ４５上に形成され、結果としてそ
の可撓性を制限する。ウエブは交換され、金属被覆はウ
エブから回収される。

【００３１】生セラミックは樹脂マトリックス中にセラ
ミック粒子を有しているので、スパッタリング中の高温
により生セラミックの表面を破損する可能性がある。ス
パッタリング中に大きな熱エネルギーがターゲットから
射出される。上述のように、圧力だけで乾燥層を積層す
ると、生セラミック層に与えられた過度の熱エネルギー
により良好な接着が阻害される。この問題は、前の部分
的に乾燥された層上に次のペンキ状の層を流延する本発
明の方法により解決される。

【００３２】図示のドラム配置は、単純化、便利性、効
率を考慮すると非常に好ましいものであるが、所望によ
り、基体をスパッタリングに徐々に搬送する同様な効果
を有する他の曲面を用いることもできる。位置決めピン
を有するトラック（ｔｒａｃｋｅｄ）ベルトを用いて、
その様な面上のサンドイッチ構造を移動してもよい。

【００３３】図５は、縁にそって位置決め穴４４を有
し、乾燥セラミック／樹脂層４６と一連の電極パターン
をＡおよびＢで示される２つのパターンで交互に変更さ
せて有する、典型的な支持層４２を示す。この基体が再
びセラミック／樹脂基体流延工程、乾燥工程および電極
スパッタリング工程を通過すると、パターンＢはパター
ンＡを有するものの上に形成され、パターンＡはパター
ンＢ上に形成される。図６に示される最終コンデンサー
４６は所定の形状に支持材４２から切断されると、垂直
断面で示される形状が一般に生成される。パターンＡは
一方の縁方向に延びた電極を有しており、パターンＢは
反対の縁に向って延びている。このように、４８および
５０で示される導電体は、電極に接触するコンデンサー
の対向する側に形成され、電極の並列シーケンスを形成
する。他の適当なパターンのシーケンスが所望により形
成される。もちろん、必要に応じて、他の様々なパター
ンが形成され、例えば、同じパターンのシーケンス（Ａ
−Ａ−Ａ−Ａ，またはＢ−Ｂ−Ｂ−Ｂ）または交互のパ
ターンのシーケンス（Ａ−Ｂ−Ａ−Ｂ−Ａ−Ｂ，等）で
ある。

【００３４】本発明の他の変更例、応用、および適用は
当業者にとって自明である。これらは本発明の範囲であ
ることは明らかである。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の基本方法を示すフローチャートであ
る。

【図２】減圧を用いること無く製造された多層コンデン
サーの概略縦断面図である。

【図３】基体製造工程の概略側面図である。

【図４】陰極スパッタリングシステムの概略側面図であ
る。

【図５】２つの電極パターンを有する基体の概略縦断面
図である。

【図６】本発明の方法により製造された多層コンデンサ
ーの縦断面図である。

【符号の説明】

２４基体層２６電極２８セラミック／樹脂混合物３０エアーポケット３２ロール３４真空室３５ストリップ３７供給ロール３８乾燥オーブン３９巻取ロール４１ドラム４３位置決めピン４５ステンシルウエブ４９スパッタリング室５１ターゲット５３シールド

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者ジョセフダブリュ− クロ−ンオヴァ− アメリカ合衆国 92037 カリフォルニアラジョラセンタ− ストリ−ト 935 (72)発明者アウブレイエムブ−ラ− アメリカ合衆国 92019 カリフォルニアイ−エルカジョンヴィスタグランデロ−ド 1162

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】（ａ）位置決め表示を有する支持材を提供
し、（ｂ）湿潤樹脂および溶媒マトリックス中に微細に
分割されたセラミック粒子の混合物から前記支持材上に
基体層を流延形成し、（ｃ）前記基体層を乾燥し、
（ｄ）前記位置決め表示に従ってステンシルを介して陰
極スパッタリングにより所定電極パターンを形成し、
（ｅ）少なくとももう１回、流延、乾燥およびスパッタ
リング工程を繰り返し、そして（ｆ）最終スパッタリン
グ工程において、湿潤樹脂および溶媒マトリックス中の
セラミック粒子のカバー層を流延形成することを特徴と
する、薄い一体的多層コンデンサーの製造方法。
【請求項２】請求項１記載の製造方法において、前記
カバー層を乾燥し、得られた組立体から所定のコンデン
サープレフォームを切断し、そして得られたコンデンサ
ープレフォームを前記セラミック粒子のガラス化温度ま
で加熱する工程を更に含む多層コンデンサーの製造方
法。
【請求項３】請求項１記載の製造方法において、前記
マトリックス中のセラミック粒子の層の流延工程は減圧
下で行われることを特徴とする、多層コンデンサーの製
造方法。
【請求項４】請求項３記載の製造方法において、前記
流延工程において前記減圧は約−１から−１．５ｍｍＨ
ｇに維持されることを特徴とする、多層コンデンサーの
製造方法。
【請求項５】請求項１記載の製造方法において、各基
体乾燥工程の後で、前記スパッタリング工程の前に前記
ストリップは少なくとも約２４インチの直径を有するコ
アーに巻かれることを特徴とする、多層コンデンサーの
製造方法。
【請求項６】請求項１記載の多層コンデンサーの製造
方法において、前記流延層は乾燥の前に振動処理に付す
ことを特徴とする、多層コンデンサーの製造方法。
【請求項７】（ａ）位置決め表示を有する支持材を提供
し、（ｂ）湿潤樹脂および溶媒マトリックス中に微細に
分割されたセラミック粒子の混合物から前記支持材上に
基体層を流延形成し、（ｃ）前記流延工程において前記
基体を減圧に保持し、（ｄ）前記基体層を乾燥し、
（ｅ）前記位置決め表示に従ってステンシルを介して陰
極スパッタリングにより所定電極パターンを形成し、
（ｆ）少なくとももう１回、流延、乾燥およびスパッタ
リング工程を繰り返し、（ｇ）最終スパッタリング工程
において、湿潤樹脂および溶媒マトリックス中のセラミ
ック粒子のカバー層を流延形成し、（ｈ）得られた組立
体からコンデンサープレフォームを切断し、そして
（ｉ）前記プレフォームを前記セラミック粒子のガラス
化温度に加熱する、工程を特徴とする、薄い一体的多層
コンデンサーの製造方法。
【請求項８】請求項７記載の多層コンデンサーの製造
方法において、前記流延工程において前記減圧は約−１
から−１．５ｍｍＨｇに維持されることを特徴とする、
多層コンザンサーの製造方法。
【請求項９】請求項７記載の多層コンデンサーの製造
方法において、各基体乾燥工程の後で、前記スパッタリ
ング工程の前に前記ストリップは少なくとも約２４イン
チの直径を有するコアーに巻かれることを特徴とする、
多層コンデンサーの製造方法。
【請求項１０】請求項７記載の多層コンデンサーの製
造方法において、前記流延層は乾燥の前に振動処理に付
されることを特徴とする、多層コンデンサーの製造方
法。