JPH06244081A - 表面形状検出方法および投影露光装置 - Google Patents
表面形状検出方法および投影露光装置Info
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- JPH06244081A JPH06244081A JP5028064A JP2806493A JPH06244081A JP H06244081 A JPH06244081 A JP H06244081A JP 5028064 A JP5028064 A JP 5028064A JP 2806493 A JP2806493 A JP 2806493A JP H06244081 A JPH06244081 A JP H06244081A
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 ２分割した可干渉性単色光の一方（物体光）
を試料面に照射して得られる反射光と上記他方の光ビ−
ム（参照光）とを重畳させて得た干渉縞より算出する試
料面の傾き、高さ等の検出精度を向上する。 【構成】 試料面からの反射光を試料面と共役の位置に
て結像させ、この結像光を再度試料面に照射してその反
射光を試料に対して共役な位置に設けた光検出器に導
き、光検出器上で上記参照光と重畳して干渉縞を得、こ
の情報により試料面の傾き、高さ等を算出して試料面の
位置を補正する。
を試料面に照射して得られる反射光と上記他方の光ビ−
ム（参照光）とを重畳させて得た干渉縞より算出する試
料面の傾き、高さ等の検出精度を向上する。 【構成】 試料面からの反射光を試料面と共役の位置に
て結像させ、この結像光を再度試料面に照射してその反
射光を試料に対して共役な位置に設けた光検出器に導
き、光検出器上で上記参照光と重畳して干渉縞を得、こ
の情報により試料面の傾き、高さ等を算出して試料面の
位置を補正する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体ウエハのような
平坦な基板の表面形状を検出する方法ならびに投影露光
装置に関し、とくに、ＦＦＴにより光学的干渉縞情報か
らレジストの表面形状を算出して表面の傾きや高さ等を
求める表面形状検出方法と、この方法により焦点合わせ
を行う投影露光装置に関する。
平坦な基板の表面形状を検出する方法ならびに投影露光
装置に関し、とくに、ＦＦＴにより光学的干渉縞情報か
らレジストの表面形状を算出して表面の傾きや高さ等を
求める表面形状検出方法と、この方法により焦点合わせ
を行う投影露光装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】微細化された半導体集積回路や液晶ディ
スプレイ等のパタ−ン露光工程では、ウエハや基板表面
の傾きや高さを精度よく検出して露光面の位置合わせを
正確に行う必要がある。例えば半導体集積回路にて水銀
ランプのｉ線を用いて線幅０．５μｍのパタ−ンを露光
する場合には、ウエハのそり、表面の凹凸を考慮して焦
点深度を±１μｍ以下とし、ウエハの傾きを約１０μra
d、ウエハ面の高さを０．１μｍの以下にする必要があ
る。
スプレイ等のパタ−ン露光工程では、ウエハや基板表面
の傾きや高さを精度よく検出して露光面の位置合わせを
正確に行う必要がある。例えば半導体集積回路にて水銀
ランプのｉ線を用いて線幅０．５μｍのパタ−ンを露光
する場合には、ウエハのそり、表面の凹凸を考慮して焦
点深度を±１μｍ以下とし、ウエハの傾きを約１０μra
d、ウエハ面の高さを０．１μｍの以下にする必要があ
る。
【０００３】特願平１−１０００２６号公報には、レ−
ザ光のＳ偏光をウエハ表面に斜め入射してその反射光を
参照光と干渉させて得られる干渉縞よりレジスト表面の
高さ、傾き等を検出する方法が開示されている。すなわ
ち、干渉縞のピッチよりウエハ表面の傾きを求め、干渉
縞の位相よりウエハ面の高さを求めるようにしていた。
ザ光のＳ偏光をウエハ表面に斜め入射してその反射光を
参照光と干渉させて得られる干渉縞よりレジスト表面の
高さ、傾き等を検出する方法が開示されている。すなわ
ち、干渉縞のピッチよりウエハ表面の傾きを求め、干渉
縞の位相よりウエハ面の高さを求めるようにしていた。
【０００４】この方法ではレ−ザ光のビ−ムサイズを極
めて細くできるので集束角を大きくする必要がなく、ま
た、干渉縞を用いるので、集光レンズを用いたことによ
るセンサ上のスポット径の広がりも発生しないので、入
射光の入射角を８５°以上、例えば８８°等に設定して
フォトレジスト内への侵入光量を低減することができ
た。
めて細くできるので集束角を大きくする必要がなく、ま
た、干渉縞を用いるので、集光レンズを用いたことによ
るセンサ上のスポット径の広がりも発生しないので、入
射光の入射角を８５°以上、例えば８８°等に設定して
フォトレジスト内への侵入光量を低減することができ
た。
【０００５】また、ウエハからの反射光をミラ−により
反射してウエハ面に再入射するようにして反射光と参照
光間の位相差を拡大しするようにして干渉縞の強度分布
を精度良く検出できるようにしていた。
反射してウエハ面に再入射するようにして反射光と参照
光間の位相差を拡大しするようにして干渉縞の強度分布
を精度良く検出できるようにしていた。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記特願平１
−１０００２６号公報に開示の方法ではウエハ面と干渉
縞検出位置とを共役な位置関係に保つ必要があるもの
の、２度目の入射においてはミラ−が干渉縞検出位置と
共役な位置関係になるのでウエハ面と干渉縞検出位置と
を共役な位置関係に保てないことが問題であった。この
ため、２度目の入射光がウェハ表面でデフォ−カスして
オフセットが発生し、このオフセットを測定の都度補正
する必要があった。
−１０００２６号公報に開示の方法ではウエハ面と干渉
縞検出位置とを共役な位置関係に保つ必要があるもの
の、２度目の入射においてはミラ−が干渉縞検出位置と
共役な位置関係になるのでウエハ面と干渉縞検出位置と
を共役な位置関係に保てないことが問題であった。この
ため、２度目の入射光がウェハ表面でデフォ−カスして
オフセットが発生し、このオフセットを測定の都度補正
する必要があった。
【００７】図８は上記従来の干渉縞検出方法を説明する
図である。図８（ａ）はウエハ面にて入射光を１回反射
させた場合、同図（ｂ）は２回反射させた場合である。
基準面４０に対してウエハ表面４１が図示のような突起
部を持っている場合を想定する。可干渉性のレ−ザ光を
２分してその一方を検出照明光１６としてウエハ表面４
１に照射し、他方を参照光１７にする。
図である。図８（ａ）はウエハ面にて入射光を１回反射
させた場合、同図（ｂ）は２回反射させた場合である。
基準面４０に対してウエハ表面４１が図示のような突起
部を持っている場合を想定する。可干渉性のレ−ザ光を
２分してその一方を検出照明光１６としてウエハ表面４
１に照射し、他方を参照光１７にする。
【０００８】図８（ａ）において、検出照明光１６はウ
エハ表面４１で反射し、反射光４６は面ｘ上で参照光１
７と重なって同図（ｃ）の実線で示すような干渉縞を発
生する。これにたいして突起部がない場合には、検出照
明光１６は点線で示したようにウエハ表面４１で反射す
るので、上記ｘからずれた位置で参照光１７と重なり同
図（ｃ）の点線で示すような干渉縞を発生する。
エハ表面４１で反射し、反射光４６は面ｘ上で参照光１
７と重なって同図（ｃ）の実線で示すような干渉縞を発
生する。これにたいして突起部がない場合には、検出照
明光１６は点線で示したようにウエハ表面４１で反射す
るので、上記ｘからずれた位置で参照光１７と重なり同
図（ｃ）の点線で示すような干渉縞を発生する。
【０００９】同図（ｃ）の実線と点線間の位相差φは式
（１）のように導かれるので、基準面４０よりの干渉縞
とウエハ面からの干渉縞の位相差φを計測することによ
りウエハ面４１の突起部の高さｚ（ｙ）を求めることが
できる。 φ＝４πｍ・cosθ・ｚ（ｙ）／λ （１） なお、ｍは反射の回数で同図（ａ）の場合は１である。
θは検出照明光１６の入射角度、λは同波長である。
（１）のように導かれるので、基準面４０よりの干渉縞
とウエハ面からの干渉縞の位相差φを計測することによ
りウエハ面４１の突起部の高さｚ（ｙ）を求めることが
できる。 φ＝４πｍ・cosθ・ｚ（ｙ）／λ （１） なお、ｍは反射の回数で同図（ａ）の場合は１である。
θは検出照明光１６の入射角度、λは同波長である。
【００１０】また、ｍが１では位相差φが小さ過ぎて計
測精度が低いので、同図（ｂ）に示すように反射光４６
をミラ−４０によりほぼ元の光路に折り返してウエハ面
で再度反射させ、この２回目の反射光を面ｘ上で参照光
１７と重ねて干渉縞を発生するようにすると、式（１）
のｍが２となり上記位相差φを２倍に増大することがで
きるので、計測精度を２倍に高めることができる。
測精度が低いので、同図（ｂ）に示すように反射光４６
をミラ−４０によりほぼ元の光路に折り返してウエハ面
で再度反射させ、この２回目の反射光を面ｘ上で参照光
１７と重ねて干渉縞を発生するようにすると、式（１）
のｍが２となり上記位相差φを２倍に増大することがで
きるので、計測精度を２倍に高めることができる。
【００１１】しかし、ウエハ面４１の反射面位置と面ｘ
が共役になるように光学系を構成できれば上記干渉縞情
報よりウエハの各反射面位置の高さを対応づけ、ウエハ
の傾き等も正確に検出できるものの、上記２度目の入射
においてはミラ−が干渉縞検出位置と共役な位置関係に
なるのでウエハ面と面ｘとは共役な位置関係から外れ、
これにより反射面位置の高さを正確に検出できないこと
が問題であった。
が共役になるように光学系を構成できれば上記干渉縞情
報よりウエハの各反射面位置の高さを対応づけ、ウエハ
の傾き等も正確に検出できるものの、上記２度目の入射
においてはミラ−が干渉縞検出位置と共役な位置関係に
なるのでウエハ面と面ｘとは共役な位置関係から外れ、
これにより反射面位置の高さを正確に検出できないこと
が問題であった。
【００１２】すなわち図９に示すように、上記干渉縞強
度の位相は同図（ａ）に示すウエハ面の高さの急激な変
化に対応して上記干渉縞強度の位相が同図（ｂ）に示す
ように急激に変化すべきところ、上記共役関係のずれに
より同図（ｃ）のように位相変化がなだらかになるの
で、これから算出されるウエハ面の高さは同図（ｄ）の
ようになだらかななものとなっていた。本発明の目的は
上記の問題を解消することのできるウェハの表面形状の
検出方法とこの情報に基づいて露光装置の高さ及び傾き
を制御することのできる投影露光装置を提供することに
ある。
度の位相は同図（ａ）に示すウエハ面の高さの急激な変
化に対応して上記干渉縞強度の位相が同図（ｂ）に示す
ように急激に変化すべきところ、上記共役関係のずれに
より同図（ｃ）のように位相変化がなだらかになるの
で、これから算出されるウエハ面の高さは同図（ｄ）の
ようになだらかななものとなっていた。本発明の目的は
上記の問題を解消することのできるウェハの表面形状の
検出方法とこの情報に基づいて露光装置の高さ及び傾き
を制御することのできる投影露光装置を提供することに
ある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、所定の形状に整形した可干渉性単色光源の光ビ−ム
を２分割し、その一方の光ビ−ム（物体光）を試料面に
照射して得られる反射光と上記他方の光ビ−ム（参照
光）とを重畳させて得られる干渉縞情報より上記試料面
の傾き、高さ等を検出する表面形状検出方法において、
上記試料面からの反射光を上記試料面と共役の位置にて
結像させ、この結像光を再度上記試料面に照射してその
反射光を上記試料に対して共役な位置に設けた光検出器
に導き、上記光検出器上で上記参照光と重畳して得られ
る干渉縞情報より上記試料面の傾き、高さ等を検出する
ようにする。
に、所定の形状に整形した可干渉性単色光源の光ビ−ム
を２分割し、その一方の光ビ−ム（物体光）を試料面に
照射して得られる反射光と上記他方の光ビ−ム（参照
光）とを重畳させて得られる干渉縞情報より上記試料面
の傾き、高さ等を検出する表面形状検出方法において、
上記試料面からの反射光を上記試料面と共役の位置にて
結像させ、この結像光を再度上記試料面に照射してその
反射光を上記試料に対して共役な位置に設けた光検出器
に導き、上記光検出器上で上記参照光と重畳して得られ
る干渉縞情報より上記試料面の傾き、高さ等を検出する
ようにする。
【００１４】このため、上記試料面からの反射光を上記
試料面と共役の位置にて結像させる結像光学系と、上記
結像光学系の結像光を上記試料面に再照射する反射手段
と、上記再照射光の上記試料面における反射光を上記試
料とは共役な位置に設けた光検出器に導く検出光学系
と、上記参照光を上記光検出器面に導かれた反射光に重
畳させる参照光学系と、上記光検出器が検出する干渉縞
情報より上記試料面の傾き、高さ等を検出する信号処理
回路とを設け、上記信号処理回路の出力により上記試料
面の傾き、高さ等を制御する手段により試料面の位置を
適正に補正するようにする。
試料面と共役の位置にて結像させる結像光学系と、上記
結像光学系の結像光を上記試料面に再照射する反射手段
と、上記再照射光の上記試料面における反射光を上記試
料とは共役な位置に設けた光検出器に導く検出光学系
と、上記参照光を上記光検出器面に導かれた反射光に重
畳させる参照光学系と、上記光検出器が検出する干渉縞
情報より上記試料面の傾き、高さ等を検出する信号処理
回路とを設け、上記信号処理回路の出力により上記試料
面の傾き、高さ等を制御する手段により試料面の位置を
適正に補正するようにする。
【００１５】また、上記結像光学系を少なくとも焦点距
離がそれぞれｆ1とｆ2である第１および第２のレンズに
より構成し、第１のレンズを試料面から距離ｆ1だけ離
して配置し、第２のレンズを第１のレンズから距離（ｆ
1＋ｆ2）だけ離して配置し、さらに上記反射手段を第２
のレンズから距離ｆ2だけ離して配置するようにする。
また、上記結像光学系を少なくとも焦点距離がｆ1であ
るレンズにより構成し、上記レンズを試料面から距離ｆ
1だけ離して配置し、上記反射手段を上記レンズから距
離ｆ1だけ離して配置するようにする。また、上記光検
出器上における上記物体光と参照光の交叉角を調整する
手段を設けるようにする。
離がそれぞれｆ1とｆ2である第１および第２のレンズに
より構成し、第１のレンズを試料面から距離ｆ1だけ離
して配置し、第２のレンズを第１のレンズから距離（ｆ
1＋ｆ2）だけ離して配置し、さらに上記反射手段を第２
のレンズから距離ｆ2だけ離して配置するようにする。
また、上記結像光学系を少なくとも焦点距離がｆ1であ
るレンズにより構成し、上記レンズを試料面から距離ｆ
1だけ離して配置し、上記反射手段を上記レンズから距
離ｆ1だけ離して配置するようにする。また、上記光検
出器上における上記物体光と参照光の交叉角を調整する
手段を設けるようにする。
【００１６】
【作用】上記試料面からの反射光は上記試料面と共役の
位置にて結像した後、試料面に再照射されその反射光は
試料に対して共役な位置にある光検出器に導かれて参照
光と重畳され、位相誤差のない干渉縞パタ−ンを形成す
る。光検出器はこの干渉縞パタ−ンを検出し、信号処理
回路は光検出器の出力信号より試料面の傾き、高さ等を
算出し、試料面の傾き、高さ等を補正する。また、上記
結像光学系のレンズ系は試料面からの反射光を試料面に
対して共役の位置に結像し、上記反射手段はこの結像を
反射し上記レンズ系を介して上記試料面に結像させる。
位置にて結像した後、試料面に再照射されその反射光は
試料に対して共役な位置にある光検出器に導かれて参照
光と重畳され、位相誤差のない干渉縞パタ−ンを形成す
る。光検出器はこの干渉縞パタ−ンを検出し、信号処理
回路は光検出器の出力信号より試料面の傾き、高さ等を
算出し、試料面の傾き、高さ等を補正する。また、上記
結像光学系のレンズ系は試料面からの反射光を試料面に
対して共役の位置に結像し、上記反射手段はこの結像を
反射し上記レンズ系を介して上記試料面に結像させる。
【００１７】
【実施例】図１は本発明による縮小投影露光装置実施例
の構成図である。露光照明系８１によりレチクル９を照
明してその回路パタ−ンを縮小レンズ８によりステージ
７上のウエハ（被検物）４面に結像し、表面検出系２は
ウェハの表面形状情報を検出して処理する。本発明では
例えば上記ウエハ４上の回路パタ−ンの線幅が０．３５
μｍのときには、ウエハ上の焦点深度を±１μｍ以下と
してウエハ４の傾きと高さをそれぞれ５μrad、０．０
５μｍに制御する。なお、図１にはウェハの傾き検出の
１軸分のみを示したが、実際には紙面に垂直方向のウェ
ハの傾きを検出する系が存在する。
の構成図である。露光照明系８１によりレチクル９を照
明してその回路パタ−ンを縮小レンズ８によりステージ
７上のウエハ（被検物）４面に結像し、表面検出系２は
ウェハの表面形状情報を検出して処理する。本発明では
例えば上記ウエハ４上の回路パタ−ンの線幅が０．３５
μｍのときには、ウエハ上の焦点深度を±１μｍ以下と
してウエハ４の傾きと高さをそれぞれ５μrad、０．０
５μｍに制御する。なお、図１にはウェハの傾き検出の
１軸分のみを示したが、実際には紙面に垂直方向のウェ
ハの傾きを検出する系が存在する。
【００１８】レ−ザ（可干渉光源）１の出射光はシャッ
タ５を通過し、そのｓ偏光（直線偏光）成分が偏光ビ−
ムスプリッタ６により抽出され、レンズ１０，１２によ
りビ−ム径を拡大され、プリズム１３により二つの平行
ビ−ムに分離される。また、開口１１はウェハ４の反射
面と共役な位置にありその形状がウェハ面のスポット形
状を決定する。プリズム１５は上記二つの平行ビ−ムに
それぞれ所定の角度を与える。このプリズム１５からの
出射光の一方は物体光１６としてウエハ４に照射され、
他方は参照光１７となる。
タ５を通過し、そのｓ偏光（直線偏光）成分が偏光ビ−
ムスプリッタ６により抽出され、レンズ１０，１２によ
りビ−ム径を拡大され、プリズム１３により二つの平行
ビ−ムに分離される。また、開口１１はウェハ４の反射
面と共役な位置にありその形状がウェハ面のスポット形
状を決定する。プリズム１５は上記二つの平行ビ−ムに
それぞれ所定の角度を与える。このプリズム１５からの
出射光の一方は物体光１６としてウエハ４に照射され、
他方は参照光１７となる。
【００１９】物体光１６は入射角８８°（ウエハ４に立
てた垂線に対して８８°）でウェハ４に照射され、その
反射光と参照光１７はミラ−１９で反射され、レンズ２
０，２１を介してミラ−２２で再反射されて元の光路を
逆進し、ビ−ムスプリッタ１４によりプリズム２３，２
３’方向に反射される。プリズム２３および同２３’は
上記ビ−ムの間隔を広げ、同時に所定の角度を与えてレ
ンズ２４に入射する。レンズ２４を出射した二つのビ−
ムはウェハ４の反射面と共役な位置Ａで交わりそこで干
渉する。
てた垂線に対して８８°）でウェハ４に照射され、その
反射光と参照光１７はミラ−１９で反射され、レンズ２
０，２１を介してミラ−２２で再反射されて元の光路を
逆進し、ビ−ムスプリッタ１４によりプリズム２３，２
３’方向に反射される。プリズム２３および同２３’は
上記ビ−ムの間隔を広げ、同時に所定の角度を与えてレ
ンズ２４に入射する。レンズ２４を出射した二つのビ−
ムはウェハ４の反射面と共役な位置Ａで交わりそこで干
渉する。
【００２０】また、上記位置Ａには絞り２５が設けら
れ、その通過光はレンズ２６を介してシリンドリカルレ
ンズ２７により一方向に圧縮され、ＣＣＤセンサ２８面
に干渉縞を形成する。従来装置においては、レンズ２
０、２１とミラ−２２等が省略され、ウェハ４からの反
射光は原理的に取付角を変えたミラ−１９により反射さ
れてウェハ４に再入射され、その反射光が同様に他の角
度から入射される参照光と干渉するように構成されてい
た。しかし、本発明ではウェハ４の像をミラ−２２上に
結像して反射するようにするので、ミラ−２２をウエハ
４の反射面に対して共役な位置に設定することができ
る。
れ、その通過光はレンズ２６を介してシリンドリカルレ
ンズ２７により一方向に圧縮され、ＣＣＤセンサ２８面
に干渉縞を形成する。従来装置においては、レンズ２
０、２１とミラ−２２等が省略され、ウェハ４からの反
射光は原理的に取付角を変えたミラ−１９により反射さ
れてウェハ４に再入射され、その反射光が同様に他の角
度から入射される参照光と干渉するように構成されてい
た。しかし、本発明ではウェハ４の像をミラ−２２上に
結像して反射するようにするので、ミラ−２２をウエハ
４の反射面に対して共役な位置に設定することができ
る。
【００２１】図２は上記ウェハ４とレンズ２０，２１、
及びミラ−２２の位置関係を表わす図である。図２
（ａ）に示すように、レンズ２０、２１の焦点距離をそ
れぞれｆ1，ｆ2とし、ウェハ４とレンズ２０までの距離
をｆ1、レンズ２０とレンズ２１までの距離を（ｆ1＋ｆ
2）、レンズ２１とミラ−２２間の距離をｆ2に設定す
る。
及びミラ−２２の位置関係を表わす図である。図２
（ａ）に示すように、レンズ２０、２１の焦点距離をそ
れぞれｆ1，ｆ2とし、ウェハ４とレンズ２０までの距離
をｆ1、レンズ２０とレンズ２１までの距離を（ｆ1＋ｆ
2）、レンズ２１とミラ−２２間の距離をｆ2に設定す
る。
【００２２】同図（ｂ）はウェハ４が角度ψだけ傾斜し
た場合を示している。物体光１６はウエハ４で（ａ）の
場合に比べて角度が２ψだけ傾斜して反射する。この反
射光１６２はレンズ２０により（ａ）の場合の反射光１
６１と平行となりレンズ２１によりミラ−２２の（ａ）
の場合と同一の場所に集光され、その反射光１６３は光
１６１に平行となり、レンズ２０によりウェハ４上の反
射光１６２と同一の反射位置にて反射する。この結果、
２度目の反射光１６４に対してウエハ４の反射位置を共
役の位置とすることができる。
た場合を示している。物体光１６はウエハ４で（ａ）の
場合に比べて角度が２ψだけ傾斜して反射する。この反
射光１６２はレンズ２０により（ａ）の場合の反射光１
６１と平行となりレンズ２１によりミラ−２２の（ａ）
の場合と同一の場所に集光され、その反射光１６３は光
１６１に平行となり、レンズ２０によりウェハ４上の反
射光１６２と同一の反射位置にて反射する。この結果、
２度目の反射光１６４に対してウエハ４の反射位置を共
役の位置とすることができる。
【００２３】また、反射光１６４は入射光１６に対して
角度が４ψだけ傾斜するので参照光１７との交叉角も４
ψだけ変化する。干渉縞の周期変化よりこの交叉角の変
化を求め、これよりウエハ４の傾き角ψを算出ることが
できる。図２（ｃ）はウェハ４の高さがｄだけ変化した
場合である。物体光１６に対する反射光１６５は図
（ａ）の反射光１６１と平行に進んでレンズ２０からｆ
１の離れた位置に集光し、レンズ２１により反射光１６
１と再び平行になりミラ−２１にて反射される。この反
射光は１６５と同一の光路を逆進してウェハ４で反射す
るので、２度目の反射光１６６は物体光１６と同じ光路
を逆進することになる。
角度が４ψだけ傾斜するので参照光１７との交叉角も４
ψだけ変化する。干渉縞の周期変化よりこの交叉角の変
化を求め、これよりウエハ４の傾き角ψを算出ることが
できる。図２（ｃ）はウェハ４の高さがｄだけ変化した
場合である。物体光１６に対する反射光１６５は図
（ａ）の反射光１６１と平行に進んでレンズ２０からｆ
１の離れた位置に集光し、レンズ２１により反射光１６
１と再び平行になりミラ−２１にて反射される。この反
射光は１６５と同一の光路を逆進してウェハ４で反射す
るので、２度目の反射光１６６は物体光１６と同じ光路
を逆進することになる。
【００２４】また、高さの変化ｄによる光路差は４ｄｓ
ｉｎθとなり、これに応じて干渉縞の位相が変化するの
でこれより高さの変化ｄを算出してウエハの断面プロフ
ァイルを算出することができる。なお、高さの変化ｄの
他に上記傾き角が存在する場合には、まず、傾き角ψの
補正を行った後に高さの変化ｄを導くようにする。図２
（ｄ）は上記（ａ）〜（ｃ）における結像関係の展開図
である。右側のウェハ像はレンズ２０，２１によりミラ
−２２上で反転するので等価的には左側のウェハ像とし
て結像する。
ｉｎθとなり、これに応じて干渉縞の位相が変化するの
でこれより高さの変化ｄを算出してウエハの断面プロフ
ァイルを算出することができる。なお、高さの変化ｄの
他に上記傾き角が存在する場合には、まず、傾き角ψの
補正を行った後に高さの変化ｄを導くようにする。図２
（ｄ）は上記（ａ）〜（ｃ）における結像関係の展開図
である。右側のウェハ像はレンズ２０，２１によりミラ
−２２上で反転するので等価的には左側のウェハ像とし
て結像する。
【００２５】さらに、ミラ−２２で反射された上記左側
のウェハ像はレンズ２１，２０によりウェハ４上の同一
位置で反転するのでこの２度目の反射像は一度目の反射
像と同一になる。したがって、この２度目の反射像を検
出すればウエハ像を検出することができる。
のウェハ像はレンズ２１，２０によりウェハ４上の同一
位置で反転するのでこの２度目の反射像は一度目の反射
像と同一になる。したがって、この２度目の反射像を検
出すればウエハ像を検出することができる。
【００２６】図１においては、上記図２に示した２度目
の反射光に参照光１７が当てられて干渉縞が形成され、
その波形をＣＣＤセンサ２８が検出し、信号処理回路３
でＡ／Ｄ変換されてデジタル信号化され、この表面形状
情報より高さ／傾き制御部５０がチップの高さ、傾き等
を算出してステ−ジ７を制御し、ウエハ４の高さ傾きが
焦点面に一致するようにする。また、ウエハ面における
物体光１６の形状は開口１１により与えられる。
の反射光に参照光１７が当てられて干渉縞が形成され、
その波形をＣＣＤセンサ２８が検出し、信号処理回路３
でＡ／Ｄ変換されてデジタル信号化され、この表面形状
情報より高さ／傾き制御部５０がチップの高さ、傾き等
を算出してステ−ジ７を制御し、ウエハ４の高さ傾きが
焦点面に一致するようにする。また、ウエハ面における
物体光１６の形状は開口１１により与えられる。
【００２７】図３は上記ウエハ面における物体光１６の
形状例を示している。開口１１の形状が円形の場合には
斜め照射によりウェハ４上では同図(ａ)に示すように照
明方向に伸びる楕円光３２となる。ウェハ４上のチップ
３３、および露光領域３４を図示のようにすると、楕円
光３２はチップ３３の対角方向に照射される。この場合
は小さな円形ビ-ムであるため光学系の調整が容易にな
る。
形状例を示している。開口１１の形状が円形の場合には
斜め照射によりウェハ４上では同図(ａ)に示すように照
明方向に伸びる楕円光３２となる。ウェハ４上のチップ
３３、および露光領域３４を図示のようにすると、楕円
光３２はチップ３３の対角方向に照射される。この場合
は小さな円形ビ-ムであるため光学系の調整が容易にな
る。
【００２８】図３（ｂ）は開口１１が細長い矩形の場合
である。ウエハ４には照明方向と直角の方向に伸びた矩
形光３５が照明される。この場合には焦点深度を小さく
できるため表面形状の横方向分解能を高めることができ
る。図３（ｃ）は開口１１が矩形の場合である。この光
はウェハ４上で広がった矩形光３６となるので露光領域
３４の全面に照射することができるので２次元のＣＣＤ
センサ２８によりチップ３３の表面形状を検出すること
ができる。
である。ウエハ４には照明方向と直角の方向に伸びた矩
形光３５が照明される。この場合には焦点深度を小さく
できるため表面形状の横方向分解能を高めることができ
る。図３（ｃ）は開口１１が矩形の場合である。この光
はウェハ４上で広がった矩形光３６となるので露光領域
３４の全面に照射することができるので２次元のＣＣＤ
センサ２８によりチップ３３の表面形状を検出すること
ができる。
【００２９】図４は本発明による他の投影露光装置実施
例の構成図である。図４では図１に示したレンズ２０，
２１、ミラ−２２等をレンズ２９、コ−ナ−キュ−ブ３
０、ミラ−３１に置き換えている。ウェハ４で反射した
物体光１６はミラ−１９で反射し、レンズ２９を介して
ウェハ４の反射面と共役の位置にあるコ−ナ−キュ−ブ
３０の反射面上にウェハ像を結像する。コ−ナ−キュ−
ブ３０からの反射光は上記光路上を折り返してウェハの
上記ウエハの反射位置に再び結像して再反射する。な
お、参照光１７は折り返しミラ−３１で反射して元の光
路を逆進する。
例の構成図である。図４では図１に示したレンズ２０，
２１、ミラ−２２等をレンズ２９、コ−ナ−キュ−ブ３
０、ミラ−３１に置き換えている。ウェハ４で反射した
物体光１６はミラ−１９で反射し、レンズ２９を介して
ウェハ４の反射面と共役の位置にあるコ−ナ−キュ−ブ
３０の反射面上にウェハ像を結像する。コ−ナ−キュ−
ブ３０からの反射光は上記光路上を折り返してウェハの
上記ウエハの反射位置に再び結像して再反射する。な
お、参照光１７は折り返しミラ−３１で反射して元の光
路を逆進する。
【００３０】図５は図４におけるウェハ４とレンズ２
９，コ−ナ−キュ−ブ３０、ミラ−３１の位置関係を表
わす図である。これらは図５（ａ）に示すように、レン
ズ２９に対するウェハ４の反射面およびプリズム３０ま
での距離を共にレンズ２９の焦点距離ｆ1に設定する。
図５（ｂ）はウェハ４の角度がψだけ傾斜した場合であ
る。ウエハ４で反射した光１６２はレンズ２９により
（ａ）図の反射光１６１と平行して進む光１６２となっ
てコ−ナ−キュ−ブ３１により反射される。この反射光
１６３も光１６１と平行して進みレンズ２９によりウェ
ハ４上の物体光１６と同一の反射位置にて反射する。こ
の結果、２度目の反射光１６４に対してウエハ４の反射
位置を共役の位置とすることができる。
９，コ−ナ−キュ−ブ３０、ミラ−３１の位置関係を表
わす図である。これらは図５（ａ）に示すように、レン
ズ２９に対するウェハ４の反射面およびプリズム３０ま
での距離を共にレンズ２９の焦点距離ｆ1に設定する。
図５（ｂ）はウェハ４の角度がψだけ傾斜した場合であ
る。ウエハ４で反射した光１６２はレンズ２９により
（ａ）図の反射光１６１と平行して進む光１６２となっ
てコ−ナ−キュ−ブ３１により反射される。この反射光
１６３も光１６１と平行して進みレンズ２９によりウェ
ハ４上の物体光１６と同一の反射位置にて反射する。こ
の結果、２度目の反射光１６４に対してウエハ４の反射
位置を共役の位置とすることができる。
【００３１】また、反射光１６４は入射光１６に対して
角度が４ψだけ傾斜するので参照光１７との交叉角も４
ψだけ変化する。干渉縞の周期変化よりこの交叉角の変
化を求め、これよりウエハ４の傾き角ψを算出ることが
できる。図５（ｃ）はウェハ４の高さがｄだけ変化した
場合である。物体光１６に対する反射光１６５は図
（ａ）における反射光１６１と平行に進んでコ−ナ−キ
ュ−ブ３１上に結像され、その反射光１６６は元の光路
上を逆進する。
角度が４ψだけ傾斜するので参照光１７との交叉角も４
ψだけ変化する。干渉縞の周期変化よりこの交叉角の変
化を求め、これよりウエハ４の傾き角ψを算出ることが
できる。図５（ｃ）はウェハ４の高さがｄだけ変化した
場合である。物体光１６に対する反射光１６５は図
（ａ）における反射光１６１と平行に進んでコ−ナ−キ
ュ−ブ３１上に結像され、その反射光１６６は元の光路
上を逆進する。
【００３２】このとき高さの変化ｄによって生じる光路
差は４ｄｓｉｎθとなるのでこれに応じて干渉縞の位相
が変化する。これより高さの変化ｄを算出してウエハの
断面プロファイルを算出することができる。なお、高さ
の変化ｄの他に上記傾き角が存在する場合には、まず、
傾き角ψの補正を行った後に高さの変化ｄを導くように
する。
差は４ｄｓｉｎθとなるのでこれに応じて干渉縞の位相
が変化する。これより高さの変化ｄを算出してウエハの
断面プロファイルを算出することができる。なお、高さ
の変化ｄの他に上記傾き角が存在する場合には、まず、
傾き角ψの補正を行った後に高さの変化ｄを導くように
する。
【００３３】図５（ｄ）は上記（ａ）〜（ｃ）における
結像関係の展開図である。右側のウェハ像はレンズ２９
によりコ−ナ−キュ−ブ３１上で反転するので等価的に
は左側のウェハ像として結像する。さらに、上記左側の
ウェハ像はレンズ２９によりウェハ４上の同一位置で反
射するのでこの２度目の反射像は一度目の反射像と同一
になる。したがって、この２度目の反射像を検出すれば
ウエハ像を検出することができる。
結像関係の展開図である。右側のウェハ像はレンズ２９
によりコ−ナ−キュ−ブ３１上で反転するので等価的に
は左側のウェハ像として結像する。さらに、上記左側の
ウェハ像はレンズ２９によりウェハ４上の同一位置で反
射するのでこの２度目の反射像は一度目の反射像と同一
になる。したがって、この２度目の反射像を検出すれば
ウエハ像を検出することができる。
【００３４】図６は上記ウエハの表面形状を算出するア
ルゴリズムの説明図である。（ａ）に示す干渉縞波形を
高速フ−リェ変換（ＦＦＴ）して（ｂ）に示すスペクト
ルを得る。このとき、周波数ｆ＝０付近のスペクトルが
干渉縞波形のＤＣ成分ｂ（ｘ）に対応し、ｆ0と−ｆ0の
位置のスペクトルが干渉縞の位相の揺らぎφ（ｘ）と振
幅ａ（ｘ）に対応する。
ルゴリズムの説明図である。（ａ）に示す干渉縞波形を
高速フ−リェ変換（ＦＦＴ）して（ｂ）に示すスペクト
ルを得る。このとき、周波数ｆ＝０付近のスペクトルが
干渉縞波形のＤＣ成分ｂ（ｘ）に対応し、ｆ0と−ｆ0の
位置のスペクトルが干渉縞の位相の揺らぎφ（ｘ）と振
幅ａ（ｘ）に対応する。
【００３５】（ｃ）に示すように上記ｆ0に対応するス
ペクトルを周波数原点に移動させた後、逆ＦＦＴをかけ
ると（ｄ）の波形が得られる。このｐ（ｘ）の絶対値が
干渉縞の振幅ａ（ｘ）、位相が干渉縞の位相の揺らぎφ
（ｘ）を表す。なお、この位相にはπ単位の不確定性が
あり、さらに（ｆ0−ｆ1）に対応するだけ傾きオフセッ
トがあるので、まずこの位相をｘに沿って追跡して位相
を接続する。
ペクトルを周波数原点に移動させた後、逆ＦＦＴをかけ
ると（ｄ）の波形が得られる。このｐ（ｘ）の絶対値が
干渉縞の振幅ａ（ｘ）、位相が干渉縞の位相の揺らぎφ
（ｘ）を表す。なお、この位相にはπ単位の不確定性が
あり、さらに（ｆ0−ｆ1）に対応するだけ傾きオフセッ
トがあるので、まずこの位相をｘに沿って追跡して位相
を接続する。
【００３６】ついで、上記ｆ0は反射光と参照光１７と
の交差角により定まるので、傾きオフセットを補正し
（ｆ）に示す位相の揺らぎφ（ｘ）を得る。このφ
（ｘ）を式（１）に代入して式（２）に示すようにウエ
ハ４の断面プロファイルｚ（ｙ）を求めることができ
る。 ｚ（ｙ）＝λφ（ｘ）／４πｍ cosθ （２） なお、ＣＣＤ２８上の座標ｘはウェハ上の座標ｙに対応
する。
の交差角により定まるので、傾きオフセットを補正し
（ｆ）に示す位相の揺らぎφ（ｘ）を得る。このφ
（ｘ）を式（１）に代入して式（２）に示すようにウエ
ハ４の断面プロファイルｚ（ｙ）を求めることができ
る。 ｚ（ｙ）＝λφ（ｘ）／４πｍ cosθ （２） なお、ＣＣＤ２８上の座標ｘはウェハ上の座標ｙに対応
する。
【００３７】また、光学系の波面収差により生じる干渉
縞位相の揺らぎは、予め光学的に平面度な参照試料のφ
（ｘ）データを記憶しておき、これを上記ウェハのφ
（ｘ）から引いて補正するようにする。これにより波面
収差測定時とウェハ面測定時の傾き補正量が同一である
ため、上記図６の（ｅ）と（ｆ）で行った傾き補正処理
を省略することができる。また図７に示すように、干渉
波形ｓ（ｘ）の１周期分のデ−タを正弦波（ａ0＋ａ1 s
inω0ｔ＋ａ2 cosω0ｔ）と最小二乗法によりマッチン
グさせて上記φ（ｘ）を算出することもできる。以上の
ようにして算出した表面形状データよりウエハ面の傾き
と高さを求め、ウエハ面を焦点面に一致させるようにス
テージ機構７を制御する。また、表面形状情報の取捨選
択により焦点合わせを精度良く、機能的に行うことがで
きる。
縞位相の揺らぎは、予め光学的に平面度な参照試料のφ
（ｘ）データを記憶しておき、これを上記ウェハのφ
（ｘ）から引いて補正するようにする。これにより波面
収差測定時とウェハ面測定時の傾き補正量が同一である
ため、上記図６の（ｅ）と（ｆ）で行った傾き補正処理
を省略することができる。また図７に示すように、干渉
波形ｓ（ｘ）の１周期分のデ−タを正弦波（ａ0＋ａ1 s
inω0ｔ＋ａ2 cosω0ｔ）と最小二乗法によりマッチン
グさせて上記φ（ｘ）を算出することもできる。以上の
ようにして算出した表面形状データよりウエハ面の傾き
と高さを求め、ウエハ面を焦点面に一致させるようにス
テージ機構７を制御する。また、表面形状情報の取捨選
択により焦点合わせを精度良く、機能的に行うことがで
きる。
【００３８】
【発明の効果】本発明により、投影露光装置における半
導体ウエハ表面の傾き、凹凸等の検出精度を高めること
ができる。この結果、ウエハステ−ジを制御してウエハ
面を投影レンズの焦点マージン内に正確に収めることが
できるので、今後のパタ−ンの微細化によりウエハ面に
照射する光ビ−ムの焦点深度が浅くなることに対応する
ことができる。また、設計データやレチクルのパターン
密度を参照して露光するパターンの細かい領域に焦点を
合わせたり、表面形状の検出値が不安定な領域を除外し
て、その周辺部の情報よりウエハの傾き、高さ等を求
め、補正することができる。
導体ウエハ表面の傾き、凹凸等の検出精度を高めること
ができる。この結果、ウエハステ−ジを制御してウエハ
面を投影レンズの焦点マージン内に正確に収めることが
できるので、今後のパタ−ンの微細化によりウエハ面に
照射する光ビ−ムの焦点深度が浅くなることに対応する
ことができる。また、設計データやレチクルのパターン
密度を参照して露光するパターンの細かい領域に焦点を
合わせたり、表面形状の検出値が不安定な領域を除外し
て、その周辺部の情報よりウエハの傾き、高さ等を求
め、補正することができる。
【図１】本発明による投影露光装置実施例の構成図であ
る。
る。
【図２】図１における光学系の説明図である。
【図３】ウェハに照射する物体光のビ−ム形状とウエハ
上のスポット形状との関係を説明する図である。
上のスポット形状との関係を説明する図である。
【図４】本発明による他の投影露光装置実施例の構成図
である。
である。
【図５】図４における光学系の説明図である。
【図６、７】本発明における表面形状算出方法の説明図
である。
である。
【図８】従来装置における干渉縞検出方法の説明図であ
る。
る。
【図９】従来装置が検出する干渉縞の問題点を説明する
波形図である。
波形図である。
１…レ−ザ、２…表面検出系、３…信号処理回路、４…
ウエハ、５…シャッタ、６…偏向ビ−ムスプリッタ、７
…ステ−ジ、８…縮小レンズ、９…レチクル、…１１…
開口、１３、１５、２３…プリズム、１４…ビ−ムスプ
リッタ、１６…物体光、１７…参照光、１８、１９、２
２、３１、４０…ミラ−、２０、２１、２９…レンズ、
２５…絞り、２７…シリンドリカルレンズ、２８…ＣＣ
Ｄセンサ、３０…コ−ナキュ−ブ、４０…基準面、４１
…ウエハ面、５０…高さ／傾き制御部。
ウエハ、５…シャッタ、６…偏向ビ−ムスプリッタ、７
…ステ−ジ、８…縮小レンズ、９…レチクル、…１１…
開口、１３、１５、２３…プリズム、１４…ビ−ムスプ
リッタ、１６…物体光、１７…参照光、１８、１９、２
２、３１、４０…ミラ−、２０、２１、２９…レンズ、
２５…絞り、２７…シリンドリカルレンズ、２８…ＣＣ
Ｄセンサ、３０…コ−ナキュ−ブ、４０…基準面、４１
…ウエハ面、５０…高さ／傾き制御部。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 吉田 実 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地 株 式会社日立製作所生産技術研究所内 (72)発明者 藤井 憲 茨木県勝田市大字市毛882番地 株式会社 日立製作所計測器事業部内
Claims (7)
- 【請求項１】 所定の形状に整形した可干渉性単色光源
の光ビ−ムを２分割し、その一方の光ビ−ム（物体光）
を試料面に照射して得られる反射光と上記他方の光ビ−
ム（参照光）とを重畳させて得られる干渉縞情報より上
記試料面の傾き、高さ等を検出する表面形状検出方法に
おいて、上記試料面からの反射光を上記試料面と共役の
位置にて結像させ、この結像光を再度上記試料面に照射
してその反射光を上記試料に対して共役な位置に設けた
光検出器に導き、上記光検出器上にて上記参照光と重畳
して得られる干渉縞情報より上記試料面の傾き、高さ等
を検出するようにしたことを特徴とする表面形状検出方
法。 - 【請求項２】 所定の形状に整形した可干渉性単色光源
の光ビ−ムを２分割し、その一方の光ビ−ム（物体光）
を試料面に照射して得られる反射光と上記他方の光ビ−
ム（参照光）とを重畳させて得られる干渉縞情報より上
記試料面の傾き、高さ等を検出して上記試料の傾きと高
さを補正するようにした投影露光装置において、上記試
料面からの反射光を上記試料面と共役の位置にて結像さ
せる結像光学系と、上記結像光学系の結像光を上記試料
面に再照射する反射手段と、上記再照射光の上記試料面
における反射光を上記試料とは共役な位置に設けた光検
出器に導く検出光学系と、上記参照光を上記光検出器面
に導かれた反射光に重畳させる参照光学系と、上記光検
出器が検出する干渉縞情報より上記試料面の傾き、高さ
等を検出する信号処理回路と、上記信号処理回路の出力
により上記試料面の傾き、高さ等を制御する手段を備え
たことを特徴とする投影露光装置。 - 【請求項３】 請求項２において、上記結像光学系を少
なくとも焦点距離がそれぞれｆ1とｆ2である第１および
第２のレンズにより構成し、第１のレンズを試料面から
距離ｆ1だけ離して配置し、第２のレンズを第１のレン
ズから距離（ｆ1＋ｆ2）だけ離して配置し、さらに上記
反射手段を第２のレンズから距離ｆ2だけ離して配置す
るようにしたことを特徴とする投影露光装置。 - 【請求項４】 請求項２において、上記結像光学系を少
なくとも焦点距離がｆ1であるレンズにより構成し、上
記レンズを試料面から距離ｆ1だけ離して配置し、上記
反射手段を上記レンズから距離ｆ1だけ離して配置する
ようにしたことを特徴とする投影露光装置。 - 【請求項５】 請求項２において、上記光検出器上にお
ける上記物体光と参照光の交叉角を調整する手段を設け
たことを特徴とする投影露光装置。 - 【請求項６】 マスク上に形成された回路パタ−ンを投
影レンズにより基板上に投影露光する投影露光装置にお
いて、投影レンズと基板との間の側方よりほぼ平行なる
ビ−ムを上記基板上に所望の形状で照射する照射手段
と、該照射手段で照射された基板上からの反射物体光を
上記基板表面と共役の位置に結像させる結像光学系と、
該結像光学系で結像された光像を受光して信号に変換す
る検出器と、該検出器から検出される信号に基づいて基
板の表面形状を検出して基板の傾き若しくは高さを制御
して基板の表面を投影レンズの結像面にほぼ合せる制御
手段とを備えたことを特徴とする投影露光装置。 - 【請求項７】 マスク上に形成された回路パタ−ンを投
影レンズにより基板上に投影露光する投影露光装置にお
いて、投影レンズと基板との間の側方よりほぼ平行なる
ビ−ムを上記基板上に所望の形状で照射し、該照射され
た基板上からの反射物体光を上記基板表面と共役の位置
に結像させ、該結像された光像を検出器で受光して信号
に変換し、該信号に基づいて基板の表面形状を検出して
基板の傾き若しくは高さを制御して基板の表面を投影レ
ンズの結像面にほぼ合せることを特徴とする表面形状検
出方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP02806493A JP3265031B2 (ja) | 1993-02-17 | 1993-02-17 | 表面形状検出方法および投影露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP02806493A JP3265031B2 (ja) | 1993-02-17 | 1993-02-17 | 表面形状検出方法および投影露光装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06244081A true JPH06244081A (ja) | 1994-09-02 |
| JP3265031B2 JP3265031B2 (ja) | 2002-03-11 |
Family
ID=12238341
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP02806493A Expired - Fee Related JP3265031B2 (ja) | 1993-02-17 | 1993-02-17 | 表面形状検出方法および投影露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3265031B2 (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009099629A (ja) * | 2007-10-12 | 2009-05-07 | Nikon Corp | 照明光学装置、露光方法及び装置、並びに電子デバイスの製造方法 |
| KR101032180B1 (ko) * | 2008-02-28 | 2011-05-02 | 캐논 가부시끼가이샤 | 표면 형상 계측 장치, 노광 장치, 및 디바이스 제조 방법 |
| EP2693167A3 (en) * | 2012-08-02 | 2014-04-09 | Cornelius Hahlweg | Optical device and method for measuring microscopic structures |
| CN111913187A (zh) * | 2020-08-11 | 2020-11-10 | 生物岛实验室 | 测距方法及显微测距装置 |
| JP2021167786A (ja) * | 2020-04-13 | 2021-10-21 | 株式会社神戸製鋼所 | 平坦度測定装置および方法 |
| CN120871411A (zh) * | 2025-09-22 | 2025-10-31 | 苏州大学 | 一种干涉条纹生成元件、生成装置以及缺陷检测方法 |
-
1993
- 1993-02-17 JP JP02806493A patent/JP3265031B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009099629A (ja) * | 2007-10-12 | 2009-05-07 | Nikon Corp | 照明光学装置、露光方法及び装置、並びに電子デバイスの製造方法 |
| KR101032180B1 (ko) * | 2008-02-28 | 2011-05-02 | 캐논 가부시끼가이샤 | 표면 형상 계측 장치, 노광 장치, 및 디바이스 제조 방법 |
| EP2693167A3 (en) * | 2012-08-02 | 2014-04-09 | Cornelius Hahlweg | Optical device and method for measuring microscopic structures |
| JP2021167786A (ja) * | 2020-04-13 | 2021-10-21 | 株式会社神戸製鋼所 | 平坦度測定装置および方法 |
| CN111913187A (zh) * | 2020-08-11 | 2020-11-10 | 生物岛实验室 | 测距方法及显微测距装置 |
| CN120871411A (zh) * | 2025-09-22 | 2025-10-31 | 苏州大学 | 一种干涉条纹生成元件、生成装置以及缺陷检测方法 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3265031B2 (ja) | 2002-03-11 |
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