JPH06244089A - 電子ビーム描画方法及び装置 - Google Patents

電子ビーム描画方法及び装置

Info

Publication number
JPH06244089A
JPH06244089A JP5025143A JP2514393A JPH06244089A JP H06244089 A JPH06244089 A JP H06244089A JP 5025143 A JP5025143 A JP 5025143A JP 2514393 A JP2514393 A JP 2514393A JP H06244089 A JPH06244089 A JP H06244089A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
data
exposure
exposure data
electron beam
beam drawing
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP5025143A
Other languages
English (en)
Other versions
JP3258742B2 (ja
Inventor
Tatsuo Chijimatsu
達夫 千々松
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fujitsu Ltd filed Critical Fujitsu Ltd
Priority to JP02514393A priority Critical patent/JP3258742B2/ja
Publication of JPH06244089A publication Critical patent/JPH06244089A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3258742B2 publication Critical patent/JP3258742B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Electron Beam Exposure (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 バッファメモリの容量を越えるようなデバイ
スパターンのデータを扱う場合にも、スループットを低
下させることなく、しかも図形パターンの離れや二重露
光データ等の発生を防ぎ、且つ近接効果の補正処理を正
しく行なうことの可能な電子ビーム描画方法及び装置を
提供することを目的とする。 【構成】 設計データ1から露光データを生成して、該
露光データを基に露光を行なう電子ビーム描画装置であ
って、設計データ1に対して所定の変換処理11及び1
3を施した後に、電子ビーム描画装置の備えるバッファ
メモリ7の容量以下の複数個の露光データファイル5−
1〜5−nに分割して出力する出力手段15を有して構
成する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は電子ビーム描画方法及び
装置に係り、特に、バッファメモリの容量を越えるよう
なデバイスパターンのデータを扱う場合にも、スループ
ットを低下させることなく、しかも図形パターンの離れ
や二重露光データ等の発生を防ぎ、且つ近接効果の補正
処理を正しく行なうことの可能な電子ビーム描画方法及
び装置に関する。
【0002】電子デバイスの集積度は年々高まり、サブ
クォーターμmのサイズのデバイスを露光する技術が要
請されている。電子ビーム露光技術は高解像性を有する
露光技術として知られているが、パターン数の増大に従
って露光時間が非常に大きくなり、温度変動の影響やビ
ームのドリフト等のためにパターンの位置精度をコント
ロールすることが益々困難となってきている。256
[Mビット]DRAMのようなサブクォーターμmの寸
法で、且つ膨大なパターン数を持つデバイスパターンに
対して、位置精度良く描画を行なうためには、露光時間
を抑えることが不可欠である。
【0003】
【従来の技術】従来の電子ビーム描画装置におけるデバ
イスパターンを描画する際のパターンデータの流れを、
図6に示すフローチャートに従って説明する。
【0004】CAD(Computer Aided Design )システ
ムで作成された設計データ101は、反転、拡大縮小、
及びシフト等の図形処理、並びに電子ビーム描画装置の
持つメインフィールド及びサブフィールドへの分割処理
を行なうプログラム201によって露光データ103に
変換され、必要によっては更に近接効果補正プログラム
203によって露光データ103が補正される。
【0005】実際に露光を行なう場合には、電子ビーム
描画装置内のパターンデータを格納するディスク105
からバッファメモリ107に転送され、更にパターン発
生回路に送られて描画されることになる。ここで、バッ
ファメモリ107の容量は、通常1千万パターン程度で
ある。
【0006】16[Mビット]DRAMや64[Mビッ
ト]DRAMのような高集積度デバイスを露光しようと
する場合、1チップ分の露光パターン数がバッファメモ
リ107の容量を越える場合が発生する。このような場
合、ディスク105からバッファメモリ107へのデー
タ転送はメインフィールド1個分のデータが単位とな
り、データ転送と露光が交互に行なわれる。
【0007】この際、第i番目(i=1〜M)のフィー
ルドをバッファメモリ107へ転送しようとする場合、
電子ビーム描画装置内のコンピュータは、露光しようと
する露光データ103の先頭から第i番目のフィールド
データを検索してから行なう。
【0008】つまり、図7に示すように、コンピュータ
が露光命令を発すると、ディスク105内の露光データ
105における第i番目のフィールドデータの検索を行
なって(ステップS212)、バッファメモリ105へ
の転送を行ない(ステップS213)、露光(ステップ
S214)後、更に第i+1番目のフィールドデータに
ついて検索、転送、及び露光を繰り返していく。このた
めiの値が大きい程、転送が終了し露光し始めるまでの
間隔が大きいという現象が生じる。
【0009】更に、電子ビーム描画装置の位置精度、即
ちメインフィールド及びサブフィールドつなぎ精度への
要求は、デバイス線幅が小さくなるにつれて益々厳しく
なり、フィールドサイズをメインフィールド及びサブフ
ィールド共に小さく設定せざるを得ない状況になってい
る。例えば、メインフィールドサイズ=1[mm]以
下、サブフィールドサイズ=50[μm]以下等であ
る。尚、以前はメインフィールドサイズ=5[mm]、
サブフィールドサイズ=100[μm]でも位置精度に
対する要求は満たされていた。
【0010】逆に、デバイスが高集積化されてもチップ
サイズ自体は小さくならず、その結果、全メインフィー
ルド数Mは増加していく傾向にある。例えば、チップサ
イズが10×20[mm]のデバイスパターンをフィー
ルドサイズ1[mm]で直描する場合、フィールド数は
200個となる。
【0011】以上述べた現象を示す一例を図8に示す。
図8において、横軸はディスク105内のフィールドの
番号i(i=1〜M)であり、縦軸は第(i−1)番目
のフィールドのデータをディスク105からバッファメ
モリ107へ転送し終えるのに要する時間を示してい
る。この間、描画動作は全く行なっていない。つまり、
ディスク105内の露光データ103は、フィールド番
号順に格納され、読み出しもシーケンシャルに行なわれ
るので、フィールドの番号の数に比例して転送に要する
時間が増えていく。
【0012】この問題のみに着目して、データ転送時間
も含めた全露光時間の増大を抑えるには、以下のような
手法が考えられる。つまり、図9に示すように、設計デ
ータ101を初めからバッファメモリ107の容量を越
えないように考慮して、予め複数個101’及び10
1”に分割して、それぞれを図6の処理フローと同様に
データ変換を行なって露光データ103’及び103”
を取得して、露光を行なうという方法である。この手法
により、例えばバッファメモリ107の容量を越えたた
めに全露光時間として180[分]を要していた処理
が、2つに分割することによって10[分]で収まるこ
とを確認している。
【0013】しかしながら、本手法を用いることによっ
て次のような問題が発生する。つまり、前述のように、
データ変換処理において、寸法シフト等の図形処理(2
01)や近接効果補正処理(203)が必要であり、そ
の際にはパターンの接続情報が重要である。
【0014】バッファメモリ107の容量を越えるよう
なデバイスパターンの設計データ101を、図10
(1)に示すように、2つの設計データ101’及び1
01”に分割して変換処理201及び203を行なった
場合には、図形パターン301が分割された設計データ
101’及び101”の両方にまたがる図形であるとい
う情報は持たないので、最終的な露光データ103’及
び103”を合わせて見た場合に、図10(2)のよう
に負の寸法シフト処理を施した結果、図形301’及び
301”が離れてしまったり、また、図10(3)のよ
うに正の寸法シフトを施した結果、図形301’及び3
01”が二重露光データとなってしまったりする。ま
た、近接効果補正処理(203)においても、接続情報
を持たないので正しい補正は行なわれない。
【0015】
【発明が解決しようとする課題】以上のように、従来の
電子ビーム描画方法及び装置では、バッファメモリの容
量を越えるようなデバイスパターンのデータを扱う場
合、処理時間を高速にするために設計データを複数個の
設計データに分割して図形処理や近接効果補正処理を行
なって露光データを生成しているが、この場合、最終的
な複数個の露光データを付き合わせて見た場合に、図形
パターンの離れや二重露光データが生成されるという問
題があった。また、近接効果補正処理においても接続情
報を持たないので正しい補正は行なわれないという問題
があった。
【0016】本発明は、上記問題点を解決するもので、
バッファメモリの容量を越えるようなデバイスパターン
のデータを扱う場合にも、スループットを低下させるこ
となく、しかも図形パターンの離れや二重露光データの
発生を防ぎ、且つ近接効果補正処理を正しく行なうこと
の可能な電子ビーム描画方法及び装置を提供することを
目的とする。
【0017】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明の第1の特徴の電子ビーム描画方法及び装置
は、図1に示す如く、設計データ1から露光データを生
成して、該露光データを基に露光を行なう電子ビーム描
画装置であって、前記設計データ1に対して所定の変換
処理11及び13を施した後に、当該電子ビーム描画装
置の備えるバッファメモリ7の容量以下の複数個の露光
データファイル5−1〜5−n(nは任意の正整数)に
分割して出力する出力手段15を有して構成する。
【0018】また、本発明の第2の特徴の電子ビーム描
画方法は、設計データ1から露光データを生成して、該
露光データを基に露光を行なう電子ビーム描画方法であ
って、前記設計データ1に対して所定の変換処理を施す
ステップ11及び13と、前記変換処理後のデータを、
電子ビーム描画装置の備えるバッファメモリ7の容量以
下の複数個の露光データファイル5−1〜5−nに分割
して出力する出力ステップ15とを有して処理する。
【0019】また、本発明の第3の特徴の電子ビーム描
画装置または方法は、請求項1または2に記載の電子ビ
ーム描画装置または方法において、前記出力手段または
前記出力ステップ15における露光データの分割処理
は、該露光データのメインフィールドを単位として行な
われる。
【0020】また、本発明の第4の特徴の電子ビーム描
画装置または方法は、請求項1、2、または3に記載の
電子ビーム描画装置または方法において、前記出力手段
または前記出力ステップ15における露光データの分割
処理は、該露光データのサブフィールドを単位として行
なわれる。
【0021】また、本発明の第5の特徴の電子ビーム描
画装置または方法は、請求項3または4に記載の電子ビ
ーム描画装置または方法において、前記出力手段または
前記出力ステップ15における露光データの分割処理
は、該露光データのメインフィールド数が所定の値を越
えた場合にのみ行なわれる。
【0022】更に、本発明の第6の特徴の電子ビーム描
画装置または方法は、請求項3または4に記載の電子ビ
ーム描画装置または方法において、前記出力手段または
前記出力ステップ15における露光データの分割処理
は、該露光データのメインフィールド数が所定の値以下
の場合に、予め与えられるメインフィールド個数毎に分
割される。
【0023】
【作用】本発明の第1、第2、及び第3の特徴の電子ビ
ーム描画方法及び装置では、図1に示す如く、設計デー
タ1に対して所定の変換処理(例えば図形処理11や近
接効果補正処理13等)を施した後に、出力手段(出力
ステップ)15により当該電子ビーム描画装置の備える
バッファメモリ7の容量以下の複数個の露光データファ
イル5−1〜5−nに分割して出力し、該露光データを
基に露光を行なうようにしている。
【0024】特に、本発明の第3の特徴の電子ビーム描
画方法及び装置では、出力手段(出力ステップ)15に
おいて、露光データの分割処理を露光データのメインフ
ィールドを単位として行なうようにしている。つまり、
露光データ3の持つメインフィールドを単位としたパタ
ーン情報を基に、メインフィールド内のパターン数を第
1番目のメインフィールドから順次加算していき、第i
番目のメインフィールドまでのパターンデータから算出
されるデータの容量がバッファメモリ7の容量を越える
場合、第i−1番目までのメインフィールドのパターン
データを1つの露光データファイル5−1として出力す
る。これを第M番目(Mは全メインフィールド数)のメ
インフィールドまで繰り返して、露光データファイル5
−2、…、5−nを出力する。
【0025】従って、本発明では複数個の露光データフ
ァイル5−1〜5−nに分割して露光を行なうので、露
光の処理時間を速くすることができ、しかも、設計デー
タ1に対するデータ変換処理、即ち寸法シフト等の図形
処理11や近接効果補正処理13を施した露光データ3
に対して分割処理を行なうので、図形処理11や近接効
果補正処理13の際に重要となるパターンの接続情報は
保存されており、従来のようにパターン離れや二重露光
データを発生することなく、また、近接効果補正処理1
3においても、正しい補正を行なうことができる。
【0026】また、本発明の第4の特徴の電子ビーム描
画方法及び装置では、出力手段または出力ステップ15
における露光データの分割処理を、該露光データのサブ
フィールドを単位として行なうようにしている。つま
り、第3の特徴の電子ビーム描画方法及び装置における
出力手段(出力ステップ)15の処理において、第i番
目のメインフィールドまでのパターンデータから算出さ
れるデータの容量がバッファメモリ7の容量を越える場
合には、更に、第i番目のメインフィールドにおいて、
サブフィールドを単位としたパターン情報を基に、サブ
フィールド内のパターン数を第1番目のサブフィールド
から順次、第i−1番目のメインフィールドまでのパタ
ーン数の合計に加算していき、この合計を基に算出した
データの容量がバッファメモリ7の容量を越える場合
に、第i−1番目までのメインフィールド及び第i番目
のメインフィールドにおける第j−1番目までのサブフ
ィールドのパターンデータを1つの露光データファイル
5−1として出力する。これを第M番目のメインフィー
ルドまで繰り返して、露光データファイル5−2,…,
5−nを出力するようにしている。
【0027】従って、本実施例の処理方法によると、メ
インフィールド分の露光データだけでバッファメモリ7
の容量を越えてしまうであろう将来の超高密度デバイス
に対しても容易に対応できるという効果がある。
【0028】更に、本発明の第5の特徴の電子ビーム描
画装置及び方法では、第3及び第4の特徴の電子ビーム
描画装置及び方法において、出力手段または出力ステッ
プ15における露光データの分割処理を、該露光データ
のメインフィールド数が所定の値を越えた場合にのみ行
なうようにし、また、第6の特徴の電子ビーム描画装置
及び方法では、出力手段または出力ステップ15におけ
る露光データの分割処理を、該露光データのメインフィ
ールド数が所定の値以下の場合には予め与えられるメイ
ンフィールド個数毎に分割するようにしている。
【0029】従来の技術で説明したように、全露光時間
の長大化はフィールド数が大きい時に顕著になるのであ
って、全フィールド数が極端に大きくない場合には、バ
ッファメモリ7の容量を考慮した分割を行なう必要はな
い。
【0030】
【実施例】次に、本発明に係る実施例を図面に基づいて
説明する。第1実施例 図1は、本発明の第1実施例に係る電子ビーム描画装置
におけるパターンデータの流れを説明する図である。
【0031】CADシステム200で作成された設計デ
ータ1は、反転、拡大縮小、及びシフト等の図形処理、
並びに電子ビーム描画装置の持つメインフィールド及び
サブフィールドへの分割処理を行なう図形処理プログラ
ム11によって露光データ3に変換され、必要によって
は更に近接効果補正プログラム13によって露光データ
3が補正される。
【0032】次に、露光データ出力ルーチン15によっ
て、得られた露光データ3を、電子ビーム描画装置の備
えるバッファメモリ7の容量以下の複数個の露光データ
ファイル5−1〜5−nに分割して出力する。
【0033】この露光データ出力ルーチン15は、図2
に示すフローチャートに従って処理される。尚、電子ビ
ーム描画装置はM個のメインフィールドを持つとしてい
る。即ち、露光データ3を取り込み(ステップS3
1)、パラメータを初期化(ステップS32)した後、
露光データ3の持つメインフィールドを単位としたパタ
ーン情報を基に、メインフィールド内のパターン数を第
1番目のメインフィールドから順次加算していき(ステ
ップS34)、第i番目のメインフィールドまでのパタ
ーンデータから算出されるデータの容量がバッファメモ
リ7の容量を越える場合(ステップS35)、第i−1
番目までのメインフィールドのパターンデータを1つの
露光データファイル5−1として出力する(ステップS
36)。これを第M番目のメインフィールドまで繰り返
して(ステップS33で判断)、露光データファイル5
−2,…,5−nを出力する(ステップS36及びS3
9)。例えば、2つの露光データファイル5−1及び5
−2に分割される場合には、図3に示すようになる。
【0034】以上の処理は、一般に大型のコンピュータ
を用いて処理され、実際に露光を行なう場合には、例え
ば磁気テープ等に保持された露光データファイル5−1
〜5−nは、電子ビーム描画装置内のバッファメモリ7
に転送され、更にパターン発生回路に送られて描画され
ることになる。一般に、電子ビーム描画装置に備えられ
ているコンピュータは中小型であり、バッファメモリ7
の容量としては1千万パターン程度のパターンデータが
扱える大きさである。
【0035】露光に際しては、露光データファイル5−
1〜5−nからバッファメモリ7へのデータ転送は、例
えばメインフィールド1個分のデータが単位となり、デ
ータ転送と露光が交互に行なわれる。
【0036】以上のように、本実施例では複数個の露光
データファイル5−1〜5−nに分割して露光を行なう
ので、露光の処理時間を速くすることができる。しか
も、設計データ1に対するデータ変換処理、即ち寸法シ
フト等の図形処理11や近接効果補正処理13を施した
露光データ3に対して分割処理を行なうので、図形処理
11や近接効果補正処理13の際に重要となるパターン
の接続情報は保存されており、従来のようにパターン離
れや二重露光データを発生することなく、また、近接効
果補正処理13においても、正しい補正を行なうことが
できる。第2実施例 本実施例においても、第1の実施例と同様に、図1に示
すようなパターンデータの流れを持つ。本実施例が第1
実施例と異なる点は、露光データ出力ルーチン15にお
ける処理である。
【0037】図4に第2実施例に係る電子ビーム描画装
置における露光データ出力ルーチンのフローチャートを
示す。尚、電子ビーム描画装置はM個のメインフィール
ド、及びP個のサブフィールドを持つとしている。
【0038】第1実施例と同様に、露光データ3を取り
込み(ステップS51)、パラメータを初期化(ステッ
プS52)した後、露光データ3の持つメインフィール
ドを単位としたパターン情報を基に、メインフィールド
内のパターン数を第1番目のメインフィールドから順次
加算していく(ステップS54)。
【0039】第i番目のメインフィールドまでのパター
ンデータから算出されるデータの容量がバッファメモリ
7の容量を越える場合には(ステップS55)、更に、
第i番目のメインフィールドにおいて、サブフィールド
を単位としたパターン情報を基に、サブフィールド内の
パターン数を第1番目のサブフィールドから順次、第i
−1番目のメインフィールドまでのパターン数の合計
(Sh-1 )に加算していく(ステップS57)。
【0040】これらの合計(Sg )を基に算出したデー
タの容量がバッファメモリ7の容量を越える場合(ステ
ップS58)、第i−1番目までのメインフィールド及
び第i番目のメインフィールドにおける第j−1番目ま
でのサブフィールドのパターンデータを1つの露光デー
タファイル5−1として出力する(ステップS60)。
これを第M番目のメインフィールドまで繰り返して(ス
テップS53で判断)、露光データファイル5−2,
…,5−nを出力する(ステップS60及びS63)。
【0041】尚、ステップS60において、第j−1番
目までのサブフィールドを第i番目のメインフィールド
として露光データファイル5−1に出力するが、残りの
第j番目から第P番目までのサブフィールドは次の露光
データファイル5−2の第1番目のメインフィールドと
して出力される。つまり、本実施例の処理方法では、露
光データファイル5−1の第i番目のメインフィールド
と、露光データファイル5−2の第1番目のメインフィ
ールドがオーバラップする形になる。
【0042】本実施例の処理方法によると、将来の64
[Mビット]DRAM以降の超高密度デバイスのよう
に、メインフィールド分の露光データだけでバッファメ
モリ7の容量を越えてしまう可能性のある場合にも容易
に対応できるという効果も奏する。つまり、従来の電子
ビーム描画装置では、このような場合にはディスク10
5からバッファメモリ107へデータを転送できず、フ
ィールドサイズを縮小して再度データを変換仕直す必要
があるが、本実施例では自動的にメインフィールドを更
に分割して処理することとなる。第3実施例 本実施例においても、第1の実施例と同様に、図1に示
すようなパターンデータの流れを持つ。本実施例が第1
実施例と異なる点は、露光データ出力ルーチン15にお
ける処理である。
【0043】図5に第3実施例に係る電子ビーム描画装
置における露光データ出力ルーチンのフローチャートを
示す。第1実施例と同様に、露光データ3を取り込み
(ステップS31)、パラメータを初期化(ステップS
32)するが、次に、メインフィールド数Mが所定の値
αよりも小さい場合には(ステップS71で判断)、第
1実施例における分割処理(ステップS32〜S39)
を行なわずに、出力の処理(ステップS72)を行な
う。
【0044】つまり、従来の技術(図8参照)で説明し
たように、全露光時間の長大化はフィールド数が大きい
時に顕著になるのであって、例えば全フィールド数が数
個の場合には、従来と同様に描画を行なっても極端に描
画時間が増大するわけではない。そこで、第1実施例の
露光データ出力ルーチン15のフローチャートにおい
て、ステップS31とステップS32の間にステップS
71及びS72の処理を追加したのが本実施例である。
【0045】ステップS72の出力処理としては、一括
して1つの露光データファイル5−1に出力するか、ま
たは、全フィールド数が極端に大きくない場合(例えば
10個程度)には、数個分(例えば2個ないしは4個
分)のメインフィールドを1つの露光データファイルと
して出力するようにする。この場合、各露光データファ
イルの容量はバッファメモリ7の容量を越えても構わな
い。
【0046】尚、ステップS71及びS72の追加は、
第2実施例に対して行なってもよく、図4のフローチャ
ートにおいてステップS51とステップS52の間に挿
入することも考えられる。
【0047】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
設計データに対して所定の変換処理(例えば図形処理や
近接効果補正処理等)を施した後に、出力手段(出力ス
テップ)により当該電子ビーム描画装置の備えるバッフ
ァメモリの容量以下の複数個の露光データファイルに分
割して出力し、該露光データを基に露光を行なうことと
したので、複数個の露光データファイルに分割して露光
を行なうことにより露光の処理時間を速くすることがで
き、しかも、設計データに対するデータ変換処理、即ち
寸法シフト等の図形処理や近接効果補正処理を施した露
光データに対して分割処理を行なうので、図形処理や近
接効果補正処理の際に重要となるパターンの接続情報は
保存されており、パターン離れや二重露光データを発生
することなく、また、近接効果補正処理においても、正
しい補正を行なうことの可能な電子ビーム描画方法及び
装置を提供することができる。
【0048】また、本発明によれば、出力手段または出
力ステップにおける露光データの分割処理を、該露光デ
ータのメインフィールド及びまたはサブフィールドを単
位として行なうこととしたので、メインフィールド分の
露光データだけでバッファメモリ7の容量を越えてしま
うであろう将来の超高密度デバイスに対しても容易に対
応しうる電子ビーム描画方法及び装置を提供することが
できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1実施例に係る電子ビーム描画装置
におけるパターンデータの流れを説明する図である。
【図2】第1実施例における露光データ出力ルーチンの
フローチャートである。
【図3】露光データを2つの露光データファイルに分割
した場合の説明図であり、図3(1)は露光データの内
容、図3(2)は露光データファイルの内容である。
【図4】第2実施例における露光データ出力ルーチンの
フローチャートである。
【図5】第3実施例における露光データ出力ルーチンの
フローチャートである。
【図6】従来の電子ビーム描画装置におけるパターンデ
ータの流れを説明する図である。
【図7】従来の電子ビーム描画装置における露光処理の
フローチャートである。
【図8】ディスク内の第i(i=1〜M)番目のフィー
ルドデータを転送するに要する時間を説明する特性図で
ある。
【図9】従来の設計データの分割を行なう電子ビーム描
画装置におけるパターンデータの流れを説明する図であ
る。
【図10】従来の設計データの分割を行なう電子ビーム
描画装置におけるパターンデータの説明図であり、図1
0(1)は設計データの分割、図10(2)は負の寸法
シフトを施した露光データ、図10(3)は正の寸法シ
フトを施した露光データである。
【符号の説明】
1,101…設計データ 101’,101”…分割された設計データ 3,103…露光データ 103’,103”…分割された露光データ 5−1〜5−n…露光データファイル 105,105’,105”…ディスク 7,107…バッファメモリ 11,201…図形処理プログラム 13,203…近接効果補正プログラム 15…出力手段,露光データ出力ルーチン(出力ステッ
プ) 17,205…露光処理プログラム 200…CADシステム 301…図形パターン 301’,301”…分割された図形パターン

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 設計データ(1)から露光データを生成
    して、該露光データを基に露光を行なう電子ビーム描画
    装置であって、 前記設計データ(1)に対して所定の変換処理(11及
    び13)を施した後に、当該電子ビーム描画装置の備え
    るバッファメモリ(7)の容量以下の複数個の露光デー
    タファイル(5−1〜5−n;nは任意の正整数)に分
    割して出力する出力手段(15)を有することを特徴と
    する電子ビーム描画装置。
  2. 【請求項2】 設計データ(1)から露光データを生成
    して、該露光データを基に露光を行なう電子ビーム描画
    方法であって、 前記設計データ(1)に対して所定の変換処理を施すス
    テップ(11及び13)と、 前記変換処理後のデータを、電子ビーム描画装置の備え
    るバッファメモリ(7)の容量以下の複数個の露光デー
    タファイル(5−1〜5−n)に分割して出力する出力
    ステップ(15)とを有することを特徴とする電子ビー
    ム描画方法。
  3. 【請求項3】 前記出力手段または前記出力ステップ
    (15)における露光データの分割処理は、該露光デー
    タのメインフィールドを単位として行なわれることを特
    徴とする請求項1または2に記載の電子ビーム描画装置
    または方法。
  4. 【請求項4】 前記出力手段または前記出力ステップ
    (15)における露光データの分割処理は、該露光デー
    タのサブフィールドを単位として行なわれることを特徴
    とする請求項1、2、または3に記載の電子ビーム描画
    装置または方法。
  5. 【請求項5】 前記出力手段または前記出力ステップ
    (15)における露光データの分割処理は、該露光デー
    タのメインフィールド数が所定の値を越えた場合にのみ
    行なわれることを特徴とする請求項3または4に記載の
    電子ビーム描画装置または方法。
  6. 【請求項6】 前記出力手段または前記出力ステップ
    (15)における露光データの分割処理は、該露光デー
    タのメインフィールド数が所定の値以下の場合に、予め
    与えられるメインフィールド個数毎に分割されることを
    特徴とする請求項3または4に記載の電子ビーム描画装
    置または方法。
JP02514393A 1993-02-15 1993-02-15 電子ビーム描画方法 Expired - Fee Related JP3258742B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP02514393A JP3258742B2 (ja) 1993-02-15 1993-02-15 電子ビーム描画方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP02514393A JP3258742B2 (ja) 1993-02-15 1993-02-15 電子ビーム描画方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH06244089A true JPH06244089A (ja) 1994-09-02
JP3258742B2 JP3258742B2 (ja) 2002-02-18

Family

ID=12157770

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP02514393A Expired - Fee Related JP3258742B2 (ja) 1993-02-15 1993-02-15 電子ビーム描画方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP3258742B2 (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008181944A (ja) * 2007-01-23 2008-08-07 Nuflare Technology Inc 描画データの作成方法及びレイアウトデータファイルの作成方法
JP2011044463A (ja) * 2009-08-19 2011-03-03 Nuflare Technology Inc 荷電粒子ビーム描画装置、荷電粒子ビーム描画方法、および、荷電粒子ビーム描画用データの処理装置
CN116974151A (zh) * 2023-07-26 2023-10-31 中国电子科技集团公司第四十八研究所 一种直写设备的曝光控制系统及控制方法

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008181944A (ja) * 2007-01-23 2008-08-07 Nuflare Technology Inc 描画データの作成方法及びレイアウトデータファイルの作成方法
JP2011044463A (ja) * 2009-08-19 2011-03-03 Nuflare Technology Inc 荷電粒子ビーム描画装置、荷電粒子ビーム描画方法、および、荷電粒子ビーム描画用データの処理装置
CN116974151A (zh) * 2023-07-26 2023-10-31 中国电子科技集团公司第四十八研究所 一种直写设备的曝光控制系统及控制方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP3258742B2 (ja) 2002-02-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6993728B2 (en) Method of designing integrated circuit and apparatus for designing integrated circuit
US11250199B1 (en) Methods and systems for generating shape data for electronic designs
US20040017941A1 (en) System and method for bounding and classifying regions within a graphical image
EP0337325A2 (en) Image processing method
JP6935356B2 (ja) 半導体装置、情報処理システム、および情報処理方法
JPH0691003B2 (ja) レチクル/マスクの検査方法とその検査装置
CN113661515B (zh) 特征确定装置、特征确定方法和计算机能读取的存储介质
JPH06244089A (ja) 電子ビーム描画方法及び装置
JP2002072441A (ja) レイアウトパターンデータ補正装置及び方法及びそれを用いた半導体装置の製造方法並びにレイアウトパターンデータ補正プログラムを記録した媒体
JP3220176B2 (ja) 描画データ作成方法、データ変換方法、及びデータ変換装置
US6598185B1 (en) Pattern data inspection method and storage medium
US20260004551A1 (en) Processing apparatus and image processing apparatus
US7483593B2 (en) Image data enlarging/reducing apparatus enlarging/reducing image data by direct memory access transfer
US5307454A (en) Apparatus for extracting local image from original image
JPH0785266A (ja) 画像回転装置
JP3215598B2 (ja) 最小誤差記憶装置
JPS61210390A (ja) パタ−ン発生装置
JP2001159809A (ja) マスクパターン設計装置、マスクパターン設計方法およびマスクパターン設計プログラムを格納したコンピュータ読取り可能な記録媒体
JP2001093800A (ja) 電子線描画装置
CN118643252A (zh) 人工智能处理装置以及其卷积运算方法
JP2991735B2 (ja) バッファリング方式
JPH06102854A (ja) 画像データ発生装置
CN119132256A (zh) 图像显示控制方法、装置和芯片
JP2000348084A (ja) 図形一括電子線露光用データ処理方法および図形一括型電子ビーム露光装置
CN121235074A (zh) 模型训练方法、装置、电子设备、存储介质及计算机程序产品

Legal Events

Date Code Title Description
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20011127

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees