JPH06244334A - 樹脂封止型半導体装置 - Google Patents

樹脂封止型半導体装置

Info

Publication number
JPH06244334A
JPH06244334A JP5024582A JP2458293A JPH06244334A JP H06244334 A JPH06244334 A JP H06244334A JP 5024582 A JP5024582 A JP 5024582A JP 2458293 A JP2458293 A JP 2458293A JP H06244334 A JPH06244334 A JP H06244334A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
die pad
resin
lead frame
semiconductor device
heat sink
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP5024582A
Other languages
English (en)
Inventor
Toshihito Toshima
豪人 渡島
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fuji Electric Co Ltd
Original Assignee
Fuji Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fuji Electric Co Ltd filed Critical Fuji Electric Co Ltd
Priority to JP5024582A priority Critical patent/JPH06244334A/ja
Publication of JPH06244334A publication Critical patent/JPH06244334A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/01Manufacture or treatment
    • H10W72/0198Manufacture or treatment batch processes
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W90/00Package configurations
    • H10W90/701Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
    • H10W90/751Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
    • H10W90/756Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink

Landscapes

  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】リードフレームの製作コスト低減化と併せて、
放熱フィンへの取付けが簡便となる樹脂封止形半導体装
置を提供する。 【構成】ダイパッド2a,外部リード2b,タイバー2
cなどをパターン形成したリードフレーム2に対し、ダ
イパッドに半導体チップ1をマウントし、その周域を樹
脂パッケージ3で封止した樹脂封止型半導体装置におい
て、板厚が均一な金属薄板を型抜きしてリードフレーム
のダイパッド,外部リードなどをパターン形成するとと
もに、ダイパッド2aの裏面側に重ね合わせてヒートシ
ンクとして機能する放熱板5を絶縁性接着剤6で接合
し、さらに該放熱板の底面を露呈させて樹脂パッケージ
3をモールド成形する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、リードフレームを用い
て組立て構成した樹脂封止型半導体装置に関する。
【0002】
【従来の技術】まず、図3により本発明の実施対象とな
る樹脂封止型半導体装置の従来構造を説明する。図にお
いて、1は半導体チップ、2はリードフレーム、3は樹
脂パッケージ(鎖線で示す)、4はボンディングワイヤ
であり、リードフレーム2には、板厚Dのヒートシンク
を兼ねたダイパッド2aと、板厚d(d<D)の外部リ
ード2bと、タイバー2cとがパターン形成されてい
る。なお、このリードフレーム2は、一般に銅系金属板
を素材として圧延し、さらに精密プレス加工により型抜
きして製作されるものであり、圧延の際にダイパッド2
aとなる部分の板厚Dと他の部分の板厚dとを変えるよ
うにして加工される。なお、2dは放熱フィンへの取付
け用ねじ穴である。
【0003】かかる構成の半導体装置は次記のようにし
て組立てられる。まずリードフレーム2のダイパッド2
aに半導体チップ1をマウントし、続いて半導体チップ
1と外部リード2bとの間にワイヤ4をボンディングし
た後、トランスファモールド形成法により樹脂パッケー
ジ3を形成し、さらにタイバーカットを施して製品を完
成する。
【0004】なお、かかる半導体装置は、実使用時にパ
ッケージを放熱フィンにねじ止めして取付けられるが、
この場合にダイパッドの裏面側も樹脂パッケージの樹脂
層で覆ったフルパックタイプを除き、ダイパッドの裏面
側が露呈したものでは放熱フィンとの間を電気的に絶縁
するためにマイカ板などの絶縁材を挟んで取付けるよう
にしている。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】ところで、ダイパッド
と他の部分との板厚を変えてパターン形成した従来のリ
ードフレームでは、製作,その他の面で次記のような難
点がある。 (1)リードフレームのパターン形状に対応した材料の
圧延工程が必要であるほか、型抜きプレスの金型も複雑
となる。さらに、ダイパッドの板厚が厚いために型抜き
により生じる破材量が多くなって材料利用効率を低める
などの問題もあり、このためにリードフレームがコスト
高となる。
【0006】(2)フルパックタイプ(ダイパッドの裏
面側が樹脂層で覆われている)以外の樹脂封止型素子で
は、放熱フィンに取付ける際に外部に露呈するダイパッ
ドの裏面と放熱フィンとの間に絶縁物を介在させる必要
があって取付け作業に手間がかかるほか、部品点数も増
加する。 (3)一枚のリードフレームに複数の半導体チップを搭
載してパッケージングしたモジュール構成の半導体装置
では、個々のダイパッドの板厚を各半導体チップに適合
した厚み(板厚によりヒートシンクとしての伝熱特性が
変わる)に調整することが実際上不可能である。
【0007】本発明は上記の点にかんがみなされたもの
であり、その目的は前記課題を解決し、リードフレーム
の製作コストの低減化とともに、放熱フィンへの取付け
作業に便宜性が得られ、さらに一枚のリードフレームに
複数の半導体チップを搭載した半導体装置のモジュール
に対しては、個々のダイパッドの板厚をここに搭載する
半導体チップに適合した厚みに設定できるようにした樹
脂封止型半導体装置を提供することにある。
【0008】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の半導体装置においては、リードフレームを
板厚が均一な板材で成形するとともに、ダイパッドの裏
面側に重ね合わせてヒートシンクとして機能する放熱板
を接合して構成するものとする。また、前記構成の実施
態様として、放熱板の底面を外部に露呈させて樹脂パッ
ケージをモールド成形した構成、さらにダイパッドと放
熱板との間を伝熱性の高い絶縁性接着剤で接合した構成
などがある。
【0009】
【作用】上記の構成において、リードフレームを製作す
るには、まず板厚が均一な金属薄板を型抜きプレスして
リードフレームのダイパッド,外部リードなどをパター
ン形成した後、そのダイパッドの裏面側に重ね合わせて
ヒートシンクとしての放熱板を絶縁性の接着剤で接合す
る。また、この場合に放熱板の板厚は、半導体チップに
適合した厚さに設定するものとする。これにより、リー
ドフレームの製作時に手間のかかる素材の圧延工程が不
要となるほか、型抜きにより生じる無駄な破材量も少な
くて済み、それだけ材料利用率が向上する。また、放熱
板とダイパッドとの間が絶縁性接着剤で電気的に絶縁さ
れているので、製品を放熱フィンに取付ける場合に改め
てフィンとの間に絶縁材を介在させる必要もなくなる。
【0010】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明
する。なお、各実施例において、図3と対応する同一部
材には同じ符号が付してある。 実施例1:図1(a)〜(c)において、リードフレー
ム2は、均一な板厚の金属薄板を材料としてダイパッド
2a,外部リードフレーム2b,タイバー2cなどが型
抜き加工によりパターン形成されており、かつ半導体チ
ップ1を搭載したダイパッド2aの裏面側には、ヒート
シンクとして機能する放熱板5が伝熱性の高い絶縁性接
着剤6により面接合されている。なお、その他の構造,
並びに組立方法は図3で述べたものと同様であり、樹脂
パッケージ3は前記した放熱板5の底面を外部に露呈さ
せて半導体チップ1を封止するようにリードフレーム2
と一体にモールド成形されている。ここで、放熱板5は
半導体チップ1に適合した板厚に選定するものとする。
【0011】実施例2:図2は同一パッケージ内に4個
の半導体チップ1を組み込んだモジュール構造の半導体
装置を示すものであり、1枚のリードフレーム2には各
半導体チップ1に対応した4個分のダイパッド2a,外
部リード2bがパターン形成されている。そして、各ダ
イパッド2aごとにその裏面側にはここに搭載する半導
体チップ1に適合した厚さの放熱板5が絶縁性接着剤6
を介して個別に接合されている。図示例では左右に配列
した4組のダイパッド2aのうち、左右両端に並ぶダイ
パッドには板厚の厚い放熱板が、これに対して中央側に
並ぶ2組のダイパッドには板厚の薄い放熱板が取付けて
ある。また、樹脂パッケージ3は4組分の各半導体チッ
プ1を一括して封止するようにリードフレーム2と一体
にモールド成形されている。
【0012】
【発明の効果】以上述べたように、本発明の構成によれ
ば、次記の効果を奏する。 (1)板厚が均一な金属薄板にリードフレームのダイパ
ッド,外部リードなどをパターン形成して製作するよう
にしたので、型抜きの際に発生する破材量も少なくて済
み、その分だけ材料使用効率を高めてリードフレームの
材料コストを低減できる。
【0013】(2)また、ダイパッドの裏面側に接合し
た放熱板は、該ダイパッドに搭載した半導体チップに適
合する板厚に設定することが可能であり、特に同一パッ
ケージ内に複数の半導体チップを組み込むモジュールタ
イプの半導体装置に対して有利である。 (3)さらに、ダイパッドと放熱板との間を絶縁性接着
剤で接合するようにしたので、半導体装置を放熱フィン
への取付けに際しても、放熱板との間に絶縁材を介在さ
せる必要がなく取付け作業が簡単に行える。
【0014】これらにより、製作コスト,並びに製品の
取扱面で実用的価値の高い樹脂封止型半導体装置を提供
することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施例1に対応する構成図であり、
(a)は半導体チップをマウントしたリードフレームの
平面図、(b),(c)はそれぞれ(a)の側面図,およ
び裏面図
【図2】本発明の実施例2に対応する構成図であり、
(a)は半導体チップをマウントしたリードフレームの
平面図、(b),(c)はそれぞれ(a)の側面図,およ
び端面図
【図3】従来における樹脂封止型半導体装置の構成図で
あり、(a)は半導体チップをマウントしたリードフレ
ームの平面図、(b)は(a)の側面図
【符号の説明】
1 半導体チップ 2 リードフレーム 2a ダイパッド 2b 外部リード 2c タイバー 3 樹脂パッケージ 5 放熱板 6 絶縁性接着剤

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】ダイパッド,外部リードをパターン形成し
    たリードフレームに対してダイパッドに半導体チップを
    マウントし、かつ該半導体チップと外部リードとの間を
    ワイヤで接続するとともに、半導体チップの周域を樹脂
    パッケージで封止してなる樹脂封止型半導体装置におい
    て、リードフレームを板厚が均一な板材で成形するとと
    もに、ダイパッドの裏面側に重ね合わせてヒートシンク
    として機能する放熱板を接合したことを特徴とする樹脂
    封止型半導体装置。
  2. 【請求項2】請求項1記載の半導体装置において、放熱
    板の底面を外部に露呈させて樹脂パッケージをモールド
    成形したことを特徴とする樹脂封止型半導体装置。
  3. 【請求項3】請求項2記載の半導体装置において、ダイ
    パッドと放熱板との間を伝熱性の高い絶縁性接着剤で接
    合したことを特徴とする樹脂封止型半導体装置。
JP5024582A 1993-02-15 1993-02-15 樹脂封止型半導体装置 Pending JPH06244334A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP5024582A JPH06244334A (ja) 1993-02-15 1993-02-15 樹脂封止型半導体装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP5024582A JPH06244334A (ja) 1993-02-15 1993-02-15 樹脂封止型半導体装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH06244334A true JPH06244334A (ja) 1994-09-02

Family

ID=12142161

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP5024582A Pending JPH06244334A (ja) 1993-02-15 1993-02-15 樹脂封止型半導体装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH06244334A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103021991A (zh) * 2011-09-27 2013-04-03 意法半导体制造(深圳)有限公司 引线框架和封装方法
CN103943596A (zh) * 2014-03-28 2014-07-23 张轩 一种全包封形式的引线框架

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103021991A (zh) * 2011-09-27 2013-04-03 意法半导体制造(深圳)有限公司 引线框架和封装方法
CN103943596A (zh) * 2014-03-28 2014-07-23 张轩 一种全包封形式的引线框架

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6320270B1 (en) Semiconductor device and method of producing the same
US5429992A (en) Lead frame structure for IC devices with strengthened encapsulation adhesion
KR100399012B1 (ko) 반도체장치 및 그것의 제조방법
EP1662565B1 (en) Semiconductor package
US6504238B2 (en) Leadframe with elevated small mount pads
TWI337387B (en) Leadframe for leadless package, package structure and manufacturing method using the same
JPH0217665A (ja) 合成樹脂被覆ピングリッドアレイパワーパッケイジ
JPH02306656A (ja) 樹脂封止型半導体装置
JPH0732215B2 (ja) 半導体装置
KR0156622B1 (ko) 반도체 패키지,리드프레임 및 제조방법
JP3120976B2 (ja) 半導体装置の製造方法
JPH06244334A (ja) 樹脂封止型半導体装置
US7365422B2 (en) Package of leadframe with heatsinks
KR900001984B1 (ko) 수지봉합형 반도체장치
JP2888183B2 (ja) 樹脂封止型半導体装置
JPH03129870A (ja) リードフレーム
JP3125891B2 (ja) 半導体装置
JPS6139554A (ja) 樹脂封止型半導体装置
JP2551349B2 (ja) 樹脂封止型半導体装置
JPS58101445A (ja) 樹脂封止半導体装置
JPH088384A (ja) 半導体装置及びその製造方法
CN117936490A (zh) 半导体器件和制造这种半导体器件的方法
JPH0422159A (ja) 半導体集積回路装置およびその製造方法
KR20050051806A (ko) 방열특성이 개선된 반도체 패키지 및 그 제조방법
KR100201062B1 (ko) 반도체패키지의 리드프레임 탑재판 구조