JPH06244352A - リードフレーム及び半導体装置の製造方法 - Google Patents
リードフレーム及び半導体装置の製造方法Info
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- JPH06244352A JPH06244352A JP5030470A JP3047093A JPH06244352A JP H06244352 A JPH06244352 A JP H06244352A JP 5030470 A JP5030470 A JP 5030470A JP 3047093 A JP3047093 A JP 3047093A JP H06244352 A JPH06244352 A JP H06244352A
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- Japan
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- dam bar
- resin
- lead frame
- lead
- leads
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- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 樹脂封止の際に、樹脂封止金型に挾持された
リード間を充分に封止でき、且つ樹脂封止後にダムバー
の切断工程を省略できるダムバーを具備するリードフレ
ームを提供する。 【構成】 リードフレームを構成するリード12・・が
挿入される凹溝が複数本形成された、熱可塑性樹脂から
成るプラスチック製の細幅樹脂部材をダムバー10とし
て使用することを特徴とする。
リード間を充分に封止でき、且つ樹脂封止後にダムバー
の切断工程を省略できるダムバーを具備するリードフレ
ームを提供する。 【構成】 リードフレームを構成するリード12・・が
挿入される凹溝が複数本形成された、熱可塑性樹脂から
成るプラスチック製の細幅樹脂部材をダムバー10とし
て使用することを特徴とする。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明はリードフレーム及び半導
体装置の製造方法に関し、更に詳細にはインナーリード
とアウターリードとの境界部にダムバーが設けられたリ
ードフレーム、及び前記リードフレームを用いた半導体
装置の製造方法に関する。
体装置の製造方法に関し、更に詳細にはインナーリード
とアウターリードとの境界部にダムバーが設けられたリ
ードフレーム、及び前記リードフレームを用いた半導体
装置の製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】図5に従来のリードフレームを示す。図
5に示すリードフレーム100において、半導体チップ
を搭載するステージ120を囲むように設けられたイン
ナーリード102・・・の各々には、アウターリード1
04が設けられている。更に、インナーリード102と
アウターリード104との境界には、ダムバー110が
設けられている。かかるリードフレーム100を用いて
半導体装置を製造する際には、ステージ120に搭載し
た半導体チップの電極とインナーリード102の先端部
とをワイヤボンディングした後、ダムバー110によっ
て囲まれた部分を熱硬化性樹脂等の封止樹脂によって樹
脂封止する。この樹脂封止の際に、樹脂封止用金型を構
成する上型と下型との間にリードが挟まれ、リード間の
間隙部分が何等充填されていない場合、リード間の間隙
から封止樹脂が漏出する。このため、アウターリードと
インナーリードとの境界部にダムバー110を設け、リ
ード間の間隙からの封止樹脂の漏出を防止しているので
ある。ところで、従来、リードフレーム100は、金属
板からプレス加工によって成形されており、ダムバー1
20もリードと一体に成形されている。このため、樹脂
封止工程を通過した半導体装置において、隣接するリー
ドとの絶縁を図るため、ダムバー110を切断する。
5に示すリードフレーム100において、半導体チップ
を搭載するステージ120を囲むように設けられたイン
ナーリード102・・・の各々には、アウターリード1
04が設けられている。更に、インナーリード102と
アウターリード104との境界には、ダムバー110が
設けられている。かかるリードフレーム100を用いて
半導体装置を製造する際には、ステージ120に搭載し
た半導体チップの電極とインナーリード102の先端部
とをワイヤボンディングした後、ダムバー110によっ
て囲まれた部分を熱硬化性樹脂等の封止樹脂によって樹
脂封止する。この樹脂封止の際に、樹脂封止用金型を構
成する上型と下型との間にリードが挟まれ、リード間の
間隙部分が何等充填されていない場合、リード間の間隙
から封止樹脂が漏出する。このため、アウターリードと
インナーリードとの境界部にダムバー110を設け、リ
ード間の間隙からの封止樹脂の漏出を防止しているので
ある。ところで、従来、リードフレーム100は、金属
板からプレス加工によって成形されており、ダムバー1
20もリードと一体に成形されている。このため、樹脂
封止工程を通過した半導体装置において、隣接するリー
ドとの絶縁を図るため、ダムバー110を切断する。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】この様なダムバー12
0を設けることによって、最終的に得られる半導体装置
においては、封止樹脂が漏出することなく良好な外観を
呈することができる。しかし、図5に示す従来のリード
フレーム100においては、樹脂封止が終了した後、ダ
ムバー110を切断する切断工程を必要とし、半導体装
置の製造工程を複雑化している。かかるダムバー110
の切断工程を不要にすべく、ダムバー110を形成する
境界部のリード(以下、リードと称することがある)の
上下に樹脂フィルムを圧着し、上下方向から押圧してリ
ード間に樹脂フィルムを充填する方法、或いは熱硬化性
樹脂液を所定部分に塗布し硬化せしめてダムバーとする
方法が検討されている。この様なプラスチック製のダム
バーによれば、ダムバーの切断工程を省略できるもの
の、リード間に樹脂フィルムを充分に充填できないこと
に因る隙間、或いは熱硬化性樹脂液中の気泡に因る隙間
が、リード間を充填する樹脂中に形成されることがあ
る。かかるリード間の隙間からは、封止樹脂が漏洩し得
られる半導体装置の外観を損ねることがある。そこで、
本発明の目的は、樹脂封止の際に、樹脂封止金型に挾持
されたリード間を充分に封止でき、且つ樹脂封止後にダ
ムバーの切断工程を省略できるダムバーを具備するリー
ドフレーム、及び前記リードフレームを用いた半導体装
置の製造方法を提供することにある。
0を設けることによって、最終的に得られる半導体装置
においては、封止樹脂が漏出することなく良好な外観を
呈することができる。しかし、図5に示す従来のリード
フレーム100においては、樹脂封止が終了した後、ダ
ムバー110を切断する切断工程を必要とし、半導体装
置の製造工程を複雑化している。かかるダムバー110
の切断工程を不要にすべく、ダムバー110を形成する
境界部のリード(以下、リードと称することがある)の
上下に樹脂フィルムを圧着し、上下方向から押圧してリ
ード間に樹脂フィルムを充填する方法、或いは熱硬化性
樹脂液を所定部分に塗布し硬化せしめてダムバーとする
方法が検討されている。この様なプラスチック製のダム
バーによれば、ダムバーの切断工程を省略できるもの
の、リード間に樹脂フィルムを充分に充填できないこと
に因る隙間、或いは熱硬化性樹脂液中の気泡に因る隙間
が、リード間を充填する樹脂中に形成されることがあ
る。かかるリード間の隙間からは、封止樹脂が漏洩し得
られる半導体装置の外観を損ねることがある。そこで、
本発明の目的は、樹脂封止の際に、樹脂封止金型に挾持
されたリード間を充分に封止でき、且つ樹脂封止後にダ
ムバーの切断工程を省略できるダムバーを具備するリー
ドフレーム、及び前記リードフレームを用いた半導体装
置の製造方法を提供することにある。
【0004】
【課題を解決するための手段】本発明者等は、前記目的
を達成すべく検討した結果、リードが挿入される凹溝が
形成された、熱可塑性樹脂から成るプラスチック製の細
幅樹脂部材をダムバーとして使用することによって、樹
脂封止時の熱に因り細幅樹脂部材が軟化され、リード間
の間隙に樹脂が充分に充填されること、及び樹脂封止終
了後のダムバーの切断工程を省略できることを見出し、
本発明に到達した。即ち、本発明は、インナーリードと
アウターリードとの境界部にダムバーが設けられたリー
ドフレームにおいて、該ダムバーとして、前記境界部の
各リードを挿入する凹溝が複数本形成された細幅部材が
用いられ、且つ少なくとも前記リードと接触する細幅部
材の凹溝内壁面が熱可塑性樹脂によって形成されている
ことを特徴とするリードフレームにある。また、本発明
は、搭載された半導体チップとインナーリード先端部と
がボンディングされたリードフレームを樹脂封止して半
導体装置を製造する際に、該リードフレームとして、前
記細幅部材をダムバーとして用いたリードフレームを使
用し、樹脂封止用金型内に充填する封止樹脂等の熱によ
って、ダムバーの凹溝の内壁面を形成する熱可塑性樹脂
を軟化しリードとダムバーとを一体化することを特徴と
する半導体装置の製造方法でもある。
を達成すべく検討した結果、リードが挿入される凹溝が
形成された、熱可塑性樹脂から成るプラスチック製の細
幅樹脂部材をダムバーとして使用することによって、樹
脂封止時の熱に因り細幅樹脂部材が軟化され、リード間
の間隙に樹脂が充分に充填されること、及び樹脂封止終
了後のダムバーの切断工程を省略できることを見出し、
本発明に到達した。即ち、本発明は、インナーリードと
アウターリードとの境界部にダムバーが設けられたリー
ドフレームにおいて、該ダムバーとして、前記境界部の
各リードを挿入する凹溝が複数本形成された細幅部材が
用いられ、且つ少なくとも前記リードと接触する細幅部
材の凹溝内壁面が熱可塑性樹脂によって形成されている
ことを特徴とするリードフレームにある。また、本発明
は、搭載された半導体チップとインナーリード先端部と
がボンディングされたリードフレームを樹脂封止して半
導体装置を製造する際に、該リードフレームとして、前
記細幅部材をダムバーとして用いたリードフレームを使
用し、樹脂封止用金型内に充填する封止樹脂等の熱によ
って、ダムバーの凹溝の内壁面を形成する熱可塑性樹脂
を軟化しリードとダムバーとを一体化することを特徴と
する半導体装置の製造方法でもある。
【0005】かかる構成の本発明において、ダムバーを
熱可塑性樹脂によって形成することが、ダムバーを溶融
成形で容易に成形することができる。また、ダムバーが
リードフレームの樹脂封止温度において軟化する熱可塑
性樹脂によって形成されていることが、リード間の間隙
をダムバーを形成する熱可塑性樹脂によって充分に充填
することができる。
熱可塑性樹脂によって形成することが、ダムバーを溶融
成形で容易に成形することができる。また、ダムバーが
リードフレームの樹脂封止温度において軟化する熱可塑
性樹脂によって形成されていることが、リード間の間隙
をダムバーを形成する熱可塑性樹脂によって充分に充填
することができる。
【0006】
【作用】本発明によれば、ダムバーの凹溝を形成する内
壁面が熱可塑性樹脂によって形成されているため、樹脂
封止の際に、封止樹脂の溶解に加えられる熱等によって
軟化した熱可塑性樹脂が、金型等から加えられる圧力に
よって変形し、リード間に熱可塑性樹脂を隙間なく充填
することができる。このため、リード間からの封止樹脂
の漏洩を防止でき、良好な外観の半導体装置を得ること
ができる。更に、リード間の電気絶縁も充填された熱可
塑性樹脂によってなされ、樹脂封止工程を通過した半導
体装置に対しダムバーの切断工程を省略できる。
壁面が熱可塑性樹脂によって形成されているため、樹脂
封止の際に、封止樹脂の溶解に加えられる熱等によって
軟化した熱可塑性樹脂が、金型等から加えられる圧力に
よって変形し、リード間に熱可塑性樹脂を隙間なく充填
することができる。このため、リード間からの封止樹脂
の漏洩を防止でき、良好な外観の半導体装置を得ること
ができる。更に、リード間の電気絶縁も充填された熱可
塑性樹脂によってなされ、樹脂封止工程を通過した半導
体装置に対しダムバーの切断工程を省略できる。
【0007】
【実施例】本発明を図面によって更に詳細に説明する。
図1に、ダムバー10をリードフレームを構成するリー
ド12、12・・に装着した状態を示す。このダムバー
10は、図5に示すリードフレーム100のダムバー1
10と同位置に装着されている。図1に示すダムバー1
0は、熱可塑性樹脂から成る細幅部材であり、図2に示
すように、リード12、12・・・が挿入される凹溝1
4、14・・がダムバー10の幅方向に形成されてい
る。このため、凹溝14、14・・・にリード12、1
2・・が挿入されたとき、凹溝14間の凹溝間部16、
16・・・はリード12間の間隙に挿入される。かかる
ダムバー10を形成する熱可塑性樹脂は、樹脂封止温度
において軟化する樹脂であり、ポリエチレンテレフタレ
ート、ナイロン、ポリカーボネート、ポリオキシメチレ
ン等の樹脂を使用できる。特に、射出成形可能な熱可塑
性樹脂を採用することによって、ダムバー10を射出成
形によって容易に成形することができる。
図1に、ダムバー10をリードフレームを構成するリー
ド12、12・・に装着した状態を示す。このダムバー
10は、図5に示すリードフレーム100のダムバー1
10と同位置に装着されている。図1に示すダムバー1
0は、熱可塑性樹脂から成る細幅部材であり、図2に示
すように、リード12、12・・・が挿入される凹溝1
4、14・・がダムバー10の幅方向に形成されてい
る。このため、凹溝14、14・・・にリード12、1
2・・が挿入されたとき、凹溝14間の凹溝間部16、
16・・・はリード12間の間隙に挿入される。かかる
ダムバー10を形成する熱可塑性樹脂は、樹脂封止温度
において軟化する樹脂であり、ポリエチレンテレフタレ
ート、ナイロン、ポリカーボネート、ポリオキシメチレ
ン等の樹脂を使用できる。特に、射出成形可能な熱可塑
性樹脂を採用することによって、ダムバー10を射出成
形によって容易に成形することができる。
【0008】本実施例では、ダムバー10に形成される
凹溝14、14・・・は、図2に示すように、リード1
2、12・・・の挿入を容易とすべく、リード12より
も幅広に形成されていてもよい。尚、凹溝14がリード
12よりも幅広に形成され、リードフレームに装着した
ダムバー10が脱落する懸念がある場合、凹溝14の一
部に接着剤等を塗布しリード12を仮接着してもよい。
また、図3に示すように、ダムバー10の凹溝14にリ
ード12を挿入した後、リード12上に熱可塑性樹脂か
ら成る幅狭のフィルム18を載置してもよい。この場合
も、フィルム18の脱落を防止するため、接着剤等によ
ってフィルム18を仮接着してもよい。
凹溝14、14・・・は、図2に示すように、リード1
2、12・・・の挿入を容易とすべく、リード12より
も幅広に形成されていてもよい。尚、凹溝14がリード
12よりも幅広に形成され、リードフレームに装着した
ダムバー10が脱落する懸念がある場合、凹溝14の一
部に接着剤等を塗布しリード12を仮接着してもよい。
また、図3に示すように、ダムバー10の凹溝14にリ
ード12を挿入した後、リード12上に熱可塑性樹脂か
ら成る幅狭のフィルム18を載置してもよい。この場合
も、フィルム18の脱落を防止するため、接着剤等によ
ってフィルム18を仮接着してもよい。
【0009】この様にダムバー10の凹溝14にリード
が挿入されたリードフレームには、ステージ上に半導体
チップが搭載され、搭載された半導体チップの電極とイ
ンナーリードの先端部とがワイヤボンディングされた
後、樹脂封止用の金型内に挿入される。このとき、半導
体チップ等は樹脂封止用金型のキャビティ内に挿入さ
れ、ダムバー10の少なくとも一部が樹脂封止用金型を
構成する上型と下型との間に挾持される。次いで、樹脂
封止用金型内に封止樹脂として熱硬化性樹脂が充填さ
れ、封止樹脂が有する熱等によってダムバー10を形成
する熱可塑性樹脂が加熱されて軟化するため、金型の上
型と下型との型閉じ力によってダムバー10が変形しダ
ムバー10とリード12とを一体化する。この際に、ダ
ムバー10の凹溝14の内壁面とリード12の外面との
間に隙間が存在していても、熱可塑性樹脂によって閉塞
されるため、リード12間の間隙は熱可塑性樹脂によっ
て隙間なく充填されるのである。尚、本実施例において
は、ダムバー10の各凹溝14内へのリード12の挿入
を、封止樹脂用金型の上型又は下型の所定位置にダムバ
ー10を予め装着しておき、リードフレームを下型の所
定位置に載置した後、上型と下型との型閉じによって行
ってもよい。
が挿入されたリードフレームには、ステージ上に半導体
チップが搭載され、搭載された半導体チップの電極とイ
ンナーリードの先端部とがワイヤボンディングされた
後、樹脂封止用の金型内に挿入される。このとき、半導
体チップ等は樹脂封止用金型のキャビティ内に挿入さ
れ、ダムバー10の少なくとも一部が樹脂封止用金型を
構成する上型と下型との間に挾持される。次いで、樹脂
封止用金型内に封止樹脂として熱硬化性樹脂が充填さ
れ、封止樹脂が有する熱等によってダムバー10を形成
する熱可塑性樹脂が加熱されて軟化するため、金型の上
型と下型との型閉じ力によってダムバー10が変形しダ
ムバー10とリード12とを一体化する。この際に、ダ
ムバー10の凹溝14の内壁面とリード12の外面との
間に隙間が存在していても、熱可塑性樹脂によって閉塞
されるため、リード12間の間隙は熱可塑性樹脂によっ
て隙間なく充填されるのである。尚、本実施例において
は、ダムバー10の各凹溝14内へのリード12の挿入
を、封止樹脂用金型の上型又は下型の所定位置にダムバ
ー10を予め装着しておき、リードフレームを下型の所
定位置に載置した後、上型と下型との型閉じによって行
ってもよい。
【0010】図2及び図3に示すダムバー10は、熱可
塑性樹脂によって形成されているものであるが、図4に
示すように、金属製の細幅部材にリード12を挿入する
凹溝34が形成されたダムバー30を使用してもよい。
かかる金属製のダムバー30は、熱可塑性樹脂によって
形成されたダムバー10に比較して、ダムバーの強度を
向上することができる。かかる金属製のダムバー30を
使用する場合、図4に示すように、ダムバー30に形成
されたリード12を挿入する凹溝34の内壁面を熱可塑
性樹脂から成るフィルム32によって形成する。かかる
フィルム32によって、リード12とダムバー30とを
絶縁することができ、且つ樹脂封止の際に、フィルム3
2の変形によってリード12と凹溝34との間の隙間を
なくすことができる。本実施例のリードフレームにおい
て、ダムバーが形成される場所は、通常、リード間の間
隙が規格化されることが多い部分であるため、本実施例
のように、予めリード12を挿入する凹溝が形成された
細幅部材をダムバーとして成形しておく場合であって
も、凹溝間隔等を異にする数種類のダムバーを保持して
おけば、需要に略対応することができる。
塑性樹脂によって形成されているものであるが、図4に
示すように、金属製の細幅部材にリード12を挿入する
凹溝34が形成されたダムバー30を使用してもよい。
かかる金属製のダムバー30は、熱可塑性樹脂によって
形成されたダムバー10に比較して、ダムバーの強度を
向上することができる。かかる金属製のダムバー30を
使用する場合、図4に示すように、ダムバー30に形成
されたリード12を挿入する凹溝34の内壁面を熱可塑
性樹脂から成るフィルム32によって形成する。かかる
フィルム32によって、リード12とダムバー30とを
絶縁することができ、且つ樹脂封止の際に、フィルム3
2の変形によってリード12と凹溝34との間の隙間を
なくすことができる。本実施例のリードフレームにおい
て、ダムバーが形成される場所は、通常、リード間の間
隙が規格化されることが多い部分であるため、本実施例
のように、予めリード12を挿入する凹溝が形成された
細幅部材をダムバーとして成形しておく場合であって
も、凹溝間隔等を異にする数種類のダムバーを保持して
おけば、需要に略対応することができる。
【0011】
【発明の効果】本発明によれば、樹脂封止後にダムバー
を切断するダムバー切断工程を省略することができ、半
導体装置の工程を簡略化できる。しかも、インナーリー
ドとアウターリードとの境界部のリード間の充填を容易
に且つ充分に行うことができるため、良好な外観の半導
体装置を得ることができる。
を切断するダムバー切断工程を省略することができ、半
導体装置の工程を簡略化できる。しかも、インナーリー
ドとアウターリードとの境界部のリード間の充填を容易
に且つ充分に行うことができるため、良好な外観の半導
体装置を得ることができる。
【図1】本発明に係るダムバーの一部を示す部分斜視図
を示す。
を示す。
【図2】ダムバーの凹溝にリードを挿入した状態を示す
部分断面図を示す。
部分断面図を示す。
【図3】本発明に係る他の実施例を示す部分断面図を示
す。
す。
【図4】本発明に係る他の実施例を示す部分断面図を示
す。
す。
【図5】従来のリードフレームの正面図を示す。
10、30 ダムバー 12 リード 14、34 凹溝 16、36 凹溝間部
Claims (6)
- 【請求項1】 インナーリードとアウターリードとの境
界部にダムバーが設けられたリードフレームにおいて、 該ダムバーとして、前記境界部の各リードを挿入する凹
溝が複数本形成された細幅部材が用いられ、 且つ少なくとも前記リードと接触する細幅部材の凹溝内
壁面が熱可塑性樹脂によって形成されていることを特徴
とするリードフレーム。 - 【請求項2】 ダムバーが熱可塑性樹脂から成る請求項
1記載のリードフレーム。 - 【請求項3】 熱可塑性樹脂が、リードフレームの樹脂
封止温度において溶融することなく軟化する請求項1又
は請求項2記載のリードフレーム。 - 【請求項4】 搭載された半導体チップとインナーリー
ド先端部とがボンディングされたリードフレームを樹脂
封止して半導体装置を製造する際に、 該リードフレームとして、請求項1記載のリードフレー
ムを使用し、樹脂封止用金型内に充填する封止樹脂等の
熱によって、ダムバーの凹溝内壁面を形成する熱可塑性
樹脂を軟化し、リードとダムバーとを一体化することを
特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項5】 ダムバーが熱可塑性樹脂から成る請求項
4記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項6】 熱可塑性樹脂が、リードフレームの樹脂
封止温度において軟化する請求項4記載の半導体装置の
製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5030470A JPH06244352A (ja) | 1993-02-19 | 1993-02-19 | リードフレーム及び半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5030470A JPH06244352A (ja) | 1993-02-19 | 1993-02-19 | リードフレーム及び半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06244352A true JPH06244352A (ja) | 1994-09-02 |
Family
ID=12304761
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5030470A Pending JPH06244352A (ja) | 1993-02-19 | 1993-02-19 | リードフレーム及び半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06244352A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009117819A (ja) * | 2007-10-16 | 2009-05-28 | Toshiba Corp | 半導体装置とそれに用いられるリードフレーム |
| JP2014187124A (ja) * | 2013-03-22 | 2014-10-02 | Fujitsu Ltd | 熱電素子搭載モジュール及びその製造方法 |
-
1993
- 1993-02-19 JP JP5030470A patent/JPH06244352A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009117819A (ja) * | 2007-10-16 | 2009-05-28 | Toshiba Corp | 半導体装置とそれに用いられるリードフレーム |
| JP2014187124A (ja) * | 2013-03-22 | 2014-10-02 | Fujitsu Ltd | 熱電素子搭載モジュール及びその製造方法 |
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