JPH06244361A - 樹脂封止型半導体装置 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置Info
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- JPH06244361A JPH06244361A JP5028309A JP2830993A JPH06244361A JP H06244361 A JPH06244361 A JP H06244361A JP 5028309 A JP5028309 A JP 5028309A JP 2830993 A JP2830993 A JP 2830993A JP H06244361 A JPH06244361 A JP H06244361A
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- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 多重構造の樹脂封止型半導体装置に関し、生
産性を高めることを目的とする。 【構成】 複数の小規模樹脂封止型半導体装置10A 、10
B が積み重ねられ且つ相互に接続されて大規模に構成さ
れる樹脂封止型半導体装置であって、該小規模樹脂封止
型半導体装置が、樹脂封止部の上下両面若しくはいずれ
か一方の面に外部リード2A、2Bの該樹脂封止部内に埋め
込まれた部分を表出する開孔5A、5Bを有し、下段の該半
導体装置10A と上段の該半導体装置10B とが、端部に接
続ピン11A、11B を備え、該接続ピン11A 、11B が該上
下段の半導体装置の対向する面の該開孔内に挿入され当
接する該外部リード2A、2Bに接合された所定の配線経路
を有する金属配線体12を介して積み重ねられ、電気的に
接続固着されてなるように構成する。
産性を高めることを目的とする。 【構成】 複数の小規模樹脂封止型半導体装置10A 、10
B が積み重ねられ且つ相互に接続されて大規模に構成さ
れる樹脂封止型半導体装置であって、該小規模樹脂封止
型半導体装置が、樹脂封止部の上下両面若しくはいずれ
か一方の面に外部リード2A、2Bの該樹脂封止部内に埋め
込まれた部分を表出する開孔5A、5Bを有し、下段の該半
導体装置10A と上段の該半導体装置10B とが、端部に接
続ピン11A、11B を備え、該接続ピン11A 、11B が該上
下段の半導体装置の対向する面の該開孔内に挿入され当
接する該外部リード2A、2Bに接合された所定の配線経路
を有する金属配線体12を介して積み重ねられ、電気的に
接続固着されてなるように構成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は樹脂封止型半導体装置、
特に複数の小規模樹脂封止型半導体装置が積み重ねられ
電気的に接続されて大規模に一体化された多重構造の樹
脂封止型半導体装置に関する。
特に複数の小規模樹脂封止型半導体装置が積み重ねられ
電気的に接続されて大規模に一体化された多重構造の樹
脂封止型半導体装置に関する。
【０００２】近年、電子機器の小型化により、半導体装
置等の電子部品の高密度実装が強く望まれている。この
要望に答えるために、プラスチックパッケージに封入さ
れたＩＣ等の樹脂封止型半導体装置においては、小機能
小規模の樹脂封止型半導体装置を複数個積み重ね互いに
電気的に接続することによって、専有面積を増やさずに
多機能大規模の半導体装置化することが有効な手段とし
て提案されている。
置等の電子部品の高密度実装が強く望まれている。この
要望に答えるために、プラスチックパッケージに封入さ
れたＩＣ等の樹脂封止型半導体装置においては、小機能
小規模の樹脂封止型半導体装置を複数個積み重ね互いに
電気的に接続することによって、専有面積を増やさずに
多機能大規模の半導体装置化することが有効な手段とし
て提案されている。
【０００３】
【従来の技術】図６は積み重ね構造即ち多重構造を有す
る樹脂封止型半導体装置の従来例を模式的に示した長辺
方向側面図(a) 及び短辺方向側面図(b) である。
る樹脂封止型半導体装置の従来例を模式的に示した長辺
方向側面図(a) 及び短辺方向側面図(b) である。
【０００４】この図に示されたように従来の上記半導体
装置は、同様の外形構造を有する複数の小機能小規模の
挿入型樹脂封止半導体装置51A 、51B 、51C 、51D 等
が、対応するそれぞれの外部リード52A 、52B 、52C 、
52D 等を接して積み重ねられ、それぞれの外部リードの
接触部が例えば半田等の溶融金属53によって電気的且つ
機械的に接合固着された構造を有していた。
装置は、同様の外形構造を有する複数の小機能小規模の
挿入型樹脂封止半導体装置51A 、51B 、51C 、51D 等
が、対応するそれぞれの外部リード52A 、52B 、52C 、
52D 等を接して積み重ねられ、それぞれの外部リードの
接触部が例えば半田等の溶融金属53によって電気的且つ
機械的に接合固着された構造を有していた。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上記のように従来の多
重構造を有する樹脂封止型半導体装置においては、積み
重ねられる小機能小規模の樹脂封止型半導体装置51A 、
51B 、51C 、51D 等の同一位置にある外部リード同士が
接続されて多機能大規模の樹脂封止型半導体装置が構成
されるので、多機能大規模化するために積み重ねられる
小機能小規模の樹脂封止型半導体装置のそれぞれの機能
の種類を変える必要があり、そのために同一形状を有し
且つ機能の異なる多くの種類の小規模樹脂封止型半導体
装置を製造しなければならず、製造工程や製造手番の増
大により、生産性が非常に悪くなるという問題があっ
た。
重構造を有する樹脂封止型半導体装置においては、積み
重ねられる小機能小規模の樹脂封止型半導体装置51A 、
51B 、51C 、51D 等の同一位置にある外部リード同士が
接続されて多機能大規模の樹脂封止型半導体装置が構成
されるので、多機能大規模化するために積み重ねられる
小機能小規模の樹脂封止型半導体装置のそれぞれの機能
の種類を変える必要があり、そのために同一形状を有し
且つ機能の異なる多くの種類の小規模樹脂封止型半導体
装置を製造しなければならず、製造工程や製造手番の増
大により、生産性が非常に悪くなるという問題があっ
た。
【０００６】そこで本発明は、同一機能を有する小規模
樹脂封止型半導体装置を用いて多機能大規模の樹脂封止
型半導体装置を形成することが可能な多重構造を提供
し、多重構造を有する多機能大規模樹脂封止型半導体装
置の生産性を向上することを目的とする。
樹脂封止型半導体装置を用いて多機能大規模の樹脂封止
型半導体装置を形成することが可能な多重構造を提供
し、多重構造を有する多機能大規模樹脂封止型半導体装
置の生産性を向上することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記課題の解決は、複数
の小規模樹脂封止型半導体装置が積み重ねられ且つ相互
に接続されて大規模に構成される樹脂封止型半導体装置
であって、該小規模樹脂封止型半導体装置が、樹脂封止
部の上下両面若しくはいずれか一方の面に外部リードの
該樹脂封止部内に埋め込まれた部分を表出する開孔を有
し、下段の該半導体装置と上段の該半導体装置とが、端
部に接続ピンを備え、該接続ピンが該上下段の半導体装
置の対向する面の該開孔内に挿入され当接する該外部リ
ードに接合された所定の配線経路を有する金属配線体を
介して積み重ねられ、電気的に接続固着されてなる本発
明による樹脂封止型半導体装置、または、複数の小規模
樹脂封止型半導体装置が積み重ねられ且つ相互に接続さ
れて大規模に構成される樹脂封止型半導体装置であっ
て、該小規模樹脂封止型半導体装置が、樹脂封止部の上
下両面若しくはいずれか一方の面に外部リードの該樹脂
封止部内に埋め込まれた部分を表出する開孔を有し、下
段の該半導体装置と上段の該半導体装置とが、該上下段
の半導体装置の対向する面の該開孔内に挿入され当接す
る該内部リードに接合された接続ピンを具備し所定の配
線経路を有する配線基板を介して積み重ねられ、電気的
に接続固着されてなる本発明による樹脂封止型半導体装
置によって達成される。
の小規模樹脂封止型半導体装置が積み重ねられ且つ相互
に接続されて大規模に構成される樹脂封止型半導体装置
であって、該小規模樹脂封止型半導体装置が、樹脂封止
部の上下両面若しくはいずれか一方の面に外部リードの
該樹脂封止部内に埋め込まれた部分を表出する開孔を有
し、下段の該半導体装置と上段の該半導体装置とが、端
部に接続ピンを備え、該接続ピンが該上下段の半導体装
置の対向する面の該開孔内に挿入され当接する該外部リ
ードに接合された所定の配線経路を有する金属配線体を
介して積み重ねられ、電気的に接続固着されてなる本発
明による樹脂封止型半導体装置、または、複数の小規模
樹脂封止型半導体装置が積み重ねられ且つ相互に接続さ
れて大規模に構成される樹脂封止型半導体装置であっ
て、該小規模樹脂封止型半導体装置が、樹脂封止部の上
下両面若しくはいずれか一方の面に外部リードの該樹脂
封止部内に埋め込まれた部分を表出する開孔を有し、下
段の該半導体装置と上段の該半導体装置とが、該上下段
の半導体装置の対向する面の該開孔内に挿入され当接す
る該内部リードに接合された接続ピンを具備し所定の配
線経路を有する配線基板を介して積み重ねられ、電気的
に接続固着されてなる本発明による樹脂封止型半導体装
置によって達成される。
【０００８】
【作用】即ち本発明においては、小機能小規模の樹脂封
止型半導体装置の樹脂封止部に樹脂内に埋め込まれた外
部リードを底部に表出する小開孔を設け、下段の上記半
導体装置とその上部に重ねられる上段の上記半導体装置
とを、該上下段の半導体装置の間に挟み込んだ、前記小
開孔内に挿入可能な接続ピンを有し、所望の配線経路を
有する金属配線体あるいは配線基板によって所望の回路
構成に接続固着して多機能若しくは大規模の樹脂封止型
半導体装置を構成する。従って、前記金属配線体あるい
は配線基板の配線経路即ち回路パターンを変えることに
より、同一の機能を有する小規模樹脂封止型半導体装置
を用いて、より複雑な回路構成を有する種々の多機能若
しくは大規模の樹脂封止型半導体装置が容易に形成で
き、多重構造の多機能大規模樹脂封止型半導体装置を製
造する際の生産性が大幅に向上する。
止型半導体装置の樹脂封止部に樹脂内に埋め込まれた外
部リードを底部に表出する小開孔を設け、下段の上記半
導体装置とその上部に重ねられる上段の上記半導体装置
とを、該上下段の半導体装置の間に挟み込んだ、前記小
開孔内に挿入可能な接続ピンを有し、所望の配線経路を
有する金属配線体あるいは配線基板によって所望の回路
構成に接続固着して多機能若しくは大規模の樹脂封止型
半導体装置を構成する。従って、前記金属配線体あるい
は配線基板の配線経路即ち回路パターンを変えることに
より、同一の機能を有する小規模樹脂封止型半導体装置
を用いて、より複雑な回路構成を有する種々の多機能若
しくは大規模の樹脂封止型半導体装置が容易に形成で
き、多重構造の多機能大規模樹脂封止型半導体装置を製
造する際の生産性が大幅に向上する。
【０００９】
【実施例】以下本発明を、図示実施例により具体的に説
明する。図１は本発明に用いる小規模樹脂封止型半導体
装置の一実施例の模式図で、(a) は平面図、(b) は断面
図、図２は本発明の多重構造樹脂封止型半導体装置の第
１の実施例の模式図で、(a) は断面図、(b) は側面図、
図３は本発明の多重構造樹脂封止型半導体装置の第２の
実施例を示す図で、(a) は配線基板の模式側面図、(b)
は完成体の模式側面図、図４は本発明の多重構造樹脂封
止型半導体装置の第３の実施例の模式側面図、図５は本
発明の多重構造樹脂封止型半導体装置の第４の実施例の
模式側面図である。全図を通じ同一対象物は同一符合で
示す。
明する。図１は本発明に用いる小規模樹脂封止型半導体
装置の一実施例の模式図で、(a) は平面図、(b) は断面
図、図２は本発明の多重構造樹脂封止型半導体装置の第
１の実施例の模式図で、(a) は断面図、(b) は側面図、
図３は本発明の多重構造樹脂封止型半導体装置の第２の
実施例を示す図で、(a) は配線基板の模式側面図、(b)
は完成体の模式側面図、図４は本発明の多重構造樹脂封
止型半導体装置の第３の実施例の模式側面図、図５は本
発明の多重構造樹脂封止型半導体装置の第４の実施例の
模式側面図である。全図を通じ同一対象物は同一符合で
示す。
【００１０】本発明に係る多重構造の大機能大規模樹脂
封止型半導体装置を構成する際には、積み重ねられる単
位半導体装置として、例えば図１に示すような、モール
ド成形により形成されたフラット構造の樹脂パッケージ
４に封入され、その樹脂パッケージ４の両面の周辺部に
各外部リード２のパッケージ４内埋込み部を表出する例
えば 0.2mmφ程度の小開孔5A、5Bが、樹脂パッケージ４
をモールド成形する際に同時に形成配設されてなるフラ
ット構造の表面実装型樹脂モールド半導体装置１が用い
られる。パッケージ４の内部では、通常通りチップステ
ージ６上にろう材または導電性樹脂樹脂等からなるチッ
プ固着材８により半導体チップ７が固着され、半導体チ
ップ７の図示しないボンディングパッドと外部リード２
の内側端部とがボンディングワイヤ９により接続されて
いる。なお、前記小開孔は、接続される何れか一方の面
のみに設けてもよい。
封止型半導体装置を構成する際には、積み重ねられる単
位半導体装置として、例えば図１に示すような、モール
ド成形により形成されたフラット構造の樹脂パッケージ
４に封入され、その樹脂パッケージ４の両面の周辺部に
各外部リード２のパッケージ４内埋込み部を表出する例
えば 0.2mmφ程度の小開孔5A、5Bが、樹脂パッケージ４
をモールド成形する際に同時に形成配設されてなるフラ
ット構造の表面実装型樹脂モールド半導体装置１が用い
られる。パッケージ４の内部では、通常通りチップステ
ージ６上にろう材または導電性樹脂樹脂等からなるチッ
プ固着材８により半導体チップ７が固着され、半導体チ
ップ７の図示しないボンディングパッドと外部リード２
の内側端部とがボンディングワイヤ９により接続されて
いる。なお、前記小開孔は、接続される何れか一方の面
のみに設けてもよい。
【００１１】本発明に係る多重構造の樹脂封止型半導体
装置の第１の実施例においては、図２(a) の模式断面図
に示すように、例えば、図１に示したフラット構造の２
個の樹脂モールド半導体装置10A と10B とを、それらの
間に、端部に半導体装置10A及び10B に形成された小開
孔5A、5Bに挿入可能な接続ピン11A 及び11B を有する例
えば銅(Cu)合金等の金属配線体12を、接続ピン11A 及び
11B を対向する半導体装置の小開孔5B及び5Aに差し込ん
だ状態で挟みこみ、差し込まれたそれぞれのピンの先端
部を例えば導電性樹脂或いは半田等の導電性接合材13に
よって当接する外部リード2A及び2Bと、電気的且つ機械
的に接合固着することによって構成される。
装置の第１の実施例においては、図２(a) の模式断面図
に示すように、例えば、図１に示したフラット構造の２
個の樹脂モールド半導体装置10A と10B とを、それらの
間に、端部に半導体装置10A及び10B に形成された小開
孔5A、5Bに挿入可能な接続ピン11A 及び11B を有する例
えば銅(Cu)合金等の金属配線体12を、接続ピン11A 及び
11B を対向する半導体装置の小開孔5B及び5Aに差し込ん
だ状態で挟みこみ、差し込まれたそれぞれのピンの先端
部を例えば導電性樹脂或いは半田等の導電性接合材13に
よって当接する外部リード2A及び2Bと、電気的且つ機械
的に接合固着することによって構成される。
【００１２】なお、図２(a) においては、理解を容易に
するために、下段の半導体装置10Aと上段の半導体装置1
0B の接続されるリード2Aと2Bとを同一断面に図示して
いるが、実際には金属配線体12が所望配線経路になるよ
うに屈曲して形成されることが多く、上下半導体装置の
接続リードは必ずしも同じ位置にはならない。
するために、下段の半導体装置10Aと上段の半導体装置1
0B の接続されるリード2Aと2Bとを同一断面に図示して
いるが、実際には金属配線体12が所望配線経路になるよ
うに屈曲して形成されることが多く、上下半導体装置の
接続リードは必ずしも同じ位置にはならない。
【００１３】その状態を示したのが図２(b) の模式側面
図で、この図では、下段の樹脂モールド半導体装置10A
の外部リード2A2 は上段の樹脂モールド半導体装置10B
の同一位置の外部リード2B2 に金属配線体12A によって
接続されているが、下段の樹脂モールド半導体装置10A
の外部リード2A8 は上段の樹脂モールド半導体装置の外
部リード2B9 に屈曲した金属配線体12B によって接続さ
れている。なおこの図において、図示されない金属配線
体12A 、12B 等の接続ピンと外部リード2A2 、2B2 、2A
8 、2B9 等との接合構造は、図２(a) に示した接合構造
と同様であり、図示を省略してある。
図で、この図では、下段の樹脂モールド半導体装置10A
の外部リード2A2 は上段の樹脂モールド半導体装置10B
の同一位置の外部リード2B2 に金属配線体12A によって
接続されているが、下段の樹脂モールド半導体装置10A
の外部リード2A8 は上段の樹脂モールド半導体装置の外
部リード2B9 に屈曲した金属配線体12B によって接続さ
れている。なおこの図において、図示されない金属配線
体12A 、12B 等の接続ピンと外部リード2A2 、2B2 、2A
8 、2B9 等との接合構造は、図２(a) に示した接合構造
と同様であり、図示を省略してある。
【００１４】以上は、何れも同一の外形寸法及び外部リ
ード配置を有する半導体装置について説明したが、上記
金属配線体による接続構造が、外形寸法及び外部リード
配置の異なる半導体装置についても適用されることは勿
論である。
ード配置を有する半導体装置について説明したが、上記
金属配線体による接続構造が、外形寸法及び外部リード
配置の異なる半導体装置についても適用されることは勿
論である。
【００１５】図３は配線基板を介して樹脂封止型半導体
装置積み重ねる本発明の第２の実施例を示した図で、
(a) は配線基板の模式側面図、(b) は完成体の模式側面
図である。
装置積み重ねる本発明の第２の実施例を示した図で、
(a) は配線基板の模式側面図、(b) は完成体の模式側面
図である。
【００１６】この実施例においては、半導体装置を多重
化するのに、前記金属配線体に代わって図３(a) に示す
ような、所望の配線経路の回路形成がなされた配線層13
A を有する配線基板14A が用いられ、この配線基板14A
を半導体装置の間に挟み込んだ形で多重構造が形成され
る。そのために、配線基板14A の両面には重ねる半導体
装置の接続しようとする外部リードを表出する小開孔の
位置に、接続ピン例えば15A 、15B 、15C 、15D 等が設
けられる。ここで、例えば、接続ピン15A と15C はスル
ーホール16A によって接続され、接続ピン15B と15D と
は配線層13A とスルーホール16B によって接続される。
化するのに、前記金属配線体に代わって図３(a) に示す
ような、所望の配線経路の回路形成がなされた配線層13
A を有する配線基板14A が用いられ、この配線基板14A
を半導体装置の間に挟み込んだ形で多重構造が形成され
る。そのために、配線基板14A の両面には重ねる半導体
装置の接続しようとする外部リードを表出する小開孔の
位置に、接続ピン例えば15A 、15B 、15C 、15D 等が設
けられる。ここで、例えば、接続ピン15A と15C はスル
ーホール16A によって接続され、接続ピン15B と15D と
は配線層13A とスルーホール16B によって接続される。
【００１７】また、多重化する半導体装置には前記実施
例に示したのと同様に、樹脂パッケージに外部リードの
埋没部を表出する小開孔（図示せず）を有する例えば同
一の外形形状及び外部リード配置を有するフラット構造
の樹脂モールド半導体装置が用いられ、半導体装置と上
記配線基板との接続は、前述の図２の場合と同様に半導
体装置の樹脂パッケージの小開孔内に接続ピンを挿入
し、当接する外部リードとを導電性接合材により接合固
着することによってなされる。
例に示したのと同様に、樹脂パッケージに外部リードの
埋没部を表出する小開孔（図示せず）を有する例えば同
一の外形形状及び外部リード配置を有するフラット構造
の樹脂モールド半導体装置が用いられ、半導体装置と上
記配線基板との接続は、前述の図２の場合と同様に半導
体装置の樹脂パッケージの小開孔内に接続ピンを挿入
し、当接する外部リードとを導電性接合材により接合固
着することによってなされる。
【００１８】図３(b) は上記配線基板14A を間に挟んで
上記樹脂モールド半導体装置10A と10B とを積み重ね構
成した多重構造の樹脂モールド半導体装置の完成体を示
す。この半導体装置においては、下段の樹脂モールド半
導体装置10A の外部リード2A 2 と上段の樹脂モールド半
導体装置10B の外部リード2B2 とが配線基板14A の接続
ピン15C 、15A 及びスルーホール16A を介して接続さ
れ、下段の樹脂モールド半導体装置10A の外部リード2A
7 と上段の樹脂モールド半導体装置10B の外部リード2B
9 とが配線基板14A の接続ピン15D 、スルーホール16B
、配線層13A 及び接続ピン15B を介して接続されてよ
り多機能大規模な多重構造の樹脂モールド型半導体装置
が形成されている。なおこの図では、樹脂パッケージに
設けられた外部リードを表出する小開孔及び接続ピンの
前記小開孔内に挿入された部分及び接合部の構造は、図
２に示したのと同様なので省略する。
上記樹脂モールド半導体装置10A と10B とを積み重ね構
成した多重構造の樹脂モールド半導体装置の完成体を示
す。この半導体装置においては、下段の樹脂モールド半
導体装置10A の外部リード2A 2 と上段の樹脂モールド半
導体装置10B の外部リード2B2 とが配線基板14A の接続
ピン15C 、15A 及びスルーホール16A を介して接続さ
れ、下段の樹脂モールド半導体装置10A の外部リード2A
7 と上段の樹脂モールド半導体装置10B の外部リード2B
9 とが配線基板14A の接続ピン15D 、スルーホール16B
、配線層13A 及び接続ピン15B を介して接続されてよ
り多機能大規模な多重構造の樹脂モールド型半導体装置
が形成されている。なおこの図では、樹脂パッケージに
設けられた外部リードを表出する小開孔及び接続ピンの
前記小開孔内に挿入された部分及び接合部の構造は、図
２に示したのと同様なので省略する。
【００１９】また図４に模式側面図を示したのは、大型
の樹脂封止型半導体装置上に配線基板を介して外形形状
の異なる半導体装置を積み重ねて一体の半導体装置を形
成した例である。
の樹脂封止型半導体装置上に配線基板を介して外形形状
の異なる半導体装置を積み重ねて一体の半導体装置を形
成した例である。
【００２０】即ちこの例においては、フラット構造の大
型樹脂モールド半導体装置10C 上に、大型の配線基板14
B を介して小型のフラット構造の樹脂モールド半導体装
置10D が積み重ねられており、更に同配線基板14B 上に
他の構造を有する半導体装置21A 、21B が搭載されてい
る。そして、半導体装置10D の積み重ね方法は前記実施
例と同様であり、配線基板14B の接続ピン15E 、スルー
ホール16E 及び接続ピン15F を介して半導体装置10C の
外部リード2A18と半導体装置10D の外部リード2B2 が、
また配線基板14B の接続ピン15G 、スルーホール16G 、
配線層13B 及び接続ピン15H を介して半導体装置10C の
外部リード2A22と半導体装置10D の外部リード2B9 とが
それぞれ接続されている。また、配線基板14B の下段の
半導体装置10C の少なくとも外部リード2A9 に接続する
接続ピン15I の上部にはスルーホール16Iを介し少なく
とも外部リード22A を例えば半田づけすることにより他
の構造の半導体装置21A が直立した状態で直に接合固着
され、更に下段の半導体装置10C の外部リード2A3 と2A
5 に接続する接続ピン15J と15K の上部には、スルーホ
ール16J 、16K をそれぞれ介し外部リード22B1と22B2を
それぞれ半田づけ等により接合することによって他の構
造の半導体装置21B が直立した状態で接続固着され、こ
れら全体によって多機能大規模の半導体装置が構成され
る。なお、配線基板の接続ピンと半導体装置の外部リー
ドとの接続構造は前記実施例と同様であり、この図では
省略されている。
型樹脂モールド半導体装置10C 上に、大型の配線基板14
B を介して小型のフラット構造の樹脂モールド半導体装
置10D が積み重ねられており、更に同配線基板14B 上に
他の構造を有する半導体装置21A 、21B が搭載されてい
る。そして、半導体装置10D の積み重ね方法は前記実施
例と同様であり、配線基板14B の接続ピン15E 、スルー
ホール16E 及び接続ピン15F を介して半導体装置10C の
外部リード2A18と半導体装置10D の外部リード2B2 が、
また配線基板14B の接続ピン15G 、スルーホール16G 、
配線層13B 及び接続ピン15H を介して半導体装置10C の
外部リード2A22と半導体装置10D の外部リード2B9 とが
それぞれ接続されている。また、配線基板14B の下段の
半導体装置10C の少なくとも外部リード2A9 に接続する
接続ピン15I の上部にはスルーホール16Iを介し少なく
とも外部リード22A を例えば半田づけすることにより他
の構造の半導体装置21A が直立した状態で直に接合固着
され、更に下段の半導体装置10C の外部リード2A3 と2A
5 に接続する接続ピン15J と15K の上部には、スルーホ
ール16J 、16K をそれぞれ介し外部リード22B1と22B2を
それぞれ半田づけ等により接合することによって他の構
造の半導体装置21B が直立した状態で接続固着され、こ
れら全体によって多機能大規模の半導体装置が構成され
る。なお、配線基板の接続ピンと半導体装置の外部リー
ドとの接続構造は前記実施例と同様であり、この図では
省略されている。
【００２１】また図５に模式側面図を示したのは、フラ
ット構造の大型樹脂モールド半導体装置上に、大型の配
線基板及び金属配線体を介してフラット構造の小型樹脂
モールド半導体装置が多段に積み重ねられ、且つ同配線
基板上に前記実施例同様の手段により他の構造の半導体
装置が直立搭載され、更に同配線基板が下部の樹脂モー
ルド半導体装置に接する金属放熱体を有し、その放熱体
上に放熱フィンが固着されて、一体の多機能第規模の半
導体装置が構成された例を示している。
ット構造の大型樹脂モールド半導体装置上に、大型の配
線基板及び金属配線体を介してフラット構造の小型樹脂
モールド半導体装置が多段に積み重ねられ、且つ同配線
基板上に前記実施例同様の手段により他の構造の半導体
装置が直立搭載され、更に同配線基板が下部の樹脂モー
ルド半導体装置に接する金属放熱体を有し、その放熱体
上に放熱フィンが固着されて、一体の多機能第規模の半
導体装置が構成された例を示している。
【００２２】即ちこの例においては、下段のフラット構
造の大型樹脂モールド半導体装置15C 上に接続ピン15L
〜15R により半導体装置15C の外部リード2A1 〜2A7 に
それぞれ接続し、接続ピン15S 〜15Y で半導体装置15C
の外部リード2A19〜2A25に接続する大型の配線基板14C
が固着される。この配線基板14C にはそのほぼ中心部に
下部の半導体装置15C に底面が接するCu若しくAl等の金
属放熱体17が固着されており、更にこの放熱体17上にC
u、Al等からなる放熱フィン18が固着されている。また
配線基板14C の一方の領域上には、前述したような配線
体12を用いて４段に積み上げられた小型のフラット型樹
脂モールド半導体装置10D 、10E 、10F 、10G の多重体
が同じく配線体12、配線基板14C の図示しない配線層及
びスルーホール等及び接続ピンの例えば15T 、15W をそ
れぞれ介して下部の大型樹脂モールド半導体装置15C の
外部リード2A20及び2A23にそれぞれ接続され、配線基板
14Cの他方の領域の図示しない配線パターン上には、接
続ピン15L 〜15R の何れかを介して下部の大型樹脂モー
ルド半導体装置15C の外部リード2A1 〜2A7 の何れかに
接続する異なる構造の半導体装置21C 、21D 、21E 等が
例えば直立状態で、回路配線上に半田接合等により直に
搭載され、これら全体によって多機能大規模の半導体装
置が構成される。なお、配線基板及び金属配線体の接続
ピンと半導体装置の外部リードとの接続構造は前記実施
例と同様に省略されている。
造の大型樹脂モールド半導体装置15C 上に接続ピン15L
〜15R により半導体装置15C の外部リード2A1 〜2A7 に
それぞれ接続し、接続ピン15S 〜15Y で半導体装置15C
の外部リード2A19〜2A25に接続する大型の配線基板14C
が固着される。この配線基板14C にはそのほぼ中心部に
下部の半導体装置15C に底面が接するCu若しくAl等の金
属放熱体17が固着されており、更にこの放熱体17上にC
u、Al等からなる放熱フィン18が固着されている。また
配線基板14C の一方の領域上には、前述したような配線
体12を用いて４段に積み上げられた小型のフラット型樹
脂モールド半導体装置10D 、10E 、10F 、10G の多重体
が同じく配線体12、配線基板14C の図示しない配線層及
びスルーホール等及び接続ピンの例えば15T 、15W をそ
れぞれ介して下部の大型樹脂モールド半導体装置15C の
外部リード2A20及び2A23にそれぞれ接続され、配線基板
14Cの他方の領域の図示しない配線パターン上には、接
続ピン15L 〜15R の何れかを介して下部の大型樹脂モー
ルド半導体装置15C の外部リード2A1 〜2A7 の何れかに
接続する異なる構造の半導体装置21C 、21D 、21E 等が
例えば直立状態で、回路配線上に半田接合等により直に
搭載され、これら全体によって多機能大規模の半導体装
置が構成される。なお、配線基板及び金属配線体の接続
ピンと半導体装置の外部リードとの接続構造は前記実施
例と同様に省略されている。
【００２３】上記実施例に示したように本発明において
は、樹脂封止型半導体装置の樹脂封止部に樹脂内に埋め
込まれた外部リードを底部に表出する小開孔を設けてお
き、下段の上記半導体装置とその上部に重ねられる上段
の上記半導体装置とを、前記小開孔内に挿入可能な接続
ピンを有し、所望の配線経路を有する金属配線体あるい
は配線基板によって接続して一体のより多機能大規模の
樹脂封止型半導体装置が形成される。従って上記金属配
線体或いは配線基板の配線経路を所望に応じて種々に変
更することによって同一機能を有する小規模な樹脂半導
体装置を用い種々の異なる機能を有する多機能大規模な
樹脂封止半導体装置を容易に形成することが可能にな
る。
は、樹脂封止型半導体装置の樹脂封止部に樹脂内に埋め
込まれた外部リードを底部に表出する小開孔を設けてお
き、下段の上記半導体装置とその上部に重ねられる上段
の上記半導体装置とを、前記小開孔内に挿入可能な接続
ピンを有し、所望の配線経路を有する金属配線体あるい
は配線基板によって接続して一体のより多機能大規模の
樹脂封止型半導体装置が形成される。従って上記金属配
線体或いは配線基板の配線経路を所望に応じて種々に変
更することによって同一機能を有する小規模な樹脂半導
体装置を用い種々の異なる機能を有する多機能大規模な
樹脂封止半導体装置を容易に形成することが可能にな
る。
【００２４】なお、多重化される樹脂封止型半導体装置
は上記実施例に示したフラット構造の表面実装型に限ら
れるものではない。また、前記接続ピンと外部リードと
の接合は、レーザ溶接により行うこともできる。
は上記実施例に示したフラット構造の表面実装型に限ら
れるものではない。また、前記接続ピンと外部リードと
の接合は、レーザ溶接により行うこともできる。
【００２５】
【発明の効果】以上説明のように本発明によれば、同一
の機能を有する小規模樹脂封止型半導体装置を多重化す
ることによって、より複雑な回路構成を有する種々の多
機能若しくは大規模の樹脂封止型半導体装置が容易に形
成できるので、多重構造の多機能大規模樹脂封止型半導
体装置の生産性が大幅に向上する。
の機能を有する小規模樹脂封止型半導体装置を多重化す
ることによって、より複雑な回路構成を有する種々の多
機能若しくは大規模の樹脂封止型半導体装置が容易に形
成できるので、多重構造の多機能大規模樹脂封止型半導
体装置の生産性が大幅に向上する。
【図１】 本発明に用いる小規模樹脂封止型半導体装置
の一実施例の模式図
の一実施例の模式図
【図２】 本発明の多重構造樹脂封止型半導体装置の第
１の実施例の模式図
１の実施例の模式図
【図３】 本発明の多重構造樹脂封止型半導体装置の第
２の実施例を示す図
２の実施例を示す図
【図４】 本発明の多重構造樹脂封止型半導体装置の第
３の実施例の模式側面図
３の実施例の模式側面図
【図５】 本発明の多重構造樹脂封止型半導体装置の第
４の実施例の模式側面図
４の実施例の模式側面図
【図６】 多重構造樹脂封止型半導体装置の従来例の模
式図
式図
１、10A 、10B 表面実装型樹脂モールド半導体装置 ２、2A、2B、2A2 、2A8 、2B2 、2B9 外部リード ４ 樹脂パッケージ 5A、5B 小開孔 ６ チップステージ ７ 半導体チップ ８ チップ固着材 ９ ボンディングワイヤ 11A 、11B 接続ピン 12、12A 、12B 金属配線体 13 導電性接合材
Claims (5)
- 【請求項１】 複数の小規模樹脂封止型半導体装置が積
み重ねられ且つ相互に接続されて大規模に構成される樹
脂封止型半導体装置であって、該小規模樹脂封止型半導
体装置が、樹脂封止部の上下両面若しくはいずれか一方
の面に外部リードの該樹脂封止部内に埋め込まれた部分
を表出する開孔を有し、下段の該半導体装置と上段の該
半導体装置とが、端部に接続ピンを備え、該接続ピンが
該上下段の半導体装置の対向する面の該開孔内に挿入さ
れ当接する該外部リードに接合された所定の配線経路を
有する金属配線体を介して積み重ねられ、電気的に接続
固着されてなることを特徴とする樹脂封止型半導体装
置。 - 【請求項２】 複数の小規模樹脂封止型半導体装置が積
み重ねられ且つ相互に接続されて大規模に構成される樹
脂封止型半導体装置であって、該小規模樹脂封止型半導
体装置が、樹脂封止部の上下両面若しくはいずれか一方
の面に外部リードの該樹脂封止部内に埋め込まれた部分
を表出する開孔を有し、下段の該半導体装置と上段の該
半導体装置とが、該上下段の半導体装置の対向する面の
該開孔内に挿入され当接する該内部リードに接合された
接続ピンを具備し所定の配線経路を有する配線基板を介
して積み重ねられ、電気的に接続固着されてなることを
特徴とする樹脂封止型半導体装置。 - 【請求項３】 前記配線体若しくは前記配線基板の接続
ピンと当接する前記外部リードとの接合が、溶融金属、
導電性樹脂、或いは溶接によってなされていることを特
徴とする請求項１または２記載の樹脂封止型半導体装
置。 - 【請求項４】 前記配線基板が、該配線基板上に直に固
着接続された別の半導体装置を有してなることを特徴と
する請求項２または３記載の樹脂封止型半導体装置。 - 【請求項５】 前記配線基板が、少なくとも前記下段の
半導体装置に接する金属放熱体を有してなることを特徴
とする請求項２または３または４記載の樹脂封止型半導
体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5028309A JPH06244361A (ja) | 1993-02-18 | 1993-02-18 | 樹脂封止型半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5028309A JPH06244361A (ja) | 1993-02-18 | 1993-02-18 | 樹脂封止型半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06244361A true JPH06244361A (ja) | 1994-09-02 |
Family
ID=12245024
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5028309A Pending JPH06244361A (ja) | 1993-02-18 | 1993-02-18 | 樹脂封止型半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06244361A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2024142542A1 (ja) * | 2022-12-27 | 2024-07-04 | 日立Astemo株式会社 | 電気回路体および電力変換装置 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5944857A (ja) * | 1982-09-07 | 1984-03-13 | Toshiba Corp | 電子回路装置 |
| JPS6450551A (en) * | 1987-08-21 | 1989-02-27 | Nec Corp | Ic package structure |
| JPH04364794A (ja) * | 1991-06-11 | 1992-12-17 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体モジュール |
-
1993
- 1993-02-18 JP JP5028309A patent/JPH06244361A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5944857A (ja) * | 1982-09-07 | 1984-03-13 | Toshiba Corp | 電子回路装置 |
| JPS6450551A (en) * | 1987-08-21 | 1989-02-27 | Nec Corp | Ic package structure |
| JPH04364794A (ja) * | 1991-06-11 | 1992-12-17 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体モジュール |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2024142542A1 (ja) * | 2022-12-27 | 2024-07-04 | 日立Astemo株式会社 | 電気回路体および電力変換装置 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20010403 |