JPH06244391A - イメージセンサー - Google Patents

イメージセンサー

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JPH06244391A
JPH06244391A JP6005826A JP582694A JPH06244391A JP H06244391 A JPH06244391 A JP H06244391A JP 6005826 A JP6005826 A JP 6005826A JP 582694 A JP582694 A JP 582694A JP H06244391 A JPH06244391 A JP H06244391A
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JP
Japan
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light
image sensor
sensitive
opaque layer
array
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JP6005826A
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English (en)
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Berkel Cornelis Van
ファン ベルケル コルネリス
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Koninklijke Philips NV
Original Assignee
Philips Electronics NV
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Publication date
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    • H10F39/12—Image sensors
    • H10F39/18—Complementary metal-oxide-semiconductor [CMOS] image sensors; Photodiode array image sensors
    • H—ELECTRICITY
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 解像度が高いイメージセンサーを提供する。 【構成】 絶縁基板２に光を検出できる所定の表面領域
4aを持つ光感応性素子４のアレイ３を搭載する。レンズ
素子６のアレイ５を各光感応性素子４に対応させて光感
応性素子アレイ３の上に配置し、光をレンズ素子６を通
して光感応性素子４上に集光する。各光感応性素子４の
所定の表面領域4aは不透明層で覆われており、表面領域
4aに比べて小さい面積の光透過領域８が不透明層７の中
の焦点Ｆ又はその近くに設けられている。各光感応性素
子４の所定の表面領域4aの大部分は不透明層によって入
射光に対して遮蔽され、光感応性素子４の所定の表面領
域4aの中に、光透過領域８が、所定の表面領域4aに比べ
て小さい受光するための表面部分4bを限定する構成を有
する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光感応性素子に入射し
た光を検出するための所定の表面領域を有する独立した
光感応性素子のアレイを搭載した絶縁基板、及び該光感
応性素子アレイの上に位置するレンズ素子のアレイを具
え、各レンズ素子がそれぞれの光感応性素子と対応し、
該レンズ素子への入射光をこれに対応した光感応性素子
の上に集光させるイメージセンサーに関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】欧州特許出願EP-A-154962 号には、前記
のようなイメージセンサーが記載されている。この記載
では、光感応性素子が光透過性基板の上に設けられた光
遮蔽層の上に形成され、レンズ素子のアレイが、光感応
性素子の上か又は光透過性基板の反対側の上に、種々の
方法で、例えば感光性レジストを用いて、又は光透過性
基板へのイオン注入によって部分的に基板の屈折率を変
えることによって形成されている。イメージされるべき
対象物がレンズアレイの前面に置かれ、光遮蔽層の中の
光透過領域は光が基板を通して対象物、例えばイメージ
されるべき書類に入射するようにする。対象物によって
反射された光がレンズ素子に入射し、各レンズ素子は入
射光をそれに対応している光感応性素子に収束し焦点を
合わせる。
【０００３】このようなレンズ素子を用いると焦点距離
を短くすることができ、光感応性素子アレイのピッチを
小さくすることができ、比較的密着する接触型イメージ
センサーと同等の光路長にすることができる。この装置
は、イメージ化する対象と密着することなしに、１：１
に対応するイメージを形成することを可能にする。更に
一方で、これは、密着型イメージセンサーに特有の静電
的及び機械的な損傷の問題を避けることができる。欧州
特許出願EP-A-154962 号に述べられているように、使用
される光感応性素子は小さいので、イメージ化する範囲
の大きさに比べて、レンズ素子による焦点効果のため
に、その表面領域即ち各レンズ素子が集めた光を投射す
る面積が小さい。
【０００４】このように小さい光感応性素子を用いる
と、イメージセンサーが受光する入射角度の拡がり（受
光角度）を制限するので、レンズ素子と対応している光
感応性素子が１つのイメージ化面積からの光を受光する
のではなくて、１つのイメージ化面積からの光が２つ又
はそれ以上の光感応性素子に焦点が合う可能性を減らす
のに役立つ。これは、分解能を改善し、得られたイメー
ジの鮮明さを改善する。更に、このように小さい光感応
性素子を用いると、漏れ電流を減らすのに役立つ。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、これは
光感応性素子の形成途中で正確な制御が必要であり、と
りわけ光感応性素子の固有の厚さのために、極めて小さ
い光感応性素子を形成することは困難であり、実際に
は、製造プロセスにおける再現性に、従ってイメージセ
ンサーの特性に悪影響を及ぼすことなく小さくできる程
度のサイズに制限される。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、それぞれが光
を検出し得る所定の表面領域を有する独立した光感応性
素子のアレイを搭載した絶縁基板、及び該光感応性素子
アレイの上に位置するレンズ素子のアレイを具え、各レ
ンズ素子がそれぞれの光感応性素子と対応し、該レンズ
素子への入射光をこれに対応した光感応性素子の上に集
光させるイメージセンサーにおいて、光が光感応性素子
に到達するのを防ぐために各光感応性素子の該所定の表
面領域が不透明層によって覆われていること、光感応性
素子の表面領域に比較して小さいそれぞれの光透過領域
が、各光感応性素子を覆っている該不透明層の、対応し
たレンズ素子の焦点又は焦点に近い位置に設けられてお
り、各光感応性素子について、該所定の表面領域の大部
分が該不透明層によっていかなる入射光に対しても遮蔽
されており、該光透過領域が、光感応性素子の該所定の
表面領域の中の、該所定の表面領域に比較して小さい面
積の受光するための表面部分となるイメージセンサーを
提供する。
【０００７】本発明のイメージセンサーは、受光し得る
各光感応性素子の表面部分が、対応する不透明層の光透
過領域によって限定され、極めて小さい光感応性素子を
作ることなしに、イメージセンサーの受光角度を必要に
応じて容易に制限することができる。これにより、実際
に、光感応性素子は、用いた技術に応じた表面領域を持
ち、光感応性素子の特性の再現性を有する望み通りのイ
メージセンサーのイメージ領域ピッチを持つように作る
ことができる。
【０００８】更に、通常は穴である光透過領域は、超小
形の光感応性素子を作るよりも極めて容易に且つ正確
に、適当な不透明層の中に形成することができる。従っ
て、光透過性領域によって、単に光感応性素子のサイズ
を減らすことによって達成するよりも小さい光感応性素
子の実効光感応性表面部分を決めることができる。これ
により、得られるイメージの解像度と鮮明さの再度の改
善を容易にする。
【０００９】更に、特に光感応性素子がダイオードであ
る場合は、光感応性ダイオードの不透明層によって遮蔽
される比較的大きい面積が、比較的大きい浮遊容量を形
成し、これがイメージセンサーのダイナミックレンジを
かなり増加させ、コンデンサを追加する必要性をなくす
か少なくとも減少させる。（欧州特許出願EP-A-154962
号の場合はこのコンデンサが必要である。）
【００１０】レンズ素子は、不透明層上に又は不透明層
上に形成される他の層の上に、直接形成することができ
る。この代替として、レンズ素子は、光感応性素子のア
レイを搭載した基板にマウントされた他の基板に搭載す
ることもできる。独立した基板にレンズ素子を形成する
ことは、光感応性素子アレイとレンズ素子アレイの製造
工程を個別に最適化することができ、両者の妥協を必要
としない。
【００１１】１つの例では、不透明層は全ての光感応性
素子に共通にすることができ、他の基板に搭載すること
ができる。これは、製造の容易さの観点から利点を有す
る。しかしながら、不透明層は、各光感応性素子の表面
領域に直接付設するのが望ましい。そうすれば、光感応
性素子と不透明層との間の空間を除去でき、散乱光が不
透明層の穴を通る可能性を減らすことができ、得られる
解像度に対する悪影響を防ぐことができる。
【００１２】この場合、個別の不透明層が各光感応性素
子の上に形成される。これは、アクシデントから隣接の
光感応性素子間で短絡する危険がないので、不透明層を
電導性の層から形成することを可能にする。このよう
に、分離された電導性の不透明層を用いると、不透明層
がこれに対応した光感応性素子の１つの電極を形成する
ことができる。そうすると、不透明層を形成する際に電
極形成ステップを付加する必要がなくなり、光透過性領
域が、適当なマスクとエッチング技術を用いて、穴とし
て簡単に形成できるようになる。
【００１３】一般的に、各光透過性領域の面積は、多く
てもそれが対応している光感応性素子の面積のおよそ５
パーセントである。好ましくは、各光透過領域の面積が
各光感応性素子の該領域の面積に対する比が、およそ
１：８００乃至１：８０００である。光感応性素子は適
当なサイズ、例えば４０μｍ×４０μｍ、或いは更に大
きくて例えば１５０μｍ×１５０μｍ或いは２００μｍ
×２００μｍにすることができる。代表的には、光感応
性素子が４０μｍ×４０μｍの範囲に表面領域を持つ場
合であり、従って、光透過性領域は、対象物をイメージ
化することができるようにしたいイメージセンサーから
の距離に応じて、１０μｍから０．５μｍの間のどこで
もよい。
【００１４】レンズ素子の形成には適宜の技術を利用で
きる。例えば、レンズ素子は、リフローされた感光性レ
ジストによって形成できる。他の例として、レンズ素子
は、光透過性基板に対するイオン注入によって光透過性
基板の屈折率が変化した領域から形成してもよい。
【００１５】光感応性素子アレイは、２次元アクティブ
アドレスアレイとすることができる。しかしながら、本
発明は、パッシブアレイに応用することもでき、更に２
次元アレイと同様に１次元アレイにも応用することがで
きる。光感応性素子は、光感応性ダイオード、一般的に
はｐｉｎダイオードとすることができ、またショットキ
ーダイオードを用いることもできる。他の型の光感応性
素子、例えば光感応性薄膜ダイオード（ＭＩＭｓ）又は
薄膜トランジスタ、又は光感応性抵抗器も利用すること
ができる。
【００１６】ここで用いた“不透明層”の語は、光感応
性素子が検出し得る感応性を有する光が、充分に透過し
ない層を意味するものと理解されるべきである。ここに
用いた“光”の語は、可視光のスペクトルの範囲と近赤
外領域にある電磁放射線を意味する。更に、ここで用い
た“光透過性領域”の語は、光感応性素子が検出し得る
感応性を有する光が、充分に透過する領域を意味する。
【００１７】日本特許出願JP-A-1-62980号には、欧州特
許出願EP-A-154962 号で用いられたと同様の光遮蔽層を
提供することが記載されている。これでは、光遮蔽層の
窓を通して見る対象物の反射光がイメージセンサーを通
るようにしている一方で、イメージセンサーの背面への
入射光から光感応性素子を遮蔽している。更に、米国特
許US-A-4883967号には、個々の光感応性素子が穴が開い
たマスクによって限定されている輻射線検出器が記載さ
れている。更に、米国特許US-A-4948978号には、Ｘ線の
ためのイメージセンサー、及び、Ｘ線を可視光に変換す
るためのシンチレーション又は蛍光層が記載されてい
る。これらの層は、２つの光反射層に挟まれており、そ
の１つは光感応性素子アレイに隣接し、各光感応性素子
の上に穴が形成され、最初に穴を通過しない光は蛍光層
の中で前後に反射して最終的には穴を通る。しかしなが
ら、隣接する光感応性素子の間のクロストークを避ける
ために、蛍光層が光感応性素子に対応した独立のセルに
分割される必要がある。
【００１８】
【実施例】次に、図面を用いて実施例を説明する。図面
では、イメージセンサー１を説明している。絶縁基板２
が個別光感応性素子４のアレイ３を搭載し、各個別光感
応性素子４は光を検出できる所定の表面領域4aを有し、
レンズ素子６のアレイ５が光感応性素子アレイ５の上に
形成され、各レンズ素子６がそれぞれの光感応性素子４
と対応し、レンズ素子６に入射した光が対応する光感応
性素子４に集光されるように構成されている。
【００１９】本発明によれば、各光感応性素子４の所定
の表面領域4aが光感応性素子４に光が達するのを妨げる
不透明層７によって覆われており、光感応性素子４の表
面領域4aに比べて小さいそれぞれの光透過性領域８が光
感応性素子４を覆っている不透明層７の中に、対応する
レンズ素子６の焦点Ｆに又はその近くに形成されてい
る。各光感応性素子４に対して、所定の表面領域4aの大
部分が不透明層７によっていかなる入射光からも遮蔽さ
れ、光感応性素子４の所定の表面領域4aの中に受光のた
めの光透過性領域８の表面部分4bが、所定の表面領域4a
に比較して小さく定められている。
【００２０】このように、本発明のイメージセンサー１
においては、光感応性素子の表面部分は、不透明層７の
光透過性部分８によって限定され、イメージセンサー１
の受光する角度に対する必要な制限を、極めて小さい光
感応性素子を形成することなしに、達成できる。光感応
性素子４は、このように利用する技術に対応した表面領
域4aを持つことができ、必要とするイメージ領域ピッチ
のイメージセンサー1が光感応性素子４の特性の再現性
を保持することができる。
【００２１】光透過性領域の形成、例えば適当な不透明
層７の中の穴８の形成が、極めて小さい光感応性素子を
作るよりも極めて容易に且つ正確に達成される。従っ
て、単に光感応性素子４のサイズを小さくすることによ
って達成されるよりも更に小さい穴８が、光感応性素子
４の実際の光感応領域4bを決める。更にこれは、イメー
ジの解像度及び鮮明さの一層の改善を容易にする。
【００２２】以下の説明する実施例では、光感応性素子
として特にそれぞれが比較的大きい面積を有する光感応
性ダイオード４を用いている。これが不透明層７によっ
て遮蔽され、これが比較的大きい浮遊容量を形成し、こ
れがイメージセンサー１のダイナミックレンジをかなり
増加させ、外付けコンデンサの必要性をなくすか少なく
とも減らす（欧州特許出願EP-A-154962 号で用いられた
光感応性ダイオードではこの外付けコンデンサが必要で
ある）。
【００２３】図１は、本発明によるイメージセンサー１
の簡略化した一部分（たった１２個の光感応性素子４及
びこれらと対応するレンズ素子６が示されているに過ぎ
ない）の透視図である。図２は、イメージセンサー１の
回路のレイアウトを示す図である。図３は、イメージセ
ンサー１の１つのイメージ素子30の部分の断面図であ
る。
【００２４】図１、２及び３に示された実施例では、イ
メージセンサー１は適当な電気絶縁性の材料、一般的に
はガラスからなる光透過性基板２を具え、その上に光感
応性素子アレイ３が薄膜技術で形成されている。
【００２５】光感応性素子４は、この実施例では光感応
性ｐｉｎダイオードであり、アレイは２次元アクティブ
アドレスアレイであり、このアレイでは各光感応性素子
４がスイッチング素子９に対応している。スイッチング
素子としては、適当な型のものを使用できる。例えば、
このスイッチング素子は、光感応性ダイオード４と同様
の構造を持ち、その大きさがそれより小さい、例えば通
常は１０分の１程度の面積のｐｉｎダイオードからな
る。光同一タイプの素子として感応性素子４及びスイッ
チング素子６を形成すれば、製造工程を簡略化すること
ができる。
【００２６】各光感応性素子４及びこれに対応したスイ
ッチングダイオード９は、共通の第１電極10を共有す
る。この電極10は、不透明（通常充分な厚さのクロムに
よって形成されている）で、光感応性素子及びスイッチ
ング素子を基板２への入射光から遮蔽する効果を有す
る。各スイッチングダイオード９はそれぞれの第２不透
明電極11を有する。この電極11もスイッチングダイオー
ドをイメージセンサー１への入射光から遮蔽する。各光
感応性ダイオード４は、それぞれの第２電極12を有す
る。
【００２７】この例では、光感応性ダイオードの第２電
極12も不透明層７を形成し、個別の不透明層７が各光感
応性素子４に形成されている。各光感応性素子４の表面
領域4aに直接不透明層７を形成すると、光感応性素子と
不透明層との間に隙間が生じる可能性を避けることがで
き、これにより、散乱光が穴８を通過して解像度に悪影
響を与える可能性を減少させることができる。
【００２８】不透明層７も対応している光感応性素子４
の１つの電極12を構成するという事実は、不透明層７の
形成に先立って電極を形成するための追加のステップを
不要にし、穴８を適当なマスクとエッチング技術を用い
て簡単に形成することができる。穴８は、前記のよう
に、表面領域4aの中のほんの小さい受光可能部分4bを形
成する。
【００２９】図２では、フォトダイオード４がマトリク
スアレイ状に配列され、それぞれスイッチング素子、こ
の例ではダイオード９に対応している。光感応性素子４
及びスイッチング素子６は、ｍ−１行とｎ−１列のマト
リクスを構成しており、この例では、各スイッチング素
子のカソードはその素子が対応しているフォトダイオー
ド４のカソードに接続され、所定の行の各スイッチング
素子のアノードが所定の行導体14に接続され、所定の列
の各フォトダイオード４のアノードが所定の列導体15に
接続されている。
【００３０】図２には２行及び２列のみしか示していな
いが、通常はもっと膨大な数を具えている。実際のアレ
イの大きさ及びピッチ（隣接する同一部分間の距離）
は、要求される用途に依存する。例えば、イメージセン
サーがＧ３ファクシミリ標準の条件を満たすものなら
ば、１２０μｍのピツチが必要である。典型的な例で
は、光感応性素子４は、これがかなり大きく、例えば１
５０μｍ×１５０μｍ或いは１９０μｍ×１９０μｍで
あったとしても、ピッチ２００μｍで配列され、４０μ
ｍ×４０μｍの面積を有する。アレイ全体としては例え
ばＡ４版のイメージに対して充分な大きさである。
【００３１】行導体14は、行ドライバー即ち通常型のデ
コーダー／アドレス回路16に接続され、他方、各列導体
15は、それぞれの電荷感応性増幅器17を経て既知の読み
出し回路18に接続される。このような光感応性素子アレ
イ３の動作は、スイッチングダイオード９が通常は逆バ
イアスされ、対応するピンホール８を通してフォトダイ
オードに光が入射したときには、光起電電荷がフォトダ
イオードの固有容量に蓄積される。蓄積された電荷を読
み出すために、正電圧パルスがスイッチングダイオード
９に接続されている行導体14に印加される。これによ
り、スイッチングダイオード９が順方向にバイアスさ
れ、蓄積されていた電荷が列導体から電荷感応性増幅器
17に流れ、それから読み出し回路18に達し、そこで記憶
される。
【００３２】前記の構成は、図３のように形成する。第
１は不透明な導電層、通常はクロム層の堆積とパターニ
ングによって第１電極10と少なくとも行導体14の一部を
形成することである。半導体物質層を、例えばアモルフ
ァスシリコンをｎ型の固有導電性に、続いてｐ型導電性
に堆積し、既知の方法で、スイッチングダイオード９及
びフォトダイオード４のためのｐｉｎダイオードの構造
を決めるようにパターニングする。典型的には、ダイオ
ードはおよそ０．５μｍの厚さに形成する。透明な、通
常は酸化インジウム錫の導電性層19をフォトダイオード
の上に既知の方法で必要に応じて形成する。
【００３３】通常は窒化シリコンからなるパッシベーシ
ョン層20をこの上に形成し、これに穴を形成し、次の不
透明導電性物質層、通常は再び充分な厚さのクロム層を
堆積し、パターニングして第２電極11と12、及び列導体
15を形成する。このように、列導体15は第２電極と同時
に形成できる。導電性を改善するために、行及び列導体
14及び15は、アルミニウムのような高い導電性を持つ最
上層として形成してもよい。この最上層は、第２電極11
及び12の上に形成することもできるが、不透明層７は、
不透明性を保つ限り、実用上可能な限り薄くし、穴８が
それ程の厚さを持たないようにすることが望ましいた
め、第２電極12を厚くし過ぎないように注意する必要が
ある。典型的にはクロム層の厚さはおよそ１００ｎｍで
ある。
【００３４】光透過性領域は、この場合、不透明層を通
して穴８の領域を限定することによって形成する。これ
らの穴は、適当な技術を用いて形成できるが、用いる技
術の詳細は必要な穴８の大きさに依存する。５乃至１０
μｍのように比較的大きい穴径の場合には、フォトリソ
グラフィーで形成されたマスクが必要であり、これと共
に適当なエッチング技術を用いる。もっと小さい穴が必
要な場合には、反応性イオン異方性エッチング技術、或
いは更にレーザーエッチング技術のようなもっと精密な
技術を使用することが望ましい。穴についての必要な大
きさは、イメージセンサーの用途に依存するものであ
り、以下に更に深く議論する。
【００３５】前記構造の上に、窒化シリコンなどからな
る光透過性パッシベーション層（図示せず）、及びポリ
イミドなどからなる平坦化層を設けてもよい。この平坦
化層は、比較的平坦な上表面を形成し、この上にレンズ
素子アレイをマウントできる利点を有する。
【００３６】勿論、光感応性素子アレイに適用し得るい
かなる形及び回路レイアウトに適用できるいかなる形も
利用できることは明らかである。例えば、スイッチング
素子は、例えば米国特許US-A-4382187号に記載されてい
るように、薄膜トランジスタであってもよい。レイアウ
トは、欧州特許出願EP-A-233104 号、EP-A-237365 号、
米国特許US-A-4395736号、US-A-4609824号、US-A-49452
42号、US-A-4952788号などに記載されたものを利用でき
る。
【００３７】この例のレンズ素子アレイ５は、個別の基
板13に搭載されており（図３及び４。この基板は図１で
は図を明瞭にするために省略されている。）、光感応性
素子アレイ３の処理の影響の恐れなしに適切な種類のも
のを形成することができる。第２の基板13は、適当なも
のならばいかなる光透過性の絶縁物質によっても、例え
ばガラスで形成できる。ただし、これの厳密な性質は、
レンズ素子６を形成する方法に依存することがある。
【００３８】レンズ素子６は、例えば欧州特許出願EP-A
-154962 号に記載されている技術、即ち基板の適当な部
分にイオン注入を行って部分的に屈折率を変える技術な
どの１つによって形成する。他の可能性としては、文献
「光感応性ガラスにマイクロレンズを形成するための光
分解技術」（"Photolytic technique for producingmic
rolenses in photosensitive glass", Borrelli等著, A
pplied Optics, 第24巻第16号, 1985年８月15日）に記
載されている技術を利用することである。
【００３９】しかしながら、この例では、レンズ素子６
は、典型的には０．５ｍｍの厚さの第２の基板13を、粘
性の光感応性レジストを例えば凡そ１５μｍの厚さにコ
ーティングし、その上に必要なレンズ素子の大きさより
も若干小さい円形窓を有するマスクを設けることによっ
て製造すると便利である。レンズ素子３は、勿論光感応
性素子アレイ３と同一のピッチを有する。従って前記の
例では、マスクの窓は、ピッチ２００μｍで直径１９０
μｍである。
【００４０】レジストに対しては、それから露光し、現
像して、必要なレンズ素子６の位置にそれぞれ位置する
円形レジストの島のアレイを形成する。この構造を、お
よそ１５０°Ｃで加熱又はベークすると、この温度でレ
ジストが融けてそれぞれの円形の島が表面張力によって
引っ張られ、レンズ形状になる。この例では、中心厚さ
２７μｍで焦点距離５００μｍ（ガラス中で）のレンズ
素子６が得られる。
【００４１】前記の技術は、例えば文献「マイクロレン
ズアレイ」（"Microlens Arrays",Mike Hutley, Richar
d Stevens, Dan Daly 共著, Physical World, 1991年
７月, 27−32頁）に記載されている。レジストの元の厚
さがレンズ素子の焦点距離を決定する。この厚さは、典
型的には１５μｍである。
【００４２】基板13に搭載されたレンズ素子アレイ５
は、適当な方法で、穴８がレンズ素子６の焦点位置又は
その近くにあるように光感応性素子アレイ基板２にマウ
ントする。ここで例えば、光感応性素子アレイ３は、平
坦化のためのパッシベーション層で覆う。そうすると、
レンズ素子アレイを簡単に光感応性素子アレイ３の上に
接着できる。他の可能性は液晶ディスプレイ装置のため
に既知のガラススペーサー技術を用いることである。こ
こでの例では、ガラス基板13の厚さ及びレンズ素子６の
焦点距離は、各レンズ素子６の焦点Ｆが、ガラス基板13
の、レンズ素子に対している表面上に存在するような値
になっており、基板13が光感応性素子アレイ３の上に直
接マウントされている。
【００４３】図３に示して前記した構成の１つの代替案
では、不透明層７が光感応性素子の第２の電極12によっ
て形成される必要がなく、分離した層によって形成され
る。この例を図４に示す。不透明層７は、光感応性素子
アレイの上に形成するのではなく、レンズ素子アレイ５
に対している基板13の表面13ａの上に形成する。不透明
層７がこの例では更に第２の電極12を構成しないという
ことは、不透明層が導電性を必ずしも必要とせず、適当
な絶縁物で形成することができることを意味する。
【００４４】しかしながら、図４に示された例では、不
透明層７はやはりクロムで形成され、光透過性領域８は
前記の方法による穴として形成されている。不透明層７
が、クロムのように光の大部分を反射する物質で形成さ
れていると、ポリイミドの層のような光吸収層7aを基板
13と不透明層７との間に形成する必要がある。
【００４５】不透明層７が前記のように導体であり、光
感応性素子アレイ３がパッシベーション層で保護されて
いない場合は、窒化シリコンのような光透過性で絶縁物
の被覆層21を不透明層の表面に設け、不透明層が光感応
性素子４と短絡するのを防ぐ。このような構造は、不透
明層の形成が光感応性素子アレイの形成と分離して行わ
れるときは、製造が比較的容易である。これは、既に存
在するアレイを本発明のイメージセンサーとして用いる
ための改造にも利用できる。しかしながら、不透明層７
と光感応性素子アレイ３との距離はそれ程大きくないの
で、センサーの中での光の散乱のために重大な問題が起
きることに注意する必要がある。
【００４６】イメージセンサーの解像度は光感応性素子
アレイのピッチによって決まる。これは、勿論イメージ
化しようとするものの中で最も小さい特徴より大きくて
はいけない。実際にイメージ化するために、対応するフ
ォトダイオード４の上に光を集めることができる範囲と
なる領域（以下、イメージ領域という）は、各レンズ素
子の面積によって決まる。よく知られているように、各
光感応性素子４は、対応するイメージ領域から受ける光
の総量を示す信号を発生する。レンズ素子６が円形なら
ば、レンズ素子６間の隙間からの光は集められない。し
かしながら、レンズ素子が形成されている表面を完全に
満たしているようなレンズ素子を作ることができる。こ
れは、文献「赤外線検出器へのマイクロレンズの応用」
（"Application of microlenses to infrared detector
arrays", N.T.Gordon, C.L.Jones, D.J.Purdy共著, In
frared Physycs, 第31巻第６号,599-604頁, 1991）に記
載されている。
【００４７】前記のイメージセンサーの動作状態では、
イメージ化される対象物、例えば書類Ｄを適当な光で照
らす。図３に示した例では、背面照明の方法でセンサー
の透明領域を通して少なくとも複数の照明光で照らす。
この方法は欧州特許出願EP-A-154962 号に記載されてい
る。これは、イメージ化される対象物がイメージセンサ
ーの比較的近くにあり、対象物への自然光が少ないとき
には特に有利である。対象物から反射しレンズ素子６の
焦点面に垂直に入射した光は、対応する穴８を通ってそ
の下にあるフォトダイオードの表面領域4aの受光表面部
分4b上に焦点を結ぶ。レンズ素子6 の焦点面に斜めに入
射した光は穴８から離れた不透明層７の上に焦点を結
び、これはフォトダイオード４に検出されない。これに
よって、イメージセンサーと対象物との接触なしに、イ
メージ化されるべき対象物、例えば図１に示された書類
Ｄと１対１に対応するイメージが得られる。
【００４８】前記のように、レンズ素子６の面積が、対
応するフォトダイオード４の上に光、即ち光の総量を集
めることができる範囲となる領域を決める。良好な解像
度で且つよい鮮明度でイメージ化することができる距離
であって、対象物、例えば図１の書類Ｄを焦点面即ち点
Ｆから離して置くことができる最大距離は、合理的な近
似として、イメージセンサーが、光感応性素子アレイ３
のピッチ即ちレンズ素子アレイ５のピッチに丁度等しい
領域からの光の焦点を合わせる距離である。これより大
きくすると隣接素子間にクロストークが起きる。この距
離は、レンズ素子アレイ５のピッチ（即ち光感応性素子
アレイ３のピッチ）、光透過性領域８の大きさ及びレン
ズ素子の焦点距離に依存する。
【００４９】この距離は、粗い見積りによれば、次の式
で求められる。 ｈ’＝ｈ・ｄ’／ｄ ここで、ｈ’は対象物Ｄとレンズ素子６の焦点を含む焦
点面Ｆとの距離、ｈはレンズ素子６の焦点距離、ｄ’は
イメージ領域20の直径、ｄは光透過性領域８の直径であ
る。最後の２つは、前記の例と同様に円形と仮定してい
る。これは、それぞれの場合の受光角度が周面について
一様である利点を持つ。しかしながら、イメージセンサ
ーの特殊な要求により、穴８及びレンズ素子６が円形以
外の形であってもよい。
【００５０】前記の例で、レンズ素子６の焦点距離が５
００μｍ、光感応性素子４のピッチが２００μｍなら
ば、穴の直径ｄが１０μｍの大きさ（これは単純な湿式
エッチング技術を用いて容易に達成できる）であって
も、ｈ’＝500 ×200 ／10即ち１０ｍｍとなり、イメー
ジセンサー１から１ｃｍ離して置いた対象物例えば書類
Ｄの良好なイメージを得ることができる。穴８の直径を
小さくすると、対象物Ｄをイメージセンサー１から離す
ことができる距離ｈ’をかなり長くしても、なお良好で
鮮明なイメージが得られる。穴の直径ｄを半分にして５
μｍにすると、距離ｈ’は２ｃｍ伸びる。穴の直径が異
方性エッチング技術を用いて容易に得られる０．５と１
μｍとの間では、距離ｈ’は１０ｃｍに伸びる。
【００５１】焦点距離ｈの増加は、明らかに対象物を置
くことができる距離ｈ’を増加させる。前記のように、
リフローによってレンズ素子となるレジストの厚さを調
整することによって、レンズ素子６の焦点距離を調整で
きる。レンズ素子６の焦点距離を長くする他の方法は、
レンズ素子の屈折率と空気のそれとの間の屈折率を有す
る物質の層をレンズ素子の上に形成することである。こ
れは、日本特許出願JP-A-2-251902 号に記載されてい
る。例えば、レンズ素子６を適当な技術によって焦点距
離５ｍｍにすれば、１μｍの穴を用いると対象物を１ｍ
まで離すことができる。
【００５２】勿論、穴８がレンズ素子６と同一のピッチ
を持ち、各穴８が対応するレンズ素子６と同じに配列さ
れ、穴８の面積が可能な限り均一であることは重要であ
る反面、光感応性素子４に対する実際の位置の整合はそ
れ程重要ではない。これは、要求される全てのことが、
穴８がそれぞれの光感応性素子４の表面領域4aの上にあ
ればよいことによる。
【００５３】前記のように、穴８は、レンズ素子４の焦
点Ｆ又はその近くに位置しなければならない。穴の位置
が焦点から少し動いても、穴８を通過する光の総量に大
きな影響を与えることはない。しかしながら、よく知ら
れているように、特に穴が極めて小さい場合には、それ
らがそれ程焦点から離れていなくても、穴に焦点が合わ
された光のいくらかは通過できなくなることに注意する
べきである。図５は、この点を説明する図である。
【００５４】図５では、穴８が対応するレンズ素子６の
焦点位置Ｆにあり、垂直な入射光22（実線で表示）の焦
点が穴８の上に合っている。他方、斜めの光23（破線で
表示）の焦点は穴８から離れた位置に合っており、穴８
を通過できず、対応する光感応性素子４に検出されな
い。これは、入射光の焦点が対応する光感応性素子４の
上に合っていたとしても、必ずしも表面部分4bに焦点が
合うことにはならないことを示していることが明らかで
ある。しかしながら、光感応性素子４はその上に入射し
た光の総量を検出できるだけであり、光感応性素子のピ
ッチより小さい特徴は解像できないことから、このこと
は重要ではない。
【００５５】前記の例では光感応性素子アレイは２次元
アクティブアドレスアレイからなっていたが、本発明
は、パッシブアレイにも適用でき、１次元のアレイにも
２次元のアレイと同様に適用できる。更に、他の型の光
感応性素子、例えばショットキーダイオードのような他
の型のダイオード、或いは光感応性薄膜ダイオード（時
にはＭＩＭｓとして知られている）、或いは薄膜トラン
ジスタ、或いは光感応性抵抗器などを用いることができ
る。
【００５６】この開示から他の修正又は変形が可能なこ
とは明らかである。この修正又は変形は、公知の他の特
徴を含んでいてもよく、更にここに記載された特徴の代
わりに又はこれに付加する他の特徴を含んでいてもよ
い。本発明の特許請求の範囲が特徴の特定の組み合わせ
として表現されていたとしても、更に、ここに明示的に
又は暗示的に開示したいかなる新規な特徴又は特徴のい
かなる新規な組み合わせも、それがこの特許請求の範囲
に記載された発明と同一であるか否かに拘わらず、本発
明が解決する技術的課題と同じ課題の一部又は全部を解
決するか否かに拘わらず、この出願の開示の範囲に含ま
れるものと解されるべきである。本出願人は、ここに、
この出願又はこの出願から継続された出願が手続きに係
属中に、前記の特徴及び／又は前記の特徴の組み合わせ
について新しい特許請求の範囲を提出することがあり得
ることを明記する。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１は、本発明のイメージセンサーの簡略化し
た一部分の透視図である。
【図２】図２は、本発明のイメージセンサーの回路のレ
イアウトを示す図である。
【図３】図３は、本発明のイメージセンサーの１つのイ
メージ素子即ちピクセルの部分の一例の断面図である。
【図４】図４は、本発明のイメージセンサーの１つのイ
メージ素子即ちピクセルの部分の他の例の断面図であ
る。
【図５】図５は、本発明のイメージセンサーにおける不
透明層の光透過部分の位置が透過光に与える影響を説明
するための図である。
【符号の説明】
１ イメージセンサー ２ 絶縁基板 ３ 光感応性素子アレイ ４ 光感応性素子 ５ レンズ素子アレイ ６ レンズ素子 ７ 不透明層 ８ 光透過領域 ９ スイッチング素子 １０ 第１電極 １１ スイッチング素子の第２電極 １２ 光感応性素子の第２電極 １３ ガラス基板 １４ 行導体 １５ 列導体 １６ 行ドライバー １７ 電荷感応性増幅器 １８ 読み出し回路 １９ 導電性層 ２０ パッシベーション層 ２１ 被覆層 ２２ 垂直入射光 ２３ 斜めの入射光

Claims (13)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 それぞれが光を検出し得る所定の表面領
    域を有する独立した光感応性素子のアレイを搭載した絶
    縁基板、及び該光感応性素子アレイの上に位置するレン
    ズ素子のアレイを具え、各レンズ素子がそれぞれの光感
    応性素子と対応し、該レンズ素子への入射光をこれに対
    応した光感応性素子の上に集光させるイメージセンサー
    において、光が光感応性素子に到達するのを防ぐために
    各光感応性素子の該所定の表面領域が不透明層によって
    覆われていること、光感応性素子の表面領域に比較して
    小さい面積のそれぞれの光透過領域が、各光感応性素子
    を覆っている該不透明層の、対応したレンズ素子の焦点
    又は焦点に近い位置に設けられており、各光感応性素子
    について、該所定の表面領域の大部分が該不透明層によ
    っていかなる入射光に対しても遮蔽されており、該光透
    過領域が、光感応性素子の該所定の表面領域の中の、該
    所定の表面領域に比較して小さい面積の受光するための
    表面部分となることを特徴とするイメージセンサー。
  2. 【請求項２】 各光透過領域が不透明層の中に設けられ
    た穴であることを特徴とする請求項１に記載のイメージ
    センサー。
  3. 【請求項３】 レンズ素子が、光感応性素子アレイを搭
    載している基板にマウントされた他の基板に搭載されて
    いることを特徴とする請求項１又は２に記載のイメージ
    センサー。
  4. 【請求項４】 不透明層が全ての光感応性素子に共通で
    あり、該他の基板に搭載されていることを特徴とする請
    求項１乃至３のいずれか１項に記載のイメージセンサ
    ー。
  5. 【請求項５】 不透明層が、各光感応性素子の該表面領
    域の上に直接設けられていることを特徴とする請求項１
    乃至３のいずれか１項に記載のイメージセンサー。
  6. 【請求項６】 独立した不透明層が、各光感応性素子の
    上に設けられていることを特徴とする請求項５に記載の
    イメージセンサー。
  7. 【請求項７】 各不透明層が電気導体であり、これが対
    応する光感応性素子の電極を構成することを特徴とする
    請求項６に記載のイメージセンサー。
  8. 【請求項８】 各光透過領域の面積が、それが対応して
    いる光感応性素子の該領域の面積の多くてもおよそ５パ
    ーセントであることを特徴とする請求項１乃至７のいず
    れか１項に記載のイメージセンサー。
  9. 【請求項９】 各光透過領域の面積が各光感応性素子の
    該領域の面積に対する比が、およそ１：８００乃至１：
    ８０００であることを特徴とする請求項８に記載のイメ
    ージセンサー。
  10. 【請求項１０】 レンズ素子が、リフローされた感光性
    レジストから形成されていることを特徴とする請求項１
    乃至９のいずれか１項に記載のイメージセンサー。
  11. 【請求項１１】 レンズ素子が、光透過性基板に対する
    イオン注入によって光透過性基板の屈折率が変化した領
    域から形成されていることを特徴とする請求項１乃至１
    ０のいずれか１項に記載のイメージセンサー。
  12. 【請求項１２】 光感応性素子アレイが、２次元にアク
    ティブにアドレスされるアレイよりなることを特徴とす
    る請求項１乃至１１のいずれか１項に記載のイメージセ
    ンサー。
  13. 【請求項１３】 光感応性素子が、光感応性ダイオード
    よりなることを特徴とする請求項１乃至１２のいずれか
    １項に記載のイメージセンサー。
JP6005826A 1993-01-25 1994-01-24 イメージセンサー Ceased JPH06244391A (ja)

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GB9301405:8 1993-01-25
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EP (1) EP0608932B1 (ja)
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014123715A (ja) * 2012-11-26 2014-07-03 Canon Inc 半導体装置、及びその製造方法
US8878115B2 (en) 2011-02-09 2014-11-04 Canon Kabushiki Kaisha Photoelectric conversion element, and photoelectric conversion apparatus and imaging system having a light guide
JP2017069506A (ja) * 2015-10-02 2017-04-06 エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド 薄膜光センサ、２次元アレイセンサ、および指紋センサ付きモバイル用ディスプレイ

Families Citing this family (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5786827A (en) * 1995-02-21 1998-07-28 Lucent Technologies Inc. Semiconductor optical storage device and uses thereof
GB9524483D0 (en) * 1995-11-30 1996-01-31 Philips Electronics Nv Light sensing array device and apparatus incorporating such
DE19545484C2 (de) * 1995-12-06 2002-06-20 Deutsche Telekom Ag Bildaufnahmeeinrichtung
US6795120B2 (en) 1996-05-17 2004-09-21 Sony Corporation Solid-state imaging apparatus and camera using the same
US5751492A (en) * 1996-06-14 1998-05-12 Eastman Kodak Company Diffractive/Refractive lenslet array incorporating a second aspheric surface
US5767523A (en) * 1997-04-09 1998-06-16 Svg Lithography Systems, Inc. Multiple detector alignment system for photolithography
US6343162B1 (en) * 1997-12-25 2002-01-29 Canon Kabushiki Kaisha Contact type image sensor and information processing apparatus
JP3649907B2 (ja) * 1998-01-20 2005-05-18 シャープ株式会社 二次元画像検出器およびその製造方法
JP3343071B2 (ja) * 1998-03-03 2002-11-11 富士写真フイルム株式会社 撮像素子の実装方法
EP0953837A1 (en) * 1998-05-01 1999-11-03 F. Hoffmann-La Roche Ag Fluorescence light measuring device and an apparatus wherein such a device is used
JP3469143B2 (ja) 1999-11-02 2003-11-25 シャープ株式会社 アクティブマトリクス基板及びそれを備えた二次元画像検出器
US6821810B1 (en) * 2000-08-07 2004-11-23 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company High transmittance overcoat for optimization of long focal length microlens arrays in semiconductor color imagers
US6750437B2 (en) * 2000-08-28 2004-06-15 Canon Kabushiki Kaisha Image pickup apparatus that suitably adjusts a focus
US6714017B2 (en) * 2000-11-30 2004-03-30 Candescent Technologies Corporation Method and system for infrared detection of electrical short defects
US7196728B2 (en) * 2002-03-27 2007-03-27 Ericsson, Inc. Method and apparatus for displaying images in combination with taking images
JP4886162B2 (ja) * 2003-06-18 2012-02-29 キヤノン株式会社 撮像装置付き表示装置
EP1494477A1 (en) * 2003-07-01 2005-01-05 Thomson Licensing S.A. Videophone comprising a combined display and detector
FR2860644B1 (fr) * 2003-10-06 2006-03-03 St Microelectronics Sa Composant, plaque et boitier semi-conducteur a capteur optique
US7372497B2 (en) * 2004-04-28 2008-05-13 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Effective method to improve sub-micron color filter sensitivity
TWI260093B (en) * 2005-01-25 2006-08-11 Au Optronics Corp Thin film transistor with microlens structure, forming method thereof and TFT display panel comprising thereof
US7576361B2 (en) 2005-08-03 2009-08-18 Aptina Imaging Corporation Backside silicon wafer design reducing image artifacts from infrared radiation
US20070152139A1 (en) * 2005-12-30 2007-07-05 Moores Mark D Techniques to control illumination for image sensors
US20070205354A1 (en) * 2006-03-06 2007-09-06 Micron Technology, Inc. Image sensor light shield
KR100809277B1 (ko) * 2006-07-05 2008-03-03 삼성전기주식회사 어레이 렌즈를 갖는 카메라 모듈
US8948338B2 (en) * 2011-11-03 2015-02-03 Medtronic Navigation, Inc. Dynamically scanned X-ray detector panel
CN102891155B (zh) * 2012-09-27 2015-08-19 豪威科技(上海)有限公司 用于制作镜头的晶圆级贴合方法
US9780133B2 (en) * 2015-08-04 2017-10-03 Creative Sensor Inc. Wafer-level lens structure for contact image sensor module

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4078243A (en) * 1975-12-12 1978-03-07 International Business Machines Corporation Phototransistor array having uniform current response and method of manufacture
FR2469805A1 (fr) * 1979-11-09 1981-05-22 Thomson Csf Matrice de detection d'un rayonnement electromagnetique et intensificateur d'images radiologiques comportant une telle matrice
FR2487566A1 (fr) * 1980-07-25 1982-01-29 Thomson Csf Matrice de detection d'un rayonnement electromagnetique et intensificateur d'images radiologiques comportant une telle matrice
US4425501A (en) * 1981-03-30 1984-01-10 Honeywell Inc. Light aperture for a lenslet-photodetector array
JPS6038989A (ja) * 1983-08-12 1985-02-28 Nec Corp 固体撮像装置の製造方法
FR2554999B1 (fr) * 1983-11-15 1986-01-17 Thomson Csf Dispositif photosensible pour l'infrarouge
JPS60191548A (ja) * 1984-03-12 1985-09-30 Hitachi Ltd イメ−ジセンサ
US4727407A (en) * 1984-07-13 1988-02-23 Fuji Xerox Co., Ltd. Image sensor
JPS61292961A (ja) * 1985-06-21 1986-12-23 Fuji Xerox Co Ltd イメ−ジセンサ
FR2593343B1 (fr) * 1986-01-20 1988-03-25 Thomson Csf Matrice d'elements photosensibles et son procede de fabrication, procede de lecture associe, et application de cette matrice a la prise de vue d'images
FR2593987B1 (fr) * 1986-01-24 1989-08-04 Thomson Csf Dispositif photosensible a l'etat solide
DE3885653T2 (de) * 1987-05-26 1994-06-01 Matsushita Electric Ind Co Ltd Strahlungsdetektor.
JPH07110055B2 (ja) * 1987-09-02 1995-11-22 シャープ株式会社 二次元密着型イメージセンサ
FR2627924B1 (fr) * 1988-02-26 1990-06-22 Thomson Csf Dispositif photosensible et detecteur d'images comportant un tel dispositif, notamment detecteur d'images a double energie
FR2628562A1 (fr) * 1988-03-11 1989-09-15 Thomson Csf Dispositif d'imagerie a structure matricielle
FR2638042A1 (fr) * 1988-10-14 1990-04-20 Thomson Csf Procede pour reduire la remanence d'un phototransistor, notamment de type nipin
JPH02251902A (ja) * 1989-03-27 1990-10-09 Seiko Epson Corp レンズアレイ及びレンズアレイを用いた液晶表示素子
KR960000223B1 (ko) * 1990-11-16 1996-01-03 가부시키가이샤 도시바 고체촬상장치 및 그 제조방법
US5324930A (en) * 1993-04-08 1994-06-28 Eastman Kodak Company Lens array for photodiode device with an aperture having a lens region and a non-lens region

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8878115B2 (en) 2011-02-09 2014-11-04 Canon Kabushiki Kaisha Photoelectric conversion element, and photoelectric conversion apparatus and imaging system having a light guide
JP2014123715A (ja) * 2012-11-26 2014-07-03 Canon Inc 半導体装置、及びその製造方法
JP2017069506A (ja) * 2015-10-02 2017-04-06 エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド 薄膜光センサ、２次元アレイセンサ、および指紋センサ付きモバイル用ディスプレイ

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