JPH06244426A - 薄膜形成用ガラス基板の製造方法 - Google Patents
薄膜形成用ガラス基板の製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 薄膜形成用ガラス基板の表面を平滑にする。
【構成】 ４５°Ｃに加熱したトリエトキシシランを流
量２リットル／ｍｉｎ．の窒素ガスでバブリングした混
合気体と、オゾン濃度４．５％の酸素７．５リットル／
ｍｉｎ．とを１８リットル／ｍｉｎ．の希釈用窒素ガス
と混合させて、２６０°Ｃに加熱したガラス基板１０上
に導く。これを反応させて基板表面に約１μｍの膜厚の
シリコン酸化膜１１を形成する。このシリコン酸化膜
は、成膜時に流動性があるため、ガラス基板表面のピン
ホール，突起等の凹凸を適正に均してガラス基板の表面
を平滑にさせる。このガラス基板を用いて形成されたア
モルファスシリコンＴＦＴは、良好な特性を備えかつ高
歩留りで提供される。また、シリコン酸化膜は、ガラス
基板に含まれるアルカリ金属イオンの薄膜への侵入を防
止し、ＴＦＴの電気的特性が悪影響を受けないようにす
る。
量２リットル／ｍｉｎ．の窒素ガスでバブリングした混
合気体と、オゾン濃度４．５％の酸素７．５リットル／
ｍｉｎ．とを１８リットル／ｍｉｎ．の希釈用窒素ガス
と混合させて、２６０°Ｃに加熱したガラス基板１０上
に導く。これを反応させて基板表面に約１μｍの膜厚の
シリコン酸化膜１１を形成する。このシリコン酸化膜
は、成膜時に流動性があるため、ガラス基板表面のピン
ホール，突起等の凹凸を適正に均してガラス基板の表面
を平滑にさせる。このガラス基板を用いて形成されたア
モルファスシリコンＴＦＴは、良好な特性を備えかつ高
歩留りで提供される。また、シリコン酸化膜は、ガラス
基板に含まれるアルカリ金属イオンの薄膜への侵入を防
止し、ＴＦＴの電気的特性が悪影響を受けないようにす
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、薄膜形成用ガラス基板
の製造方法に係り、特に薄膜半導体装置等の微細な薄膜
パターンの形成に用いる薄膜形成用ガラス基板の表面を
平滑にする方法に関する。
の製造方法に係り、特に薄膜半導体装置等の微細な薄膜
パターンの形成に用いる薄膜形成用ガラス基板の表面を
平滑にする方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、薄膜トランジスタ等の薄膜半導体
装置や、半導体装置に用いられるガラスマスク等は、精
密なラッピング処理等が施されて表面が平滑にされたガ
ラス基板を用いて製造されてきた。
装置や、半導体装置に用いられるガラスマスク等は、精
密なラッピング処理等が施されて表面が平滑にされたガ
ラス基板を用いて製造されてきた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記精密なラ
ッピング処理等を施してもガラス基板表面の微細なピン
ホールや突起等を完全に除去することは困難であり、こ
れらの欠陥によりガラス基板表面に形成した薄膜半導体
装置等に不良が生じ、特に非常に微細なパターン形成の
必要な薄膜半導体装置等において問題となっていた。こ
のような問題に対処するために、例えばテトラエトキシ
シランを用いた膜形成時の流動性のよい低温シリコン酸
化膜等を被覆することにより、ガラス基板の平滑化を実
現しようとする試みもなされている。しかし、テトラエ
トキシシランによるシリコン酸化膜の形成は、ガラス基
板を６００°Ｃ以上の高温に保つ必要があり、ガラス基
板に大きな熱ストレスを与えることによりガラス基板が
割れ，クラック等の不良を発生させるという問題があ
る。
ッピング処理等を施してもガラス基板表面の微細なピン
ホールや突起等を完全に除去することは困難であり、こ
れらの欠陥によりガラス基板表面に形成した薄膜半導体
装置等に不良が生じ、特に非常に微細なパターン形成の
必要な薄膜半導体装置等において問題となっていた。こ
のような問題に対処するために、例えばテトラエトキシ
シランを用いた膜形成時の流動性のよい低温シリコン酸
化膜等を被覆することにより、ガラス基板の平滑化を実
現しようとする試みもなされている。しかし、テトラエ
トキシシランによるシリコン酸化膜の形成は、ガラス基
板を６００°Ｃ以上の高温に保つ必要があり、ガラス基
板に大きな熱ストレスを与えることによりガラス基板が
割れ，クラック等の不良を発生させるという問題があ
る。
【０００４】これに対し、例えば、特開昭６２ー４２５
３６号公報に示されているように、トリアルコキシシラ
ン及びオゾンを用いた化学気相成長法により低温で半導
体ウエハ上にシリコン酸化膜を形成する方法が知られて
いる。しかし、この方法によっても、ガラス基板上にシ
リコン酸化膜を形成したとき、基板温度が５００°Ｃ近
辺でもシリコン酸化膜にクラックが生じ使用が困難であ
るという問題がある。また、ガラス基板にはアルカリ金
属イオンが含まれているため、ガラス基板上に直接薄膜
を形成したとき、ガラス基板内のアルカリ金属イオンが
ガラス基板から薄膜内に浸透して薄膜半導体装置等の正
常な動作を妨げる原因になっていた。本発明は、上記し
た問題を解決しようとするもので、薄膜形成用ガラス基
板の表面を低温でかつ安定な薄膜で被覆することによ
り、ガラス基板の表面を平滑にし、かつガラス基板から
のアルカリ金属イオンの浸透を遮断し得る薄膜形成用ガ
ラス基板の製造方法を提供することを目的とする。
３６号公報に示されているように、トリアルコキシシラ
ン及びオゾンを用いた化学気相成長法により低温で半導
体ウエハ上にシリコン酸化膜を形成する方法が知られて
いる。しかし、この方法によっても、ガラス基板上にシ
リコン酸化膜を形成したとき、基板温度が５００°Ｃ近
辺でもシリコン酸化膜にクラックが生じ使用が困難であ
るという問題がある。また、ガラス基板にはアルカリ金
属イオンが含まれているため、ガラス基板上に直接薄膜
を形成したとき、ガラス基板内のアルカリ金属イオンが
ガラス基板から薄膜内に浸透して薄膜半導体装置等の正
常な動作を妨げる原因になっていた。本発明は、上記し
た問題を解決しようとするもので、薄膜形成用ガラス基
板の表面を低温でかつ安定な薄膜で被覆することによ
り、ガラス基板の表面を平滑にし、かつガラス基板から
のアルカリ金属イオンの浸透を遮断し得る薄膜形成用ガ
ラス基板の製造方法を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、上記請求項１に係る発明の構成上の特徴は、薄膜形
成用ガラス基板上に、トリアルコキシシラン及びオゾン
を用いて化学気相成長法により低温でシリコン酸化膜を
形成することによりガラス基板の表面を平滑化させるよ
うにしたことにある。
に、上記請求項１に係る発明の構成上の特徴は、薄膜形
成用ガラス基板上に、トリアルコキシシラン及びオゾン
を用いて化学気相成長法により低温でシリコン酸化膜を
形成することによりガラス基板の表面を平滑化させるよ
うにしたことにある。
【０００６】また、上記請求項２に係る発明の構成上の
特徴は、前記請求項１に記載の薄膜形成用ガラス基板の
製造方法において、薄膜形成用ガラス基板の温度を１０
０〜４００°Ｃの範囲としたことにある。
特徴は、前記請求項１に記載の薄膜形成用ガラス基板の
製造方法において、薄膜形成用ガラス基板の温度を１０
０〜４００°Ｃの範囲としたことにある。
【０００７】上記各請求項に係る発明において、トリア
ルコキシシランは、炭素数１〜４のアルコキシ基を有す
るものが好ましく、具体的にはトリメトキシシラン、ト
リエトキシシラン、トリ─ｎ─ブロボキシシラン、トリ
イソブロボキシシラン、トリ─ｎ─ブトキシシラン、ト
リ─ｓｅｃ─ブトキシシラン、トリイソブトキシシラ
ン、トリ─ｔｅｒｔ─ブトキシシランが挙げられ、特に
好ましいのはトリエトキシシランである。トリアルコキ
シシランは、ヘリウム、アルゴン、窒素等の不活性ガス
でバブリングして気化させ反応系内に供給するか、また
は加熱により気化させて前記不活性ガス等の希釈ガスと
共に供給する方法が一般的である。もう一方の反応ガス
であるオゾンは、酸素で希釈して反応系内に供給するの
が一般的である。その場合、オゾンの濃度は１０ｗｔ％
を越えない範囲が好ましく、３〜７ｗｔ％がさらに好ま
しい。オゾンとトリアルコキシシランの反応系内への供
給割合は、トリアルコキシシラン１モルに対してオゾン
０．５〜１０モルが好ましく、さらに好ましくは１〜５
モルである。あまりオゾンが多いと気相での微粒子の発
生が激しくなり、基材上に付着する恐れがあり、あまり
オゾンが少ないと反応速度が遅くなり実用的ではなくな
る。
ルコキシシランは、炭素数１〜４のアルコキシ基を有す
るものが好ましく、具体的にはトリメトキシシラン、ト
リエトキシシラン、トリ─ｎ─ブロボキシシラン、トリ
イソブロボキシシラン、トリ─ｎ─ブトキシシラン、ト
リ─ｓｅｃ─ブトキシシラン、トリイソブトキシシラ
ン、トリ─ｔｅｒｔ─ブトキシシランが挙げられ、特に
好ましいのはトリエトキシシランである。トリアルコキ
シシランは、ヘリウム、アルゴン、窒素等の不活性ガス
でバブリングして気化させ反応系内に供給するか、また
は加熱により気化させて前記不活性ガス等の希釈ガスと
共に供給する方法が一般的である。もう一方の反応ガス
であるオゾンは、酸素で希釈して反応系内に供給するの
が一般的である。その場合、オゾンの濃度は１０ｗｔ％
を越えない範囲が好ましく、３〜７ｗｔ％がさらに好ま
しい。オゾンとトリアルコキシシランの反応系内への供
給割合は、トリアルコキシシラン１モルに対してオゾン
０．５〜１０モルが好ましく、さらに好ましくは１〜５
モルである。あまりオゾンが多いと気相での微粒子の発
生が激しくなり、基材上に付着する恐れがあり、あまり
オゾンが少ないと反応速度が遅くなり実用的ではなくな
る。
【０００８】
【発明の作用・効果】上記のように構成した請求項１に
係る発明においては、ガラス基板上にトリアルコキシシ
ラン及びオゾンを用いて化学気相成長法により形成され
るシリコン酸化膜は、成膜時において流動性に優れてお
りガラス基板の表面のピンホール、突起等を適正に均す
ことができるので、非常に平滑性の優れたガラス基板面
を得ることができる。また、トリアルコキシシラン及び
オゾンを用いた化学気相成長法を採用したことにより、
シリコン酸化膜の形成温度を従来より大幅に低減させる
ことができるので、ガラス基板に過大な熱ストレスが加
わることがなく、ガラス基板の信頼性が保証される。ま
た、ガラス基板上に設けた上記シリコン酸化膜は、この
シリコン酸化膜上に形成した薄膜中にガラス基板に含ま
れるアルカリ金属イオンが侵入するのを防止することが
できるので、ガラス基板上に形成される薄膜半導体装置
等の信頼性が高められる。
係る発明においては、ガラス基板上にトリアルコキシシ
ラン及びオゾンを用いて化学気相成長法により形成され
るシリコン酸化膜は、成膜時において流動性に優れてお
りガラス基板の表面のピンホール、突起等を適正に均す
ことができるので、非常に平滑性の優れたガラス基板面
を得ることができる。また、トリアルコキシシラン及び
オゾンを用いた化学気相成長法を採用したことにより、
シリコン酸化膜の形成温度を従来より大幅に低減させる
ことができるので、ガラス基板に過大な熱ストレスが加
わることがなく、ガラス基板の信頼性が保証される。ま
た、ガラス基板上に設けた上記シリコン酸化膜は、この
シリコン酸化膜上に形成した薄膜中にガラス基板に含ま
れるアルカリ金属イオンが侵入するのを防止することが
できるので、ガラス基板上に形成される薄膜半導体装置
等の信頼性が高められる。
【０００９】また、上記のように構成した請求項２に係
る発明においては、上記請求項１に示す薄膜形成用ガラ
ス基板の温度範囲を１００〜４００°Ｃ特に好ましくは
１５０〜２６０°Ｃとすることにより、上記請求項１又
は請求項２に示す作用効果を確実に得ることができる。
る発明においては、上記請求項１に示す薄膜形成用ガラ
ス基板の温度範囲を１００〜４００°Ｃ特に好ましくは
１５０〜２６０°Ｃとすることにより、上記請求項１又
は請求項２に示す作用効果を確実に得ることができる。
【００１０】
【実施例】以下、本発明の一実施例を図面により説明す
る。図１は、本発明を適用した逆スタガ型のアモルファ
スシリコン薄膜トランジスタ（以下、アモルファスシリ
コンＴＦＴと記す）を横断面図により模式的に示したも
のである。このアモルファスシリコンＴＦＴの概略の製
造工程を以下に示す。まず、コーニング７０５９のガラ
ス基板１０上に、ガラス基板１０平滑化のためのシリコ
ン酸化膜１１を以下の条件により形成する。４５°Ｃに
加熱したトリエトキシシランを流量２．０リットル／ｍ
ｉｎ．の窒素ガスでバブリングした混合気体と、オゾン
濃度４．５％の酸素７．５リットル／ｍｉｎ．とを１８
リットル／ｍｉｎ．の希釈用窒素ガスと混合させた反応
ガスを２６０°Ｃに加熱したガラス基板１０表面に導
く。そして、反応ガス中のトリエトキシシランとオゾン
を反応させてガラス基板１０表面に約１μｍの膜厚のシ
リコン酸化膜１１を形成する。このシリコン酸化膜１１
は、膜形成時に流動性があるため、ガラス基板１０の表
面のピンホール，突起等による凹凸を適正に均すことが
できる。従って、非常に平滑性の優れた平面を有するガ
ラス基板が得られる。また、このシリコン酸化膜１１
は、低温形成であるが、図２に示すリーク電流特性から
も明らかなように、緻密な膜質を備えており、薄膜形成
用の基板面として適したものになっている。さらに、シ
リコン酸化膜１１の形成が２６０°Ｃと低温であるた
め、成膜時の熱ストレスによりガラス基板にワレ、クラ
ック等が生じることがなくガラス基板の信頼性が損なわ
れることもない。
る。図１は、本発明を適用した逆スタガ型のアモルファ
スシリコン薄膜トランジスタ（以下、アモルファスシリ
コンＴＦＴと記す）を横断面図により模式的に示したも
のである。このアモルファスシリコンＴＦＴの概略の製
造工程を以下に示す。まず、コーニング７０５９のガラ
ス基板１０上に、ガラス基板１０平滑化のためのシリコ
ン酸化膜１１を以下の条件により形成する。４５°Ｃに
加熱したトリエトキシシランを流量２．０リットル／ｍ
ｉｎ．の窒素ガスでバブリングした混合気体と、オゾン
濃度４．５％の酸素７．５リットル／ｍｉｎ．とを１８
リットル／ｍｉｎ．の希釈用窒素ガスと混合させた反応
ガスを２６０°Ｃに加熱したガラス基板１０表面に導
く。そして、反応ガス中のトリエトキシシランとオゾン
を反応させてガラス基板１０表面に約１μｍの膜厚のシ
リコン酸化膜１１を形成する。このシリコン酸化膜１１
は、膜形成時に流動性があるため、ガラス基板１０の表
面のピンホール，突起等による凹凸を適正に均すことが
できる。従って、非常に平滑性の優れた平面を有するガ
ラス基板が得られる。また、このシリコン酸化膜１１
は、低温形成であるが、図２に示すリーク電流特性から
も明らかなように、緻密な膜質を備えており、薄膜形成
用の基板面として適したものになっている。さらに、シ
リコン酸化膜１１の形成が２６０°Ｃと低温であるた
め、成膜時の熱ストレスによりガラス基板にワレ、クラ
ック等が生じることがなくガラス基板の信頼性が損なわ
れることもない。
【００１１】つぎに、シリコン酸化膜１１上に、ゲート
電極１２としてアルミニウム膜を真空蒸着により膜厚１
５００Åに選択的に形成する。さらに、ゲート電極１２
上にゲート酸化膜１３としてシリコン酸化膜を、上記の
製造条件により膜厚約２０００Åに形成する。つぎに、
ゲート酸化膜１３表面のゲート電極１２上位置にアモル
ファスシリコン膜１４をプラズマＣＶＤ法により約２０
００Åの膜厚で選択的に形成する。アモルファスシリコ
ン膜１４のゲート電極１２上位置に選択的にチャネル保
護膜１５としてシリコン酸化膜を上記ゲート酸化膜１３
と同様の条件により形成する。形成温度が２６０°Ｃと
低温なので、上記のようにガラス基板等が損傷を受ける
ことがないと共に、アモルファスシリコン膜の脱水素現
象が防止される。さらに、シリコン酸化膜１５を挟ん
で、アモルファスシリコン膜１４上にクロム膜及びアル
ミニウム膜からなるソース電極１６及びドレイン電極１
７を約１５００Åの膜厚で選択的に形成することによ
り、アモルファスシリコンＴＦＴが形成される。
電極１２としてアルミニウム膜を真空蒸着により膜厚１
５００Åに選択的に形成する。さらに、ゲート電極１２
上にゲート酸化膜１３としてシリコン酸化膜を、上記の
製造条件により膜厚約２０００Åに形成する。つぎに、
ゲート酸化膜１３表面のゲート電極１２上位置にアモル
ファスシリコン膜１４をプラズマＣＶＤ法により約２０
００Åの膜厚で選択的に形成する。アモルファスシリコ
ン膜１４のゲート電極１２上位置に選択的にチャネル保
護膜１５としてシリコン酸化膜を上記ゲート酸化膜１３
と同様の条件により形成する。形成温度が２６０°Ｃと
低温なので、上記のようにガラス基板等が損傷を受ける
ことがないと共に、アモルファスシリコン膜の脱水素現
象が防止される。さらに、シリコン酸化膜１５を挟ん
で、アモルファスシリコン膜１４上にクロム膜及びアル
ミニウム膜からなるソース電極１６及びドレイン電極１
７を約１５００Åの膜厚で選択的に形成することによ
り、アモルファスシリコンＴＦＴが形成される。
【００１２】以上に説明したように、アモルファスシリ
コンＴＦＴは、膜質の緻密なシリコン酸化膜のコーティ
ングされた平滑性の優れたガラス基板上に形成されてい
るので、ガラス基板の凹凸に影響されることなく、良好
な特性を備えかつ高歩留りで提供される。また、ガラス
基板にコーティングされたシリコン酸化膜が、ガラス基
板に含まれるアルカリ金属イオンのＴＦＴへの移動を防
止するので、このアルカリ金属イオンによりアモルファ
スシリコンＴＦＴの電気的特性が悪影響を受けることが
なく、アモルファスシリコンＴＦＴは安定な特性を維持
することができる。
コンＴＦＴは、膜質の緻密なシリコン酸化膜のコーティ
ングされた平滑性の優れたガラス基板上に形成されてい
るので、ガラス基板の凹凸に影響されることなく、良好
な特性を備えかつ高歩留りで提供される。また、ガラス
基板にコーティングされたシリコン酸化膜が、ガラス基
板に含まれるアルカリ金属イオンのＴＦＴへの移動を防
止するので、このアルカリ金属イオンによりアモルファ
スシリコンＴＦＴの電気的特性が悪影響を受けることが
なく、アモルファスシリコンＴＦＴは安定な特性を維持
することができる。
【００１３】なお、上記実施例においては、シリコン酸
化膜を２６０°Ｃに加熱したガラス基板表面に形成して
いるが、これに限らず１００〜４００°Ｃの範囲好まし
くは１５０〜２６０°Ｃの範囲で基板温度を選択するこ
とが出来る。
化膜を２６０°Ｃに加熱したガラス基板表面に形成して
いるが、これに限らず１００〜４００°Ｃの範囲好まし
くは１５０〜２６０°Ｃの範囲で基板温度を選択するこ
とが出来る。
【００１４】また、上記実施例においては、本発明の適
用により平滑にされたガラス基板を、逆スタガ型のアモ
ルファスシリコンＴＦＴの製造に適用した場合について
説明しているが、他の形式のアモルファスシリコンＴＦ
Ｔ、多結晶シリコンＴＦＴ、薄膜ダイオード、薄膜太陽
電池等の薄膜デバイスに平滑化されたガラス基板を適用
することによっても上記の効果が得られる。また、本発
明の適用により平滑にされたガラス基板を薄膜半導体装
置用以外の例えばガラスマスクの基板用等に用いてもよ
い。
用により平滑にされたガラス基板を、逆スタガ型のアモ
ルファスシリコンＴＦＴの製造に適用した場合について
説明しているが、他の形式のアモルファスシリコンＴＦ
Ｔ、多結晶シリコンＴＦＴ、薄膜ダイオード、薄膜太陽
電池等の薄膜デバイスに平滑化されたガラス基板を適用
することによっても上記の効果が得られる。また、本発
明の適用により平滑にされたガラス基板を薄膜半導体装
置用以外の例えばガラスマスクの基板用等に用いてもよ
い。
【図１】本発明の適用により平滑にされたガラス基板を
用いた逆スタガ型のアモルファスシリコン薄膜トランジ
スタの断面を概略的に示した模式図である。
用いた逆スタガ型のアモルファスシリコン薄膜トランジ
スタの断面を概略的に示した模式図である。
【図２】トリアルコキシシラン及びオゾンを用いて化学
気相成長法により形成されるシリコン酸化膜のリーク電
流特性を示すグラフである。
気相成長法により形成されるシリコン酸化膜のリーク電
流特性を示すグラフである。
１０；ガラス基板、１１；シリコン酸化膜、１２；ゲー
ト電極、１３；ゲート酸化膜、１４；アモルファスシリ
コン膜、１５；チャネル保護膜、１６；ソース電極、１
７；ドレイン電極。
ト電極、１３；ゲート酸化膜、１４；アモルファスシリ
コン膜、１５；チャネル保護膜、１６；ソース電極、１
７；ドレイン電極。
Claims (2)
- 【請求項１】 薄膜形成用ガラス基板上に、トリアルコ
キシシラン及びオゾンを用いて化学気相成長法により低
温でシリコン酸化膜を形成することによりガラス基板の
表面を平滑化させるようにしたことを特徴とする薄膜形
成用ガラス基板の製造方法。 - 【請求項２】 前記請求項１に記載の薄膜形成用ガラス
基板の製造方法において、 前記薄膜形成用ガラス基板の温度を１００〜４００°Ｃ
の範囲としたことを特徴とする薄膜形成用ガラス基板の
製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5040477A JPH06244426A (ja) | 1993-02-04 | 1993-02-04 | 薄膜形成用ガラス基板の製造方法 |
| PCT/US1994/001278 WO1994018356A1 (en) | 1993-02-04 | 1994-02-04 | Method of manufacturing a glass substrate for a thin film |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5040477A JPH06244426A (ja) | 1993-02-04 | 1993-02-04 | 薄膜形成用ガラス基板の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06244426A true JPH06244426A (ja) | 1994-09-02 |
Family
ID=12581704
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5040477A Pending JPH06244426A (ja) | 1993-02-04 | 1993-02-04 | 薄膜形成用ガラス基板の製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06244426A (ja) |
| WO (1) | WO1994018356A1 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5869406A (en) * | 1995-09-28 | 1999-02-09 | Mosel Vitelic, Inc. | Method for forming insulating layers between polysilicon layers |
| WO1997022992A1 (en) * | 1995-12-15 | 1997-06-26 | Watkins-Johnson Company | Method of forming dielectric films with reduced metal contamination |
| GB9723222D0 (en) * | 1997-11-04 | 1998-01-07 | Pilkington Plc | Coating glass |
| KR102018318B1 (ko) * | 2018-09-11 | 2019-09-04 | 주식회사 유진테크 | 박막 형성 방법 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4845054A (en) * | 1985-06-14 | 1989-07-04 | Focus Semiconductor Systems, Inc. | Low temperature chemical vapor deposition of silicon dioxide films |
| US4661381A (en) * | 1985-10-07 | 1987-04-28 | Libbey-Owens-Ford Co. | Continuous vapor deposition method for producing a coated glass article |
| US4981724A (en) * | 1988-10-27 | 1991-01-01 | Hochberg Arthur K | Deposition of silicon oxide films using alkylsilane liquid sources |
| US4992306A (en) * | 1990-02-01 | 1991-02-12 | Air Products Abd Chemicals, Inc. | Deposition of silicon dioxide and silicon oxynitride films using azidosilane sources |
| US4973526A (en) * | 1990-02-15 | 1990-11-27 | Dow Corning Corporation | Method of forming ceramic coatings and resulting articles |
-
1993
- 1993-02-04 JP JP5040477A patent/JPH06244426A/ja active Pending
-
1994
- 1994-02-04 WO PCT/US1994/001278 patent/WO1994018356A1/en not_active Ceased
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO1994018356A1 (en) | 1994-08-18 |
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