JPH06244453A - 半導体素子の製造方法 - Google Patents
半導体素子の製造方法Info
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- JPH06244453A JPH06244453A JP2588693A JP2588693A JPH06244453A JP H06244453 A JPH06244453 A JP H06244453A JP 2588693 A JP2588693 A JP 2588693A JP 2588693 A JP2588693 A JP 2588693A JP H06244453 A JPH06244453 A JP H06244453A
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- resin
- metal plate
- conductive metal
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体素子を覆う液状樹脂滴下後の硬化方法
を改良する点。 【構成】 導電性金属板にマウントする半導体素子表面
に未硬化の紫外線硬化型液状樹脂を滴下すると同時また
は直後に、前記樹脂の露出表面に紫外線を照射すること
により硬化させて、適正でかつ安定した樹脂形状を得
る。
を改良する点。 【構成】 導電性金属板にマウントする半導体素子表面
に未硬化の紫外線硬化型液状樹脂を滴下すると同時また
は直後に、前記樹脂の露出表面に紫外線を照射すること
により硬化させて、適正でかつ安定した樹脂形状を得
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は反射型光結合装置の反射
ド−ム形成方法の改良に好適する。
ド−ム形成方法の改良に好適する。
【０００２】
【従来の技術】光半導体チップ即ち光半導体素子を利用
するいわゆる光結合素子は、周知のように両半導体素子
の絶縁ギャップ分だけ離したリ−ドフレ−ム即ち導電性
金属板にダイボンディングする。両素子は、透光性樹脂
により光結合後更に不透光性樹脂により封止（以後モ−
ルドと記載する）するのが一般的である。
するいわゆる光結合素子は、周知のように両半導体素子
の絶縁ギャップ分だけ離したリ−ドフレ−ム即ち導電性
金属板にダイボンディングする。両素子は、透光性樹脂
により光結合後更に不透光性樹脂により封止（以後モ−
ルドと記載する）するのが一般的である。
【０００３】透光性樹脂として使用する熱硬化性樹脂
は、液状であり粘度が小さいいわゆるシャブシャブの状
態で両半導体素子に滴下後、オ−ブンなどにより加熱硬
化するのが通常の手法である。粘度の小さい熱硬化性樹
脂の使用に際しては、どうしても滴下後の形状を一定に
保持するのが難しくまた、完全硬化までの時間が長い難
点があるので、多くの特許が出願されている。
は、液状であり粘度が小さいいわゆるシャブシャブの状
態で両半導体素子に滴下後、オ−ブンなどにより加熱硬
化するのが通常の手法である。粘度の小さい熱硬化性樹
脂の使用に際しては、どうしても滴下後の形状を一定に
保持するのが難しくまた、完全硬化までの時間が長い難
点があるので、多くの特許が出願されている。
【０００４】特開昭 51-59284 号公報には、透光性樹脂
の形状に関する技術、特開昭 60-100437号公報には、リ
−ドを加熱しながら液状の熱硬化性樹脂を滴下する技
術、特開昭 62-204582号公報及び特開昭 63-274187号公
報に特殊な成形用の型即ち治具・金型を使用する技術が
知られている。
の形状に関する技術、特開昭 60-100437号公報には、リ
−ドを加熱しながら液状の熱硬化性樹脂を滴下する技
術、特開昭 62-204582号公報及び特開昭 63-274187号公
報に特殊な成形用の型即ち治具・金型を使用する技術が
知られている。
【０００５】更に特開昭 62-24385 号公報は、半導体素
子特に発光素子をゲル状またはゴム状の低応力熱硬化性
シリコン樹脂により完全に覆って、ヤング率の高いモ−
ルド樹脂のストレス（応力）を防ぐ技術に関する。更に
また、特開昭 60-24080 号公報では、ダイボンディング
を行う導電性金属板部分に凹部を形成する手法が開示さ
れた。
子特に発光素子をゲル状またはゴム状の低応力熱硬化性
シリコン樹脂により完全に覆って、ヤング率の高いモ−
ルド樹脂のストレス（応力）を防ぐ技術に関する。更に
また、特開昭 60-24080 号公報では、ダイボンディング
を行う導電性金属板部分に凹部を形成する手法が開示さ
れた。
【０００６】図１乃至図３には、光結合素子に対する熱
硬化性樹脂の滴下工程、加熱硬化工程そして完成後の断
面図を、図４乃至図６には同様な工程を単独の半導体素
子に行った状態を明らかにした。また図７は、この滴下
工程をより詳しく示した断面図である。これらの図にお
いては、導電性金属板１に半導体素子２、３をダイボン
ディング工程により固着し、シリンジ(Cylinge) ４より
滴下した熱硬化性樹脂５は、加熱源６（図２参照）から
の熱により硬化した状態７を明らかにしている。
硬化性樹脂の滴下工程、加熱硬化工程そして完成後の断
面図を、図４乃至図６には同様な工程を単独の半導体素
子に行った状態を明らかにした。また図７は、この滴下
工程をより詳しく示した断面図である。これらの図にお
いては、導電性金属板１に半導体素子２、３をダイボン
ディング工程により固着し、シリンジ(Cylinge) ４より
滴下した熱硬化性樹脂５は、加熱源６（図２参照）から
の熱により硬化した状態７を明らかにしている。
【０００７】また半導体素子２、３と図示していないリ
−ド間を電気的に接続する金属細線８が記載されてい
る。
−ド間を電気的に接続する金属細線８が記載されてい
る。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】光結合素子は、両素子
の絶縁ギャップ分だけ離して同一平面に配置する導電性
金属板にダイボンディングし、両素子を被覆する透光性
樹脂の形状は特開昭 51-59284 号公報に記載されている
ように光反射面が球状、回転楕円状またはそれらの類似
形状が望ましい。しかし、透光性樹脂は、前記のように
低粘度の液状樹脂を滴下後加熱する方式が採られている
ので、滴下後導電性金属板との濡れ性、樹脂の表面張
力、重力、大気圧更に硬化終了までの振動、温度ならび
に時間が複雑に絡み合って適正かつ安定した形状を定常
的に製造することが難しかった。
の絶縁ギャップ分だけ離して同一平面に配置する導電性
金属板にダイボンディングし、両素子を被覆する透光性
樹脂の形状は特開昭 51-59284 号公報に記載されている
ように光反射面が球状、回転楕円状またはそれらの類似
形状が望ましい。しかし、透光性樹脂は、前記のように
低粘度の液状樹脂を滴下後加熱する方式が採られている
ので、滴下後導電性金属板との濡れ性、樹脂の表面張
力、重力、大気圧更に硬化終了までの振動、温度ならび
に時間が複雑に絡み合って適正かつ安定した形状を定常
的に製造することが難しかった。
【０００９】前記のようにリ−ドを加熱しながら液状の
熱硬化性樹脂を滴下する技術によると、リ−ド上を樹脂
が流れるのを防止できる。しかし、ヒ−タブロックの近
い位置の樹脂から徐々に硬化し、完全に終了するのに時
間がかかるために、樹脂形状の適正化と安定化に問題が
ある。
熱硬化性樹脂を滴下する技術によると、リ−ド上を樹脂
が流れるのを防止できる。しかし、ヒ−タブロックの近
い位置の樹脂から徐々に硬化し、完全に終了するのに時
間がかかるために、樹脂形状の適正化と安定化に問題が
ある。
【００１０】更に特開昭 62-204582号公報及び特開昭 6
3-274187号公報により開示された技術は、透光性樹脂の
形状を特殊な成形用治具・金型が不可欠で、形状の適正
化安定化の面で優れているが、生産上多くの治具・金型
が必要になり製造コストに難点がある。それに加えて、
毛細管現象により透光性樹脂がリ−ドと金型間を経てリ
−ド表面に流れだし、これを防止するのが技術的に簡単
でない。
3-274187号公報により開示された技術は、透光性樹脂の
形状を特殊な成形用治具・金型が不可欠で、形状の適正
化安定化の面で優れているが、生産上多くの治具・金型
が必要になり製造コストに難点がある。それに加えて、
毛細管現象により透光性樹脂がリ−ドと金型間を経てリ
−ド表面に流れだし、これを防止するのが技術的に簡単
でない。
【００１１】前記樹脂による半導体素子の被覆には、当
然全体を覆う必要があり、従って樹脂量をある程度多く
する必要があるが、前記のようにリ−ド表面を樹脂が流
れだして半導体チップの角部が露出する問題がある。ま
た特開昭 60-24080 号公報による技術では、導電性金属
板部分に凹部を形成しなければならないので、コストア
ップは否めない外に、装置の小形化に問題が生ずる。
然全体を覆う必要があり、従って樹脂量をある程度多く
する必要があるが、前記のようにリ−ド表面を樹脂が流
れだして半導体チップの角部が露出する問題がある。ま
た特開昭 60-24080 号公報による技術では、導電性金属
板部分に凹部を形成しなければならないので、コストア
ップは否めない外に、装置の小形化に問題が生ずる。
【００１２】本発明はこのような事情により成されたも
ので、半導体素子を覆う液状樹脂滴下後の硬化方法を改
良することを目的とする。
ので、半導体素子を覆う液状樹脂滴下後の硬化方法を改
良することを目的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】導電性金属板に半導体素
子をマウントする工程と，この半導体素子に未硬化の紫
外線硬化型液状樹脂を滴下する工程と，この滴下直後に
前記樹脂の露出面を紫外線照射する工程とに本発明に係
わる半導体素子の製造方法の特徴がある。また前記未硬
化の紫外線硬化型液状樹脂を紫外線雰囲気で滴下する工
程、更に間隔を持って同一平面に配置する導電性金属板
に一対の光半導体素子をマウントする工程と，この一対
の光半導体素子に未硬化の紫外線硬化型液状樹脂を滴下
する工程と，この滴下直後に前記樹脂の露出面を紫外線
照射する工程、更にまた間隔を持って同一平面に配置す
る導電性金属板に一対の光半導体素子をマウントする工
程と，この一対の光半導体素子の上面を前記導電性金属
板表面より下側に配置する工程と，前記一対の光半導体
素子に未硬化の紫外線硬化型液状樹脂を滴下する工程
と，この滴下直後に前記樹脂の露出面を紫外線照射する
工程にも特徴がある。
子をマウントする工程と，この半導体素子に未硬化の紫
外線硬化型液状樹脂を滴下する工程と，この滴下直後に
前記樹脂の露出面を紫外線照射する工程とに本発明に係
わる半導体素子の製造方法の特徴がある。また前記未硬
化の紫外線硬化型液状樹脂を紫外線雰囲気で滴下する工
程、更に間隔を持って同一平面に配置する導電性金属板
に一対の光半導体素子をマウントする工程と，この一対
の光半導体素子に未硬化の紫外線硬化型液状樹脂を滴下
する工程と，この滴下直後に前記樹脂の露出面を紫外線
照射する工程、更にまた間隔を持って同一平面に配置す
る導電性金属板に一対の光半導体素子をマウントする工
程と，この一対の光半導体素子の上面を前記導電性金属
板表面より下側に配置する工程と，前記一対の光半導体
素子に未硬化の紫外線硬化型液状樹脂を滴下する工程
と，この滴下直後に前記樹脂の露出面を紫外線照射する
工程にも特徴がある。
【００１４】
【作用】本発明に係わる半導体素子の製造方法は、導電
性金属板にマウントする半導体素子表面に未硬化の紫外
線硬化型液状樹脂を滴下と同時または直後に、前記樹脂
の露出表面に紫外線を照射することにより硬化させて、
適正でかつ安定した樹脂形状を得る。
性金属板にマウントする半導体素子表面に未硬化の紫外
線硬化型液状樹脂を滴下と同時または直後に、前記樹脂
の露出表面に紫外線を照射することにより硬化させて、
適正でかつ安定した樹脂形状を得る。
【００１５】
【実施例】本発明に係わる実施例を図８乃至図１７を参
照して説明する。図８から図１０は、光結合素子の製造
工程を示した。即ち鉄や鉄合金更にクラッド材から成る
導電性金属板１０には、図示しないベッド部を設け、こ
こにダイボンディング工程により発光素子１１と受動素
子１２を絶縁ギヤップ分の間隔を開けて固着する（図８
参照）。更に導電性金属板１０には、常法に従ってリ−
ド１３（図１５参照）が設けられており、両素子に形成
する電極１５間を金属細線１４（後述の図１４、図１５
及び図１６参照）により電気的に接続する。この接続
は、公知のワイヤ−ボンディングを利用する。
照して説明する。図８から図１０は、光結合素子の製造
工程を示した。即ち鉄や鉄合金更にクラッド材から成る
導電性金属板１０には、図示しないベッド部を設け、こ
こにダイボンディング工程により発光素子１１と受動素
子１２を絶縁ギヤップ分の間隔を開けて固着する（図８
参照）。更に導電性金属板１０には、常法に従ってリ−
ド１３（図１５参照）が設けられており、両素子に形成
する電極１５間を金属細線１４（後述の図１４、図１５
及び図１６参照）により電気的に接続する。この接続
は、公知のワイヤ−ボンディングを利用する。
【００１６】続いて両素子の中間の位置には、適当の距
離を置いて配置するシリンジ１６から紫外線硬化型液状
樹脂１７を吐出すると同時に、図９に示すように、光源
１９から紫外線１８を紫外線硬化型樹脂１７の露出面に
向けて照射する。
離を置いて配置するシリンジ１６から紫外線硬化型液状
樹脂１７を吐出すると同時に、図９に示すように、光源
１９から紫外線１８を紫外線硬化型樹脂１７の露出面に
向けて照射する。
【００１７】吐出した未硬化の紫外線硬化型液状樹脂１
７は、露出面が１０秒程度で硬化し、従来の熱硬化型液
状樹脂の硬化に要する時間単位とは雲泥の差がある。こ
のような短時間による硬化にあっては、露出面全体を照
射することによって等速度の硬化が行われる。従って硬
化後の紫外線硬化樹脂１８の形状は図１０に明示するよ
うに、両素子１１、１２を完全に覆った適正な形状とな
り、下側への垂れ部２１は非常に少ない（図１０参
照）。この例ではシリンジ１６を紫外線１８発生用光源
１９の外に設置するが、図１１のように対応する位置に
配置して吐出と同時に未硬化の紫外線硬化型液状樹脂１
７を硬化して安定した適正の形状を備えた紫外線硬化樹
脂１８を完成することも可能である（図１２参照）。な
お、前記実施例は光結合素子を対象としたが、導電性金
属板１０にマウントした単独の半導体素子１１に未硬化
の紫外線硬化樹脂１７を吐出後紫外線１８を照射して紫
外線硬化樹脂２０を得る例を図１３に示した。なお図１
３は、紫外線１８を照射する工程だけを記載した。
７は、露出面が１０秒程度で硬化し、従来の熱硬化型液
状樹脂の硬化に要する時間単位とは雲泥の差がある。こ
のような短時間による硬化にあっては、露出面全体を照
射することによって等速度の硬化が行われる。従って硬
化後の紫外線硬化樹脂１８の形状は図１０に明示するよ
うに、両素子１１、１２を完全に覆った適正な形状とな
り、下側への垂れ部２１は非常に少ない（図１０参
照）。この例ではシリンジ１６を紫外線１８発生用光源
１９の外に設置するが、図１１のように対応する位置に
配置して吐出と同時に未硬化の紫外線硬化型液状樹脂１
７を硬化して安定した適正の形状を備えた紫外線硬化樹
脂１８を完成することも可能である（図１２参照）。な
お、前記実施例は光結合素子を対象としたが、導電性金
属板１０にマウントした単独の半導体素子１１に未硬化
の紫外線硬化樹脂１７を吐出後紫外線１８を照射して紫
外線硬化樹脂２０を得る例を図１３に示した。なお図１
３は、紫外線１８を照射する工程だけを記載した。
【００１８】このような硬化速度が早い特徴を生かし
て、図１４乃至図１６に明示する工程を行うことが可能
になる。即ち、発光素子１１と受動素子１２を絶縁ギヤ
ップ分の間隔を開けてダイボンディング工程により固着
した導電性金属板１０は、その表面を発光素子１１と受
動素子１２のそれより上側に配置した状態として、紫外
線硬化型液状樹脂の吐出工程を行う。
て、図１４乃至図１６に明示する工程を行うことが可能
になる。即ち、発光素子１１と受動素子１２を絶縁ギヤ
ップ分の間隔を開けてダイボンディング工程により固着
した導電性金属板１０は、その表面を発光素子１１と受
動素子１２のそれより上側に配置した状態として、紫外
線硬化型液状樹脂の吐出工程を行う。
【００１９】図１４に示すように、前記の位置関係を維
持する導電性金属板１０の上方には、一定の距離を保っ
て紫外線硬化型液状樹脂を充填したシリンジ１４を配置
後、未硬化の紫外線硬化型液状樹脂１７を吐出すると、
粘度が小さくシャブシャブ状であるので、導電性金属板
１０より下側に配置する発光素子１１と受動素子１２を
越え，これに紫外線１８を図９などと同様に照射する
と、ほぼ半円形状の紫外線硬化型樹脂２０に硬化する
（図１６参照）。図１５は前記のように導電性金属板１
０に形成するリ−ド１３と、発光素子１１ならびに受動
素子１２に形成する電極１５間をワイヤ−ボンディング
法により金属細線１４を熱圧着する状態を示した。更に
図１６は、この工程で得られる紫外線硬化樹脂２０の形
状を明かにした。
持する導電性金属板１０の上方には、一定の距離を保っ
て紫外線硬化型液状樹脂を充填したシリンジ１４を配置
後、未硬化の紫外線硬化型液状樹脂１７を吐出すると、
粘度が小さくシャブシャブ状であるので、導電性金属板
１０より下側に配置する発光素子１１と受動素子１２を
越え，これに紫外線１８を図９などと同様に照射する
と、ほぼ半円形状の紫外線硬化型樹脂２０に硬化する
（図１６参照）。図１５は前記のように導電性金属板１
０に形成するリ−ド１３と、発光素子１１ならびに受動
素子１２に形成する電極１５間をワイヤ−ボンディング
法により金属細線１４を熱圧着する状態を示した。更に
図１６は、この工程で得られる紫外線硬化樹脂２０の形
状を明かにした。
【００２０】このような組立工程を終えた発光素子１１
と受動素子１２は、紫外線硬化型樹脂２０即ち透光性樹
脂２０に覆われるが、図１７に明らかなようにいわゆる
トランスファモ−ルド法による封止樹脂層２１で透光性
樹脂２０の外側を覆って光結合素子を完成する。
と受動素子１２は、紫外線硬化型樹脂２０即ち透光性樹
脂２０に覆われるが、図１７に明らかなようにいわゆる
トランスファモ−ルド法による封止樹脂層２１で透光性
樹脂２０の外側を覆って光結合素子を完成する。
【００２１】なお、実施例は主に光結合素子を対象して
説明したが、図１２に示すように導電性金属板１０ダイ
ボンディング工程により固着した単独の半導体素子のエ
ンキャッブシュレイション(Encapsulation) にも適用可
能なことは勿論であり、この際の導電性金属板１０に
は、透孔は当然設置しないがリ−ド１３は設置する。
説明したが、図１２に示すように導電性金属板１０ダイ
ボンディング工程により固着した単独の半導体素子のエ
ンキャッブシュレイション(Encapsulation) にも適用可
能なことは勿論であり、この際の導電性金属板１０に
は、透孔は当然設置しないがリ−ド１３は設置する。
【００２２】
【発明の効果】このように本発明に係わる半導体素子の
製造方法は、未硬化の紫外線硬化型液状樹脂吐出直後か
ら硬化できるので、導電性金属板に流れない。このため
に滴下から硬化まで周囲の条件による影響が極めて少な
くなり、適正な形状を安定して形成することができる。
しかも、基本的には紫外線硬化型液状樹脂を吐出可能な
ディスペンス(Dispense)装置と紫外線照射器具だけでで
きるので、従来技術のような特殊な金型・治具なども要
らないために製造単価も安い製品を高い生産性により製
造可能となる。即ち量産上の効果が大きい。
製造方法は、未硬化の紫外線硬化型液状樹脂吐出直後か
ら硬化できるので、導電性金属板に流れない。このため
に滴下から硬化まで周囲の条件による影響が極めて少な
くなり、適正な形状を安定して形成することができる。
しかも、基本的には紫外線硬化型液状樹脂を吐出可能な
ディスペンス(Dispense)装置と紫外線照射器具だけでで
きるので、従来技術のような特殊な金型・治具なども要
らないために製造単価も安い製品を高い生産性により製
造可能となる。即ち量産上の効果が大きい。
【図１】従来の光結合素子の熱硬化型液状樹脂の吐出工
程を示す図である。
程を示す図である。
【図２】図１に続く工程を示す図である。
【図３】図２の工程を終えた状態を明かにする図であ
る。
る。
【図４】従来の半導体素子の熱硬化型樹脂の吐出工程を
示す図である。
示す図である。
【図５】図４に続く工程を示す図である。
【図６】図５の工程を終えた状態を明かにする図であ
る。
る。
【図７】図１の工程をより詳細に示す図である。
【図８】本発明に係わる光結合素子の紫外線硬化型液状
樹脂の吐出工程を示す図である。
樹脂の吐出工程を示す図である。
【図９】図８に続く紫外線硬化工程を示す図である。
【図１０】図９の工程を終えた状態を明かにする図であ
る。
る。
【図１１】本発明に係わる光結合素子の紫外線硬化型液
状樹脂の他の紫外線照射工程を示す図である。
状樹脂の他の紫外線照射工程を示す図である。
【図１２】本発明に係わる単独の半導体素子に対する紫
外線線照射工程を示す図である。
外線線照射工程を示す図である。
【図１３】本発明に係わる光結合素子の他の紫外線線照
射工程を示す図である。
射工程を示す図である。
【図１４】本発明の他の実施例を示す断面図である。
【図１５】図１３に示す工程に使用する導電性金属板に
マウントする光結合素子の結線状態を明かにする図であ
る。
マウントする光結合素子の結線状態を明かにする図であ
る。
【図１６】図１３に示す工程後の紫外線硬化樹脂の形状
を示す図である。
を示す図である。
【図１７】最終工程を終えた光結合素子の概略を示す図
である。
である。
１、１０：導電性金属板、 ２、１１、１２：半導体素子、 ３、１４：シリンジ、 ４：熱硬化型型樹脂、 ５：加熱源、 １３：リ−ド、 ６、１４：金属細線、 １７：未硬化の紫外線硬化液状樹脂、 １８：紫外線、 １９：光源、 ２０：紫外線硬化樹脂、 ２１：封止樹脂層。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 鎌崎 啓二 福岡県北九州市小倉北区下到津１丁目10番 １号 株式会社東芝北九州工場内
Claims (4)
- 【請求項１】 導電性金属板に半導体素子をマウントす
る工程と，この半導体素子に未硬化の紫外線硬化型液状
樹脂を滴下する工程と，この滴下直後に前記樹脂の露出
面を紫外線照射する工程とを具備することを特徴とする
半導体素子の製造方法 - 【請求項２】 前記未硬化の紫外線硬化型液状樹脂を紫
外線雰囲気で滴下する工程を具備することを特徴とする
前記請求項１記載の半導体素子の製造方法 - 【請求項３】 間隔を持って同一平面に配置する導電性
金属板に一対の光半導体素子をマウントする工程と，こ
の一対の光半導体素子に未硬化の紫外線硬化型液状樹脂
を滴下する工程と，この滴下直後に前記樹脂の露出面を
紫外線照射する工程とを具備することを特徴とする前記
請求項１及び２記載の半導体素子の製造方法 - 【請求項４】 間隔を持って同一平面に配置する導電性
金属板に一対の光半導体素子をマウントする工程と，こ
の一対の光半導体素子の上面を前記導電性金属板表面よ
り下側に配置する工程と，前記一対の光半導体素子に未
硬化の紫外線硬化型液状樹脂を滴下する工程と，この滴
下直後に前記樹脂の露出面を紫外線照射する工程とを具
備することを特徴とする前記請求項１，２及び３記載の
半導体素子の製造方法
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2588693A JPH06244453A (ja) | 1993-02-16 | 1993-02-16 | 半導体素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2588693A JPH06244453A (ja) | 1993-02-16 | 1993-02-16 | 半導体素子の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06244453A true JPH06244453A (ja) | 1994-09-02 |
Family
ID=12178272
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2588693A Pending JPH06244453A (ja) | 1993-02-16 | 1993-02-16 | 半導体素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06244453A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011204830A (ja) * | 2010-03-25 | 2011-10-13 | Toyoda Gosei Co Ltd | Ｌｅｄパッケージの製造方法 |
-
1993
- 1993-02-16 JP JP2588693A patent/JPH06244453A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011204830A (ja) * | 2010-03-25 | 2011-10-13 | Toyoda Gosei Co Ltd | Ｌｅｄパッケージの製造方法 |
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