JPH06244455A - 発光ダイオードの製造方法 - Google Patents
発光ダイオードの製造方法Info
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- JPH06244455A JPH06244455A JP5005193A JP5005193A JPH06244455A JP H06244455 A JPH06244455 A JP H06244455A JP 5005193 A JP5005193 A JP 5005193A JP 5005193 A JP5005193 A JP 5005193A JP H06244455 A JPH06244455 A JP H06244455A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 発光効率が高い青色発光素子を高い生産性で
製造する。 【構成】 単結晶基板１上に炭化ケイ素ウイスカ２をＣ
ＶＤ法で成長させる際、ＣＶＤ反応域に導入されるドー
ピングガスを切り換え、炭化ケイ素ウイスカ２の成長方
向に関して導電極性が転換したｐ−ｎ接合を形成する。
ｐ−ｎ接合を超える厚さをもつ絶縁膜３で単結晶基板１
を覆い、絶縁膜３の表層部をエッチング除去し、炭化ケ
イ素ウイスカ２の端部を露出させる。露出した炭化ケイ
素ウイスカ２の端部を含め絶縁膜３を覆って一方のオー
ミック電極となる電極用金属膜４を形成した後、炭化ケ
イ素ウイスカ２の先端部を切断除去し、発光口を形成す
る。先端部が切断除去された炭化ケイ素ウイスカには、
透明保護膜６をコーティングすることが好ましい。単結
晶基板１の裏面にも、他方のオーミック電極となる電極
用金属膜５が形成される。 【効果】 個々の炭化ケイ素ウイスカ２は、結晶欠陥が
少なく発光効率の高い素子となる。
製造する。 【構成】 単結晶基板１上に炭化ケイ素ウイスカ２をＣ
ＶＤ法で成長させる際、ＣＶＤ反応域に導入されるドー
ピングガスを切り換え、炭化ケイ素ウイスカ２の成長方
向に関して導電極性が転換したｐ−ｎ接合を形成する。
ｐ−ｎ接合を超える厚さをもつ絶縁膜３で単結晶基板１
を覆い、絶縁膜３の表層部をエッチング除去し、炭化ケ
イ素ウイスカ２の端部を露出させる。露出した炭化ケイ
素ウイスカ２の端部を含め絶縁膜３を覆って一方のオー
ミック電極となる電極用金属膜４を形成した後、炭化ケ
イ素ウイスカ２の先端部を切断除去し、発光口を形成す
る。先端部が切断除去された炭化ケイ素ウイスカには、
透明保護膜６をコーティングすることが好ましい。単結
晶基板１の裏面にも、他方のオーミック電極となる電極
用金属膜５が形成される。 【効果】 個々の炭化ケイ素ウイスカ２は、結晶欠陥が
少なく発光効率の高い素子となる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、炭化ケイ素ウイスカを
使用した発光ダイオードの製造方法に関する。
使用した発光ダイオードの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】発光ダイオードには、ＧａＰ，ＧａＡｓ
系のIII −Ｖ族化合物半導体材料が使用されている。そ
して、単結晶ウエハを基板とするエピタキシャル成長法
によってｐ−ｎ接合，ヘテロ接合等のダイオード構造を
基板表面に作り込んだ後、０．０５〜０．１ｍｍのサイ
ズに分割しチップとしている。作製されたチップは、通
常ランプケースに収められ、電極リード及びレンズを取
り付けることによって発光ダイオードランプとなる。従
来の発光ダイオードは、緑色より波長の長い発光色を呈
するものに限られている。緑色よりも短い波長をもつ青
色等の色調を発光させるものとして、ディスプレイ装置
の発光源として明るい輝度をもつ発光ダイオードが実用
化されていない。
系のIII −Ｖ族化合物半導体材料が使用されている。そ
して、単結晶ウエハを基板とするエピタキシャル成長法
によってｐ−ｎ接合，ヘテロ接合等のダイオード構造を
基板表面に作り込んだ後、０．０５〜０．１ｍｍのサイ
ズに分割しチップとしている。作製されたチップは、通
常ランプケースに収められ、電極リード及びレンズを取
り付けることによって発光ダイオードランプとなる。従
来の発光ダイオードは、緑色より波長の長い発光色を呈
するものに限られている。緑色よりも短い波長をもつ青
色等の色調を発光させるものとして、ディスプレイ装置
の発光源として明るい輝度をもつ発光ダイオードが実用
化されていない。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】開発段階の状況にある
青色発光ダイオードに使用される半導体材料としては、
炭化ケイ素，窒化ガリウム，硫化亜鉛等がある。しか
し、これらの半導体材料は、半導体の導電極性を制御す
ることができず、また結晶欠陥が多い欠点をもつ。その
ため、ダイオード特性が良好でないこと、発光効率が悪
いこと等、実用化するためには未解決の問題が多数存在
する。これら半導体材料のうち、炭化ケイ素は、広禁制
帯幅材料であり、ｐ型及びｎ型制御が比較的容易である
ことから、青色発光ダイオードの材料として期待されて
いる。しかし、炭化ケイ素から大きな口径をもつ単結晶
ウエハを得ることが困難であり、しかも結晶性に起因し
て結晶欠陥が多く、発光効率が低いこと等の問題があ
る。本発明は、このような問題を解消すべく案出された
ものであり、ＣＶＤ法で炭化ケイ素ウイスカを成長させ
る際にｐ−ｎ接合を作り込み、個々の炭化ケイ素ウイス
カを発光素子とすることにより、発光効率が高い高品質
の青色発光素子を高い生産性で製造することを目的とす
る。
青色発光ダイオードに使用される半導体材料としては、
炭化ケイ素，窒化ガリウム，硫化亜鉛等がある。しか
し、これらの半導体材料は、半導体の導電極性を制御す
ることができず、また結晶欠陥が多い欠点をもつ。その
ため、ダイオード特性が良好でないこと、発光効率が悪
いこと等、実用化するためには未解決の問題が多数存在
する。これら半導体材料のうち、炭化ケイ素は、広禁制
帯幅材料であり、ｐ型及びｎ型制御が比較的容易である
ことから、青色発光ダイオードの材料として期待されて
いる。しかし、炭化ケイ素から大きな口径をもつ単結晶
ウエハを得ることが困難であり、しかも結晶性に起因し
て結晶欠陥が多く、発光効率が低いこと等の問題があ
る。本発明は、このような問題を解消すべく案出された
ものであり、ＣＶＤ法で炭化ケイ素ウイスカを成長させ
る際にｐ−ｎ接合を作り込み、個々の炭化ケイ素ウイス
カを発光素子とすることにより、発光効率が高い高品質
の青色発光素子を高い生産性で製造することを目的とす
る。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明の製造方法は、そ
の目的を達成するため、単結晶基板上に炭化ケイ素ウイ
スカをＣＶＤ法で成長させる際にＣＶＤ反応域に導入さ
れるドーピングガスを切り換え、前記炭化ケイ素ウイス
カの成長方向に関して導電極性が転換したｐ−ｎ接合を
形成し、前記単結晶基板の表面から前記ｐ−ｎ接合を超
える厚さをもつ絶縁膜で前記単結晶基板を覆い、前記絶
縁膜の表層部をエッチング除去することにより、前記炭
化ケイ素ウイスカの端部を露出させ、露出した前記炭化
ケイ素ウイスカの端部を含め前記絶縁膜を覆う電極用金
属膜を形成し、前記電極用金属膜で覆われた前記炭化ケ
イ素ウイスカの先端部を切断除去し、発光口を形成する
ことを特徴とする。先端部が切断除去された炭化ケイ素
ウイスカには、更に透明保護膜をコーティングすること
が好ましい。
の目的を達成するため、単結晶基板上に炭化ケイ素ウイ
スカをＣＶＤ法で成長させる際にＣＶＤ反応域に導入さ
れるドーピングガスを切り換え、前記炭化ケイ素ウイス
カの成長方向に関して導電極性が転換したｐ−ｎ接合を
形成し、前記単結晶基板の表面から前記ｐ−ｎ接合を超
える厚さをもつ絶縁膜で前記単結晶基板を覆い、前記絶
縁膜の表層部をエッチング除去することにより、前記炭
化ケイ素ウイスカの端部を露出させ、露出した前記炭化
ケイ素ウイスカの端部を含め前記絶縁膜を覆う電極用金
属膜を形成し、前記電極用金属膜で覆われた前記炭化ケ
イ素ウイスカの先端部を切断除去し、発光口を形成する
ことを特徴とする。先端部が切断除去された炭化ケイ素
ウイスカには、更に透明保護膜をコーティングすること
が好ましい。
【０００５】単結晶基板としては、たとえばＳｉウエハ
を使用し、単結晶基板上にウイスカ状の炭化ケイ素単結
晶をＣＶＤ法によって成長させる。この方法は、炭化ケ
イ素のエピタキシャル膜成長のために従来から採用され
ているものであり、シランガス及び炭化水素系ガスを主
成分として使用する。ドーピングガスとしては、ｎ型炭
化ケイ素には窒素Ｎ2 ，ｐ型炭化ケイ素にはトリメチル
アルミニウムＡｌ（ＣＨ3)3 が使用される。単結晶基板
は、ＣＶＤ反応管に挿入され、１０００〜１５００℃に
高温保持される。所定のドーパントを添加したガスをキ
ャリアガスと共に反応管に送り込むと、単結晶基板の表
面でＣＶＤ反応が開始する。その結果、ウイスカ状の炭
化ケイ素単結晶が単結晶基板の表面に成長する。
を使用し、単結晶基板上にウイスカ状の炭化ケイ素単結
晶をＣＶＤ法によって成長させる。この方法は、炭化ケ
イ素のエピタキシャル膜成長のために従来から採用され
ているものであり、シランガス及び炭化水素系ガスを主
成分として使用する。ドーピングガスとしては、ｎ型炭
化ケイ素には窒素Ｎ2 ，ｐ型炭化ケイ素にはトリメチル
アルミニウムＡｌ（ＣＨ3)3 が使用される。単結晶基板
は、ＣＶＤ反応管に挿入され、１０００〜１５００℃に
高温保持される。所定のドーパントを添加したガスをキ
ャリアガスと共に反応管に送り込むと、単結晶基板の表
面でＣＶＤ反応が開始する。その結果、ウイスカ状の炭
化ケイ素単結晶が単結晶基板の表面に成長する。
【０００６】たとえば、図１（ａ）に示すように、単結
晶基板１の表面に先ずウイスカ状のｎ型炭化ケイ素２n
を成長させ、成長の途中でドーパントを窒素からトリメ
チルアルミニウムに切り換える。この切換えに伴って、
ｎ型炭化ケイ素２n の上にｐ型炭化ケイ素２p が更にウ
イスカ状に成長する。得られた炭化ケイ素ウイスカ２
は、ｐ−ｎ接合をもったウイスカになる。炭化ケイ素ウ
イスカ２を成長させた単結晶基板１の表面に、図１
（ｂ）に示すように炭化ケイ素ウイスカ２を覆う絶縁膜
３をデポジションする。このとき、絶縁膜３は、少なく
とも炭化ケイ素ウイスカ２のｐ−ｎ接合部を覆う厚みに
設定する。絶縁膜３は、たとえばＳｉＯ2 をＣＶＤ，真
空蒸着，スパッタリング等によってデポジションするこ
とによって設けられる。或いは、水ガラスを単結晶基板
１の表面に塗布し、焼成することによっても絶縁膜３を
形成することができる。
晶基板１の表面に先ずウイスカ状のｎ型炭化ケイ素２n
を成長させ、成長の途中でドーパントを窒素からトリメ
チルアルミニウムに切り換える。この切換えに伴って、
ｎ型炭化ケイ素２n の上にｐ型炭化ケイ素２p が更にウ
イスカ状に成長する。得られた炭化ケイ素ウイスカ２
は、ｐ−ｎ接合をもったウイスカになる。炭化ケイ素ウ
イスカ２を成長させた単結晶基板１の表面に、図１
（ｂ）に示すように炭化ケイ素ウイスカ２を覆う絶縁膜
３をデポジションする。このとき、絶縁膜３は、少なく
とも炭化ケイ素ウイスカ２のｐ−ｎ接合部を覆う厚みに
設定する。絶縁膜３は、たとえばＳｉＯ2 をＣＶＤ，真
空蒸着，スパッタリング等によってデポジションするこ
とによって設けられる。或いは、水ガラスを単結晶基板
１の表面に塗布し、焼成することによっても絶縁膜３を
形成することができる。
【０００７】絶縁膜３の表層部を、図１（ｃ）に示すよ
うに化学エッチングによって除去する。このとき、絶縁
膜３のエッチング深さは、炭化ケイ素ウイスカ２のｐ−
ｎ接合部が露出しない値に設定する。これにより、炭化
ケイ素ウイスカ２は、ｐ−ｎ接合部が絶縁膜３で覆わ
れ、先端部が絶縁膜３から突出した状態になる。絶縁膜
３から突出している炭化ケイ素ウイスカ２に、図１
（ｄ）に示すように、オーミック電極を形成するために
電極用金属膜４をデポジションする。電極用金属膜４と
してはＮｉ，Ａｌ，Ａｕ等が使用され、真空蒸着，スパ
ッタリング等で単結晶基板１の表面全域にわたった皮膜
状に形成する。また、単結晶基板１の裏面にも、同様に
オーミック電極となる電極用金属膜５をデポジションす
る。
うに化学エッチングによって除去する。このとき、絶縁
膜３のエッチング深さは、炭化ケイ素ウイスカ２のｐ−
ｎ接合部が露出しない値に設定する。これにより、炭化
ケイ素ウイスカ２は、ｐ−ｎ接合部が絶縁膜３で覆わ
れ、先端部が絶縁膜３から突出した状態になる。絶縁膜
３から突出している炭化ケイ素ウイスカ２に、図１
（ｄ）に示すように、オーミック電極を形成するために
電極用金属膜４をデポジションする。電極用金属膜４と
してはＮｉ，Ａｌ，Ａｕ等が使用され、真空蒸着，スパ
ッタリング等で単結晶基板１の表面全域にわたった皮膜
状に形成する。また、単結晶基板１の裏面にも、同様に
オーミック電極となる電極用金属膜５をデポジションす
る。
【０００８】次いで、絶縁膜３から突出している炭化ケ
イ素ウイスカ２の端部を電極用金属膜４と共に研削除去
し、炭化ケイ素ウイスカ２の高さを揃える。除去する部
分は、絶縁膜３上にある電極用金属膜４の膜より末端部
分で、炭化ケイ素ウイスカ２の端部が露出するように設
定する。炭化ケイ素ウイスカ２及び電極用金属膜４の除
去には、一般的なラッピング，ポリッシングが採用され
る。露出した炭化ケイ素ウイスカ２の上に、図１（ｅ）
に示すように透明保護膜６をデポジションする。透明保
護膜６は、ＣＶＤ，真空蒸着，スパッタリング等でＳｉ
Ｏ2 ，Ｓｉ3 Ｎ4 等をデポジションすることによって形
成される。
イ素ウイスカ２の端部を電極用金属膜４と共に研削除去
し、炭化ケイ素ウイスカ２の高さを揃える。除去する部
分は、絶縁膜３上にある電極用金属膜４の膜より末端部
分で、炭化ケイ素ウイスカ２の端部が露出するように設
定する。炭化ケイ素ウイスカ２及び電極用金属膜４の除
去には、一般的なラッピング，ポリッシングが採用され
る。露出した炭化ケイ素ウイスカ２の上に、図１（ｅ）
に示すように透明保護膜６をデポジションする。透明保
護膜６は、ＣＶＤ，真空蒸着，スパッタリング等でＳｉ
Ｏ2 ，Ｓｉ3 Ｎ4 等をデポジションすることによって形
成される。
【０００９】このようにしてｐ−ｎ接合が作り込まれた
炭化ケイ素ウイスカ２は、単結晶基板１の全面に形成さ
れる。この単結晶基板１を所望のサイズに分割すると
き、分割されたそれぞれが一群の発光構造をもった発光
素子として使用される。すなわち、図２に示すように、
単結晶基板１の表面に形成された電極用金属膜４から作
製されたオーミック電極４ｅをプラス側端子とし、裏面
に形成された電極用金属膜４から作製されたオーミック
電極５ｅをマイナス側端子とする。そして、オーミック
電極４ｅ〜５ｅ間に電流を流すと、ｐ−ｎ接合近傍で発
生した光が透明保護膜６を介して出射される。
炭化ケイ素ウイスカ２は、単結晶基板１の全面に形成さ
れる。この単結晶基板１を所望のサイズに分割すると
き、分割されたそれぞれが一群の発光構造をもった発光
素子として使用される。すなわち、図２に示すように、
単結晶基板１の表面に形成された電極用金属膜４から作
製されたオーミック電極４ｅをプラス側端子とし、裏面
に形成された電極用金属膜４から作製されたオーミック
電極５ｅをマイナス側端子とする。そして、オーミック
電極４ｅ〜５ｅ間に電流を流すと、ｐ−ｎ接合近傍で発
生した光が透明保護膜６を介して出射される。
【００１０】
【作用】本発明においては、ＣＶＤ法で炭化ケイ素ウイ
スカを成長させるとき、ドーピングガスを切り換えるこ
とにより、成長方向に関して導電極性を異ならせ、炭化
ケイ素ウイスカの内部にｐ−ｎ接合を作り込んでいる。
炭化ケイ素ウイスカは、ＣＶＤ法で成長したものであ
り、結晶欠陥が少ない優れた結晶性をもっている。ま
た、単結晶基板の表面全域に炭化ケイ素ウイスカを成長
させることができるため、多数の発光素子が同時に作製
される。その結果、得られた発光ダイオードは、発光効
率が高い青色発光素子として使用される。
スカを成長させるとき、ドーピングガスを切り換えるこ
とにより、成長方向に関して導電極性を異ならせ、炭化
ケイ素ウイスカの内部にｐ−ｎ接合を作り込んでいる。
炭化ケイ素ウイスカは、ＣＶＤ法で成長したものであ
り、結晶欠陥が少ない優れた結晶性をもっている。ま
た、単結晶基板の表面全域に炭化ケイ素ウイスカを成長
させることができるため、多数の発光素子が同時に作製
される。その結果、得られた発光ダイオードは、発光効
率が高い青色発光素子として使用される。
【００１１】
【実施例】（１００）Ｓｉウエハを、単結晶基板１とし
て使用した。圧力２００ｍｍトールの減圧雰囲気下で単
結晶基板１を９５０℃に保持し、シラン１０ｓｃｃｍ，
プロパン１０ｓｃｃｍ及びドーピングガスをキャリアガ
スと共にＣＶＤ反応装置に供給した。圧力を維持しなが
ら、先ず窒素ドープを伴った気相成長を２時間継続し、
長さ約２μｍのｎ型炭化ケイ素ウイスカ２n を成長させ
た。次いで、窒素ガスをテトラメチルアルミニウムに切
り換え、アルミニウムをドープしながら気相成長を３時
間継続させた。これにより、ｎ型炭化ケイ素ウイスカ２
n の上に、長さ約３μｍのｐ型炭化ケイ素ウイスカ２p
が成長した［図１（ａ）］。個々の炭化ケイ素ウイスカ
２は、成長度に多少の差があるものの、それぞれ直径約
１μｍ及び高さ５〜６μｍの範囲にあった。
て使用した。圧力２００ｍｍトールの減圧雰囲気下で単
結晶基板１を９５０℃に保持し、シラン１０ｓｃｃｍ，
プロパン１０ｓｃｃｍ及びドーピングガスをキャリアガ
スと共にＣＶＤ反応装置に供給した。圧力を維持しなが
ら、先ず窒素ドープを伴った気相成長を２時間継続し、
長さ約２μｍのｎ型炭化ケイ素ウイスカ２n を成長させ
た。次いで、窒素ガスをテトラメチルアルミニウムに切
り換え、アルミニウムをドープしながら気相成長を３時
間継続させた。これにより、ｎ型炭化ケイ素ウイスカ２
n の上に、長さ約３μｍのｐ型炭化ケイ素ウイスカ２p
が成長した［図１（ａ）］。個々の炭化ケイ素ウイスカ
２は、成長度に多少の差があるものの、それぞれ直径約
１μｍ及び高さ５〜６μｍの範囲にあった。
【００１２】炭化ケイ素ウイスカ２が成長した単結晶基
板１を、厚さ約６μｍの絶縁膜３で覆った［図１
（ｂ）］。絶縁膜３は、ＣＶＤ法でＳｉＯ2 をデポジシ
ョンすることにより形成させた。ＣＶＤ反応は、温度５
００℃の常圧雰囲気下でシラン５０ｓｃｃｍ，酸素１０
０ｓｃｃｍ及び水素キャリアガスを流しながら、ＣＶＤ
反応を６０分継続させる反応条件を採用した。絶縁膜３
で覆われた単結晶基板１を緩衝型フッ酸溶液によりエッ
チングし、絶縁膜３を表層部から約３μｍの深さでエッ
チング除去した［図１（ｃ）］。炭化ケイ素ウイスカ２
が露出した絶縁膜３の上に、アニールによってオーミッ
ク電極４ｅとなる電極用金属膜４として厚さ３μｍのＮ
ｉ膜を真空蒸着した。他方、単結晶基板１の裏面に、ア
ニールによってオーミック電極５ｅとなる電極用金属膜
５としてＴｉ−Ａｇを蒸着した［図１（ｄ）］。
板１を、厚さ約６μｍの絶縁膜３で覆った［図１
（ｂ）］。絶縁膜３は、ＣＶＤ法でＳｉＯ2 をデポジシ
ョンすることにより形成させた。ＣＶＤ反応は、温度５
００℃の常圧雰囲気下でシラン５０ｓｃｃｍ，酸素１０
０ｓｃｃｍ及び水素キャリアガスを流しながら、ＣＶＤ
反応を６０分継続させる反応条件を採用した。絶縁膜３
で覆われた単結晶基板１を緩衝型フッ酸溶液によりエッ
チングし、絶縁膜３を表層部から約３μｍの深さでエッ
チング除去した［図１（ｃ）］。炭化ケイ素ウイスカ２
が露出した絶縁膜３の上に、アニールによってオーミッ
ク電極４ｅとなる電極用金属膜４として厚さ３μｍのＮ
ｉ膜を真空蒸着した。他方、単結晶基板１の裏面に、ア
ニールによってオーミック電極５ｅとなる電極用金属膜
５としてＴｉ−Ａｇを蒸着した［図１（ｄ）］。
【００１３】電極用金属膜４が設けられた単結晶基板１
の表面をラッピングし、個々の炭化ケイ素ウイスカ２が
一定高さの島状となり且つ電極用金属膜４が残存する条
件下で、電極用金属膜４を研削除去した。このとき、研
削面の高さは、約５μｍであった。次いで、透明保護膜
６として、厚さ１０μｍのＳｉＯ2 保護膜をスパッタリ
ングによりデポジションした［図１（ｅ）］。このと
き、発光面電極の端子部分が透明保護膜６に覆われるこ
となく所望の形状が得られるように、端子パターンのマ
スクを施した状態でスパッタリングを行った。発光素子
構造が作り込まれた単結晶基板１を、端子パターンに従
って１ｃｍ2のサイズに分割し、発光素子を得た。基板
側のオーミック電極５ｅをプラスとし、発光面側のオー
ミック電極４ｅをマイナスとして３０ｍＡの電流を供給
すると、青色の発光が得られた。出射された光の波長及
び光度を分光光度計で測定したところ、波長が４７０ｎ
ｍで、２０ｍｃｄの明るさをもっていた。
の表面をラッピングし、個々の炭化ケイ素ウイスカ２が
一定高さの島状となり且つ電極用金属膜４が残存する条
件下で、電極用金属膜４を研削除去した。このとき、研
削面の高さは、約５μｍであった。次いで、透明保護膜
６として、厚さ１０μｍのＳｉＯ2 保護膜をスパッタリ
ングによりデポジションした［図１（ｅ）］。このと
き、発光面電極の端子部分が透明保護膜６に覆われるこ
となく所望の形状が得られるように、端子パターンのマ
スクを施した状態でスパッタリングを行った。発光素子
構造が作り込まれた単結晶基板１を、端子パターンに従
って１ｃｍ2のサイズに分割し、発光素子を得た。基板
側のオーミック電極５ｅをプラスとし、発光面側のオー
ミック電極４ｅをマイナスとして３０ｍＡの電流を供給
すると、青色の発光が得られた。出射された光の波長及
び光度を分光光度計で測定したところ、波長が４７０ｎ
ｍで、２０ｍｃｄの明るさをもっていた。
【００１４】
【発明の効果】以上に説明したように、本発明において
は、Ｓｉウエハ等の単結晶基板上に炭化ケイ素ウイスカ
を成長させるとき、ウイスカの成長と同時にｐ−ｎ接合
を形成している。ｐ−ｎ接合をもつ炭化ケイ素ウイスカ
が形成された単結晶基板は、通常の半導体デバイスプロ
セス技術によって発光素子構造となる。この方法による
とき、従来法によって製造可能な炭化ケイ素の口径によ
る制約を受けることなく、単結晶基板の表面全域を活用
して発光素子を作製することができる。しかも、得られ
た発光ダイオードは、結晶欠陥が少なく発光効率及び明
度の高い青色発光素子となる。
は、Ｓｉウエハ等の単結晶基板上に炭化ケイ素ウイスカ
を成長させるとき、ウイスカの成長と同時にｐ−ｎ接合
を形成している。ｐ−ｎ接合をもつ炭化ケイ素ウイスカ
が形成された単結晶基板は、通常の半導体デバイスプロ
セス技術によって発光素子構造となる。この方法による
とき、従来法によって製造可能な炭化ケイ素の口径によ
る制約を受けることなく、単結晶基板の表面全域を活用
して発光素子を作製することができる。しかも、得られ
た発光ダイオードは、結晶欠陥が少なく発光効率及び明
度の高い青色発光素子となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明に従った発光素子の製造プロセス
【図２】 発光素子の構造
１：Ｓｉウエハー等の単結晶基板 ２：炭化ケイ素ウ
イスカ ２n ：ｎ型炭化ケイ素 ２p ：ｐ型炭化ケ
イ素 ３：絶縁膜 ４，５：電極用金属膜 ４ｅ，５ｅ：オーミック電極 ６：透明保護膜
イスカ ２n ：ｎ型炭化ケイ素 ２p ：ｐ型炭化ケ
イ素 ３：絶縁膜 ４，５：電極用金属膜 ４ｅ，５ｅ：オーミック電極 ６：透明保護膜
Claims (2)
- 【請求項１】 単結晶基板上に炭化ケイ素ウイスカをＣ
ＶＤ法で成長させる際にＣＶＤ反応域に導入されるドー
ピングガスを切り換え、前記炭化ケイ素ウイスカの成長
方向に関して導電極性が転換したｐ−ｎ接合を形成し、 前記単結晶基板の表面から前記ｐ−ｎ接合を超える厚さ
をもつ絶縁膜で前記単結晶基板を覆い、 前記絶縁膜の表層部をエッチング除去することにより、
前記炭化ケイ素ウイスカの端部を露出させ、 露出した前記炭化ケイ素ウイスカの端部を含め前記絶縁
膜を覆う電極用金属膜を形成し、 前記電極用金属膜で覆われた前記炭化ケイ素ウイスカの
先端部を切断除去し、発光口を形成することを特徴とす
る発光ダイオードの製造方法。 - 【請求項２】 請求項１記載の方法において、先端部が
切断除去された炭化ケイ素ウイスカに透明保護膜をコー
ティングする発光ダイオードの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5005193A JPH06244455A (ja) | 1993-02-16 | 1993-02-16 | 発光ダイオードの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5005193A JPH06244455A (ja) | 1993-02-16 | 1993-02-16 | 発光ダイオードの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06244455A true JPH06244455A (ja) | 1994-09-02 |
Family
ID=12848200
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5005193A Withdrawn JPH06244455A (ja) | 1993-02-16 | 1993-02-16 | 発光ダイオードの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06244455A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100593912B1 (ko) * | 2004-06-04 | 2006-06-30 | 삼성전기주식회사 | 질화갈륨계 반도체 발광소자 및 그 제조 방법 |
| JP2007027298A (ja) * | 2005-07-14 | 2007-02-01 | Matsushita Electric Works Ltd | 半導体発光素子およびそれを用いる照明装置ならびに半導体発光素子の製造方法 |
| JP2010135859A (ja) * | 2010-03-17 | 2010-06-17 | Panasonic Electric Works Co Ltd | 半導体発光素子の製造方法 |
| JP2010135858A (ja) * | 2010-03-17 | 2010-06-17 | Panasonic Electric Works Co Ltd | 半導体発光素子およびそれを用いる照明装置 |
-
1993
- 1993-02-16 JP JP5005193A patent/JPH06244455A/ja not_active Withdrawn
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100593912B1 (ko) * | 2004-06-04 | 2006-06-30 | 삼성전기주식회사 | 질화갈륨계 반도체 발광소자 및 그 제조 방법 |
| JP2007027298A (ja) * | 2005-07-14 | 2007-02-01 | Matsushita Electric Works Ltd | 半導体発光素子およびそれを用いる照明装置ならびに半導体発光素子の製造方法 |
| JP2010135859A (ja) * | 2010-03-17 | 2010-06-17 | Panasonic Electric Works Co Ltd | 半導体発光素子の製造方法 |
| JP2010135858A (ja) * | 2010-03-17 | 2010-06-17 | Panasonic Electric Works Co Ltd | 半導体発光素子およびそれを用いる照明装置 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
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