JPH0624849A - 炭化ケイ素系セラミックスの製造方法 - Google Patents
炭化ケイ素系セラミックスの製造方法Info
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Landscapes
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- Carbon And Carbon Compounds (AREA)
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Silicon Polymers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 炭化ケイ素系セラミックスを製造する。
【構成】 炭素とケイ素の原子比が１またはそれ以下で
ある有機ポリシリレン類またはポリカルボシラン類を、
有機ポリマー類、または、炭素とケイ素の原子比が１を
越える有機ポリシリレン類またはポリカルボシラン類と
ともに、熱処理することを特徴とする、炭化ケイ素系セ
ラミックスの製造方法。 【効果】 金属ケイ素を含まない炭化ケイ素系セラミッ
クスが提供される。
ある有機ポリシリレン類またはポリカルボシラン類を、
有機ポリマー類、または、炭素とケイ素の原子比が１を
越える有機ポリシリレン類またはポリカルボシラン類と
ともに、熱処理することを特徴とする、炭化ケイ素系セ
ラミックスの製造方法。 【効果】 金属ケイ素を含まない炭化ケイ素系セラミッ
クスが提供される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は炭化ケイ素系セラミック
スの製造方法に関するものである。炭化ケイ素系セラミ
ックス類は、従来より耐熱材料、研磨材等として用いら
れているものであるが、最近はエンジニアリングセラミ
ックス、セラミック半導体、センサー、超耐環境材料等
としての用途が、特に注目されている。
スの製造方法に関するものである。炭化ケイ素系セラミ
ックス類は、従来より耐熱材料、研磨材等として用いら
れているものであるが、最近はエンジニアリングセラミ
ックス、セラミック半導体、センサー、超耐環境材料等
としての用途が、特に注目されている。
【０００２】
【従来の技術】炭化ケイ素系セラミックスの製造方法と
しては、ケイ砂とコークス等からの製造方法が一般的で
あるが、特にエンジニアリングセラミックス等として用
いる場合には、成型加工の容易さから、有機ポリシリレ
ン類、ポリカルボシラン類等の有機ケイ素ポリマーを熱
処理する方法が注目されている。この方法としては、 １）ポリ（ジメチルシリレン）またはドデカメチルシク
ロヘキサシランを、まずポリカルボシランに熱転移させ
た後、高温で熱処理する方法［日本化学会Ｃｈｅｍ．Ｌ
ｅｔｔ．、９３１頁（１９７５）；１２０９頁（１９７
５）；５５１頁（１９７６）］。 ２）ポリシラスチレン類、ポリ（シリレン−ジアルキニ
レン）類等のπ電子系を有する有機ポリシリレン類、ま
たはポリカルボシラン類を、高温で熱処理する方法［米
Ｃｅｒａｍｉｃ Ｂｕｌｌ．、６２巻、８９９頁（１９
８３）；スイスＪ．Ｏｒｇａｎｏｍｅｔ．Ｃｈｅｍ．、
３９６巻、Ｃ３５頁（１９９０）］。 ３）ビニルシラン類等のビニル化合物とクロロシラン類
をアルカリ金属により脱塩素共重合させ、共重合体を熱
処理する方法［米Ｃｅｒａｍｉｃ Ｂｕｌｌ．、６２
巻、９１２頁（１９８３）］。 等があげられる。
しては、ケイ砂とコークス等からの製造方法が一般的で
あるが、特にエンジニアリングセラミックス等として用
いる場合には、成型加工の容易さから、有機ポリシリレ
ン類、ポリカルボシラン類等の有機ケイ素ポリマーを熱
処理する方法が注目されている。この方法としては、 １）ポリ（ジメチルシリレン）またはドデカメチルシク
ロヘキサシランを、まずポリカルボシランに熱転移させ
た後、高温で熱処理する方法［日本化学会Ｃｈｅｍ．Ｌ
ｅｔｔ．、９３１頁（１９７５）；１２０９頁（１９７
５）；５５１頁（１９７６）］。 ２）ポリシラスチレン類、ポリ（シリレン−ジアルキニ
レン）類等のπ電子系を有する有機ポリシリレン類、ま
たはポリカルボシラン類を、高温で熱処理する方法［米
Ｃｅｒａｍｉｃ Ｂｕｌｌ．、６２巻、８９９頁（１９
８３）；スイスＪ．Ｏｒｇａｎｏｍｅｔ．Ｃｈｅｍ．、
３９６巻、Ｃ３５頁（１９９０）］。 ３）ビニルシラン類等のビニル化合物とクロロシラン類
をアルカリ金属により脱塩素共重合させ、共重合体を熱
処理する方法［米Ｃｅｒａｍｉｃ Ｂｕｌｌ．、６２
巻、９１２頁（１９８３）］。 等があげられる。
【０００３】しかしこれらの方法では、熱処理するポリ
マー中の構成成分元素比がＣ／Ｓｉ＞１であるため、得
られる炭化ケイ素類は多量の炭素分を含むとされてい
る。
マー中の構成成分元素比がＣ／Ｓｉ＞１であるため、得
られる炭化ケイ素類は多量の炭素分を含むとされてい
る。
【０００４】一方、熱処理する有機ケイ素ポリマーとし
て、目的とする炭化ケイ素の構成成分元素比にあわせ
て、Ｃ／Ｓｉ＝１のものを用いる試みも行なわれてい
る。それらの有機ケイ素ポリマーとしては、 １）ジクロロメチルシランのアルカリ金属による脱塩素
縮合体。 ２）メチルシランの脱水素縮合体。 ３）ジシラシクロブタン類の開環重合によるポリカルボ
シラン類。 等があげられる。
て、目的とする炭化ケイ素の構成成分元素比にあわせ
て、Ｃ／Ｓｉ＝１のものを用いる試みも行なわれてい
る。それらの有機ケイ素ポリマーとしては、 １）ジクロロメチルシランのアルカリ金属による脱塩素
縮合体。 ２）メチルシランの脱水素縮合体。 ３）ジシラシクロブタン類の開環重合によるポリカルボ
シラン類。 等があげられる。
【０００５】しかし上記のポリ（メチルシリレン）系有
機ケイ素ポリマーの合成、特に脱水素縮合においては、
脱メタン反応も併発するため、生成ポリマー中の構成成
分元素比がＣ／Ｓｉ＜１となる［例えば米特許４９６５
３８６（１９９０年）］。さらに、いずれの方法で得ら
れたポリ（メチルシリレン）系有機ケイ素ポリマーも、
熱処理に際しては、メタンの形で炭素成分の一部が失わ
れるため、残留物中のＣ／Ｓｉ比は１よりも小さくな
り、熱処理後に、炭化ケイ素に加えて金属ケイ素が生成
する。例えば、特開昭６０−１８８４２９や、米国化学
会のＯｒｇａｎｏｍｅｔａｌｌｉｃｓ、１０巻、５５１
頁（１９９１）には、ジクロロメチルシランの脱塩素縮
合によって得られるポリ（メチルシリレン）を熱処理し
たパイロポリマーが、元素状ケイ素を含んでいること
が、Ｘ線回折やＥＳＣＡの測定結果に基づいて述べられ
ている。また、米特許４９６５３８６（１９９０年）に
は、メチルシランをルテチウム錯体で脱水素縮合して得
たポリ（メチルシリレン）を熱処理して得られる残留物
に、炭化ケイ素のほかに金属ケイ素が含まれることが記
されている。
機ケイ素ポリマーの合成、特に脱水素縮合においては、
脱メタン反応も併発するため、生成ポリマー中の構成成
分元素比がＣ／Ｓｉ＜１となる［例えば米特許４９６５
３８６（１９９０年）］。さらに、いずれの方法で得ら
れたポリ（メチルシリレン）系有機ケイ素ポリマーも、
熱処理に際しては、メタンの形で炭素成分の一部が失わ
れるため、残留物中のＣ／Ｓｉ比は１よりも小さくな
り、熱処理後に、炭化ケイ素に加えて金属ケイ素が生成
する。例えば、特開昭６０−１８８４２９や、米国化学
会のＯｒｇａｎｏｍｅｔａｌｌｉｃｓ、１０巻、５５１
頁（１９９１）には、ジクロロメチルシランの脱塩素縮
合によって得られるポリ（メチルシリレン）を熱処理し
たパイロポリマーが、元素状ケイ素を含んでいること
が、Ｘ線回折やＥＳＣＡの測定結果に基づいて述べられ
ている。また、米特許４９６５３８６（１９９０年）に
は、メチルシランをルテチウム錯体で脱水素縮合して得
たポリ（メチルシリレン）を熱処理して得られる残留物
に、炭化ケイ素のほかに金属ケイ素が含まれることが記
されている。
【０００６】すなわち、単一の有機ケイ素ポリマーを熱
処理して得られる炭化ケイ素系セラミックスは、炭化ケ
イ素の他に、ポリマー中のＣ／Ｓｉ比や、熱処理時の分
解ロスに応じて、炭素または金属ケイ素を含有してお
り、その比率を容易にコントロールすることはできなか
った。
処理して得られる炭化ケイ素系セラミックスは、炭化ケ
イ素の他に、ポリマー中のＣ／Ｓｉ比や、熱処理時の分
解ロスに応じて、炭素または金属ケイ素を含有してお
り、その比率を容易にコントロールすることはできなか
った。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、Ｃ／Ｓｉ＝
１またはそれ以下の有機ポリシリレン類またはポリカル
ボシラン類を熱処理して生成する炭化ケイ素系セラミッ
クスの、その中に含まれる炭素またはケイ素の量を自由
にコントロールする方法を提供することを、その課題と
する。
１またはそれ以下の有機ポリシリレン類またはポリカル
ボシラン類を熱処理して生成する炭化ケイ素系セラミッ
クスの、その中に含まれる炭素またはケイ素の量を自由
にコントロールする方法を提供することを、その課題と
する。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記問題
点を解決するべく、鋭意検討を重ねた結果、意外にも、
ポリ（メチルシリレン）等のＣ／Ｓ≦１の有機ポリシリ
レン類、または、ポリ（シリレン−メチレン）等のＣ／
Ｓｉ≦１のポリカルボシラン類を、有機ポリマーととも
に、または、他の有機ポリシリレン類またはポリカルボ
シラン類とともに、熱処理することにより、得られる炭
化ケイ素系セラミックス中の金属ケイ素あるいは炭素の
量をコントロールしうることを見いだした。すなわち本
発明によれば、構成成分元素のケイ素に対する炭素の原
子比が１またはそれ以下である有機ポリシリレン類また
はポリカルボシラン類を、有機ポリマー類とともに、ま
たは、構成成分元素のケイ素に対する炭素の原子比が１
を越える有機ポリシリレン類またはポリカルボシラン類
とともに、不活性ガス中または真空中で熱処理すること
により、含有金属ケイ素または炭素の量の異なる炭化ケ
イ素系セラミックスを製造することができる。
点を解決するべく、鋭意検討を重ねた結果、意外にも、
ポリ（メチルシリレン）等のＣ／Ｓ≦１の有機ポリシリ
レン類、または、ポリ（シリレン−メチレン）等のＣ／
Ｓｉ≦１のポリカルボシラン類を、有機ポリマーととも
に、または、他の有機ポリシリレン類またはポリカルボ
シラン類とともに、熱処理することにより、得られる炭
化ケイ素系セラミックス中の金属ケイ素あるいは炭素の
量をコントロールしうることを見いだした。すなわち本
発明によれば、構成成分元素のケイ素に対する炭素の原
子比が１またはそれ以下である有機ポリシリレン類また
はポリカルボシラン類を、有機ポリマー類とともに、ま
たは、構成成分元素のケイ素に対する炭素の原子比が１
を越える有機ポリシリレン類またはポリカルボシラン類
とともに、不活性ガス中または真空中で熱処理すること
により、含有金属ケイ素または炭素の量の異なる炭化ケ
イ素系セラミックスを製造することができる。
【０００９】本発明に用いられる、構成成分元素のケイ
素に対する炭素の原子比が１またはそれ以下である有機
ポリシリレン類またはポリカルボシラン類、としては、
いくつかのものを用いることができるが、これを例示す
れば、ポリ（メチルシリレン）、ポリ（メチルシリリ
ン）、ポリ（メチルジシラニレン）類、ポリ（ジメチル
ジシラニレン）類、ポリ（メチルシリレン）−ポリ（メ
チルシリリン）類、ポリ（シリレン−メチレン）等をあ
げることができる。これらの分子量は特に制限はない
が、通常１，０００〜５００，０００、好ましくは２，
０００〜１００，０００である。
素に対する炭素の原子比が１またはそれ以下である有機
ポリシリレン類またはポリカルボシラン類、としては、
いくつかのものを用いることができるが、これを例示す
れば、ポリ（メチルシリレン）、ポリ（メチルシリリ
ン）、ポリ（メチルジシラニレン）類、ポリ（ジメチル
ジシラニレン）類、ポリ（メチルシリレン）−ポリ（メ
チルシリリン）類、ポリ（シリレン−メチレン）等をあ
げることができる。これらの分子量は特に制限はない
が、通常１，０００〜５００，０００、好ましくは２，
０００〜１００，０００である。
【００１０】本発明に用いられる、有機ポリマー類とし
ては、種々の構造の物を用いることができるが、これを
例示すれば、ポリ（フェニレン）類、ポリ（オキシフェ
ニレン）類、ポリ（オキシ−２，５−ジメチルフェニレ
ン）、ポリ（アクリロニトリル）、ポリ（塩化ビニ
ル）、ポリ（塩化ビニリデン）等をあげることができ
る。これらの分子量も特に制限はないが、通常３，００
０〜５，０００，０００、好ましくは５，０００〜５０
０，０００である。
ては、種々の構造の物を用いることができるが、これを
例示すれば、ポリ（フェニレン）類、ポリ（オキシフェ
ニレン）類、ポリ（オキシ−２，５−ジメチルフェニレ
ン）、ポリ（アクリロニトリル）、ポリ（塩化ビニ
ル）、ポリ（塩化ビニリデン）等をあげることができ
る。これらの分子量も特に制限はないが、通常３，００
０〜５，０００，０００、好ましくは５，０００〜５０
０，０００である。
【００１１】また、構成成分元素のケイ素に対する炭素
の原子比が１を越える有機ポリシリレン類またはポリカ
ルボシラン類としては、種々の構造の物を用いることが
できるが、これを例示すれば、ポリ（ジメチルシリレ
ン）、ポリ（フェニルシリレン）、ポリ（フェニルメチ
ルシリレン）、ポリ（フェニルメチルシリレン）−ポリ
（ジメチルシリレン）類、ポリ（ジメチルシリレン−メ
チレン）、ポリ（テトラメチルジシラニレン−エチレ
ン）、ポリ（ジフェニルジメチルジシラニレン−フェニ
レン）、ポリ（ジメチルシリレン−フェニレン）、ポリ
（ジメチルシリレン−ジアセチレン）、ポリ（ジメチル
ジシラニレン−ジアセチレン）等をあげることができ
る。このものの分子量は特に制限はないが、通常１，０
００〜５００，０００、好ましくは２，０００〜１０
０，０００である。
の原子比が１を越える有機ポリシリレン類またはポリカ
ルボシラン類としては、種々の構造の物を用いることが
できるが、これを例示すれば、ポリ（ジメチルシリレ
ン）、ポリ（フェニルシリレン）、ポリ（フェニルメチ
ルシリレン）、ポリ（フェニルメチルシリレン）−ポリ
（ジメチルシリレン）類、ポリ（ジメチルシリレン−メ
チレン）、ポリ（テトラメチルジシラニレン−エチレ
ン）、ポリ（ジフェニルジメチルジシラニレン−フェニ
レン）、ポリ（ジメチルシリレン−フェニレン）、ポリ
（ジメチルシリレン−ジアセチレン）、ポリ（ジメチル
ジシラニレン−ジアセチレン）等をあげることができ
る。このものの分子量は特に制限はないが、通常１，０
００〜５００，０００、好ましくは２，０００〜１０
０，０００である。
【００１２】構成成分元素のケイ素に対する炭素の原子
比が１またはそれ以下である有機ポリシリレン類または
ポリカルボシラン類と、有機ポリマー類、または、構成
成分元素のケイ素に対する炭素の原子比が１を越える有
機ポリシリレン類またはポリカルボシラン類との比率に
は、特に制限はないが、構成成分元素のケイ素に対する
炭素の原子比が１またはそれ以下であるモノマー類を重
合して得られる有機ポリシリレン類またはポリカルボシ
ラン類、または、構成成分元素のケイ素に対する炭素の
原子比が１またはそれ以下である有機ポリシリレン類ま
たはポリカルボシラン類の、炭素不足分、および、単独
で熱処理する際に失われる炭素分を考慮して、任意に選
ぶことができる。例えば、ケイ素に対する炭素の原子比
が０．８以下の有機ポリシリレン類またはポリカルボシ
ラン類の場合、このものを１００重量部に対し、有機ポ
リマー類であれば５〜５０重量部が用いられ、または構
成成分元素のケイ素に対する炭素の原子比が１より大き
い有機ポリシリレン類又はポリカルボシラン類は１０〜
１００重量部が用いられる。
比が１またはそれ以下である有機ポリシリレン類または
ポリカルボシラン類と、有機ポリマー類、または、構成
成分元素のケイ素に対する炭素の原子比が１を越える有
機ポリシリレン類またはポリカルボシラン類との比率に
は、特に制限はないが、構成成分元素のケイ素に対する
炭素の原子比が１またはそれ以下であるモノマー類を重
合して得られる有機ポリシリレン類またはポリカルボシ
ラン類、または、構成成分元素のケイ素に対する炭素の
原子比が１またはそれ以下である有機ポリシリレン類ま
たはポリカルボシラン類の、炭素不足分、および、単独
で熱処理する際に失われる炭素分を考慮して、任意に選
ぶことができる。例えば、ケイ素に対する炭素の原子比
が０．８以下の有機ポリシリレン類またはポリカルボシ
ラン類の場合、このものを１００重量部に対し、有機ポ
リマー類であれば５〜５０重量部が用いられ、または構
成成分元素のケイ素に対する炭素の原子比が１より大き
い有機ポリシリレン類又はポリカルボシラン類は１０〜
１００重量部が用いられる。
【００１３】構成成分元素のケイ素に対する炭素の原子
比が１またはそれ以下である有機ポリシリレン類または
ポリカルボシラン類を、有機ポリマー類、または、構成
成分元素のケイ素に対する炭素の原子比が１を越える有
機ポリシリレン類またはポリカルボシラン類と、混合す
る方法に特に制限はないが、粉砕して混合する方法、溶
媒に溶解または懸濁させ、十分攪拌した後、溶媒を除去
する方法、高温で融解させて混合する方法、等があげら
れる。粉砕は、１００μｍ程度に微紛化して行う。溶解
する場合の溶剤としてはトルエン、テトラヒドロフラン
などが用いられる。高温で溶解させる場合５０〜２００
℃で溶融する。
比が１またはそれ以下である有機ポリシリレン類または
ポリカルボシラン類を、有機ポリマー類、または、構成
成分元素のケイ素に対する炭素の原子比が１を越える有
機ポリシリレン類またはポリカルボシラン類と、混合す
る方法に特に制限はないが、粉砕して混合する方法、溶
媒に溶解または懸濁させ、十分攪拌した後、溶媒を除去
する方法、高温で融解させて混合する方法、等があげら
れる。粉砕は、１００μｍ程度に微紛化して行う。溶解
する場合の溶剤としてはトルエン、テトラヒドロフラン
などが用いられる。高温で溶解させる場合５０〜２００
℃で溶融する。
【００１４】熱処理の方法は、窒素、アルゴン、ヘリウ
ム等の不活性ガス雰囲気中またはその加圧下、または真
空中で、徐々に昇温する方法が採られる。熱処理の最高
温度は炭化ケイ素を得るに十分な温度であれば、特に制
限はないが、８００℃以上が望ましい。昇温速度は５０
℃／分以下の範囲で任意に選ぶことができる。本発明方
法により得られる炭化ケイ素系セラミックスとは、基本
的にＸ線回折による分析により炭化ケイ素の存在が確認
される実質的に炭化ケイ素のみからなる物質である。こ
こで実質的に炭化ケイ素のみからなるとは、金属ケイ素
が１５％以下であることをいう。
ム等の不活性ガス雰囲気中またはその加圧下、または真
空中で、徐々に昇温する方法が採られる。熱処理の最高
温度は炭化ケイ素を得るに十分な温度であれば、特に制
限はないが、８００℃以上が望ましい。昇温速度は５０
℃／分以下の範囲で任意に選ぶことができる。本発明方
法により得られる炭化ケイ素系セラミックスとは、基本
的にＸ線回折による分析により炭化ケイ素の存在が確認
される実質的に炭化ケイ素のみからなる物質である。こ
こで実質的に炭化ケイ素のみからなるとは、金属ケイ素
が１５％以下であることをいう。
【００１５】次に、本発明の詳細を実施例に基づいて記
述するが、もとより本発明は、これら実施例に限定され
るものではない。
述するが、もとより本発明は、これら実施例に限定され
るものではない。
【００１６】
【実施例１】ポリ（メチルシリレン）２５．３ｍｇとポ
リ（フェニルシリレン）７．０ｍｇをテトラヒドロフラ
ンに溶解後、室温で終夜攪拌した。溶媒を除去乾固した
混合物を、アルゴン雰囲気中１０℃／分で１４００℃ま
で昇温し、５分間保持し、その後アルゴン雰囲気のまま
で室温まで徐冷した。生成物を粉末Ｘ線回折分析した結
果、図１に示すように、β炭化ケイ素のみが確認され
た。
リ（フェニルシリレン）７．０ｍｇをテトラヒドロフラ
ンに溶解後、室温で終夜攪拌した。溶媒を除去乾固した
混合物を、アルゴン雰囲気中１０℃／分で１４００℃ま
で昇温し、５分間保持し、その後アルゴン雰囲気のまま
で室温まで徐冷した。生成物を粉末Ｘ線回折分析した結
果、図１に示すように、β炭化ケイ素のみが確認され
た。
【００１７】
【実施例２】ポリ（メチルシリレン）２５．０ｍｇとポ
リ（ｐ−フェニレン）１．０ｍｇを、実施例１と同様に
処理して、得た生成物を粉末Ｘ線回折分析した結果、β
炭化ケイ素のみが確認された。
リ（ｐ−フェニレン）１．０ｍｇを、実施例１と同様に
処理して、得た生成物を粉末Ｘ線回折分析した結果、β
炭化ケイ素のみが確認された。
【００１８】
【実施例３】ポリ（メチルシリレン）６８．０ｍｇとポ
リ（２，６−ジメチル−ｐ−フェニレンオキシド）８．
０ｍｇを、実施例１と同様に処理して、得た生成物を粉
末Ｘ線回折分析した結果、β炭化ケイ素のみが確認され
た。
リ（２，６−ジメチル−ｐ−フェニレンオキシド）８．
０ｍｇを、実施例１と同様に処理して、得た生成物を粉
末Ｘ線回折分析した結果、β炭化ケイ素のみが確認され
た。
【００１９】
【実施例４】ポリ（メチルシリレン）５１．０ｍｇとポ
リ（アクリロニトリル）５．０ｍｇを、実施例１と同様
に処理して、得た生成物を粉末Ｘ線回折分析した結果、
β炭化ケイ素のみが確認された。
リ（アクリロニトリル）５．０ｍｇを、実施例１と同様
に処理して、得た生成物を粉末Ｘ線回折分析した結果、
β炭化ケイ素のみが確認された。
【００２０】
【実施例５】ポリ（メチルシリレン）４９．０ｍｇとポ
リ（塩化ビニル）１７．０ｍｇを、実施例１と同様に処
理して、得た生成物を粉末Ｘ線回折分析した結果、β炭
化ケイ素と、少量（２％）の金属ケイ素が確認された。
リ（塩化ビニル）１７．０ｍｇを、実施例１と同様に処
理して、得た生成物を粉末Ｘ線回折分析した結果、β炭
化ケイ素と、少量（２％）の金属ケイ素が確認された。
【００２１】
【実施例６】ポリ（メチルシリレン）２０．０ｍｇとポ
リ（ｐ−フェニレン）５．０ｍｇを、実施例１と同様に
処理して、得た生成物を粉末Ｘ線回折分析した結果、β
炭化ケイ素のみが確認された。
リ（ｐ−フェニレン）５．０ｍｇを、実施例１と同様に
処理して、得た生成物を粉末Ｘ線回折分析した結果、β
炭化ケイ素のみが確認された。
【００２２】
【実施例７】ポリ（メチルシリレン）４２．０ｍｇとポ
リ（２，６−ジメチル−ｐ−フェニレンオキシド）２
２．０ｍｇを、実施例１と同様に処理して、得た生成物
を粉末Ｘ線回折分析した結果、β炭化ケイ素のみが確認
された。
リ（２，６−ジメチル−ｐ−フェニレンオキシド）２
２．０ｍｇを、実施例１と同様に処理して、得た生成物
を粉末Ｘ線回折分析した結果、β炭化ケイ素のみが確認
された。
【００２３】
【実施例８】ポリ（メチルシリレン）４１．０ｍｇとポ
リ（塩化ビニル）３１．０ｍｇを、実施例１と同様に処
理して、得た生成物を粉末Ｘ線回折分析した結果、β炭
化ケイ素のみが確認された。
リ（塩化ビニル）３１．０ｍｇを、実施例１と同様に処
理して、得た生成物を粉末Ｘ線回折分析した結果、β炭
化ケイ素のみが確認された。
【００２４】
【実施例９】ポリ（メチルシリレン）２４０ｍｇとポリ
（ｐ−フェニレン）２０ｍｇを、実施例１と同様に処理
して、得た生成物を元素分析した結果、炭素２５．５
％、ケイ素６８．４％（ＳｉＣとしての計算値；炭素３
０．０％、ケイ素７０．０％）であった。
（ｐ−フェニレン）２０ｍｇを、実施例１と同様に処理
して、得た生成物を元素分析した結果、炭素２５．５
％、ケイ素６８．４％（ＳｉＣとしての計算値；炭素３
０．０％、ケイ素７０．０％）であった。
【００２５】
【比較例１】ポリ（メチルシリレン）のみを実施例１と
同様に熱処理した後の粉末Ｘ線回折は、図２に示すよう
に、金属ケイ素とβ炭化ケイ素の混合物であった。
同様に熱処理した後の粉末Ｘ線回折は、図２に示すよう
に、金属ケイ素とβ炭化ケイ素の混合物であった。
【００２６】
【発明の効果】本発明により、Ｃ／Ｓｉ≦１の有機ポリ
シリレン類またはポリカルボシラン類と、有機ポリマー
類、または、Ｃ／Ｓｉ＞１の有機ポリシリレン類または
ポリカルボシラン類を、混合して熱処理するという簡便
な方法で、含有する炭素またはケイ素の量が自由にコン
トロールされた炭化ケイ素系セラミックスを製造するこ
とができ、その工業的意義は多大である。
シリレン類またはポリカルボシラン類と、有機ポリマー
類、または、Ｃ／Ｓｉ＞１の有機ポリシリレン類または
ポリカルボシラン類を、混合して熱処理するという簡便
な方法で、含有する炭素またはケイ素の量が自由にコン
トロールされた炭化ケイ素系セラミックスを製造するこ
とができ、その工業的意義は多大である。
【図１】実施例１で得られる生成物の粉末Ｘ線回折図で
ある。
ある。
【図２】比較例１で得られる生成物の粉末Ｘ線回折図で
ある。
ある。
Claims (6)
- 【請求項１】 構成成分元素のケイ素に対する炭素の原
子比が１またはそれ以下である有機ポリシリレン類また
はポリカルボシラン類を、有機ポリマー類とともに、あ
るいは、構成成分元素のケイ素に対する炭素の原子比が
１を越える有機ポリシリレン類またはポリカルボシラン
類とともに、熱処理することを特徴とする、炭化ケイ素
系セラミックスの製造方法。 - 【請求項２】 構成成分元素のケイ素に対する炭素の原
子比が１またはそれ以下である有機ポリシリレン類また
はポリカルボシラン類が、ポリ（メチルシリレン）、ま
たはポリ（メチルシリリン）、またはポリ（メチルジシ
ラニレン）、またはポリ（ジメチルジシラニレン）、ま
たはポリ（メチルシリレン）−ポリ（メチルシリリン）
類、またはポリ（シリレン−メチレン）である、請求項
１に記載の炭化ケイ素系セラミックスの製造方法。 - 【請求項３】 構成成分元素のケイ素に対する炭素の原
子比が１またはそれ以下である有機ポリシリレン類また
はポリカルボシラン類が、メチルシリレンまたはメチル
シリリンまたはシリレンメチレンを構成単位の一つとす
る含ケイ素共重合体である、請求項１記載の炭化ケイ素
系セラミックスの製造方法。 - 【請求項４】 有機ポリマー類がポリアリーレン類、ま
たはポリオキシアリーレン類、またはポリアクリロニト
リル、またはポリハロゲン化ビニル類である請求項１、
２又は３項記載の炭化ケイ素系セラミックスの製造方
法。 - 【請求項５】 構成成分元素のケイ素に対する炭素の原
子比が１を越える有機ポリシリレン類が、ポリ（アリー
ルシリレン）類、ポリ（アリールアルキルシリレン）
類、またはポリ（アリールアルキルシリレン）−ポリ
（ジアルキルシリレン）類である、請求項１、２又は３
項記載の炭化ケイ素系セラミックスの製造方法。 - 【請求項６】 構成成分元素のケイ素に対する炭素の原
子比が１を越えるポリカルボシラン類が、ポリ（シリレ
ン−ジアルキニレン）類、ポリ（シリレン−アリーレ
ン）類、ポリ（ジシラニレン−ジアルキニレン）類、ま
たはポリ（ジシラニレン−アリーレン）類である、請求
項１、２又は３項記載の炭化ケイ素系セラミックスの製
造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5092032A JPH0733288B2 (ja) | 1992-03-30 | 1993-03-26 | 炭化ケイ素系セラミックスの製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4-103498 | 1992-03-30 | ||
| JP10349892 | 1992-03-30 | ||
| JP5092032A JPH0733288B2 (ja) | 1992-03-30 | 1993-03-26 | 炭化ケイ素系セラミックスの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0624849A true JPH0624849A (ja) | 1994-02-01 |
| JPH0733288B2 JPH0733288B2 (ja) | 1995-04-12 |
Family
ID=26433520
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5092032A Expired - Lifetime JPH0733288B2 (ja) | 1992-03-30 | 1993-03-26 | 炭化ケイ素系セラミックスの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0733288B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2012121060A1 (ja) * | 2011-03-08 | 2012-09-13 | 信越化学工業株式会社 | 易焼結性炭化ケイ素粉末及び炭化ケイ素セラミックス焼結体 |
| CN115305011A (zh) * | 2022-08-08 | 2022-11-08 | 中电化合物半导体有限公司 | 一种抛光材料的制备方法及应用 |
-
1993
- 1993-03-26 JP JP5092032A patent/JPH0733288B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2012121060A1 (ja) * | 2011-03-08 | 2012-09-13 | 信越化学工業株式会社 | 易焼結性炭化ケイ素粉末及び炭化ケイ素セラミックス焼結体 |
| JP2012188299A (ja) * | 2011-03-08 | 2012-10-04 | Shin-Etsu Chemical Co Ltd | 易焼結性炭化ケイ素粉末及び炭化ケイ素セラミックス焼結体 |
| CN115305011A (zh) * | 2022-08-08 | 2022-11-08 | 中电化合物半导体有限公司 | 一种抛光材料的制备方法及应用 |
| CN115305011B (zh) * | 2022-08-08 | 2023-11-28 | 中电化合物半导体有限公司 | 一种抛光材料的制备方法及应用 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0733288B2 (ja) | 1995-04-12 |
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