JPH06250163A - 表示装置用遮光膜 - Google Patents
表示装置用遮光膜Info
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- JPH06250163A JPH06250163A JP5059650A JP5965093A JPH06250163A JP H06250163 A JPH06250163 A JP H06250163A JP 5059650 A JP5059650 A JP 5059650A JP 5965093 A JP5965093 A JP 5965093A JP H06250163 A JPH06250163 A JP H06250163A
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- film
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Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】遮光膜のエッチング断面形状がテーパ状にでき
るので、この部分の電極被覆膜厚を厚くでき、ＬＣＤの
共通電極成膜時の歩留りを上げる。 【構成】可視光領域で実質的に透明な表示装置用の基板
１上に設けられた遮光膜が、基板側からクロム膜２およ
び窒化クロム膜３の２層構造を有する。遮光膜は、窒化
クロム膜を含むものであり、窒化クロム膜の窒化度が連
続的に変化しているものでもよい。
るので、この部分の電極被覆膜厚を厚くでき、ＬＣＤの
共通電極成膜時の歩留りを上げる。 【構成】可視光領域で実質的に透明な表示装置用の基板
１上に設けられた遮光膜が、基板側からクロム膜２およ
び窒化クロム膜３の２層構造を有する。遮光膜は、窒化
クロム膜を含むものであり、窒化クロム膜の窒化度が連
続的に変化しているものでもよい。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は液晶表示装置（ＬＣＤ）
用の遮光膜、とくに３板式投射型ＬＣＤ用遮光膜に関す
るものである。
用の遮光膜、とくに３板式投射型ＬＣＤ用遮光膜に関す
るものである。
【０００２】
【従来の技術】投射型ＬＣＤ表示装置には１枚のカラー
パネルをそのまま拡大する単枚式とＲＧＢ３枚を用いる
３板式があり、現在では後者が主体となっている。３板
式ではＴＦＴ型モノクロＬＣＤがライトバルブとして使
用され、この場合、表示に用いる共通電極はクロム単層
膜からなる遮光膜上に直接成膜されている。
パネルをそのまま拡大する単枚式とＲＧＢ３枚を用いる
３板式があり、現在では後者が主体となっている。３板
式ではＴＦＴ型モノクロＬＣＤがライトバルブとして使
用され、この場合、表示に用いる共通電極はクロム単層
膜からなる遮光膜上に直接成膜されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】クロム単層膜からなる
遮光膜上に直接ＩＴＯなどの共通電極を成膜する場合、
クロム遮光膜のエッチング断面形状がほぼ垂直であるた
め、この段差部分の共通電極膜の被覆膜厚が薄くなるの
で断線状態になりやすい。この様子を図４に示す。１は
基板、２はクロム膜、４は電極層である。このように、
共通電極成膜時の歩留りが低く、これが製造上問題とな
っている。
遮光膜上に直接ＩＴＯなどの共通電極を成膜する場合、
クロム遮光膜のエッチング断面形状がほぼ垂直であるた
め、この段差部分の共通電極膜の被覆膜厚が薄くなるの
で断線状態になりやすい。この様子を図４に示す。１は
基板、２はクロム膜、４は電極層である。このように、
共通電極成膜時の歩留りが低く、これが製造上問題とな
っている。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明は上記課題を解決
するためのものであり、その手段として可視光領域で実
質的に透明な表示装置用の基板上に設けられた遮光膜
が、該基板側からクロム膜および窒化クロム膜の２層構
造を有することを特徴とする表示装置用遮光膜を提供す
るものである。この場合、クロム膜は光学的に不透明で
あり、窒化クロム膜は光学的に不透明であっても透明で
あってもよい。
するためのものであり、その手段として可視光領域で実
質的に透明な表示装置用の基板上に設けられた遮光膜
が、該基板側からクロム膜および窒化クロム膜の２層構
造を有することを特徴とする表示装置用遮光膜を提供す
るものである。この場合、クロム膜は光学的に不透明で
あり、窒化クロム膜は光学的に不透明であっても透明で
あってもよい。
【０００５】本発明はまた、可視光領域で実質的に透明
な表示装置用の基板上に設けられた遮光膜が窒化クロム
膜を含むものであり、窒化クロム膜の窒化度が連続的に
変化していることを特徴とする表示装置用遮光膜を提供
するものである。窒化クロムの窒化度が変化する場合
は、透明基板から離れるにしたがって窒化度が高くなる
ようにすることが好ましい。
な表示装置用の基板上に設けられた遮光膜が窒化クロム
膜を含むものであり、窒化クロム膜の窒化度が連続的に
変化していることを特徴とする表示装置用遮光膜を提供
するものである。窒化クロムの窒化度が変化する場合
は、透明基板から離れるにしたがって窒化度が高くなる
ようにすることが好ましい。
【０００６】
【作用】図２は反応性スパッタリング法で成膜した窒化
クロム膜のクロム膜に対する相対エッチング速度とスパ
ッタリングガス中の窒素ガス分圧の関係を示す。ターゲ
ットにはクロムを用い、アルゴンと窒素の混合ガス全圧
０．４Ｐａ、直流電力２ｋＷ一定で成膜した。エッチン
グ液は硝酸第二セリウムアンモニウムと過塩素酸の混合
溶液を用いた。図２に示したように、窒素の分圧が高く
なるににつれて、すなわち膜が窒化されるにつれてクロ
ムの２倍以上のエッチング速度が得られる。なお、この
図の関係はスパッタガスの全圧および電力密度の大きさ
により変化する。
クロム膜のクロム膜に対する相対エッチング速度とスパ
ッタリングガス中の窒素ガス分圧の関係を示す。ターゲ
ットにはクロムを用い、アルゴンと窒素の混合ガス全圧
０．４Ｐａ、直流電力２ｋＷ一定で成膜した。エッチン
グ液は硝酸第二セリウムアンモニウムと過塩素酸の混合
溶液を用いた。図２に示したように、窒素の分圧が高く
なるににつれて、すなわち膜が窒化されるにつれてクロ
ムの２倍以上のエッチング速度が得られる。なお、この
図の関係はスパッタガスの全圧および電力密度の大きさ
により変化する。
【０００７】本発明によれば、クロムの窒化度によりエ
ッチング速度が変化することを利用することにより、遮
光膜断面形状が基板側より先細り（テーパ状）になるよ
うにエッチングできる遮光膜が実現でき、遮光膜段差部
の被覆膜厚を厚く、すなわち共通電極膜のステップカバ
レッジを向上させることができるので、共通電極成膜時
の歩留りを上げられる。
ッチング速度が変化することを利用することにより、遮
光膜断面形状が基板側より先細り（テーパ状）になるよ
うにエッチングできる遮光膜が実現でき、遮光膜段差部
の被覆膜厚を厚く、すなわち共通電極膜のステップカバ
レッジを向上させることができるので、共通電極成膜時
の歩留りを上げられる。
【０００８】
［実施例１］図１は本発明の実施例であり、透明な基板
１側からクロム膜２、窒化クロム膜３の２層構造を有す
る。クロム膜２はアルゴンガス１００％で、窒化クロム
膜３は窒素ガス比率６０％で成膜した。クロム膜２の厚
みは１００ｎｍ、窒化クロム膜３の厚みは４０ｎｍであ
った。図２のように窒化クロムのエッチング速度がクロ
ムよりも速いので、このような２層構造にすることで断
面をテーパ状にエッチングすることが可能となる。
１側からクロム膜２、窒化クロム膜３の２層構造を有す
る。クロム膜２はアルゴンガス１００％で、窒化クロム
膜３は窒素ガス比率６０％で成膜した。クロム膜２の厚
みは１００ｎｍ、窒化クロム膜３の厚みは４０ｎｍであ
った。図２のように窒化クロムのエッチング速度がクロ
ムよりも速いので、このような２層構造にすることで断
面をテーパ状にエッチングすることが可能となる。
【０００９】図３は図１に示した構造の膜をホトリソグ
ラフィ法によりエッチングして作製した遮光膜の断面図
である。エッチング液は硝酸第二セリウムアンモニウム
と過塩素酸の混合溶液を用いた。テーパ状にエッチング
できており本発明の有効性が実証された。
ラフィ法によりエッチングして作製した遮光膜の断面図
である。エッチング液は硝酸第二セリウムアンモニウム
と過塩素酸の混合溶液を用いた。テーパ状にエッチング
できており本発明の有効性が実証された。
【００１０】［実施例２］窒化クロム膜の窒化度が連続
的に変化しているような窒化クロム膜を遮光膜として用
いて実施例１と同様に行った。この場合は、スパッタ中
に、窒素ガスの濃度をだんだん大きくしていきながら成
膜する。本実施例ではスパッタリングガスとしてアルゴ
ンガス１００％で行い、順次窒素ガスの分圧を大きくし
ていった。窒化クロムの厚みは１５０ｎｍとした。
的に変化しているような窒化クロム膜を遮光膜として用
いて実施例１と同様に行った。この場合は、スパッタ中
に、窒素ガスの濃度をだんだん大きくしていきながら成
膜する。本実施例ではスパッタリングガスとしてアルゴ
ンガス１００％で行い、順次窒素ガスの分圧を大きくし
ていった。窒化クロムの厚みは１５０ｎｍとした。
【００１１】この遮光膜を実施例１と同様にエッチング
したところ実施例１と同様の良好なテーパ状の断面形状
が得られた。
したところ実施例１と同様の良好なテーパ状の断面形状
が得られた。
【００１２】なお、本発明において、窒化クロム膜の窒
化度が連続的に変化しているような窒化クロム膜を通常
のクロム膜との２層構造とすることもできる。また、窒
化クロムを多層として、それぞれ窒化度を異ならすこと
も可能である。
化度が連続的に変化しているような窒化クロム膜を通常
のクロム膜との２層構造とすることもできる。また、窒
化クロムを多層として、それぞれ窒化度を異ならすこと
も可能である。
【００１３】
【発明の効果】本発明によれば、表示用遮光膜の断面形
状がテーパ状にできるので遮光膜の段差部分を被覆する
ようにされる電極の被覆膜厚を厚くできる。これによ
り、ＬＣＤの共通電極成膜時の歩留りを上げることがで
きる。
状がテーパ状にできるので遮光膜の段差部分を被覆する
ようにされる電極の被覆膜厚を厚くできる。これによ
り、ＬＣＤの共通電極成膜時の歩留りを上げることがで
きる。
【００１４】本発明の表示用遮光膜は、液晶表示素子の
基板上に設けられたカラーフィルター用のブラックマス
クとして用いる遮光膜としても有用である。
基板上に設けられたカラーフィルター用のブラックマス
クとして用いる遮光膜としても有用である。
【図１】本発明の実施例を示す断面図
【図２】反応性スパッタリング法で成膜した窒化クロム
膜のクロム膜に対する相対エッチング速度とスパッタリ
ングガス中の窒素ガス分圧の関係を示すグラフ
膜のクロム膜に対する相対エッチング速度とスパッタリ
ングガス中の窒素ガス分圧の関係を示すグラフ
【図３】本発明の遮光膜をホトリソグラフィ法によりエ
ッチングして作製した遮光膜の断面図
ッチングして作製した遮光膜の断面図
【図４】従来の遮光膜をホトリソグラフィ法によりエッ
チングして作製した遮光膜の断面図
チングして作製した遮光膜の断面図
１：基板 ２：クロム膜 ３：窒化クロム膜 ４：電極層
Claims (2)
- 【請求項１】可視光領域で実質的に透明な表示装置用の
基板上に設けられた遮光膜が、該基板側からクロム膜お
よび窒化クロム膜の２層構造を有することを特徴とする
表示装置用遮光膜。 - 【請求項２】可視光領域で実質的に透明な表示装置用の
基板上に設けられた遮光膜が窒化クロム膜を含むもので
あり、窒化クロム膜の窒化度が連続的に変化しているこ
とを特徴とする表示装置用遮光膜。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5059650A JPH06250163A (ja) | 1993-02-24 | 1993-02-24 | 表示装置用遮光膜 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5059650A JPH06250163A (ja) | 1993-02-24 | 1993-02-24 | 表示装置用遮光膜 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06250163A true JPH06250163A (ja) | 1994-09-09 |
Family
ID=13119295
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5059650A Pending JPH06250163A (ja) | 1993-02-24 | 1993-02-24 | 表示装置用遮光膜 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06250163A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5959359A (en) * | 1996-09-05 | 1999-09-28 | Nec Corporation | Semiconductor device with a copper wiring pattern |
| JP2002122888A (ja) * | 2000-08-07 | 2002-04-26 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置、電子機器、電気光学装置用基板および電気光学装置用基板の製造方法、並びに遮光膜 |
| KR100387165B1 (ko) * | 1998-12-14 | 2003-06-11 | 닛뽄덴끼 가부시끼가이샤 | 액정 디스플레이 장치 |
| WO2010143461A1 (ja) * | 2009-06-12 | 2010-12-16 | シャープ株式会社 | 表示パネルおよび表示装置 |
| US20120281383A1 (en) * | 2011-05-02 | 2012-11-08 | Lg Display Co., Ltd. | Display Apparatus |
| JP2012226032A (ja) * | 2011-04-18 | 2012-11-15 | Seiko Epson Corp | カラーフィルター基板、電気光学装置および電子機器 |
| CN104375394A (zh) * | 2014-11-14 | 2015-02-25 | 深圳市路维光电股份有限公司 | 蚀刻液和掩膜版形成方法 |
-
1993
- 1993-02-24 JP JP5059650A patent/JPH06250163A/ja active Pending
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5959359A (en) * | 1996-09-05 | 1999-09-28 | Nec Corporation | Semiconductor device with a copper wiring pattern |
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| US6912020B2 (en) | 2000-08-07 | 2005-06-28 | Seiko Epson Corporation | Electro-optical apparatus, electronic device, substrate for use in an electro-optical apparatus, method of producing a substrate for use in an electro-optical apparatus, and light shielding film |
| WO2010143461A1 (ja) * | 2009-06-12 | 2010-12-16 | シャープ株式会社 | 表示パネルおよび表示装置 |
| JPWO2010143461A1 (ja) * | 2009-06-12 | 2012-11-22 | シャープ株式会社 | 表示パネルおよび表示装置 |
| JP2012226032A (ja) * | 2011-04-18 | 2012-11-15 | Seiko Epson Corp | カラーフィルター基板、電気光学装置および電子機器 |
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| US8792252B2 (en) * | 2011-05-02 | 2014-07-29 | Lg Display Co., Ltd. | Display apparatus |
| US9332665B2 (en) | 2011-05-02 | 2016-05-03 | Lg Display Co., Ltd. | Display apparatus |
| CN104375394A (zh) * | 2014-11-14 | 2015-02-25 | 深圳市路维光电股份有限公司 | 蚀刻液和掩膜版形成方法 |
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