JPH06250425A - 電子写真感光体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【目的】 画像のかぶりや画像流れ，また，黒点が生じ
ない電子写真感光体を提供する。 【構成】 導電性基板４の上にアモルファスシリカ（ａ
−Ｓｉ）系キャリア注入阻止層５とａ−Ｓｉ系光導電層
６と表面層７とを順次積層した構成であり，それぞれの
原子密度を次のように規定した。但し単位は原子／ｃｍ
³ ，キャリア注入阻止層：アモルファス状態（ａ状態）
のもの……５．５×１０²²以下。ダングリングボンド補
償用（Ｄ補償用）のもの……２．０×１０²¹以上。感光
層：ａ状態のもの……５．０×１０²²以下。Ｄ補償用の
もの……２．０×１０²¹以上。表面層：ａ状態のＳｉま
たはＧｅの内少なくとも１種……３．０×１０²²以下。
ａ状態のＮまたはＣの内少なくとも１種……５．０×１
０²²以下。Ｄ補償用のもの……５．０×１０²²以上。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明はアモルファスシリコン系
光導電層から成る電子写真感光体に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】近年、アモルファスシリコン系光導電層
（以下、アモルファスシリコンをａ−Ｓｉと略記する）
から成る電子写真感光体が実用化され、その製造量は年
々増加の一途をたどっている。

【０００３】このａ−Ｓｉ系感光体の基本構成は、図３
に示すように導電性基板１の上にａ−Ｓｉ系光導電層２
を形成し、更に例えばアモルファスシリコンカーバイド
等から成る表面層３を積層して表面硬度を高めるように
したが、その反面、この構成の電子写真感光体を高温高
湿下で使用した場合には、画像流れ（所謂、ボケと呼ば
れる）が発生し、実用上支障があった。

【０００４】この問題点に対して、この電子写真感光体
の付近にヒーターを設けて、その感光体を３５〜５０℃
に加熱し、これにより、その感光体表面の水分を減らし
て画像流れの発生を防いでいた。

【０００５】他方、感光体表面に付着する帯電生成物に
起因して、それが高温高湿下で水分を吸収し、画像流れ
の発生原因になっていることも判っており、それに対し
て効率的に帯電生成物を除去できるクリーニングプロセ
スが開発されている。

【０００６】しかしながら、上記構成のａ−Ｓｉ系感光
体並びにクリーニングプロセスにおいても、そのａ−Ｓ
ｉ系感光体を搭載した機器でもって常温常湿下で耐刷を
繰り返した後、電源を切り（感光体加熱用ヒーターのＯ
ＦＦ）、然る後に高温高湿下に数時間（または一夜）放
置し、再び電源を入れ（感光体加熱用ヒーターのＯ
Ｎ）、画像を形成したところ、最初の数十枚〜数百枚に
画像のかぶりを発生するという問題点があった。

【０００７】かかる問題点を解決するために、本発明者
は既に特願平４−２４７７３０号により上記表面層３の
アモルファス状態の原子密度が６．５×１０²²原子／ｃ
ｍ³以下であれば、また、そのダングリングボンドを補
償する水素またはフッ素のうち少なくとも１種の原子の
密度が５．０×１０²²原子／ｃｍ³ 以上であれば、画像
のかぶりや画像流れが生じなくなることを提案した。

【０００８】

【従来技術の課題】しかしながら、上記提案の電子写真
感光体を用いて、しかも、この電子写真感光体の付近に
ヒーターを設けて、その感光体を３５〜５０℃に加熱
し、これにより、その感光体表面の水分を減らすように
しても、そのａ−Ｓｉ系感光体を搭載した機器でもって
高温高湿下で耐刷を更に繰り返した後、電源を切り（感
光体加熱用ヒーターのＯＦＦ）、然る後に高温高湿下に
数時間（または一夜）放置し、再び電源を入れる（感光
体加熱用ヒーターのＯＮ）というプロセスを数回繰り返
し、その電源のＯＮ直後に画像を形成し、その画像を注
意深く観察したところ、最初の数枚に画像に軽い画像流
れや軽いかぶりを発生することが判明した。しかも、そ
の画像に黒点が発生することも判明した。

【０００９】この画像流れやかぶりは、電源のＯＮ後の
数枚から数十枚の印刷により次第に回復するが、この黒
点については、次第に回復する場合と、容易に回復しな
い場合とがある。

【００１０】叙上のように、高温高湿という更に過酷な
環境下で作動させると、その環境下で電源を切り、翌日
電源を入れて印刷した場合には、良好な画像が得られな
いという問題点があった。

【００１１】

【課題を解決するための手段】本発明の電子写真感光体
は、導電性基板の上に珪素（Ｓｉ）、ゲルマニウム（Ｇ
ｅ）、酸素（Ｏ）、窒素（Ｎ）、炭素（Ｃ）の少なくと
も１種から成るアモルファス状態の原子及び該原子のダ
ングリングボンドを補償する水素またはフッ素の原子と
から成るキャリア注入阻止層と感光層とを順次積層し、
該感光層の上に珪素、ゲルマニウム、窒素、炭素の少な
くとも１種から成るアモルファス状態の原子及び該原子
のダングリングボンドを補償する水素またはフッ素の原
子とから成る表面層を積層した構成であって、各層の原
子密度を下記の通りの設定したことを特徴とする。

【００１２】キャリア注入阻止層 アモルファス状態の原子密度・・・・・・５．５×１０²²原子／ｃｍ³ 以下 ダングリングボンド補償用原子の密度・・２．０×１０²¹原子／ｃｍ³ 以上感光層 アモルファス状態の原子密度・・・・・・５．０×１０²²原子／ｃｍ³ 以下 ダングリングボンド補償用原子の密度・・２．０×１０²¹原子／ｃｍ³ 以上表面層 アモルファス状態のＳｉまたはＧｅのうち少なくとも１種の原子の密度 ・・・・・・３．０×１０²²原子／ｃｍ³ 以下 アモルファス状態のＮまたはＣのうち少なくとも１種の原子の密度 ・・・・・・５．０×１０²²原子／ｃｍ³ 以下 ダングリングボンド補償用原子の密度・・５．０×１０²²原子／ｃｍ³ 以上

【００１３】

【作用】本発明者は推論の域を脱し得ないが、画像に軽
い画像流れや軽いかぶりが発生したり、また、その画像
に黒点が発生する原因を多角的に考察した結果、高温高
湿下に長時間放置し、その後に電源をＯＮにして、即座
に印字（耐刷）を開始した場合、その直後では感光体の
温度が上がっておらず、これにより、その感光体の各層
に吸収された水分が残存しており、このために各層は電
気的に低抵抗な状態にあり、その結果、帯電電位が高く
ならず、軽い画像流れや軽いかぶりを発生したり、ま
た、その画像に黒点が発生すると考える。また、この推
論を裏付けるものとして、本発明者は、この黒点は多く
の水分を含有したａ−Ｓｉ領域であることを実験により
確認した。

【００１４】本発明者はこの推論に基づき、キャリア注
入阻止層については、アモルファス状態の原子密度を
５．５×１０²²原子／ｃｍ³ 以下にして比較的粗な膜構
造に設定することにより、この層の水分含有量が少なく
なる。

【００１５】また、感光層のアモルファス状態の原子密
度を５．０×１０²²原子／ｃｍ³ 以下にして比較的粗な
膜構造に設定することにより、この層の水分含有量も少
なくなる。

【００１６】更にまた、キャリア注入阻止層と感光層の
両層のダングリングボンド補償用原子の密度を２．０×
１０²¹原子／ｃｍ³ 以上にすれば、粗な膜構造におい
て、共有結合半径の小さな原子が隙間を埋めるように均
一に分布し、しかも、水をはじく撥水作用があり、これ
により、吸着・侵入しようとする水を減少せしめる。

【００１７】また、キャリア注入阻止層と感光層の両層
に、酸素（Ｏ）もしくは少なくとも酸素（Ｏ）を含む窒
素（Ｎ）や炭素（Ｃ）から成る混合原子を５．０×１０
²¹原子／ｃｍ³ 以下含有させると、吸湿性の酸化シリコ
ン系のＳｉＯ（Ｎ：Ｃ）化合物が少なくなり、高温高湿
下に配置しても水分含有量が少なくなる。

【００１８】しかも、上記構成の電子写真感光体に係る
表面層については、３．０×１０²²原子／ｃｍ³ 以下で
含有するアモルファス状態のＳｉまたはＧｅのうち少な
くとも１種の原子と、５．０×１０²²原子／ｃｍ³ 以下
で含有するアモルファス状態のＮまたはＣのうち少なく
とも１種の原子とを組み合わせることにより、比較的粗
な膜構造の表面層を積層したことになり、その表面層の
含有水分量が少なくなると考えられる。この理由につい
ても、本発明者は推論の域を脱し得ないが、感光体加熱
用ヒーターのＯＦＦ時では、水分の吸着や侵入が抑えら
れ、また、感光体加熱用ヒーターのＯＮの直後では、吸
着や侵入する水分の放出が早くなり、これにより、画像
のかぶりの発生が生じにくいと考える。その結果、従来
のａ−Ｓｉ系感光体を搭載した機器である場合には、常
温常湿下で耐刷を繰り返すという耐刷テストにより、最
初の数十枚〜数百枚に画像のかぶりを発生し、また、表
面電位が数十Ｖ低下していたのに対して、その電位低下
がなく、画像のかぶりが発生しなくなった。その結果、
高温高湿下で耐刷を繰り返すという更に過酷な耐刷テス
トをした場合でも、表面電位の低下がなく、画像のかぶ
りが発生しなくなった。

【００１９】加えて、本発明者は上記構成の電子写真感
光体に係る表面層について良好な結果が得られた理由と
しては下記の通りであると推論する。即ち、オゾン（酸
化）に弱いＳｉまたはＧｅにオゾン（酸化）に強いＮま
たはＣを混合したことによるものと考えられるが、その
他に光透過率を上げて高感度となったり（光学的エネル
ギーＥgopt. ２．２ｅＶ以上）、残留電位を小さくして
濃度が確保できたり（光学的エネルギーＥgopt. ３．０
ｅＶ以下）、その合金化により硬度が上がって必要な耐
摩耗性が確保できた等の理由も考えられる。

【００２０】しかも、表面層によれば、ダングリングボ
ンドを補償する水素またはフッ素のうち少なくとも１種
の原子の密度が５．０×１０²²原子／ｃｍ³ 以上である
ことにより、粗な膜構造に対して共有結合半径の小さな
原子が隙間を埋めるように均一に分布し、しかも、これ
らの水をはじく撥水作用効果もあり、これらの均一分布
と撥水作用効果とが有効に組合って吸着や侵入する水分
が減少するものと考える。

【００２１】上記構成の電子写真感光体によれば、従来
周知の電子写真感光体の各層と比べてアモルファス状態
の原子の密度を下げて、粗な膜構造の表面層を積層した
が、これをグロー放電分解法により製作する場合であれ
ば、成膜条件にもよるが、従来に比べて成膜速度を高
め、ガス圧力を高め、高周波電力を低くすることにより
形成できる。

【００２２】また、このような成膜条件において、更に
ダングリングボンドを補償する水素またはフッ素のうち
少なくとも１種の原子の密度を所定の含有量以上にする
には、従来に比べて、成膜速度を高め、基板温度を低め
に設定することにより形成できる。

【００２３】

【実施例】以下、本発明の電子写真感光体をグロー放電
分解法により製作した場合を例に挙げて説明する。図１
はこの実施例により製作した電子写真感光体の層構成で
あり、図２はこの実施例に用いたグロー放電分解装置で
ある。

【００２４】先ず図１においては、導電性基板４の上に
キャリア注入阻止層５とａ−Ｓｉ系光導電層６と表面層
７とを順次積層した構成であり、本例では導電性基板４
をアルミニウム金属により、キャリア注入阻止層５をａ
−Ｓｉ系の層により、表面層７をアモルファスシリコン
カーバイド層（以下アモルファスシリコンカーバイドを
ａ−ＳｉＣと略記する）により形成したものである。し
かし、この例に限らず各々の部材には次の材料を用いる
ことができる。

【００２５】上記導電性基板４はアルミニウム合金など
の導電部材、もしくは樹脂やガラスの表面に導電性膜を
蒸着等により形成したものにより構成してもよい。

【００２６】上記キャリア注入阻止層５はａ−Ｓｉ系を
母材にして水素やフッ素を含有させ、更に周期律表第II
I 族、第IV族、第V 族のうち少なくとも１種の元素を含
有させ、また必要により炭素、酸素、窒素などを含有さ
せることにより構成してもよい。

【００２７】上記表面層７は水素（Ｈ）もしくはフッ素
（Ｆ）をダングリングボンド補償用元素として用いたａ
−ＳｉＣ：Ｆ、ａ−ＳｉＣ：Ｈ：Ｆ、ａ−ＳｉＣＮ：
Ｈ、ａ−ＳｉＣＧｅ：Ｈ、ａ−ＳｉＮ：Ｈ、ａ−Ｓｉ
Ｎ：Ｆ、ａ−ＳｉＮ：Ｈ：Ｆ、ａ−Ｃ：Ｈ、ａ−Ｃ：
Ｆ、ａ−Ｃ：Ｈ：Ｆ、ａ−ＣＮ：Ｈ、ａ−Ｇｅ：Ｈ、ａ
−Ｇｅ：Ｆ、ａ−ＳｉＧｅ：Ｈ、ａ−ＳｉＧｅ：Ｆ、ａ
−ＳｉＧｅ：Ｈ：Ｆ等のアモルファス合金層（ａ−はア
モルファスを表示する）であっても同様な作用効果があ
ると考える。

【００２８】また、各層の厚みは次のように設定すると
よい。カールソンプロセスによれば、一般的に現像電位
が４００〜８００Ｖであり、これに伴ってキャリア注入
阻止層５は０．８〜１．６μｍ以上、ａ−Ｓｉ系光導電
層６は２８〜５６μｍ以上必要である。

【００２９】更に導電性基板４を透光性基板により作成
し、これによって基板から光を照射する、所謂、光背面
記録方式においては、現像電位が３０〜１００Ｖであ
り、これに伴ってキャリア注入阻止層５は０．０６〜
０．４μｍ以上、ａ−Ｓｉ系光導電層６は２〜７μｍ以
上必要である。

【００３０】次に図２のグロー放電分解装置８の構成を
説明する。同図中、９は円筒形状の金属製反応炉、１０
は感光体ドラム装着用の円筒形状の導電性基板支持体、
１１は基板加熱用ヒーター、１２はａ−Ｓｉの成膜に用
いられる円筒形状のグロー放電用電極板であり、この電
極板１２にはガス噴出口１３が形成されており、そし
て、１４は反応炉内部へガスを導入するためのガス導入
口、１５はグロー放電に晒されたガスの残余ガスを排気
するためのガス排出口であり、１６は基板支持体１０と
グロー放電用電極板１２の間でグロー放電を発生させる
高周波電源である。また、この反応炉９は円筒体９ａ
と、蓋体９ｂと、底体９ｃとからなり、そして、円筒体
９ａと蓋体９ｂとの間、並びに円筒体９ａと底体９ｃと
の間にはそれぞれ絶縁性のリング９ｄを設けており、こ
れによって高周波電源１６の一方の端子は円筒体９ａを
介してグロー放電用電極板１２と導通しており、他方の
端子は蓋体９ｂや底体９ｃを介して基板支持体１０と導
通している。また、蓋体９ｂに上に付設したモーター１
７により回転軸１８を介して基板支持体１０が回転駆動
され、これに伴って基板４も回転する。

【００３１】このグロー放電分解装置８を用いてａ−Ｓ
ｉ感光体ドラムを作製する場合には、ａ−Ｓｉ成膜用の
ドラム状基板４を基板支持体１０に装着し、ａ−Ｓｉ生
成用ガスをガス導入口１４より反応炉内部へ導入し、こ
のガスをガス噴出口１３を介して基板面へ噴出し、更に
ヒーター１１によって基板を所要の温度に設定するとと
もに基板支持体１０と電極板１２の間でグロー放電を発
生させ、更に基板４を回転させることによって基板４の
周面にａ−Ｓｉ膜が成膜できる。

【００３２】（例１）本例では、表１と表２に示す成膜
条件により図１の構成のａ−Ｓｉ系感光体Ａと感光体Ｂ
を製作した。いずれの感光体Ａ、Ｂも表１に示すような
キャリア注入阻止層５とａ−Ｓｉ系光導電層６により構
成するが、更に表２に示すような成膜条件により共通の
表面層７を形成し、これに対応して２種類の感光体Ａ、
Ｂを製作した。

【００３３】

【表１】

【００３４】

【表２】

【００３５】また、これらの２種類の感光体Ａ、Ｂの各
キャリア注入阻止層５とａ−Ｓｉ系光導電層６の原子密
度は、別途用意した導電性基板にそれぞれ０．５μｍの
厚みの膜を表１の通りに形成し、その一部を１ｃｍ角に
切り出して、その層の分析値をＲＢＳ（ラザフォード後
方散乱）分析により求めた。また、水素原子密度につい
ても同様にＳＩＭＳ（二次イオン質量）分析法により求
めた。その結果を表３に示す。

【００３６】

【表３】

【００３７】かくして得られた２種類の感光体Ａと感光
体Ｂについて、感光体温度を４５℃に設定し、常温常湿
下（３３℃、８５％ＲＨ）にて１万枚耐刷し、この１万
枚耐刷を５回繰り返した後に、高温高湿下（３３℃、８
５％ＲＨ）に１２時間放置し、この状態で電源を入れて
初期画像の状態を観るという実験を行ったところ、画像
のかぶりと画像流れと黒点の有無は表４に示すような結
果が得られた。

【００３８】尚、同表中の○は記録画像の全面が良好で
ある場合であり、△は記録画像の一部（５％以下）が不
具合である場合であり、×は記録画像の全面積の５％以
上が不具合である場合である。以下、同じ評価基準を採
用した。

【００３９】

【表４】

【００４０】この結果から明らかなように、アモルファ
ス状態の原子密度が小さく、ダングリングボンド補償用
原子の密度が大きい感光体Ａにおいては、画像のかぶり
と画像流れがない優れた感光体になることが判った。

【００４１】（例２）本例では、表５に示す成膜条件に
より図１の構成のａ−Ｓｉ系感光体Ｃと感光体Ｄを製作
した。いずれの感光体も表２に示すような共通の表面層
７により構成するが、更に表５に示すように成膜条件を
変えて２種類のキャリア注入阻止層５とａ−Ｓｉ系光導
電層６を形成し、これに対応して２種類の感光体Ｃ、Ｄ
を製作した。

【００４２】

【表５】

【００４３】また、これらの２種類の感光体Ｃ、Ｄの各
キャリア注入阻止層５とａ−Ｓｉ系光導電層６に含有す
る各酸素量と各窒素量の原子密度を同様に測定したとこ
ろ、表６に示す結果が得られた。

【００４４】

【表６】

【００４５】かくして得られた２種類の感光体Ｃと感光
体Ｄについて、感光体温度を４５℃に設定し、常温常湿
下（３３℃、８５％ＲＨ）にて１万枚耐刷し、この１万
枚耐刷を５回繰り返した後に、高温高湿下（３３℃、８
５％ＲＨ）に１２時間放置し、この状態で電源を入れて
初期画像の状態を観るという実験を行ったところ、画像
のかぶりと画像流れと黒点の有無は表７に示すような結
果が得られた。

【００４６】

【表７】

【００４７】この結果から明らかなように、キャリア注
入阻止層５とａ−Ｓｉ系光導電層６の含有する酸素・窒
素量が５．０×１０²¹原子／ｃｍ³ より小さい感光体Ｃ
においては、画像のかぶりと画像流れがなく、また、黒
点の発生が改善された優れた感光体になることが判っ
た。

【００４８】（例３）本例では、表８と表９に示す成膜
条件により図１の構成のａ−Ｓｉ系感光体Ｅと感光体Ｆ
を製作した。いずれの感光体も表８に示すようなキャリ
ア注入阻止層５とａ−Ｓｉ系光導電層６により構成し、
表２に示すような共通の表面層７により構成するが、更
に表９に示すようにキャリア注入阻止層５とａ−Ｓｉ系
光導電層６の各膜厚を変え、これに対応して２種類の感
光体Ｅ、Ｆを製作した。この膜厚は別途用意した導電性
基板に同一条件により形成し、その膜の付着領域と非付
着領域との段差を表面粗さ計により測定し、この条件と
計算に基づいて求めた。

【００４９】

【表８】

【００５０】

【表９】

【００５１】かくして得られた２種類の感光体Ｅと感光
体Ｆについて、感光体温度を４５℃に設定し、常温常湿
下（３３℃、８５％ＲＨ）にて１万枚耐刷し、この１万
枚耐刷を１０回繰り返した後に、高温高湿下（３３℃、
８５％ＲＨ）に１２時間放置し、この状態で電源を入れ
て初期画像の状態を観るという実験を行ったところ、画
像のかぶりと画像流れと黒点の有無は表１０に示すよう
な結果が得られた。尚、この評価に用いたプリンタの現
像電位は４５０Ｖである。

【００５２】

【表１０】

【００５３】この結果から明らかなように、キャリア注
入阻止層５とａ−Ｓｉ系光導電層６の各膜厚が機器と記
録方式により与えられた現像電位に対して、下記（ａ）
（ｂ）であれば、即ち感光体Ｅであれば、画像のかぶり
と画像流れがなく、また、黒点の発生が改善された優れ
た感光体になることが判った。 （ａ）キャリア注入阻止層の膜厚（μｍ）＞０．００３
０×現像電位（Ｖ） （ｂ）ａ−Ｓｉ系光導電層の膜厚（μｍ）＞０．０５０
×現像電位（Ｖ） （例４）本例では、表１１に示すようにアルミニウム製
導電性基板４（この基板４の形状はドラム状であって、
その外径はΦ３０ｍｍ、内径はΦ２５ｍｍ、長手寸法は
２６０ｍｍである）の厚みを変え、（例３）のａ−Ｓｉ
系感光体Ｅを製作し、これによって感光体Ｇ〜感光体Ｉ
を作製した。

【００５４】

【表１１】

【００５５】かくして得られた３種類の感光体Ｇ〜Ｉに
ついて、画像流れ防止用クリーニングプロセスのクリー
ニングレベルを劣化し、これによって画像流れが生じや
すい条件に設定し、次いでドラムヒーターＯＮの後の画
像流れの回復時間を測定したところ、表１１に示す通り
の結果が得られた。また、この作製により各基板４の変
形量を測定したところ、同表に示す結果となった。

【００５６】表１１に示す結果から明らかな通り、基板
の厚みが小さくなるのに伴って画像流れの回復度が良好
であるが、その反面、基板の変形が進行することが判っ
た。

【００５７】本発明者が繰り返し行った実験によれば、
基板４の形状はドラム状であって、その外径はΦ１０〜
３００ｍｍ、内径はΦ８．６〜２８８ｍｍ、長手寸法は
５０〜１，０００ｍｍである場合、その基板の厚みは
０．７〜６．０ｍｍ、好適には１．０〜４．０ｍｍがよ
いことが判明した。

【００５８】

【発明の効果】以上の通り、本発明によれば、キャリア
注入阻止層については、アモルファス状態の原子密度を
５．５×１０²²原子／ｃｍ³ 以下にして比較的粗な膜構
造に設定し、更に感光層のアモルファス状態の原子密度
を５．０×１０²²原子／ｃｍ³以下にして比較的粗な膜
構造にすることにより、両層の水分含有量が少なくなっ
た。また、これらの両層のダングリングボンド補償用原
子の密度を２．０×１０²¹原子／ｃｍ³ 以上にすれば、
粗な膜構造において、共有結合半径の小さな原子が隙間
を埋めるように均一に分布し、しかも、水をはじく撥水
作用があり、これにより、吸着・侵入しようとする水を
減少せしめることができた。更にまた、キャリア注入阻
止層と感光層の両層に、酸素もしくは少なくとも酸素を
含む窒素や炭素から成る混合原子を５．０×１０²¹原子
／ｃｍ³ 以下含有させると、吸湿性の酸化シリコン系Ｓ
ｉＯ（Ｎ：Ｃ）化合物が少なくなり、高温高湿下に配置
しても水分含有量が少なくなった。しかも、表面層につ
いては、３．０×１０²²原子／ｃｍ³ 以下で含有するア
モルファス状態のＳｉまたはＧｅのうち少なくとも１種
の原子と、５．０×１０²²原子／ｃｍ³ 以下で含有する
アモルファス状態のＮまたはＣのうち少なくとも１種の
原子とを組み合わせることにより、比較的粗な膜構造の
表面層を積層したことになり、その表面層の含有水分量
が少なくなった。その結果、高温高湿下で耐刷を繰り返
すという更に過酷な耐刷テストをした場合でも、表面電
位の低下がなく、画像のかぶりと画像流れがなく、ま
た、黒点の発生が改善された高品質且つ高信頼性の電子
写真感光体が提供できた。

【図面の簡単な説明】

【図１】実施例における電子写真感光体の層構成を示す
断面図である。

【図２】実施例で用いたグロー放電分解装置の概略説明
図である。

【図３】アモルファスシリコン系電子写真感光体の基本
構成を示す断面図である。

【符号の説明】 １、４・・・導電性基板 ５・・・・・キャリア注入阻止層 ２、６・・・アモルファスシリコン系光導電層 ３、７・・・表面層

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 導電性基板の上に珪素、ゲルマニウム、
   酸素、窒素、炭素の少なくとも１種から成るアモルファ
   ス状態の原子及び該原子のダングリングボンドを補償す
   る水素またはフッ素の原子とから成るキャリア注入阻止
   層と感光層とを順次積層し、該感光層の上に珪素、ゲル
   マニウム、窒素、炭素の少なくとも１種から成るアモル
   ファス状態の原子及び該原子のダングリングボンドを補
   償する水素またはフッ素の原子とから成る表面層を積層
   した電子写真感光体であって、前記キャリア注入阻止層
   のアモルファス状態の原子密度が５．５×１０²²原子／
   ｃｍ³ 以下であり且つダングリングボンドを補償する水
   素またはフッ素のうち少なくとも１種の原子密度が２．
   ０×１０²¹原子／ｃｍ³ 以上であり、前記感光層のアモ
   ルファス状態の原子密度が５．０×１０²²原子／ｃｍ³
   以下であり且つダングリングボンドを補償する水素また
   はフッ素のうち少なくとも１種の原子の密度が２．０×
   １０²¹原子／ｃｍ³ 以上であり、前記表面層のアモルフ
   ァス状態の珪素またはゲルマニウムのうち少なくとも１
   種の原子の密度が３．０×１０²²原子／ｃｍ³ 以下であ
   るとともにアモルファス状態の窒素または炭素のうち少
   なくとも１種の原子の密度が５．０×１０²²原子／ｃｍ
   ³ 以下であり且つダングリングボンドを補償する水素ま
   たはフッ素のうち少なくとも１種の原子の密度が５．０
   ×１０²²原子／ｃｍ³ 以上であることを特徴とする電子
   写真感光体。