JPH06251976A - 磁性薄膜の製造方法 - Google Patents
磁性薄膜の製造方法Info
- Publication number
- JPH06251976A JPH06251976A JP3518193A JP3518193A JPH06251976A JP H06251976 A JPH06251976 A JP H06251976A JP 3518193 A JP3518193 A JP 3518193A JP 3518193 A JP3518193 A JP 3518193A JP H06251976 A JPH06251976 A JP H06251976A
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- Japan
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- film
- magnetic thin
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Abstract
(57)【要約】
【目的】本発明は、電気抵抗と飽和磁化が共に高い軟磁
性薄膜を成膜条件による特性の変化を少なくして、容易
に高性能なものを得ることができる磁性薄膜の製造方法
を提供することを目的とする。 【構成】本発明は、ＦｅとＢＮをターゲットとして、同
時に高周波スパッタリングすることによりＦｅ基非晶質
磁性薄膜を製造する際に、ベルジャーに対して負になる
ように基板に直流電圧を印加して成膜し、しかる後に結
晶化温度以下でかかる磁性薄膜を熱処理する。
性薄膜を成膜条件による特性の変化を少なくして、容易
に高性能なものを得ることができる磁性薄膜の製造方法
を提供することを目的とする。 【構成】本発明は、ＦｅとＢＮをターゲットとして、同
時に高周波スパッタリングすることによりＦｅ基非晶質
磁性薄膜を製造する際に、ベルジャーに対して負になる
ように基板に直流電圧を印加して成膜し、しかる後に結
晶化温度以下でかかる磁性薄膜を熱処理する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は高周波域で優れた軟磁気
特性を有する電気比抵抗および飽和磁化の大きな磁性薄
膜の製造方法に関するものである。
特性を有する電気比抵抗および飽和磁化の大きな磁性薄
膜の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、電子機器を小型化あるいは高機能
化する目的で動作周波数を高める努力が盛んに行われて
いる。しかし、トランスやインダクターあるいは磁気ヘ
ッドなどに用いられている磁性材料に高周波域で充分な
特性を有したものがなく、回路全体の周波数を制限する
ことが多かった。これは、１ＭＨｚ以上の高周波域にな
ると磁性材料自体を流れる渦電流により大きな損失が発
生することが主な原因であった。金属系の磁性材料は電
気抵抗が小さいために渦電流損が大きくなりやすく高周
波域で使用することは困難であった。一方、フェライト
およびガーネットなどの酸化物系磁性材料は材料自体の
電気抵抗が非常に高いため、渦電流による損失は比較的
発生しにくい。しかし、透磁率の大きなものが得にく
く、飽和磁束密度が小さいために材料を大きくしなけれ
ばならず小型化は困難であった。また、飽和磁束密度が
小さいために、自然共鳴周波数が低下し高周波域で用い
るためには制限が多かった。
化する目的で動作周波数を高める努力が盛んに行われて
いる。しかし、トランスやインダクターあるいは磁気ヘ
ッドなどに用いられている磁性材料に高周波域で充分な
特性を有したものがなく、回路全体の周波数を制限する
ことが多かった。これは、１ＭＨｚ以上の高周波域にな
ると磁性材料自体を流れる渦電流により大きな損失が発
生することが主な原因であった。金属系の磁性材料は電
気抵抗が小さいために渦電流損が大きくなりやすく高周
波域で使用することは困難であった。一方、フェライト
およびガーネットなどの酸化物系磁性材料は材料自体の
電気抵抗が非常に高いため、渦電流による損失は比較的
発生しにくい。しかし、透磁率の大きなものが得にく
く、飽和磁束密度が小さいために材料を大きくしなけれ
ばならず小型化は困難であった。また、飽和磁束密度が
小さいために、自然共鳴周波数が低下し高周波域で用い
るためには制限が多かった。
【０００３】飽和磁束密度が高く、かつ高周波特性の良
好な磁性材料に対する期待は大きく、これまでに金属系
磁性材料の電気抵抗を高くする方法が種々提案されてい
る。特に特開昭５４−９４４２８号公報に開示されたＮ
2 ガスの反応性スパッタリングにより電気抵抗の高い非
晶質合金膜を得る方法と特開昭６０−１５２６５１号公
報に開示された金属とセラミクスの同時スパッタリング
によりセラミクスが分散した非晶質合金膜を得る方法は
従来の金属系磁性材料に比べてはるかに大きな比抵抗を
得ることができる上で重要である。特に、後者の方法は
軟磁気特性と高い電気抵抗を両立し得ることから工業的
価値は大きいものであった。
好な磁性材料に対する期待は大きく、これまでに金属系
磁性材料の電気抵抗を高くする方法が種々提案されてい
る。特に特開昭５４−９４４２８号公報に開示されたＮ
2 ガスの反応性スパッタリングにより電気抵抗の高い非
晶質合金膜を得る方法と特開昭６０−１５２６５１号公
報に開示された金属とセラミクスの同時スパッタリング
によりセラミクスが分散した非晶質合金膜を得る方法は
従来の金属系磁性材料に比べてはるかに大きな比抵抗を
得ることができる上で重要である。特に、後者の方法は
軟磁気特性と高い電気抵抗を両立し得ることから工業的
価値は大きいものであった。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ＦｅとＢＮを同時にス
パッタして得られる非晶質合金膜は電気抵抗および飽和
磁化が大きく、軟磁気特性に優れたものであるため高周
波域で用いられる磁性材料として有用であった。しか
し、これらの材料は成膜条件、特にスパッタ圧力に大き
な影響を受け均一な特性を得ることが困難であった。す
なわち、スパッタ圧力が低い場合、飽和磁界および保磁
力が大きく垂直磁気異方性を示すものとなった。一方、
スパッタ圧が大きい場合は保磁力が大きくなり、さらに
電気抵抗や飽和磁化も極めて大きく変化するものであっ
た。従って、電磁気特性の均一なＦｅ／ＢＮ非晶質薄膜
を得ることは困難であった。
パッタして得られる非晶質合金膜は電気抵抗および飽和
磁化が大きく、軟磁気特性に優れたものであるため高周
波域で用いられる磁性材料として有用であった。しか
し、これらの材料は成膜条件、特にスパッタ圧力に大き
な影響を受け均一な特性を得ることが困難であった。す
なわち、スパッタ圧力が低い場合、飽和磁界および保磁
力が大きく垂直磁気異方性を示すものとなった。一方、
スパッタ圧が大きい場合は保磁力が大きくなり、さらに
電気抵抗や飽和磁化も極めて大きく変化するものであっ
た。従って、電磁気特性の均一なＦｅ／ＢＮ非晶質薄膜
を得ることは困難であった。
【０００５】本発明は上記の事情に鑑みてなされたもの
で、電気抵抗と飽和磁化が共に高い軟磁性薄膜を成膜条
件による特性の変化を少なくして、容易に高性能なもの
を得ることができる磁性薄膜の製造方法を提供すること
を目的とする。
で、電気抵抗と飽和磁化が共に高い軟磁性薄膜を成膜条
件による特性の変化を少なくして、容易に高性能なもの
を得ることができる磁性薄膜の製造方法を提供すること
を目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は上記課題を解決
するために、ＦｅとＢＮをターゲットとして、同時に高
周波スパッタリングすることによりＦｅ基非晶質磁性薄
膜を製造する際に、ベルジャーに対して負になるように
基板に直流電圧を印加して成膜し、しかる後に結晶化温
度以下でかかる磁性薄膜を熱処理することを特徴とする
ものである。
するために、ＦｅとＢＮをターゲットとして、同時に高
周波スパッタリングすることによりＦｅ基非晶質磁性薄
膜を製造する際に、ベルジャーに対して負になるように
基板に直流電圧を印加して成膜し、しかる後に結晶化温
度以下でかかる磁性薄膜を熱処理することを特徴とする
ものである。
【０００７】
【作用】上記手段により、ＦｅとＢＮを同時に高周波ス
パッタして成膜する際に基板に直流の負電圧を印加し、
後に結晶化温度以下で熱処理することによりスパッタ圧
力依存性が極めて小さく優れた軟磁気特性を示すＦｅ／
ＢＮ非晶質薄膜が得られる。
パッタして成膜する際に基板に直流の負電圧を印加し、
後に結晶化温度以下で熱処理することによりスパッタ圧
力依存性が極めて小さく優れた軟磁気特性を示すＦｅ／
ＢＮ非晶質薄膜が得られる。
【０００８】
【実施例】以下図面を参照して本発明の実施例を詳細に
説明する。
説明する。
【０００９】本発明の一実施例は、ＦｅとＢＮをターゲ
ットとして、同時に高周波スパッタリングすることによ
りＦｅ基非晶質磁性薄膜を製造する際に、ベルジャーに
対して負になるように基板に直流電圧を印加して成膜
し、しかる後に結晶化温度以下でかかる磁性薄膜を熱処
理して磁性薄膜を製造するものである。すなわち、基板
に直流の負バイアス電圧を印加しながら成膜した場合、
そのままでは垂直磁気異方性を有するため、３００〜５
００ Ｏｅ程度の磁界でないと飽和せず、軟磁気特性は
得られない。この薄膜を２００℃〜４００℃の結晶化温
度以下の温度で熱処理することにより垂直磁気異方性が
消失し０．１ Ｏｅあるいはそれ以下の保磁力の非常に
優れた軟磁性材料とすることができる。さらに本発明の
方法により作製されるＦｅ／ＢＮ非晶質薄膜は垂直磁気
異方性を消失する温度から結晶化する温度までの広い温
度範囲で磁気特性の変化が少ないため、基板を正あるい
は絶縁した状態で成膜した時に比べて熱安定性の優れた
ものである。
ットとして、同時に高周波スパッタリングすることによ
りＦｅ基非晶質磁性薄膜を製造する際に、ベルジャーに
対して負になるように基板に直流電圧を印加して成膜
し、しかる後に結晶化温度以下でかかる磁性薄膜を熱処
理して磁性薄膜を製造するものである。すなわち、基板
に直流の負バイアス電圧を印加しながら成膜した場合、
そのままでは垂直磁気異方性を有するため、３００〜５
００ Ｏｅ程度の磁界でないと飽和せず、軟磁気特性は
得られない。この薄膜を２００℃〜４００℃の結晶化温
度以下の温度で熱処理することにより垂直磁気異方性が
消失し０．１ Ｏｅあるいはそれ以下の保磁力の非常に
優れた軟磁性材料とすることができる。さらに本発明の
方法により作製されるＦｅ／ＢＮ非晶質薄膜は垂直磁気
異方性を消失する温度から結晶化する温度までの広い温
度範囲で磁気特性の変化が少ないため、基板を正あるい
は絶縁した状態で成膜した時に比べて熱安定性の優れた
ものである。
【００１０】このような効果は基板に直流の負電圧を印
加してはじめて得られるものであるが、成膜中に膜自身
にも電圧が印加されることが好ましい。これは、負電圧
の印加効果はＡｒイオンボンバードメントを制御してい
ると思われ、基板に印加しただけでは効果が不十分にし
か得られない場合があるからである。以下、本発明を具
体的実施例によりさらに詳細に説明する。
加してはじめて得られるものであるが、成膜中に膜自身
にも電圧が印加されることが好ましい。これは、負電圧
の印加効果はＡｒイオンボンバードメントを制御してい
ると思われ、基板に印加しただけでは効果が不十分にし
か得られない場合があるからである。以下、本発明を具
体的実施例によりさらに詳細に説明する。
【００１１】直径４インチの純度が９９．９％のＦｅ円
盤上に被覆率が５０％になるように純度が９９．９％の
ＢＮ板を扇状に設置した複合ターゲットを用いて高周波
スパッタリングすることによりＢＮが分散したＦｅ基非
晶質合金薄膜を作製した。成膜条件は以下の表１のよう
に設定した。 投入電力 ８０Ｗ 基板温度 ２０℃ 基板 コーニング＃７０５９ 厚さ０．５mm 膜圧 ０．５μｍ スパッタガス流量 Ａｒ ３〜２０ＣＣＭ 表１
盤上に被覆率が５０％になるように純度が９９．９％の
ＢＮ板を扇状に設置した複合ターゲットを用いて高周波
スパッタリングすることによりＢＮが分散したＦｅ基非
晶質合金薄膜を作製した。成膜条件は以下の表１のよう
に設定した。 投入電力 ８０Ｗ 基板温度 ２０℃ 基板 コーニング＃７０５９ 厚さ０．５mm 膜圧 ０．５μｍ スパッタガス流量 Ａｒ ３〜２０ＣＣＭ 表１
【００１２】この時、スパッタ圧を３×１０-3〜１×１
０-1Torrまで変化させた。また、本発明の実施例として
基板ホルダーとベルジャー間に基板側が−１５０Ｖとな
るように直流バイアス電圧を印加した。比較例として、
従来と同様に基板および基板ホルダーをベルジャーに対
して絶縁したものも作製した。それぞれの条件を以下の
表２に示す。 基板電圧 スパッタ圧（mTorr) 実施例１ -150 3 実施例２ -150 10 実施例３ -150 30 実施例４ -150 50 実施例５ -150 100 比較例１ 絶縁 3 比較例２ 絶縁 10 比較例３ 絶縁 30 比較例４ 絶縁 50 比較例５ 絶縁 １００ 表２
０-1Torrまで変化させた。また、本発明の実施例として
基板ホルダーとベルジャー間に基板側が−１５０Ｖとな
るように直流バイアス電圧を印加した。比較例として、
従来と同様に基板および基板ホルダーをベルジャーに対
して絶縁したものも作製した。それぞれの条件を以下の
表２に示す。 基板電圧 スパッタ圧（mTorr) 実施例１ -150 3 実施例２ -150 10 実施例３ -150 30 実施例４ -150 50 実施例５ -150 100 比較例１ 絶縁 3 比較例２ 絶縁 10 比較例３ 絶縁 30 比較例４ 絶縁 50 比較例５ 絶縁 １００ 表２
【００１３】これらの試料はすべて下記の測定を行なっ
た後、２×１０−６Ｔｏｒｒ以下の真空中、１kOe の静
磁界を印加しながら４５０℃までの各温度で１時間保持
し熱処理を施した。
た後、２×１０−６Ｔｏｒｒ以下の真空中、１kOe の静
磁界を印加しながら４５０℃までの各温度で１時間保持
し熱処理を施した。
【００１４】得られた試料は理学電気社製Ｘ線回折装置
ＲＡＤ−III Ａにより組織を同定した。磁気特性は、理
研電子社製試料振動型磁力計ＢＨＶ−３０ＳＳにより直
流磁化特性を測定し、直流四端子法により電気比抵抗を
測定した。
ＲＡＤ−III Ａにより組織を同定した。磁気特性は、理
研電子社製試料振動型磁力計ＢＨＶ−３０ＳＳにより直
流磁化特性を測定し、直流四端子法により電気比抵抗を
測定した。
【００１５】はじめに成膜後そのままの状態でスパッタ
圧に対する電気抵抗ρ、飽和磁束密度Ｂｓ、保磁力Ｈｃ
の依存性を本発明の実施例並びに従来の比較例について
それぞれ図１、図２、図３に示す。本発明の実施例の場
合、スパッタ圧が３×１０-3〜１×１０-1Torrまでの間
で電気抵抗ρ、飽和磁束密度Ｂｓ、保磁力Ｈｃにほとん
ど変化がない。一方、従来の比較例の場合、スパッタ圧
が変化すると電気抵抗ρ、飽和磁束密度Ｂｓ、保磁力Ｈ
ｃが大きく変化することがわかる。なお、本発明の実施
例、従来の比較例ともに全ての試料はＸ線回折の結果ブ
ロードなハロー以外になんらのピークも見られず非晶質
相であった。
圧に対する電気抵抗ρ、飽和磁束密度Ｂｓ、保磁力Ｈｃ
の依存性を本発明の実施例並びに従来の比較例について
それぞれ図１、図２、図３に示す。本発明の実施例の場
合、スパッタ圧が３×１０-3〜１×１０-1Torrまでの間
で電気抵抗ρ、飽和磁束密度Ｂｓ、保磁力Ｈｃにほとん
ど変化がない。一方、従来の比較例の場合、スパッタ圧
が変化すると電気抵抗ρ、飽和磁束密度Ｂｓ、保磁力Ｈ
ｃが大きく変化することがわかる。なお、本発明の実施
例、従来の比較例ともに全ての試料はＸ線回折の結果ブ
ロードなハロー以外になんらのピークも見られず非晶質
相であった。
【００１６】しかし、本発明の実施例の場合、電気抵抗
ρ、飽和磁束密度Ｂｓ、保磁力Ｈｃがほとんど変化しな
いが、保磁力Ｈｃが１０ Ｏｅ程度と極めて大きくその
ままでは軟磁性材料として用いることはできない。この
場合、結晶化温度以下の温度で熱処理することにより軟
磁気特性は顕著に改善され、従来の比較例でも最も良好
なもの以上の優れた性能を得ることができる。本発明の
実施例の試料を２×１０-6Torr以下の真空中、１k0e の
静磁界を印加しながら２３０℃で１時間熱処理を施した
時の保磁力Ｈｃのスパッタ圧依存性を図３に併せて示し
た。熱処理により保磁力は極めて小さくなり、従来の比
較例よりも良好な特性が得られた。また、スパッタ圧が
変化しても保磁力はほとんど変わらなかった。
ρ、飽和磁束密度Ｂｓ、保磁力Ｈｃがほとんど変化しな
いが、保磁力Ｈｃが１０ Ｏｅ程度と極めて大きくその
ままでは軟磁性材料として用いることはできない。この
場合、結晶化温度以下の温度で熱処理することにより軟
磁気特性は顕著に改善され、従来の比較例でも最も良好
なもの以上の優れた性能を得ることができる。本発明の
実施例の試料を２×１０-6Torr以下の真空中、１k0e の
静磁界を印加しながら２３０℃で１時間熱処理を施した
時の保磁力Ｈｃのスパッタ圧依存性を図３に併せて示し
た。熱処理により保磁力は極めて小さくなり、従来の比
較例よりも良好な特性が得られた。また、スパッタ圧が
変化しても保磁力はほとんど変わらなかった。
【００１７】さらに、本発明の実施例によるものと従来
の比較例によるものの軟磁気特性の熱処理温度依存性
を、実施例３と比較例３（ともにスパッタ圧３×１０-2
Torr）に対して図４に示す。比較例３の場合、成膜その
ままで保磁力は小さいが熱処理温度が高くなるにつれて
徐々に増大し、４００℃以上で極めて大きくなる。一
方、実施例３の場合は、成膜そのままでは保磁力が大き
いが約２００℃の熱処理により顕著に減少し、４００℃
まで約０．１ Ｏｅと非常に低い値を維持している。す
なわち、本発明の軟磁性化熱処理を施した薄膜は従来の
方法で作製したものに比べて加熱時に特性の変化が少な
く、熱安定性に優れていることがわかる。
の比較例によるものの軟磁気特性の熱処理温度依存性
を、実施例３と比較例３（ともにスパッタ圧３×１０-2
Torr）に対して図４に示す。比較例３の場合、成膜その
ままで保磁力は小さいが熱処理温度が高くなるにつれて
徐々に増大し、４００℃以上で極めて大きくなる。一
方、実施例３の場合は、成膜そのままでは保磁力が大き
いが約２００℃の熱処理により顕著に減少し、４００℃
まで約０．１ Ｏｅと非常に低い値を維持している。す
なわち、本発明の軟磁性化熱処理を施した薄膜は従来の
方法で作製したものに比べて加熱時に特性の変化が少な
く、熱安定性に優れていることがわかる。
【００１８】
【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば電気
抵抗と飽和磁化が共に高い軟磁性薄膜を成膜条件による
特性の変化を少なくして、容易に高性能なものを得るこ
とができる。そのため、性能のばらつきを小さくするこ
とができ、工業的意義は大きい。本発明において、電気
比抵抗はターゲットに用いるＢＮチップの占有率により
制御でき、飽和磁束密度のかねあいから適切な特性を得
ることができる。
抵抗と飽和磁化が共に高い軟磁性薄膜を成膜条件による
特性の変化を少なくして、容易に高性能なものを得るこ
とができる。そのため、性能のばらつきを小さくするこ
とができ、工業的意義は大きい。本発明において、電気
比抵抗はターゲットに用いるＢＮチップの占有率により
制御でき、飽和磁束密度のかねあいから適切な特性を得
ることができる。
【図１】本発明の実施例に係る基板に負の直流バイアス
電圧を印加して作製したＦｅ／ＢＮ分散膜と従来の比較
例に係る基板を絶縁状態で成膜したＦｅ／ＢＮ分散膜に
ついて、成膜後そのままの状態での電気抵抗のスパッタ
圧依存性を示す特性図である。
電圧を印加して作製したＦｅ／ＢＮ分散膜と従来の比較
例に係る基板を絶縁状態で成膜したＦｅ／ＢＮ分散膜に
ついて、成膜後そのままの状態での電気抵抗のスパッタ
圧依存性を示す特性図である。
【図２】本発明の実施例に係る基板に負の直流バイアス
電圧を印加して作製したＦｅ／ＢＮ分散膜と従来の比較
例に係る基板を絶縁状態で成膜したＦｅ／ＢＮ分散膜に
ついて、成膜後そのままの状態での飽和磁束密度のスパ
ッタ圧依存性を示す特性図である。
電圧を印加して作製したＦｅ／ＢＮ分散膜と従来の比較
例に係る基板を絶縁状態で成膜したＦｅ／ＢＮ分散膜に
ついて、成膜後そのままの状態での飽和磁束密度のスパ
ッタ圧依存性を示す特性図である。
【図３】本発明の実施例に係る基板に負の直流バイアス
電圧を印加して作製したＦｅ／ＢＮ分散膜と従来の比較
例に係る基板を絶縁状態で成膜したＦｅ／ＢＮ分散膜に
ついて、成膜後そのままの状態と２×１０-6Torr以下の
真空中、１k0e の静磁界を印加しながら２３０℃で１時
間保持し熱処理を施した時での磁化困難軸方向の保磁力
のスパッタ圧依存性を示す特性図である。
電圧を印加して作製したＦｅ／ＢＮ分散膜と従来の比較
例に係る基板を絶縁状態で成膜したＦｅ／ＢＮ分散膜に
ついて、成膜後そのままの状態と２×１０-6Torr以下の
真空中、１k0e の静磁界を印加しながら２３０℃で１時
間保持し熱処理を施した時での磁化困難軸方向の保磁力
のスパッタ圧依存性を示す特性図である。
【図４】本発明の実施例に係るスパッタ圧を３×１０-2
Torrとし、基板に負の直流バイアス電圧を印加して作製
したＦｅ／ＢＮ分散膜と従来の比較例である基板を絶縁
状態で成膜したＦｅ／ＢＮ分散膜を２×１０-6Torr以下
の真空中、１k0e の静磁界を印加しながら１時間熱処理
を施した時の磁化困難軸方向の保磁力Ｈｃの熱処理温度
依存性を示す特性図である。
Torrとし、基板に負の直流バイアス電圧を印加して作製
したＦｅ／ＢＮ分散膜と従来の比較例である基板を絶縁
状態で成膜したＦｅ／ＢＮ分散膜を２×１０-6Torr以下
の真空中、１k0e の静磁界を印加しながら１時間熱処理
を施した時の磁化困難軸方向の保磁力Ｈｃの熱処理温度
依存性を示す特性図である。
フロントページの続き (72)発明者 大沼 繁弘 宮城県仙台市青葉区南吉成６−６−３ 株 式会社アモルファス・電子デバイス研究所 内 (72)発明者 松本 文夫 宮城県仙台市青葉区南吉成６−６−３ 株 式会社アモルファス・電子デバイス研究所 内 (72)発明者 藤森 啓安 宮城県仙台市青葉区吉成２−20−３ (72)発明者 増本 健 宮城県仙台市青葉区上杉３−８−22
Claims (1)
- 【請求項１】 ＦｅとＢＮをターゲットとして、同時に
高周波スパッタリングすることによりＦｅ基非晶質磁性
薄膜を製造する際に、ベルジャーに対して負になるよう
に基板に直流電圧を印加して成膜し、しかる後に結晶化
温度以下でかかる磁性薄膜を熱処理することを特徴とす
る磁性薄膜の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3518193A JPH06251976A (ja) | 1993-02-24 | 1993-02-24 | 磁性薄膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3518193A JPH06251976A (ja) | 1993-02-24 | 1993-02-24 | 磁性薄膜の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06251976A true JPH06251976A (ja) | 1994-09-09 |
Family
ID=12434683
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3518193A Pending JPH06251976A (ja) | 1993-02-24 | 1993-02-24 | 磁性薄膜の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06251976A (ja) |
-
1993
- 1993-02-24 JP JP3518193A patent/JPH06251976A/ja active Pending
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