JPH06252029A - Ｘ線露光マスクの製造方法 - Google Patents
Ｘ線露光マスクの製造方法Info
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- JPH06252029A JPH06252029A JP6133193A JP6133193A JPH06252029A JP H06252029 A JPH06252029 A JP H06252029A JP 6133193 A JP6133193 A JP 6133193A JP 6133193 A JP6133193 A JP 6133193A JP H06252029 A JPH06252029 A JP H06252029A
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】 膜質が均一で且つ密であり、且つ凹凸の少な
い平坦な反射防止膜をマスクメンブレムの任意の位置に
形成することが出来る、高精度のＸ線露光マスクを製造
し得るＸ線露光マスクの製造方法を提供すること。 【構成】 Ｘ線吸収体と、該Ｘ線吸収体を支持する支持
膜と、該支持膜を支持する支持枠とを有するＸ線マスク
構造体の製造方法において、シリコン基板表面Ｓ１上に
酸化反応によってシリコン酸化膜２″を形成する工程
と、該酸化膜上にＸ線透過性の膜３を形成する工程と、
該Ｘ線透過膜上に所望のＸ線吸収体パターン４を形成す
る工程とを含むことを特徴とするＸ線マスクの製造方
法。
い平坦な反射防止膜をマスクメンブレムの任意の位置に
形成することが出来る、高精度のＸ線露光マスクを製造
し得るＸ線露光マスクの製造方法を提供すること。 【構成】 Ｘ線吸収体と、該Ｘ線吸収体を支持する支持
膜と、該支持膜を支持する支持枠とを有するＸ線マスク
構造体の製造方法において、シリコン基板表面Ｓ１上に
酸化反応によってシリコン酸化膜２″を形成する工程
と、該酸化膜上にＸ線透過性の膜３を形成する工程と、
該Ｘ線透過膜上に所望のＸ線吸収体パターン４を形成す
る工程とを含むことを特徴とするＸ線マスクの製造方
法。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は露光マスク、特に半導体
装置の製造工程において使用されるＸ線露光マスクの製
造方法に関する。
装置の製造工程において使用されるＸ線露光マスクの製
造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】Ｘ線露光において使用されるＸ線露光マ
スク構造体の転写パターン（吸収体パターン）を支持す
る支持膜の特性としては、露光光であるＸ線をよく透過
することが必要とされる。又それと同時に、露光工程に
おいて必須となる、Ｘ線マスクと被露光基板であるウエ
ハとの位置合わせに使用されるライメント光をもよく透
過することが、マスクとウエハとのアライメント精度を
向上させる上で、Ｘ線露光マスクに要求される大切な特
性である。しかしながら、露光マスクを構成する転写パ
ターンを支持する為の支持膜（以降、この膜をマスクメ
ンブレムと呼ぶ）が、露光光及びアライメント光に対
し、同時に望ましい透過率を有することは稀である為、
アライメント光の透過率を向上させる為に、反射防止膜
や反射増加膜をマスクメンブレムに付加するのが一般的
である。又、薄膜であるマスクメンブレム内でのアライ
メント光の多重反射により、マスクメンブレムの膜厚に
よっては、透過光強度が極大値から極小値の範囲で大き
く変動してしまうという問題もある為、この問題点を防
ぐ為にも、露光マスクにおいて反射防止膜等が有用され
ている。
スク構造体の転写パターン（吸収体パターン）を支持す
る支持膜の特性としては、露光光であるＸ線をよく透過
することが必要とされる。又それと同時に、露光工程に
おいて必須となる、Ｘ線マスクと被露光基板であるウエ
ハとの位置合わせに使用されるライメント光をもよく透
過することが、マスクとウエハとのアライメント精度を
向上させる上で、Ｘ線露光マスクに要求される大切な特
性である。しかしながら、露光マスクを構成する転写パ
ターンを支持する為の支持膜（以降、この膜をマスクメ
ンブレムと呼ぶ）が、露光光及びアライメント光に対
し、同時に望ましい透過率を有することは稀である為、
アライメント光の透過率を向上させる為に、反射防止膜
や反射増加膜をマスクメンブレムに付加するのが一般的
である。又、薄膜であるマスクメンブレム内でのアライ
メント光の多重反射により、マスクメンブレムの膜厚に
よっては、透過光強度が極大値から極小値の範囲で大き
く変動してしまうという問題もある為、この問題点を防
ぐ為にも、露光マスクにおいて反射防止膜等が有用され
ている。
【０００３】従来例におけるＸ線露光マスクの製造工程
の第一の態様を、図３の概略図にそって説明する。先
ず、平担且つ凹凸の少ないＳｉウエハをＳｉマスク基板
１として用意する（図３（ａ））。次に、図４に示し
た、例えば、反射防止膜として適するＡｌ2Ｏ3 等の物
質をスパッタ用ターゲット５として用いたＲｆスパッタ
等の成膜技術で、Ｓｉマスク基板１上に適切な膜厚とな
る様に付着させ、反射防止膜２を形成する（図３（ｂ）
図示）。次に、マスクメンブレム３として、例えば、Ｓ
ｉＮ又はＳｉＣ等から成る膜を、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃ
ａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法で、上記
の反射防止膜２の上に成膜し、更にその上に、Ａｕ、Ｔ
ａ及びＷ等の重金属から成るＸ線吸収膜４を蒸着する
（図３（ｃ）図示）。次に、ＥＢレジストを用いたフォ
トリソグラフィー技術によって、上記のＸ線吸収膜４に
所望のパターンをパターニングする（図３（ｄ）図
示）。次に、Ｓｉマスク基板１を、Ｘ線吸収膜４に対し
反対側から、水酸化カリウム水溶液等のエッチング液を
用いてバックエッチして、反射防止膜２を含むマスクメ
ンブレム３からＳｉを取り除き、マスク基板１’とする
（図３（ｅ）図示）。以上の様な一般的な工程を経て、
反射防止膜を含むＸ線露光マスクが一般的に作成され
る。
の第一の態様を、図３の概略図にそって説明する。先
ず、平担且つ凹凸の少ないＳｉウエハをＳｉマスク基板
１として用意する（図３（ａ））。次に、図４に示し
た、例えば、反射防止膜として適するＡｌ2Ｏ3 等の物
質をスパッタ用ターゲット５として用いたＲｆスパッタ
等の成膜技術で、Ｓｉマスク基板１上に適切な膜厚とな
る様に付着させ、反射防止膜２を形成する（図３（ｂ）
図示）。次に、マスクメンブレム３として、例えば、Ｓ
ｉＮ又はＳｉＣ等から成る膜を、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃ
ａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法で、上記
の反射防止膜２の上に成膜し、更にその上に、Ａｕ、Ｔ
ａ及びＷ等の重金属から成るＸ線吸収膜４を蒸着する
（図３（ｃ）図示）。次に、ＥＢレジストを用いたフォ
トリソグラフィー技術によって、上記のＸ線吸収膜４に
所望のパターンをパターニングする（図３（ｄ）図
示）。次に、Ｓｉマスク基板１を、Ｘ線吸収膜４に対し
反対側から、水酸化カリウム水溶液等のエッチング液を
用いてバックエッチして、反射防止膜２を含むマスクメ
ンブレム３からＳｉを取り除き、マスク基板１’とする
（図３（ｅ）図示）。以上の様な一般的な工程を経て、
反射防止膜を含むＸ線露光マスクが一般的に作成され
る。
【０００４】図５は従来例の第二の態様のＸ線露光マス
クの製造工程を示す概略図である。一般的に、アライメ
ント光を良好に透過させる為に設けられている反射防止
膜２は、露光光に対しては露光光のＸ線透過率を低下さ
せてしまう為、マスクメンブレム３に対し、アライメン
トマークのある部分のみに反射防止膜を作り、露光光の
通る部分には反射防止膜がない様にＸ線露光マスクを作
ることもある。第二の従来例は、この様な場合のＸ線露
光マスクの製造工程である。先ず、Ｓｉマスク基板１上
に、マスクメンブレム３、Ｘ線吸収膜４を成膜した後、
Ｘ線吸収膜４をパターニングする（図５（ａ）〜（ｃ）
図示）。ここで、Ｘ線吸収膜４１はアライメントパター
ンであり、Ｘ線吸収膜４２はウエハに露光すべき半導体
集積回路等のいわゆるＩＣパターンである。次に、マス
クメンブレム３のＸ線吸収膜４１及び４２に対して、反
対側より従来例２における反射防止膜２’を、Ｒｆスパ
ッタ法等で付着させ、しかる後に、反射防止膜２’をパ
ターニングする為のフォトレジスト６を付着させる（図
５（ｄ）図示）。次に、フォトレジスト６をパターニン
グし（図５（ｅ）図示）、このパターニングしたフォト
レジスト６を用いて、アライメント用のパターンとして
用いられるＸ線吸収膜４１の部分にのみに反射防止膜
２’を残す（図５（ｆ）図示）。
クの製造工程を示す概略図である。一般的に、アライメ
ント光を良好に透過させる為に設けられている反射防止
膜２は、露光光に対しては露光光のＸ線透過率を低下さ
せてしまう為、マスクメンブレム３に対し、アライメン
トマークのある部分のみに反射防止膜を作り、露光光の
通る部分には反射防止膜がない様にＸ線露光マスクを作
ることもある。第二の従来例は、この様な場合のＸ線露
光マスクの製造工程である。先ず、Ｓｉマスク基板１上
に、マスクメンブレム３、Ｘ線吸収膜４を成膜した後、
Ｘ線吸収膜４をパターニングする（図５（ａ）〜（ｃ）
図示）。ここで、Ｘ線吸収膜４１はアライメントパター
ンであり、Ｘ線吸収膜４２はウエハに露光すべき半導体
集積回路等のいわゆるＩＣパターンである。次に、マス
クメンブレム３のＸ線吸収膜４１及び４２に対して、反
対側より従来例２における反射防止膜２’を、Ｒｆスパ
ッタ法等で付着させ、しかる後に、反射防止膜２’をパ
ターニングする為のフォトレジスト６を付着させる（図
５（ｄ）図示）。次に、フォトレジスト６をパターニン
グし（図５（ｅ）図示）、このパターニングしたフォト
レジスト６を用いて、アライメント用のパターンとして
用いられるＸ線吸収膜４１の部分にのみに反射防止膜
２’を残す（図５（ｆ）図示）。
【０００５】図６は、従来例の第三の態様を示し、Ｓｉ
マスク基板１の表面に対し、Ｘ線吸収膜４１及び４２と
同じ側に反射防止膜２¨がくるようにした場合のＸ線露
光マスクの製造工程の概略図である。図６において、先
ず、Ｓｉマスク基板１上に、反射防止膜２¨をＲｆスパ
ッタリング法等で付着させる（図６（ｂ）図示）。次
に、フォトレジスト６を付着させて、所望のパターニン
グを施す（図６（ｃ）図示）。次に、フォトレジスト６
を用いて、反射防止膜２¨を、アライメントマークがパ
ターニングされる部分だけを残して取り除く（図６
（ｄ）図示）。次に、この上にマスクメンブレム３とな
るＳｉＮ膜又はＳｉＣ膜等を、ＣＶＤ法等を用いて成膜
する（図６（ｅ）図示）。次に、マスクメンブレム３の
上に、Ｘ線吸収膜４１及び４２をパターニングし（図６
（ｆ）図示）、Ｓｉマスク基板１をバックエッチングし
基板１’とする（図６（ｇ）図示）。
マスク基板１の表面に対し、Ｘ線吸収膜４１及び４２と
同じ側に反射防止膜２¨がくるようにした場合のＸ線露
光マスクの製造工程の概略図である。図６において、先
ず、Ｓｉマスク基板１上に、反射防止膜２¨をＲｆスパ
ッタリング法等で付着させる（図６（ｂ）図示）。次
に、フォトレジスト６を付着させて、所望のパターニン
グを施す（図６（ｃ）図示）。次に、フォトレジスト６
を用いて、反射防止膜２¨を、アライメントマークがパ
ターニングされる部分だけを残して取り除く（図６
（ｄ）図示）。次に、この上にマスクメンブレム３とな
るＳｉＮ膜又はＳｉＣ膜等を、ＣＶＤ法等を用いて成膜
する（図６（ｅ）図示）。次に、マスクメンブレム３の
上に、Ｘ線吸収膜４１及び４２をパターニングし（図６
（ｆ）図示）、Ｓｉマスク基板１をバックエッチングし
基板１’とする（図６（ｇ）図示）。
【０００６】
【発明が解決しようとしている課題】しかしながら、上
記した第一の態様の従来例においては、図３（ｂ）に示
す様に、反射防止膜２を、膜の表面に凹凸部分が発生し
易く膜厚の制御も困難なＲｆスパッタ等の成膜方法で形
成している為、図３（ｃ）に示す様に、該反射防止膜２
の上層にＣＶＤ等で成膜されるマスクメンブレム３表面
にも凹凸部分が発生し、且つ膜厚の均一性を保つのが困
難であるという問題があった。又、第二の態様の従来例
においては、図５（ｃ）〜（ｆ）に示す様に、アライメ
ントマーク４１の部分にのみに反射防止膜２を形成する
様な選択的な加工を施す場合には、マスク基板１をバッ
クエッチした後に複数のプロセスをマスク基板１’を残
したまま行う必要があり、且つマスクメンブレム３が２
〜３μｍと薄いことと相まって、高精度のＸ線露光マス
クの形成においては好ましい加工方法ではなかった。
記した第一の態様の従来例においては、図３（ｂ）に示
す様に、反射防止膜２を、膜の表面に凹凸部分が発生し
易く膜厚の制御も困難なＲｆスパッタ等の成膜方法で形
成している為、図３（ｃ）に示す様に、該反射防止膜２
の上層にＣＶＤ等で成膜されるマスクメンブレム３表面
にも凹凸部分が発生し、且つ膜厚の均一性を保つのが困
難であるという問題があった。又、第二の態様の従来例
においては、図５（ｃ）〜（ｆ）に示す様に、アライメ
ントマーク４１の部分にのみに反射防止膜２を形成する
様な選択的な加工を施す場合には、マスク基板１をバッ
クエッチした後に複数のプロセスをマスク基板１’を残
したまま行う必要があり、且つマスクメンブレム３が２
〜３μｍと薄いことと相まって、高精度のＸ線露光マス
クの形成においては好ましい加工方法ではなかった。
【０００７】更に、第三の態様の従来例においては、マ
スク基板１をバックエッチする前にアライメントマーク
の下のみに反射防止膜２¨を形成する等、選択的な成膜
をする場合には、図６（ｅ）に示した様に、反射防止膜
２¨を付けた部分でマスクメンブレム３が盛り上がり、
Ｓｉマスク基板１とマスクメンブレム３との境界面７
を、マスクメンブレム３の膜厚を測定する場合の基準面
とした時場合に、反射防止膜２¨付近の膜厚ｈ’と、反
射防止膜のない部分の膜厚ｈとの間に差が生じるという
欠点があった。更に、反射防止膜２¨の近傍におけるマ
スクメンブレム３の厚みが薄くなったり、形状が反射防
止膜の２¨によって複雑になったりすることにより、マ
スクメンブレム３の強度が局所的に弱くなるという問題
点があった。従って、本発明の目的は、上記の従来技術
の問題点を解決し、膜質が均一で且つ密であり、且つ凹
凸の少ない平坦な反射防止膜をマスクメンブレムの任意
の位置に形成することが出来る、高精度のＸ線露光マス
クを製造し得るＸ線露光マスクの製造方法を提供するこ
とにある。
スク基板１をバックエッチする前にアライメントマーク
の下のみに反射防止膜２¨を形成する等、選択的な成膜
をする場合には、図６（ｅ）に示した様に、反射防止膜
２¨を付けた部分でマスクメンブレム３が盛り上がり、
Ｓｉマスク基板１とマスクメンブレム３との境界面７
を、マスクメンブレム３の膜厚を測定する場合の基準面
とした時場合に、反射防止膜２¨付近の膜厚ｈ’と、反
射防止膜のない部分の膜厚ｈとの間に差が生じるという
欠点があった。更に、反射防止膜２¨の近傍におけるマ
スクメンブレム３の厚みが薄くなったり、形状が反射防
止膜の２¨によって複雑になったりすることにより、マ
スクメンブレム３の強度が局所的に弱くなるという問題
点があった。従って、本発明の目的は、上記の従来技術
の問題点を解決し、膜質が均一で且つ密であり、且つ凹
凸の少ない平坦な反射防止膜をマスクメンブレムの任意
の位置に形成することが出来る、高精度のＸ線露光マス
クを製造し得るＸ線露光マスクの製造方法を提供するこ
とにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記の目的は下記の本発
明によって達成される。即ち、本発明は、Ｘ線吸収体
と、該Ｘ線吸収体を支持する支持膜と、該支持膜を支持
する支持枠とを有するＸ線マスク構造体の製造方法にお
いて、シリコン基板表面上に酸化反応によってシリコン
酸化膜を形成する工程と、該酸化膜上にＸ線透過性の膜
を形成する工程と、該Ｘ線透過膜上に所望のＸ線吸収体
パターンを形成する工程とを含むことを特徴とするＸ線
マスクの製造方法である。
明によって達成される。即ち、本発明は、Ｘ線吸収体
と、該Ｘ線吸収体を支持する支持膜と、該支持膜を支持
する支持枠とを有するＸ線マスク構造体の製造方法にお
いて、シリコン基板表面上に酸化反応によってシリコン
酸化膜を形成する工程と、該酸化膜上にＸ線透過性の膜
を形成する工程と、該Ｘ線透過膜上に所望のＸ線吸収体
パターンを形成する工程とを含むことを特徴とするＸ線
マスクの製造方法である。
【０００９】
【作用】本発明によれば、半導体装置の製造工程におい
て使用されるＸ線露光マスクの製造方法において、Ｘ線
露光マスクに用いられるマスク基板の一部を化学反応さ
せ、光学特性を変化させることによる反射防止膜を形成
する工程を加えることにより、凹凸部分が少なく且つ膜
厚が均一な反射防止膜が形成される。又、本発明のＸ線
露光マスクの製造方法によれば、反射防止膜に選択的な
加工を加えることも容易となる為、凹凸部分が少なく且
つ膜厚が均一な反射防止膜が任意の位置に形成される。
て使用されるＸ線露光マスクの製造方法において、Ｘ線
露光マスクに用いられるマスク基板の一部を化学反応さ
せ、光学特性を変化させることによる反射防止膜を形成
する工程を加えることにより、凹凸部分が少なく且つ膜
厚が均一な反射防止膜が形成される。又、本発明のＸ線
露光マスクの製造方法によれば、反射防止膜に選択的な
加工を加えることも容易となる為、凹凸部分が少なく且
つ膜厚が均一な反射防止膜が任意の位置に形成される。
【００１０】
【実施例】次に、好ましい実施例を挙げて、本発明を更
に詳細に説明する。 実施例１ 図１は、本発明の第一の実施例を示す図である。先ず、
マスク基板１として、半導体装置の製造工程において使
用される様な、表面が研磨され且つ表面の凹凸が小さ
い、いわゆる鏡面と呼ばれる面Ｓ１を有するＳｉウエハ
を用いる（図１（ａ））。次に、上記Ｓｉマスク基板１
の表面を、６００〜１１００℃程の高温プロセスで熱酸
化することによって、Ｓｉ基板を酸素Ｏ2 と化学反応さ
せ、Ｓｉマスク基板１の表面に、一定の厚さの酸化膜
２”を形成させる（図１（ｂ））。
に詳細に説明する。 実施例１ 図１は、本発明の第一の実施例を示す図である。先ず、
マスク基板１として、半導体装置の製造工程において使
用される様な、表面が研磨され且つ表面の凹凸が小さ
い、いわゆる鏡面と呼ばれる面Ｓ１を有するＳｉウエハ
を用いる（図１（ａ））。次に、上記Ｓｉマスク基板１
の表面を、６００〜１１００℃程の高温プロセスで熱酸
化することによって、Ｓｉ基板を酸素Ｏ2 と化学反応さ
せ、Ｓｉマスク基板１の表面に、一定の厚さの酸化膜
２”を形成させる（図１（ｂ））。
【００１１】この様な高温での熱酸化によって得られた
ＳｉＯ2 膜２”は、Ｓｉマスク基板１の表面が鏡面状態
になっていることと相まって、一般的なＳｉＯ2 膜の成
膜方法である低温でのＲｆスパッタ法で作られたＳｉＯ
2 膜に比べ、膜質が均一で且つ密であり、更に表面の凹
凸が小さくなる。更に、膜厚を均一に制御することも容
易に出来る。よってこの酸化膜の上に、ＳｉＣやＳｉＮ
等でマスクメンブレム３を成膜した場合、該マスクメン
ブレム３の膜厚も均一であり、且つ凹凸が小さくなる
等、熱酸化により得られたＳｉＯ2 膜２”は、Ｘ線露光
マスクの製造において、好ましい形状を有する。
ＳｉＯ2 膜２”は、Ｓｉマスク基板１の表面が鏡面状態
になっていることと相まって、一般的なＳｉＯ2 膜の成
膜方法である低温でのＲｆスパッタ法で作られたＳｉＯ
2 膜に比べ、膜質が均一で且つ密であり、更に表面の凹
凸が小さくなる。更に、膜厚を均一に制御することも容
易に出来る。よってこの酸化膜の上に、ＳｉＣやＳｉＮ
等でマスクメンブレム３を成膜した場合、該マスクメン
ブレム３の膜厚も均一であり、且つ凹凸が小さくなる
等、熱酸化により得られたＳｉＯ2 膜２”は、Ｘ線露光
マスクの製造において、好ましい形状を有する。
【００１２】更に、上記の様に、Ｓｉマスク基板である
Ｓｉを酸化反応させてＳｉＯ2 膜２”にすると、光学特
性が変化する。例えば、屈折率は約１．５になり、又、
一般にアライメント光として用いられる可視光に対して
透明である。そして、この酸化膜は上記した様に、膜質
や膜厚を均一に制御し易い為、反射防止膜２”としての
光学特性の均一性にも優れている。ここで、酸化膜２”
を、マスクメンブレム３の反射防止膜として利用する場
合には、その厚さｔ、アライメント光の波長をλ、酸化
膜２”及びマスク近傍の雰囲気中のアライメント光に対
する屈折率を夫々ｎ1 、ｎ2 とした時、ｔ＝λ／４（ｎ
1 −ｎ2 ）とすることがアライメント光の反射防止の観
点から好ましい。本実施例においては、酸化反応によっ
て反射防止膜２”を形成した後、マスクメンブレン３を
ＣＶＤ法等により成膜し、その上にＸ線吸収膜４を、Ｘ
線を良好に吸収するＡｕ及びＴｉ等の物質により成膜す
る（図１（ｃ））。
Ｓｉを酸化反応させてＳｉＯ2 膜２”にすると、光学特
性が変化する。例えば、屈折率は約１．５になり、又、
一般にアライメント光として用いられる可視光に対して
透明である。そして、この酸化膜は上記した様に、膜質
や膜厚を均一に制御し易い為、反射防止膜２”としての
光学特性の均一性にも優れている。ここで、酸化膜２”
を、マスクメンブレム３の反射防止膜として利用する場
合には、その厚さｔ、アライメント光の波長をλ、酸化
膜２”及びマスク近傍の雰囲気中のアライメント光に対
する屈折率を夫々ｎ1 、ｎ2 とした時、ｔ＝λ／４（ｎ
1 −ｎ2 ）とすることがアライメント光の反射防止の観
点から好ましい。本実施例においては、酸化反応によっ
て反射防止膜２”を形成した後、マスクメンブレン３を
ＣＶＤ法等により成膜し、その上にＸ線吸収膜４を、Ｘ
線を良好に吸収するＡｕ及びＴｉ等の物質により成膜す
る（図１（ｃ））。
【００１３】以上、図１を用いて、Ｓｉマスク基板の反
射防止膜の場合について述べたが、ここで酸化により得
られた反射防止膜２”の厚さを、ｔ＝λ／４（ｎ1 −ｎ
2 ）からｔ＝λ／２（ｎ1 −ｎ2 ）に変えることによ
り、本実施例で示した反射防止膜２”と同様に、光学特
性の優れた反射増加膜を形成することが可能である。
尚、図１において、１はＳｉウエハを用いたＳｉマスク
基板であり、ＳｌはＳｉマスク基板の１の表面で、表面
の凹凸が数１０Å以下程度に小さくなる様に研磨された
ウエハ鏡面である。又、２”はＳｉマスク基板１の鏡面
Ｓｌを酸化することにより得られた反射防止膜であり、
３は、アライメントパターンやＩＣパターン等を保持す
る為の薄膜であるマスクメンブレムである。更に、４は
アライメントパターンやＩＣパターンを形成する為のＸ
線吸収膜である。
射防止膜の場合について述べたが、ここで酸化により得
られた反射防止膜２”の厚さを、ｔ＝λ／４（ｎ1 −ｎ
2 ）からｔ＝λ／２（ｎ1 −ｎ2 ）に変えることによ
り、本実施例で示した反射防止膜２”と同様に、光学特
性の優れた反射増加膜を形成することが可能である。
尚、図１において、１はＳｉウエハを用いたＳｉマスク
基板であり、ＳｌはＳｉマスク基板の１の表面で、表面
の凹凸が数１０Å以下程度に小さくなる様に研磨された
ウエハ鏡面である。又、２”はＳｉマスク基板１の鏡面
Ｓｌを酸化することにより得られた反射防止膜であり、
３は、アライメントパターンやＩＣパターン等を保持す
る為の薄膜であるマスクメンブレムである。更に、４は
アライメントパターンやＩＣパターンを形成する為のＸ
線吸収膜である。
【００１４】実施例２ 図２は、本発明の第２の実施例を示す図である。同図に
於いて、１’はＳｉマスク基板１をバックエッチした後
のＳｉマスク基板である。又、２¨は、Ｓｉマスク基板
の一部を部分的に酸化することによって形成された反射
防止膜である。４１は、Ｘ線吸収体４等により形成され
たアライメントパターンであり、一方、４２はＩＣパタ
ーンである。６は半導体プロセスに用いるフォトレジス
トである。先ず、本実施例も実施例１と同様に、鏡面Ｓ
ｌを有するＳｉマスク基板１をマスク基板として用いる
（図２（ａ））。次に、Ｓｉマスク基板上にフォトレジ
スト６を塗布した後、露光工程を通してパターニングす
る（図２（ｂ））。次に、熱酸化等の方法で、Ｓｉマス
ク基板１をフォトレジストのない開口部のみ酸化し、Ｓ
ｉマスク基板１上に部分的な酸化により形成された反射
防止膜２¨を形成する。この時、形成される酸化膜は、
実施例１においても述べた様に、膜質及び膜厚が均一で
ある。更に、反射防止膜２¨の膜厚ｔを、ｔ＝λ／４
（ｎ1 −ｎ2 ）又はｔ＝λ／２（ｎ1 −ｎ2 ）のいずれ
かを選ぶことにより、良質な反射防止膜又は反射増加膜
とすることが出来る（図２（ｃ））。次に、フォトレジ
スト６を剥離した後、マスクメンブレム３及びＸ線吸収
膜４を付着させる（図２（ｄ））。次に、Ｘ線吸収膜４
にパターニングを行い、アライメントパターン４１及び
ＩＣパターン４２を形成する（図２（ｅ））。本実施例
においては、反射防止膜２¨は、アライメント光に対す
る反射防止又は反射増加の目的で形成させる為、反射防
止膜２¨はアライメントパターン４１の位置にのみ一致
して形成される。次に、Ｓｉマスク基板１をアライメン
トパターン４１の反射側からバックエッチすることによ
り、マスクメンブレム３は、バックエッチされたＳｉマ
スク基板１’により保持される。
於いて、１’はＳｉマスク基板１をバックエッチした後
のＳｉマスク基板である。又、２¨は、Ｓｉマスク基板
の一部を部分的に酸化することによって形成された反射
防止膜である。４１は、Ｘ線吸収体４等により形成され
たアライメントパターンであり、一方、４２はＩＣパタ
ーンである。６は半導体プロセスに用いるフォトレジス
トである。先ず、本実施例も実施例１と同様に、鏡面Ｓ
ｌを有するＳｉマスク基板１をマスク基板として用いる
（図２（ａ））。次に、Ｓｉマスク基板上にフォトレジ
スト６を塗布した後、露光工程を通してパターニングす
る（図２（ｂ））。次に、熱酸化等の方法で、Ｓｉマス
ク基板１をフォトレジストのない開口部のみ酸化し、Ｓ
ｉマスク基板１上に部分的な酸化により形成された反射
防止膜２¨を形成する。この時、形成される酸化膜は、
実施例１においても述べた様に、膜質及び膜厚が均一で
ある。更に、反射防止膜２¨の膜厚ｔを、ｔ＝λ／４
（ｎ1 −ｎ2 ）又はｔ＝λ／２（ｎ1 −ｎ2 ）のいずれ
かを選ぶことにより、良質な反射防止膜又は反射増加膜
とすることが出来る（図２（ｃ））。次に、フォトレジ
スト６を剥離した後、マスクメンブレム３及びＸ線吸収
膜４を付着させる（図２（ｄ））。次に、Ｘ線吸収膜４
にパターニングを行い、アライメントパターン４１及び
ＩＣパターン４２を形成する（図２（ｅ））。本実施例
においては、反射防止膜２¨は、アライメント光に対す
る反射防止又は反射増加の目的で形成させる為、反射防
止膜２¨はアライメントパターン４１の位置にのみ一致
して形成される。次に、Ｓｉマスク基板１をアライメン
トパターン４１の反射側からバックエッチすることによ
り、マスクメンブレム３は、バックエッチされたＳｉマ
スク基板１’により保持される。
【００１５】本実施例においては、Ｓｉウエハ基板１を
バックエッチする以前に、反射防止膜２¨を形成する為
に、Ｓｉウエハ基板１を先にバックエッチして残った、
２〜３μｍ厚の薄く且つ強度の弱いマスクメンブレム３
に直接反射防止膜を付着させる従来例の場合に比べて、
マスクメンブレム３を変形させることなく、反射防止膜
２¨を選択的に形成することが可能となる。又、反射防
止膜２¨の表面が、ウエハ鏡面Ｓｌの平担さに対応して
平担に形成することが可能である。
バックエッチする以前に、反射防止膜２¨を形成する為
に、Ｓｉウエハ基板１を先にバックエッチして残った、
２〜３μｍ厚の薄く且つ強度の弱いマスクメンブレム３
に直接反射防止膜を付着させる従来例の場合に比べて、
マスクメンブレム３を変形させることなく、反射防止膜
２¨を選択的に形成することが可能となる。又、反射防
止膜２¨の表面が、ウエハ鏡面Ｓｌの平担さに対応して
平担に形成することが可能である。
【００１６】更に、図２（ｃ）に示す様に、本実施例に
おいては、反射防止膜２¨を、Ｓｉ基板１の中に、基板
表面の形状を変えることなく埋め込まれたかの様に形成
可能な為、図２（ｄ）に示す様に、マスクメンブレム３
を付着させる面全体が平担である。従って、図２（ｆ）
に示す様に、従来例と異なり本発明のＸ線露光マスク
は、マスクメンブレム３の膜厚ｈが、反射防止膜２¨の
近傍でのマスクメンブレム３の膜厚ｈ’と変化なく均一
に保つことが出来る為、アライメントパターン４１やＩ
Ｃパターン４２が形成されているマスクメンブレム３の
領域全搬に渡って、膜厚や膜質が一定であり、本発明の
Ｘ線露光マスクを露光用ウエハと対向させた場合に、マ
スクとウエハ間のギャップ量を均一に保つことも可能と
なる。
おいては、反射防止膜２¨を、Ｓｉ基板１の中に、基板
表面の形状を変えることなく埋め込まれたかの様に形成
可能な為、図２（ｄ）に示す様に、マスクメンブレム３
を付着させる面全体が平担である。従って、図２（ｆ）
に示す様に、従来例と異なり本発明のＸ線露光マスク
は、マスクメンブレム３の膜厚ｈが、反射防止膜２¨の
近傍でのマスクメンブレム３の膜厚ｈ’と変化なく均一
に保つことが出来る為、アライメントパターン４１やＩ
Ｃパターン４２が形成されているマスクメンブレム３の
領域全搬に渡って、膜厚や膜質が一定であり、本発明の
Ｘ線露光マスクを露光用ウエハと対向させた場合に、マ
スクとウエハ間のギャップ量を均一に保つことも可能と
なる。
【００１７】
【発明の効果】以上説明した様に、本発明のＸ線露光マ
スクの製造方法では、マスク基板であるシリコン基板表
面上に酸化反応によってシリコン酸化膜を形成する工程
を有する為、シリコン基板の光学特性が変化し、該シリ
コン基板の上に反射防止膜を形成することにより、膜質
が均一で且つ密であり、且つ凹凸の少ない平坦な反射防
止膜をマスクメンブレムの任意の位置に形成できる結
果、高精度のＸ線露光マスクが形成される。
スクの製造方法では、マスク基板であるシリコン基板表
面上に酸化反応によってシリコン酸化膜を形成する工程
を有する為、シリコン基板の光学特性が変化し、該シリ
コン基板の上に反射防止膜を形成することにより、膜質
が均一で且つ密であり、且つ凹凸の少ない平坦な反射防
止膜をマスクメンブレムの任意の位置に形成できる結
果、高精度のＸ線露光マスクが形成される。
【図１】図１は本発明の第一の実施例を示す図である。
【図２】図２は第二の実施例を示す図である。
【図３】図３は第一の従来例を示す図である。
【図４】図４はスパッタ法の概略を示す図である。
【図５】図５は第二の従来例を示す図である。
【図６】図６は第三の従来例を示す図である。
Ｓｌ：ウエハ鏡面 １：Ｓｉマスク基板 １’：バックエッチされたＳｉマスク基板 ２：付着された反射防止膜 ２’：スパッタ法で付着した反射防止膜 ２”：酸化により形成された反射防止膜 ２¨：部分的な酸化により形成された反射防止膜 ３：マスクメンブレム ４：Ｘ線吸収膜 ４１：アライメントパターン ４２：ＩＣパターン ５：スパッタ用ターゲット ６：フォトレジスト ７：Ｓｉマスク基板とマスクメンブレムの境界面 ｈ：マスクメンブレムの膜厚 ｈ’：反射防止膜近傍のマスクメンブレムの膜厚
Claims (2)
- 【請求項１】 Ｘ線吸収体と、該Ｘ線吸収体を支持する
支持膜と、該支持膜を支持する支持枠とを有するＸ線マ
スク構造体の製造方法において、シリコン基板表面上に
酸化反応によってシリコン酸化膜を形成する工程と、該
酸化膜上にＸ線透過性の膜を形成する工程と、該Ｘ線透
過膜上に所望のＸ線吸収体パターンを形成する工程とを
含むことを特徴とするＸ線マスクの製造方法。 - 【請求項２】 シリコン酸化膜を形成する工程におい
て、シリコン酸化膜の膜厚をＸ線露光装置中のＸ線マス
ク構造体と被露光基板との位置合わせに使用するアライ
メント光学系のアライメント光の波長に対して所望の反
射率を有する様に調整して形成する請求項１に記載のＸ
線マスク構造体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6133193A JPH06252029A (ja) | 1993-02-26 | 1993-02-26 | Ｘ線露光マスクの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6133193A JPH06252029A (ja) | 1993-02-26 | 1993-02-26 | Ｘ線露光マスクの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06252029A true JPH06252029A (ja) | 1994-09-09 |
Family
ID=13168054
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6133193A Pending JPH06252029A (ja) | 1993-02-26 | 1993-02-26 | Ｘ線露光マスクの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06252029A (ja) |
-
1993
- 1993-02-26 JP JP6133193A patent/JPH06252029A/ja active Pending
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