JPH06252489A - 外部共振器レーザ - Google Patents
外部共振器レーザInfo
- Publication number
- JPH06252489A JPH06252489A JP6277993A JP6277993A JPH06252489A JP H06252489 A JPH06252489 A JP H06252489A JP 6277993 A JP6277993 A JP 6277993A JP 6277993 A JP6277993 A JP 6277993A JP H06252489 A JPH06252489 A JP H06252489A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- laser
- semiconductor laser
- wavelength
- diffraction grating
- light
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 31
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 4
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 230000001427 coherent effect Effects 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Lasers (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体レーザに回折格子からの回折光が戻る
際の半導体レーザに戻る戻り光量の低下を最小限に押
え、かつ半導体レーザへ戻る波長の波長分解能を上げる
ことにより性能の向上をはかった外部共振器レーザを提
供する。 【構成】 半導体レーザ１と半導体レーザ１に施された
反射防止膜２と、半導体レーザから出射されたレーザ光
を平行光とするコリメートレンズ３と、平行光とされた
レーザ光を波長毎に分散させる回折格子４と、分散され
たレーザ光の波長のうち所望の波長λに対して垂直に配
置されたミラー５とを配置した構造とする。
際の半導体レーザに戻る戻り光量の低下を最小限に押
え、かつ半導体レーザへ戻る波長の波長分解能を上げる
ことにより性能の向上をはかった外部共振器レーザを提
供する。 【構成】 半導体レーザ１と半導体レーザ１に施された
反射防止膜２と、半導体レーザから出射されたレーザ光
を平行光とするコリメートレンズ３と、平行光とされた
レーザ光を波長毎に分散させる回折格子４と、分散され
たレーザ光の波長のうち所望の波長λに対して垂直に配
置されたミラー５とを配置した構造とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、コヒーレント光通
信、光通信用測定器等に使用される光源である外部共振
器レーザについてのものである。
信、光通信用測定器等に使用される光源である外部共振
器レーザについてのものである。
【０００２】
【従来の技術】つぎに、従来技術による外部共振器レー
ザの構成を図２に示す。図２の１は半導体レーザ、２は
反射防止膜、３はコリメートレンズ、４は回折格子であ
る。
ザの構成を図２に示す。図２の１は半導体レーザ、２は
反射防止膜、３はコリメートレンズ、４は回折格子であ
る。
【０００３】図２で、半導体レーザ１の反射防止膜２が
施された面から出射されたレーザ光は、コリメートレン
ズ３により平行光にされ、回折格子４へ入射する。回折
格子４に入射したレーザ光はその波長により異なった角
度で回折を起こす。回折を起こしたレーザ光のうち所望
の波長λがコリメートレンズ３を通して再び半導体レー
ザ１に再入射するように回折格子４の角度を調整する
と、所望の波長以外の波長（例えばλ１）は半導体レー
ザ１に戻ることなく外部共振器レーザは、所望の波長λ
で発振させることができる。
施された面から出射されたレーザ光は、コリメートレン
ズ３により平行光にされ、回折格子４へ入射する。回折
格子４に入射したレーザ光はその波長により異なった角
度で回折を起こす。回折を起こしたレーザ光のうち所望
の波長λがコリメートレンズ３を通して再び半導体レー
ザ１に再入射するように回折格子４の角度を調整する
と、所望の波長以外の波長（例えばλ１）は半導体レー
ザ１に戻ることなく外部共振器レーザは、所望の波長λ
で発振させることができる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】外部共振器レーザの波
長分解能は、レーザ光が含んでいる波長が回折格子４に
より回折するときの所望の波長λとそのほかの波長（例
えばλ１）の回折角の大きさにより決定される。すなわ
ち、回折格子４によってレーザ光が回折を起すとき各波
長に対しての回折角の差が大きければ外部共振器の波長
分解能を高めることができる。
長分解能は、レーザ光が含んでいる波長が回折格子４に
より回折するときの所望の波長λとそのほかの波長（例
えばλ１）の回折角の大きさにより決定される。すなわ
ち、回折格子４によってレーザ光が回折を起すとき各波
長に対しての回折角の差が大きければ外部共振器の波長
分解能を高めることができる。
【０００５】しかし従来の外部共振器レーザの構成で
は、波長間の回折角の差を大きくとるために２次の回折
光を利用した回折格子を使用したり、コリメートレンズ
の焦点距離を大きくとることにより、回折格子から半導
体レーザへ回折光が入射する際の、波長間での結合効率
を調節していた。このような構成では、波長分解能を高
めることで、所望の波長λが半導体レーザに戻る戻り光
量が低下し、外部共振器レーザの光出力が低下しまた波
長可変幅が狭くなる。
は、波長間の回折角の差を大きくとるために２次の回折
光を利用した回折格子を使用したり、コリメートレンズ
の焦点距離を大きくとることにより、回折格子から半導
体レーザへ回折光が入射する際の、波長間での結合効率
を調節していた。このような構成では、波長分解能を高
めることで、所望の波長λが半導体レーザに戻る戻り光
量が低下し、外部共振器レーザの光出力が低下しまた波
長可変幅が狭くなる。
【０００６】この発明は、外部共振器レーザにおいて、
半導体レーザに回折格子からの回折光が戻る際の半導体
レーザに戻る戻り光量の低下を最小限に押え、かつ半導
体レーザへ戻る波長の波長分解能を上げることにより、
外部共振器レーザの性能を向上させる外部共振器レーザ
を提供することを目的とする。
半導体レーザに回折格子からの回折光が戻る際の半導体
レーザに戻る戻り光量の低下を最小限に押え、かつ半導
体レーザへ戻る波長の波長分解能を上げることにより、
外部共振器レーザの性能を向上させる外部共振器レーザ
を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に、この発明では、半導体レーザ１から出射されコリメ
ートレンズ２で平行光とされたレーザ光を回折格子４で
回折させ、所望の波長λが回折する方向にミラー５を垂
直に配置し、ミラー５により所望の波長λを回折格子４
に再入射させて回折格子４で所望の波長λを再び回折さ
せ、コリメートレンズ３を通して半導体レーザ１に所望
の波長を再入射させる。
に、この発明では、半導体レーザ１から出射されコリメ
ートレンズ２で平行光とされたレーザ光を回折格子４で
回折させ、所望の波長λが回折する方向にミラー５を垂
直に配置し、ミラー５により所望の波長λを回折格子４
に再入射させて回折格子４で所望の波長λを再び回折さ
せ、コリメートレンズ３を通して半導体レーザ１に所望
の波長を再入射させる。
【０００８】
【作用】このように構成することにより、ミラー５から
反射した光は、回折格子４で再び回折が起こる。その時
所望の波長の光λは、回折格子４に最初に入射したとき
と同一の軌跡を逆にたどってコリメートレンズ３で集光
され半導体レーザ１に戻される。所望の波長以外の光
（例えばλ１）は、所望の波長λの光に対して分散角が
大きくなった状態で回折格子４で回折されるため、所望
の波長λに対して大きな分散角を持ってコリメートレン
ズ３に入射する。そのため、所望の波長λとは異なる位
置で集光され、半導体レーザ１へ戻る波長の範囲が狭く
なる。
反射した光は、回折格子４で再び回折が起こる。その時
所望の波長の光λは、回折格子４に最初に入射したとき
と同一の軌跡を逆にたどってコリメートレンズ３で集光
され半導体レーザ１に戻される。所望の波長以外の光
（例えばλ１）は、所望の波長λの光に対して分散角が
大きくなった状態で回折格子４で回折されるため、所望
の波長λに対して大きな分散角を持ってコリメートレン
ズ３に入射する。そのため、所望の波長λとは異なる位
置で集光され、半導体レーザ１へ戻る波長の範囲が狭く
なる。
【０００９】すなわち、外部共振器内で回折格子４を２
度通過させる機構により、半導体レーザ１に光が戻ると
きの波長範囲を狭くすることが可能になる。
度通過させる機構により、半導体レーザ１に光が戻ると
きの波長範囲を狭くすることが可能になる。
【００１０】
【実施例】次に、この発明による外部共振器レーザの実
施例の構成をを図１に示す。図１の１は半導体レーザ、
２は反射防止膜、３はコリメートレンズ、４は回折格
子、５はミラーである。半導体レーザ１の無反射コート
２が施された面から出射されたレーザ光は、コリメート
レンズ３で平行光にされ回折格子４に入射する。回折格
子４に入射したレーザ光は回折格子４によって回折を起
し波長ごとに分解される。
施例の構成をを図１に示す。図１の１は半導体レーザ、
２は反射防止膜、３はコリメートレンズ、４は回折格
子、５はミラーである。半導体レーザ１の無反射コート
２が施された面から出射されたレーザ光は、コリメート
レンズ３で平行光にされ回折格子４に入射する。回折格
子４に入射したレーザ光は回折格子４によって回折を起
し波長ごとに分解される。
【００１１】ここでミラー５は、回折格子４から回折し
た光のうち所望の波長λに対して垂直になるよう配置さ
れ、所望の波長λがミラー５に入射したのと同一の軌跡
をたどって回折格子４に戻ることになる。そして所望の
波長以外の波長（例えばλ１）の光はミラー５に対して
垂直よりも浅く、もしくは深い角度で入射するため、ミ
ラー５で回折格子４の方向に反射されたときには、所望
の波長の光に対する他の波長の光の分散角が大きくな
る。
た光のうち所望の波長λに対して垂直になるよう配置さ
れ、所望の波長λがミラー５に入射したのと同一の軌跡
をたどって回折格子４に戻ることになる。そして所望の
波長以外の波長（例えばλ１）の光はミラー５に対して
垂直よりも浅く、もしくは深い角度で入射するため、ミ
ラー５で回折格子４の方向に反射されたときには、所望
の波長の光に対する他の波長の光の分散角が大きくな
る。
【００１２】例えば、半導体レーザ１として１．５５μ
ｍファブリペロー型半導体レーザを用い、半導体レーザ
１の片端面にはＳｉＮX の反射防止膜２を施こす。コリ
メートレンズ３はセルフォックレンズ、回折格子４は
１．４μｍから１．６μｍまでの波長範囲で高い回折効
率をもち、ミラー５はλ／４以上の平面度を持った平面
ミラーを用いる。回折格子４はレーザ光が当る部分を中
心に回転する回転機構を備え、半導体レーザ１に戻る光
の波長は、回折格子４の回転角によって決まるように構
成する。
ｍファブリペロー型半導体レーザを用い、半導体レーザ
１の片端面にはＳｉＮX の反射防止膜２を施こす。コリ
メートレンズ３はセルフォックレンズ、回折格子４は
１．４μｍから１．６μｍまでの波長範囲で高い回折効
率をもち、ミラー５はλ／４以上の平面度を持った平面
ミラーを用いる。回折格子４はレーザ光が当る部分を中
心に回転する回転機構を備え、半導体レーザ１に戻る光
の波長は、回折格子４の回転角によって決まるように構
成する。
【００１２】
【発明の効果】この発明によれば、半導体レーザから出
射されコリメートレンズによって平行光とされたレーザ
光が回折格子とミラーとによって所望の波長λに対する
他の波長（例えばλ１）の分散角を大きくし、半導体レ
ーザへ戻る戻り光量を低下させることなく波長分解能を
高めることができ、外部共振器レーザの特性を向上させ
ることができる。
射されコリメートレンズによって平行光とされたレーザ
光が回折格子とミラーとによって所望の波長λに対する
他の波長（例えばλ１）の分散角を大きくし、半導体レ
ーザへ戻る戻り光量を低下させることなく波長分解能を
高めることができ、外部共振器レーザの特性を向上させ
ることができる。
【図１】この発明による外部共振器レーザの実施例の構
成図である。
成図である。
【図２】従来の外部共振器レーザの構成図である。
１ 半導体レーザ ２ 反射防止膜 ３ コリメートレンズ ４ 回折格子 ５ ミラー
Claims (1)
- 【請求項１】 少なくとも片側の共振器面に反射防止膜
(2) をコートした半導体レーザ(1) と、半導体レーザ
(1) の反射防止膜(2) をコートした面から出射されるレ
ーザ光を平行光にするコリメートレンズ(3) と、平行光
にされた前記レーザ光に対してその波長により異なった
角度で回折を起こす回折格子(4) とを備えた外部共振器
レーザにおいて、 回折格子(4) により回折したレーザ光のうち所望の波長
の光に対して垂直に配置されたミラー(5) を設けること
を特徴とする外部共振器レーザ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6277993A JPH06252489A (ja) | 1993-02-26 | 1993-02-26 | 外部共振器レーザ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6277993A JPH06252489A (ja) | 1993-02-26 | 1993-02-26 | 外部共振器レーザ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06252489A true JPH06252489A (ja) | 1994-09-09 |
Family
ID=13210197
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6277993A Pending JPH06252489A (ja) | 1993-02-26 | 1993-02-26 | 外部共振器レーザ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06252489A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7197058B2 (en) | 2003-12-24 | 2007-03-27 | Hamamatsu Photonics K.K. | Semiconductor laser apparatus |
| US7693206B2 (en) | 2003-05-09 | 2010-04-06 | Hamamatsu Photonics K.K. | Semiconductor laser device including laser array or stack first collimator, path rotator, and an optical element |
| CN108759722A (zh) * | 2018-05-04 | 2018-11-06 | 华中科技大学 | 一种基于闪耀光栅的光束偏转角放大单元 |
-
1993
- 1993-02-26 JP JP6277993A patent/JPH06252489A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7693206B2 (en) | 2003-05-09 | 2010-04-06 | Hamamatsu Photonics K.K. | Semiconductor laser device including laser array or stack first collimator, path rotator, and an optical element |
| US8477824B2 (en) | 2003-05-09 | 2013-07-02 | Hamamatsu Photonics K.K. | Semiconductor laser apparatus having collimator lens and path rotator |
| US7197058B2 (en) | 2003-12-24 | 2007-03-27 | Hamamatsu Photonics K.K. | Semiconductor laser apparatus |
| CN108759722A (zh) * | 2018-05-04 | 2018-11-06 | 华中科技大学 | 一种基于闪耀光栅的光束偏转角放大单元 |
| CN108759722B (zh) * | 2018-05-04 | 2019-06-28 | 华中科技大学 | 一种基于闪耀光栅的光束偏转角放大单元 |
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