JPH06252536A - はんだプリコート配線基板およびその製造方法 - Google Patents
はんだプリコート配線基板およびその製造方法Info
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- JPH06252536A JPH06252536A JP3208593A JP3208593A JPH06252536A JP H06252536 A JPH06252536 A JP H06252536A JP 3208593 A JP3208593 A JP 3208593A JP 3208593 A JP3208593 A JP 3208593A JP H06252536 A JPH06252536 A JP H06252536A
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Landscapes
- Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 ファインピッチな実装が可能で、かつ生産性
に優れるはんだプリコート配線板およびそれを製造する
技術を提供すること。 【構成】 はんだプリコート配線基板において、電子部
品接続用導体(4)上に設けるはんだ層を、例えばチオ尿
素のCu錯体形成に基づくCu−Sn置換反応により形成した
Sn薄膜層(5)と、Sn上への選択的析出に基づくSnの不均
化反応により形成したSn結晶(6)の少なくとも一部を、
イオン化傾向に基づくSn−Pb置換反応によりPbで置換被
覆して形成したSn−Pb被覆結晶層(7)とで構成し、望ま
しくは、かかるはんだ層を加熱溶融し、その後、冷却し
て合金層を形成してなることを特徴とするはんだプリコ
ート配線基板およびそれの製造方法である。
に優れるはんだプリコート配線板およびそれを製造する
技術を提供すること。 【構成】 はんだプリコート配線基板において、電子部
品接続用導体(4)上に設けるはんだ層を、例えばチオ尿
素のCu錯体形成に基づくCu−Sn置換反応により形成した
Sn薄膜層(5)と、Sn上への選択的析出に基づくSnの不均
化反応により形成したSn結晶(6)の少なくとも一部を、
イオン化傾向に基づくSn−Pb置換反応によりPbで置換被
覆して形成したSn−Pb被覆結晶層(7)とで構成し、望ま
しくは、かかるはんだ層を加熱溶融し、その後、冷却し
て合金層を形成してなることを特徴とするはんだプリコ
ート配線基板およびそれの製造方法である。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、はんだプリコート配線
基板およびその製造方法に関し、特に、ファインピッチ
な実装が可能で、かつ生産性に優れるはんだプリコート
配線基板およびその製造方法について提案する。
基板およびその製造方法に関し、特に、ファインピッチ
な実装が可能で、かつ生産性に優れるはんだプリコート
配線基板およびその製造方法について提案する。
【０００２】
【従来の技術】近年、ICやLSI などの電子部品の小型化
・高密度化に伴い、これらの部品を搭載するための配線
板もファインパターンによる高密度化が要請されてい
る。それに伴い、配線板への表面実装部品の接続も一層
精密化が必要となっている。従来、このような表面実装
部品の配線板への接続技術としては、はんだ付けによる
方法，なかでもリフローはんだ付けという生産性の高い
方法が広く普及している。この方法は、プリント配線板
表面の銅箔部分（パッド）に予めペースト状はんだを供
給しておいて、表面実装部品を位置決めして搭載した
後、基板ごと加熱炉（リフロー炉）の中に入れて、はん
だを溶かして接続する方法である。
・高密度化に伴い、これらの部品を搭載するための配線
板もファインパターンによる高密度化が要請されてい
る。それに伴い、配線板への表面実装部品の接続も一層
精密化が必要となっている。従来、このような表面実装
部品の配線板への接続技術としては、はんだ付けによる
方法，なかでもリフローはんだ付けという生産性の高い
方法が広く普及している。この方法は、プリント配線板
表面の銅箔部分（パッド）に予めペースト状はんだを供
給しておいて、表面実装部品を位置決めして搭載した
後、基板ごと加熱炉（リフロー炉）の中に入れて、はん
だを溶かして接続する方法である。
【０００３】この技術は、配線基板のパッド上に表面実
装用はんだを供給する方法として、溶融はんだめっき法
やはんだペースト印刷法，電解はんだめっき法，無電解
はんだめっき法などを採用していた。ところが、これら
のはんだ供給方法については、ファインピッチな表面実
装を行うと、それぞれ以下に示すような問題があった。 溶融はんだめっき法では、めっき厚の制御が困難であ
り均一な膜が得られない。 はんだペースト印刷法では、ピッチ幅の限界が0.3mm
でありピッチの狭小化に対応できない。 電解はんだめっき法では、通電用リードが必要とな
り、工程が複雑化するとともにパターン配線密度の低下
を招く。 無電解はんだめっき法では、めっき皮膜形成が銅との
置換反応であり厚膜化が困難である。 以上説明したように、急速に進行する配線基板の小型
化，高密度配線化や表面実装部品の小型化等に伴うファ
インピッチな表面実装に対処するための従来技術は、は
んだ層の厚みが不十分であったり、必要な電気的接続性
が得られなかったりして、実装配線基板の信頼性に欠け
ていた。
装用はんだを供給する方法として、溶融はんだめっき法
やはんだペースト印刷法，電解はんだめっき法，無電解
はんだめっき法などを採用していた。ところが、これら
のはんだ供給方法については、ファインピッチな表面実
装を行うと、それぞれ以下に示すような問題があった。 溶融はんだめっき法では、めっき厚の制御が困難であ
り均一な膜が得られない。 はんだペースト印刷法では、ピッチ幅の限界が0.3mm
でありピッチの狭小化に対応できない。 電解はんだめっき法では、通電用リードが必要とな
り、工程が複雑化するとともにパターン配線密度の低下
を招く。 無電解はんだめっき法では、めっき皮膜形成が銅との
置換反応であり厚膜化が困難である。 以上説明したように、急速に進行する配線基板の小型
化，高密度配線化や表面実装部品の小型化等に伴うファ
インピッチな表面実装に対処するための従来技術は、は
んだ層の厚みが不十分であったり、必要な電気的接続性
が得られなかったりして、実装配線基板の信頼性に欠け
ていた。
【０００４】これに対し、最近、表面実装におけるはん
だ技術として、スーパーソルダーおよびセルフソルダー
ＱＦＰという新たな技術が提案されている。ここで、上
記スーパーソルダーとは、有機酸PbとSnとの加熱反応に
より得られる合金を配線基板のパッド上に選択的に析出
させるはんだ生成技術であり、一方上記セルフソルダー
ＱＦＰとは、表面実装部品のアウターリード（ピン）部
を予め高速電解はんだめっきしておいて、配線基板上に
実装する技術のことである。このような新規な従来技術
によれば、配線基板へのファインピッチ表面実装が可能
となる。
だ技術として、スーパーソルダーおよびセルフソルダー
ＱＦＰという新たな技術が提案されている。ここで、上
記スーパーソルダーとは、有機酸PbとSnとの加熱反応に
より得られる合金を配線基板のパッド上に選択的に析出
させるはんだ生成技術であり、一方上記セルフソルダー
ＱＦＰとは、表面実装部品のアウターリード（ピン）部
を予め高速電解はんだめっきしておいて、配線基板上に
実装する技術のことである。このような新規な従来技術
によれば、配線基板へのファインピッチ表面実装が可能
となる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記新
規な従来技術は、いずれも生産性に劣るという課題を残
していた。このような課題は、具体的には、スーパーソ
ルダーでは、製造コストが高い点と、反応残渣中にはん
だ成分が多く含まれるため、生産ライン用の洗浄機とし
て固形分の回収装置を組み込んだものを必要とする点に
あり、一方、セルフソルダーＱＦＰでは、個々の実装部
品にそれぞれめっきを施す必要がある点にある。
規な従来技術は、いずれも生産性に劣るという課題を残
していた。このような課題は、具体的には、スーパーソ
ルダーでは、製造コストが高い点と、反応残渣中にはん
だ成分が多く含まれるため、生産ライン用の洗浄機とし
て固形分の回収装置を組み込んだものを必要とする点に
あり、一方、セルフソルダーＱＦＰでは、個々の実装部
品にそれぞれめっきを施す必要がある点にある。
【０００６】本発明の目的は、上述した従来技術が抱え
る上記課題を解決することにあり、特に、ファインピッ
チな実装が可能で、かつ生産性に優れるはんだプリコー
ト配線基板およびそれを製造する技術を提供することに
ある。
る上記課題を解決することにあり、特に、ファインピッ
チな実装が可能で、かつ生産性に優れるはんだプリコー
ト配線基板およびそれを製造する技術を提供することに
ある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】この発明は、上記目的の
実現に向け鋭意研究した結果なされたものであり、還元
剤を用いない高アルカリ下でのSnの不均化反応ならび
に、イオン化傾向を利用したCuとSn，SnとPbの置換現象
を利用すれば、溶融後に所望の厚みおよび所望のSn／Pb
比を示す電子部品接続用金属層を形成することができる
ことを見出し、本発明に想到した。
実現に向け鋭意研究した結果なされたものであり、還元
剤を用いない高アルカリ下でのSnの不均化反応ならび
に、イオン化傾向を利用したCuとSn，SnとPbの置換現象
を利用すれば、溶融後に所望の厚みおよび所望のSn／Pb
比を示す電子部品接続用金属層を形成することができる
ことを見出し、本発明に想到した。
【０００８】すなわち、本発明は、配線基板の電子部品
接続用導体上に、実装に必要なはんだ層を予め設けてな
るはんだプリコート配線基板において、上記はんだ層
を、Sn薄膜層と, 少なくともSn結晶の一部がPbで被覆さ
れてなるSn−Pb被覆結晶層とで形成したことを特徴とす
るはんだプリコート配線基板であり、配線基板の電子部
品接続用導体上に、実装に必要なはんだ層を予め設けて
なるはんだプリコート配線基板において、上記はんだ層
を、Sn薄膜層と, 少なくともSn結晶の一部がPbで被覆さ
れてなるSn−Pb被覆結晶層とで形成し、かかるはんだ層
を加熱溶融し、その後、冷却して合金層を形成してなる
ことを特徴とするはんだプリコート配線基板である。そ
して、配線基板の電子部品接続用導体上に、実装に必要
なはんだ層を予め設けてなる本発明のはんだプリコート
配線基板の製造方法は、上記はんだ層を下記(a) 〜(c)
工程； (a) 導体回路を形成した配線基板の電子部品接続用導体
上に、Sn薄膜層を形成する工程、(b) 前記Sn薄膜層上
に、Sn上への選択的析出に基づくSnの不均化反応によ
り、Sn結晶層を形成する工程、(c) 前記Sn結晶層におけ
るSn結晶の少なくとも一部を、イオン化傾向に基づくSn
−Pb置換反応によってPbで置換被覆し、Sn−Pb被覆結晶
層を形成する工程、を経て形成することを特徴とし、ま
た、上記はんだ層を下記(a) 〜(d) 工程； (a) 導体回路を形成した配線基板の電子部品接続用導体
上に、Sn薄膜層を形成する工程、(b) 前記Sn薄膜層上
に、Sn上への選択的析出に基づくSnの不均化反応によ
り、Sn結晶層を形成する工程、(c) 前記Sn結晶層におけ
るSn結晶の少なくとも一部を、イオン化傾向に基づくSn
−Pb置換反応によってPbで置換被覆し、Sn−Pb被覆結晶
層を形成する工程、(d) 上記工程で形成したSn薄膜層
と，少なくともSn結晶の一部がPbで被覆されてなるSn−
Pb被覆結晶層とを、加熱することにより溶融し、次いで
これを冷却して合金層とする工程、を経て形成すること
を特徴とする。なお、上記電子部品接続用導体上にSn薄
膜層を形成する方法は、チオ尿素のCu錯体形成に基づく
Cu−Sn置換反応であることが望ましい。
接続用導体上に、実装に必要なはんだ層を予め設けてな
るはんだプリコート配線基板において、上記はんだ層
を、Sn薄膜層と, 少なくともSn結晶の一部がPbで被覆さ
れてなるSn−Pb被覆結晶層とで形成したことを特徴とす
るはんだプリコート配線基板であり、配線基板の電子部
品接続用導体上に、実装に必要なはんだ層を予め設けて
なるはんだプリコート配線基板において、上記はんだ層
を、Sn薄膜層と, 少なくともSn結晶の一部がPbで被覆さ
れてなるSn−Pb被覆結晶層とで形成し、かかるはんだ層
を加熱溶融し、その後、冷却して合金層を形成してなる
ことを特徴とするはんだプリコート配線基板である。そ
して、配線基板の電子部品接続用導体上に、実装に必要
なはんだ層を予め設けてなる本発明のはんだプリコート
配線基板の製造方法は、上記はんだ層を下記(a) 〜(c)
工程； (a) 導体回路を形成した配線基板の電子部品接続用導体
上に、Sn薄膜層を形成する工程、(b) 前記Sn薄膜層上
に、Sn上への選択的析出に基づくSnの不均化反応によ
り、Sn結晶層を形成する工程、(c) 前記Sn結晶層におけ
るSn結晶の少なくとも一部を、イオン化傾向に基づくSn
−Pb置換反応によってPbで置換被覆し、Sn−Pb被覆結晶
層を形成する工程、を経て形成することを特徴とし、ま
た、上記はんだ層を下記(a) 〜(d) 工程； (a) 導体回路を形成した配線基板の電子部品接続用導体
上に、Sn薄膜層を形成する工程、(b) 前記Sn薄膜層上
に、Sn上への選択的析出に基づくSnの不均化反応によ
り、Sn結晶層を形成する工程、(c) 前記Sn結晶層におけ
るSn結晶の少なくとも一部を、イオン化傾向に基づくSn
−Pb置換反応によってPbで置換被覆し、Sn−Pb被覆結晶
層を形成する工程、(d) 上記工程で形成したSn薄膜層
と，少なくともSn結晶の一部がPbで被覆されてなるSn−
Pb被覆結晶層とを、加熱することにより溶融し、次いで
これを冷却して合金層とする工程、を経て形成すること
を特徴とする。なお、上記電子部品接続用導体上にSn薄
膜層を形成する方法は、チオ尿素のCu錯体形成に基づく
Cu−Sn置換反応であることが望ましい。
【０００９】
【作用】本発明のはんだプリコート配線基板の特徴は、
置換型の無電解共晶はんだめっきを用いることなくSn，
Pbの無電解単体めっきを用いることにより、溶融すると
所望のはんだ層となる金属層を、電子部品接続用導体上
に形成させるようにした点にあり、とりわけ、前記Sn結
晶の無電解めっきとしてSn不均化反応を利用している点
にある。これにより、置換型の無電解共晶はんだめっき
の欠点である析出膜厚の不足を解消することができ、困
難とされていたピッチ幅0.3mm の実装はもとより、さら
に狭ピッチの実装も信頼性よく行うことができるように
なる。
置換型の無電解共晶はんだめっきを用いることなくSn，
Pbの無電解単体めっきを用いることにより、溶融すると
所望のはんだ層となる金属層を、電子部品接続用導体上
に形成させるようにした点にあり、とりわけ、前記Sn結
晶の無電解めっきとしてSn不均化反応を利用している点
にある。これにより、置換型の無電解共晶はんだめっき
の欠点である析出膜厚の不足を解消することができ、困
難とされていたピッチ幅0.3mm の実装はもとより、さら
に狭ピッチの実装も信頼性よく行うことができるように
なる。
【００１０】ここで、電子部品接続用の上記金属層は、
Sn薄膜層と, 少なくともSn結晶の一部がPbで被覆されて
なるSn−Pb被覆結晶層とからなり、溶融することによ
り、最終的には、Sn／Pb比が99.9／0.1 〜80.0／20.0と
なるような組成比とすることが望ましい。この理由は、
Sn含有率が99.9％を超えると、溶融の際に非常に高い温
度とする必要があり、そのため配線基板にダメージを与
えることになるからであり、一方、Pb含有率が80.0％を
超えると、溶融後のはんだが酸化しやすくなるからであ
る。
Sn薄膜層と, 少なくともSn結晶の一部がPbで被覆されて
なるSn−Pb被覆結晶層とからなり、溶融することによ
り、最終的には、Sn／Pb比が99.9／0.1 〜80.0／20.0と
なるような組成比とすることが望ましい。この理由は、
Sn含有率が99.9％を超えると、溶融の際に非常に高い温
度とする必要があり、そのため配線基板にダメージを与
えることになるからであり、一方、Pb含有率が80.0％を
超えると、溶融後のはんだが酸化しやすくなるからであ
る。
【００１１】本発明においては、はんだを供給する配線
基板としては、サブトラクティブ基板やアディティブ基
板などの基板を用いることができ、いずれの配線基板を
用いても従来に比べてファインピッチな高密度実装が可
能となる。なかでも、アディティブ基板は、特有の永久
レジストを有し、この永久レジストのもつセルフアライ
メント効果が利用できるので、表面実装部品のアセンブ
ル時の位置合わせが容易になる他、部品搭載後のはんだ
リフロー時にはソルダーダム効果によるはんだブリッジ
防止が可能となって有利である。従って、アディティブ
基板を用いた本発明のはんだプリコート配線基板は、よ
りファインピッチ化した電子部品を取り付けるのに好適
である。
基板としては、サブトラクティブ基板やアディティブ基
板などの基板を用いることができ、いずれの配線基板を
用いても従来に比べてファインピッチな高密度実装が可
能となる。なかでも、アディティブ基板は、特有の永久
レジストを有し、この永久レジストのもつセルフアライ
メント効果が利用できるので、表面実装部品のアセンブ
ル時の位置合わせが容易になる他、部品搭載後のはんだ
リフロー時にはソルダーダム効果によるはんだブリッジ
防止が可能となって有利である。従って、アディティブ
基板を用いた本発明のはんだプリコート配線基板は、よ
りファインピッチ化した電子部品を取り付けるのに好適
である。
【００１２】次に、本発明のはんだプリコート配線基板
を製造する方法について説明する。 (1) 本発明のはんだプリコート配線基板の製造に当たっ
ては、まず、アディティブ法やサブトラクティブ法など
の方法により、所定のプリント配線基板を得る。
を製造する方法について説明する。 (1) 本発明のはんだプリコート配線基板の製造に当たっ
ては、まず、アディティブ法やサブトラクティブ法など
の方法により、所定のプリント配線基板を得る。
【００１３】なお、上記配線基板に用いる基板として
は、例えばプラスチック基板，セラミック基板，金属基
板およびフィルム基板などが挙げられる。例えば、ガラ
スエポキシ基板，ガラスポリイミド基板，アルミナ基
板，低温焼成セラミック基板，窒化アルミニウム基板，
アルミニウム基板，鉄基板およびポリイミドフィルム基
板などである。そして、これらの基板を用いて、片面配
線板，両面スルーホール配線板およびCu／ポリイミド多
層配線板のような多層配線板などを製作する。
は、例えばプラスチック基板，セラミック基板，金属基
板およびフィルム基板などが挙げられる。例えば、ガラ
スエポキシ基板，ガラスポリイミド基板，アルミナ基
板，低温焼成セラミック基板，窒化アルミニウム基板，
アルミニウム基板，鉄基板およびポリイミドフィルム基
板などである。そして、これらの基板を用いて、片面配
線板，両面スルーホール配線板およびCu／ポリイミド多
層配線板のような多層配線板などを製作する。
【００１４】上記配線基板において導体回路を形成する
方法としては、例えば銅やニッケル，金，銀等の無電解
および電解めっき、クロムやモリブデン等のスパッタリ
ング、銅や銀，パラジウム，タングステン等のペースト
印刷が適用できるが、なかでも無電解および電解による
銅めっきを用いることが好適である。なお、本発明の製
造方法においては、前記各種方法で導体回路を形成した
上に、さらに種々の方法で異なる種類の金属層を供給す
ることもできる。
方法としては、例えば銅やニッケル，金，銀等の無電解
および電解めっき、クロムやモリブデン等のスパッタリ
ング、銅や銀，パラジウム，タングステン等のペースト
印刷が適用できるが、なかでも無電解および電解による
銅めっきを用いることが好適である。なお、本発明の製
造方法においては、前記各種方法で導体回路を形成した
上に、さらに種々の方法で異なる種類の金属層を供給す
ることもできる。
【００１５】また、本発明方法において上記の導体回路
は、既知のプリント配線板について実施されている種々
の方法を用いて形成される。例えば、基板に無電解めっ
きを施してから回路をエッチングする方法や無電解めっ
きを施す際に直接回路を形成する方法などがある。
は、既知のプリント配線板について実施されている種々
の方法を用いて形成される。例えば、基板に無電解めっ
きを施してから回路をエッチングする方法や無電解めっ
きを施す際に直接回路を形成する方法などがある。
【００１６】(2) 次に、上述のようにして導体回路を形
成した配線基板の電子部品接続用導体上に、望ましくは
チオ尿素のCu錯体形成に基づくCu−Sn置換反応によっ
て、Sn薄膜層を形成する。後述するSn不均化反応は、Cu
表面上では起こらずSn上でのみ起こることから、Sn不均
化反応めっきの工程前に上記工程が必要となる。この工
程においてチオ尿素を添加する理由は、例えばCuパッド
の場合、チオ尿素が存在しないとCuの標準電極電位はSn
の標準電極電位より貴であるためCuパッド上ではSnの置
換析出が起きないからであり、この点、Ｓ（チオ尿素：
SN(NH2)2）が存在すると、Cuがチオ錯体を形成すること
によって標準電極電位がSnのそれより卑方向にシフトす
るので、Snの置換析出ができる。なお、導体を形成する
金属は、Cuに限られるものではなく、NiやAu,Ag,Cr,
Ｗ,Mo などを用いることもできる。この場合は、導体回
路金属の標準電極電位をSnのそれよりも卑にする必要が
ある。
成した配線基板の電子部品接続用導体上に、望ましくは
チオ尿素のCu錯体形成に基づくCu−Sn置換反応によっ
て、Sn薄膜層を形成する。後述するSn不均化反応は、Cu
表面上では起こらずSn上でのみ起こることから、Sn不均
化反応めっきの工程前に上記工程が必要となる。この工
程においてチオ尿素を添加する理由は、例えばCuパッド
の場合、チオ尿素が存在しないとCuの標準電極電位はSn
の標準電極電位より貴であるためCuパッド上ではSnの置
換析出が起きないからであり、この点、Ｓ（チオ尿素：
SN(NH2)2）が存在すると、Cuがチオ錯体を形成すること
によって標準電極電位がSnのそれより卑方向にシフトす
るので、Snの置換析出ができる。なお、導体を形成する
金属は、Cuに限られるものではなく、NiやAu,Ag,Cr,
Ｗ,Mo などを用いることもできる。この場合は、導体回
路金属の標準電極電位をSnのそれよりも卑にする必要が
ある。
【００１７】(3) 次に、配線基板の電子部品接続用導体
上に形成した上記Sn薄膜層上に、Sn上への選択的析出に
基づくSnの不均化反応による無電解めっきによってSn結
晶層を形成する。このSnの不均化反応による無電解めっ
きとは、還元剤を含まないアルカリ溶液から、亜錫酸イ
オンの不均化反応、 ２Sn(OH)3 - → Sn ＋ Sn(OH)6 2- によって起こる、自己触媒型の無電解めっきのことであ
る。このようにして析出形成したSn結晶層は、Sn不均化
めっきで析出する結晶が粗いため、Snの析出結晶粒の集
合体となる。
上に形成した上記Sn薄膜層上に、Sn上への選択的析出に
基づくSnの不均化反応による無電解めっきによってSn結
晶層を形成する。このSnの不均化反応による無電解めっ
きとは、還元剤を含まないアルカリ溶液から、亜錫酸イ
オンの不均化反応、 ２Sn(OH)3 - → Sn ＋ Sn(OH)6 2- によって起こる、自己触媒型の無電解めっきのことであ
る。このようにして析出形成したSn結晶層は、Sn不均化
めっきで析出する結晶が粗いため、Snの析出結晶粒の集
合体となる。
【００１８】ここに、Snの供給源としては、Sn（II）金
属塩であればよいが、好ましくは、塩化物（SnCl2 ・2H
2O），酢酸塩（Sn(CH3COO)2 ），ホウフッ化物（Sn(B
F4)2），硫酸塩（SnSO4 ）が好適である。
属塩であればよいが、好ましくは、塩化物（SnCl2 ・2H
2O），酢酸塩（Sn(CH3COO)2 ），ホウフッ化物（Sn(B
F4)2），硫酸塩（SnSO4 ）が好適である。
【００１９】(4) そして、Snの不均化反応によって形成
した上記Sn結晶層におけるSn結晶の少なくとも一部を、
イオン化傾向に基づくSn−Pb置換反応によってPbで置換
被覆し、Sn−Pb被覆結晶層を形成し、電子部品接続用導
体上にはんだ層を形成する金属層を設けたはんだプリコ
ート配線基板を製造する。なお、不均化反応による上記
Sn結晶層は、その層構造がSnの析出結晶粒の集合体であ
るがゆえに、Pbで置換すると、Sn結晶粒表面がPb層で覆
われる構造となる。
した上記Sn結晶層におけるSn結晶の少なくとも一部を、
イオン化傾向に基づくSn−Pb置換反応によってPbで置換
被覆し、Sn−Pb被覆結晶層を形成し、電子部品接続用導
体上にはんだ層を形成する金属層を設けたはんだプリコ
ート配線基板を製造する。なお、不均化反応による上記
Sn結晶層は、その層構造がSnの析出結晶粒の集合体であ
るがゆえに、Pbで置換すると、Sn結晶粒表面がPb層で覆
われる構造となる。
【００２０】ここに、Pbの供給源としては、Pb（II）金
属塩であればよいが、好ましくは、塩化物（PbCl2 ），
酢酸塩（Pb(CH3COO)2 ・2H2O），ホウフッ化物（Pb(B
F4)2），硝酸塩（Pb(NO3)2）が好適である。
属塩であればよいが、好ましくは、塩化物（PbCl2 ），
酢酸塩（Pb(CH3COO)2 ・2H2O），ホウフッ化物（Pb(B
F4)2），硝酸塩（Pb(NO3)2）が好適である。
【００２１】(5) さらに望ましくは、このようにして製
造した本発明のはんだプリコート配線基板を、加熱炉
（リフロー炉）内に入れて加熱することにより、上記金
属層を溶融して合金化（はんだ化）したはんだプリコー
ト配線基板とする。かかる本発明のはんだプリコート配
線基板によれば、はんだ層に電子部品の接続部を熱圧着
等することにより、はんだが溶融，再固化し、電子部品
を基板上に高い信頼性をもって実装することができるの
である。なお、このような電子部品の実装は、上記金属
層を加熱炉（リフロー炉）にて合金化することなく、予
めこの金属層に電子部品を搭載し、その後、加熱炉（リ
フロー炉）にて金属層を溶融，合金化することにより行
ってもよい。
造した本発明のはんだプリコート配線基板を、加熱炉
（リフロー炉）内に入れて加熱することにより、上記金
属層を溶融して合金化（はんだ化）したはんだプリコー
ト配線基板とする。かかる本発明のはんだプリコート配
線基板によれば、はんだ層に電子部品の接続部を熱圧着
等することにより、はんだが溶融，再固化し、電子部品
を基板上に高い信頼性をもって実装することができるの
である。なお、このような電子部品の実装は、上記金属
層を加熱炉（リフロー炉）にて合金化することなく、予
めこの金属層に電子部品を搭載し、その後、加熱炉（リ
フロー炉）にて金属層を溶融，合金化することにより行
ってもよい。
【００２２】
【実施例】（実施例１） (1) アディティブ型プリント配線基板の作製 (a)メラミン樹脂1275重量部と37％ホルマリン1366重量
部と水 730重量部を混合し、10％炭酸ナトリウムにてpH
＝9.0 に調整し、90℃で60分間保持した後、メタノール
を 109重量部加えて、樹脂液を得た。 (b)この樹脂液を噴霧乾燥法にて乾燥し、粉末状の樹脂
を得た。 (c)前記(b) で得られた樹脂粉末と離型剤、硬化触媒を
ボールミルにて粉砕混合し、混合粉とした。 (d)前記混合粉を 150℃に加熱した金型中に入れて、250
kg/cm2 の圧力で60分間保持し成型品とした。この成型
に際しては、金型を開きガス抜きを行った。 (e)前記(d) で得られた成型品をボールミルにて粉砕、
微粉化し、粒径0.5 μｍと5.5 μｍの粉末を得た。 (f)フェノールノボラック型エポキシ樹脂（油化シェル
製）60重量部、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（油化
シェル製）40重量部およびイミダゾール系硬化剤（四国
化成製）５重量部をブチルセロソルブアセテートに溶解
し、この組成物の固形分 100重量部に対して、前記(e)
で作成した微粉末を、粒径 0.5μｍのものを15重量部、
粒径 5.5μｍのものを30重量部の割合で混合し、その後
３本ロールで混練して、さらにブチルセロソルブアセテ
ートを添加し、固形分濃度75％の接着剤溶液を作成し
た。この溶液の粘度は、JIS-K7117 に準じ、東京計器製
デジタル粘度計を用い、20℃で60秒間測定したところ、
回転数６rpm で5.2 Pa・s 、60rpm で2.6 Pa・s であ
り、そのSVI 値（チキソトロピック性）は2.0 であっ
た。 (g)ガラスエポキシ基板１（図１(a) 参照）を研磨によ
り粗化して、JIS-B0601Ｒmax ＝２〜３μｍの粗化を形
成した後、その基板上に前記(f) で作成した接着剤溶液
をロールコーターを用いて塗布した（図１(b) 参照）。
この時の塗布方法はコーティングロールとして、中高粘
度用レジスト用コーティングロール（大日本スクリーン
製）を用い、コーティングローラとドクターバーとの隙
間を0.4mm、コーティングローラとバックアップローラ
との隙間を1.4mm および搬送速度を400mm/s であった。
その後、水平状態で20分間放置した後、70℃で乾燥させ
て厚さ約50μｍの接着剤層２を形成した（図１(c) 参
照）。 (h)接着剤層２を形成した前記基板（図１(c) 参照）を5
00g/lのクロム酸（CrO3）水溶液からなる酸化剤に70℃
で15分間浸漬して接着剤層２の表面を粗化してから、中
和溶液（シプレイ社製）に浸漬して水洗した。接着剤層
２が粗化された基板にパラジウム触媒（シプレイ社製）
を付与して、接着剤層２の表面を活性化させた（図１
(d) 参照）。 (i)次に、前記(h) の処理を施した基板を、窒素ガス雰
囲気（10ppm ）中で120℃で30分間、触媒固定化のため
の熱処理を行った。 (j)次に、前記(i) の処理を施した基板上に、上記(f)
で作成した接着剤溶液に感光性を付与した樹脂溶液を上
記(g) と同様にロールコーターを用いて塗布した。得ら
れた塗布層の溶剤を除去するために80℃で30分間の熱処
理を行い、次いでパターン形成用のマスクを介して露光
したのちエターナIR（旭化成製）で現像し、その後、紫
外線照射（UVキュアー）したのち熱処理して、めっきレ
ジスト３（厚さ40μｍ）を形成した（図１(e) 参照）。 (k)めっきレジスト３を形成し終えた前記(j) で得られ
た基板を、表１に示す組成および条件の無電解銅めっき
液に11時間浸漬して、導体部を形成するために、めっき
膜の厚さ25μｍの無電解銅めっきを施し、各種リードピ
ッチ（0.15, 0.3,0.5mm ）の電子部品（0.15mmＴＡＢ，
0.3 ・0.5mm ＱＦＰ）を実装するためのCuパッドを同一
基板に形成したアディティブ型プリント配線基板を得た
（図１(f)参照）。この時、レジスト３とめっき膜によ
るCuパッド４との段差は15μｍであった。
部と水 730重量部を混合し、10％炭酸ナトリウムにてpH
＝9.0 に調整し、90℃で60分間保持した後、メタノール
を 109重量部加えて、樹脂液を得た。 (b)この樹脂液を噴霧乾燥法にて乾燥し、粉末状の樹脂
を得た。 (c)前記(b) で得られた樹脂粉末と離型剤、硬化触媒を
ボールミルにて粉砕混合し、混合粉とした。 (d)前記混合粉を 150℃に加熱した金型中に入れて、250
kg/cm2 の圧力で60分間保持し成型品とした。この成型
に際しては、金型を開きガス抜きを行った。 (e)前記(d) で得られた成型品をボールミルにて粉砕、
微粉化し、粒径0.5 μｍと5.5 μｍの粉末を得た。 (f)フェノールノボラック型エポキシ樹脂（油化シェル
製）60重量部、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（油化
シェル製）40重量部およびイミダゾール系硬化剤（四国
化成製）５重量部をブチルセロソルブアセテートに溶解
し、この組成物の固形分 100重量部に対して、前記(e)
で作成した微粉末を、粒径 0.5μｍのものを15重量部、
粒径 5.5μｍのものを30重量部の割合で混合し、その後
３本ロールで混練して、さらにブチルセロソルブアセテ
ートを添加し、固形分濃度75％の接着剤溶液を作成し
た。この溶液の粘度は、JIS-K7117 に準じ、東京計器製
デジタル粘度計を用い、20℃で60秒間測定したところ、
回転数６rpm で5.2 Pa・s 、60rpm で2.6 Pa・s であ
り、そのSVI 値（チキソトロピック性）は2.0 であっ
た。 (g)ガラスエポキシ基板１（図１(a) 参照）を研磨によ
り粗化して、JIS-B0601Ｒmax ＝２〜３μｍの粗化を形
成した後、その基板上に前記(f) で作成した接着剤溶液
をロールコーターを用いて塗布した（図１(b) 参照）。
この時の塗布方法はコーティングロールとして、中高粘
度用レジスト用コーティングロール（大日本スクリーン
製）を用い、コーティングローラとドクターバーとの隙
間を0.4mm、コーティングローラとバックアップローラ
との隙間を1.4mm および搬送速度を400mm/s であった。
その後、水平状態で20分間放置した後、70℃で乾燥させ
て厚さ約50μｍの接着剤層２を形成した（図１(c) 参
照）。 (h)接着剤層２を形成した前記基板（図１(c) 参照）を5
00g/lのクロム酸（CrO3）水溶液からなる酸化剤に70℃
で15分間浸漬して接着剤層２の表面を粗化してから、中
和溶液（シプレイ社製）に浸漬して水洗した。接着剤層
２が粗化された基板にパラジウム触媒（シプレイ社製）
を付与して、接着剤層２の表面を活性化させた（図１
(d) 参照）。 (i)次に、前記(h) の処理を施した基板を、窒素ガス雰
囲気（10ppm ）中で120℃で30分間、触媒固定化のため
の熱処理を行った。 (j)次に、前記(i) の処理を施した基板上に、上記(f)
で作成した接着剤溶液に感光性を付与した樹脂溶液を上
記(g) と同様にロールコーターを用いて塗布した。得ら
れた塗布層の溶剤を除去するために80℃で30分間の熱処
理を行い、次いでパターン形成用のマスクを介して露光
したのちエターナIR（旭化成製）で現像し、その後、紫
外線照射（UVキュアー）したのち熱処理して、めっきレ
ジスト３（厚さ40μｍ）を形成した（図１(e) 参照）。 (k)めっきレジスト３を形成し終えた前記(j) で得られ
た基板を、表１に示す組成および条件の無電解銅めっき
液に11時間浸漬して、導体部を形成するために、めっき
膜の厚さ25μｍの無電解銅めっきを施し、各種リードピ
ッチ（0.15, 0.3,0.5mm ）の電子部品（0.15mmＴＡＢ，
0.3 ・0.5mm ＱＦＰ）を実装するためのCuパッドを同一
基板に形成したアディティブ型プリント配線基板を得た
（図１(f)参照）。この時、レジスト３とめっき膜によ
るCuパッド４との段差は15μｍであった。
【００２３】
【表１】
【００２４】(2) 前処理 次に、この無電解銅めっきを施した電子部品実装用Cuパ
ッド４を有するプリント配線基板（図２(a) 参照）を脱
脂液（シプレイ社製アルキレート）で70℃、５分間処理
し、水洗後、活性化液（通常ソフトエッチ）で常温、10
秒間処理して、はんだ供給めっき基板とした。 (3) Sn薄膜層５の形成（図２(b) 参照） 前記(2) で得られた基板を、チオ尿素および錫のホウフ
ッ化物溶液（Sn(BF4)2）を水に溶解させて調整した表２
に示す組成および条件の無電解Sn置換めっき液に約１分
間浸漬することにより、Cu表面をSn層で置換させ、Snめ
っき膜の厚さ0.3 〜0.5 μｍの無電解Sn置換めっきを施
した。
ッド４を有するプリント配線基板（図２(a) 参照）を脱
脂液（シプレイ社製アルキレート）で70℃、５分間処理
し、水洗後、活性化液（通常ソフトエッチ）で常温、10
秒間処理して、はんだ供給めっき基板とした。 (3) Sn薄膜層５の形成（図２(b) 参照） 前記(2) で得られた基板を、チオ尿素および錫のホウフ
ッ化物溶液（Sn(BF4)2）を水に溶解させて調整した表２
に示す組成および条件の無電解Sn置換めっき液に約１分
間浸漬することにより、Cu表面をSn層で置換させ、Snめ
っき膜の厚さ0.3 〜0.5 μｍの無電解Sn置換めっきを施
した。
【００２５】
【表２】
【００２６】(4) Sn結晶層６の形成（図２(c) 参照） 前記(3) のめっき処理を施した基板を水洗後、水酸化ナ
トリウムを水に溶解させた溶液に、錫の塩化物（塩化第
一錫・二水和物）を水に溶解させた溶液を攪拌しながら
加え、最後に安定剤としてホルマリンを加えて調整した
表３に示す組成および条件の無電解Sn厚付めっき液（Sn
の不均化反応を利用）に３時間浸漬することにより、前
記(3) で得られたSn薄膜５上にSn結晶凝集体６を供給し
て、その凝集体の最大高さが50μｍとなる無電解Sn厚付
めっきを施した。この時、厚付Sn層は表面および破断面
観察により、結晶粒の集合体であった。
トリウムを水に溶解させた溶液に、錫の塩化物（塩化第
一錫・二水和物）を水に溶解させた溶液を攪拌しながら
加え、最後に安定剤としてホルマリンを加えて調整した
表３に示す組成および条件の無電解Sn厚付めっき液（Sn
の不均化反応を利用）に３時間浸漬することにより、前
記(3) で得られたSn薄膜５上にSn結晶凝集体６を供給し
て、その凝集体の最大高さが50μｍとなる無電解Sn厚付
めっきを施した。この時、厚付Sn層は表面および破断面
観察により、結晶粒の集合体であった。
【００２７】
【表３】
【００２８】(5) Sn−Pb被覆結晶層７の形成（図２(d)
参照） 前記(4) の処理を施した基板を水洗後、テトラフルオロ
ほう酸鉛（II）溶液およびホウフッ化水素酸を水に溶解
させて調整した表４に示す組成および条件の無電解Pb置
換めっき液に６分間浸漬するとにより、前記(4) で得ら
れたSn結晶凝集体６のSn結晶粒表面をPb層で皮相的に置
換させる無電解Pb置換めっきを施した。
参照） 前記(4) の処理を施した基板を水洗後、テトラフルオロ
ほう酸鉛（II）溶液およびホウフッ化水素酸を水に溶解
させて調整した表４に示す組成および条件の無電解Pb置
換めっき液に６分間浸漬するとにより、前記(4) で得ら
れたSn結晶凝集体６のSn結晶粒表面をPb層で皮相的に置
換させる無電解Pb置換めっきを施した。
【００２９】
【表４】
【００３０】(6) 後処理 次に、前記(5) の処理を施した基板を水洗後、熱風乾燥
機内にて80℃で10分間乾燥し、電子部品を実装するため
の金属（Sn,Pb ）をめっきによりCuパッド４上に供給し
てなるアディティブ型のはんだプリコート配線基板とし
た（図２参照）。なお、この電子部品実装用接続金属の
組成は、上記はんだプリコート配線基板を加熱して単体
めっきにより供給した金属（Sn,Pb ）を溶融し、合金化
したものをＥＤＳ分析した結果、Sn／Pb比は６／４であ
った。 (7) 電子部品の実装 次に、このアディティブ型のはんだプリコート配線基板
を加熱処理することなく、 0.3, 0.5mm ＱＦＰの場合
は、それを該当箇所に搭載したのちリフロー機にて加熱
することにより実装し、一方、 0.15mm ＴＡＢの場合
は、それを該当箇所に搭載したのちホットバー（パルス
ヒート方式）にて加熱することにより実装した。
機内にて80℃で10分間乾燥し、電子部品を実装するため
の金属（Sn,Pb ）をめっきによりCuパッド４上に供給し
てなるアディティブ型のはんだプリコート配線基板とし
た（図２参照）。なお、この電子部品実装用接続金属の
組成は、上記はんだプリコート配線基板を加熱して単体
めっきにより供給した金属（Sn,Pb ）を溶融し、合金化
したものをＥＤＳ分析した結果、Sn／Pb比は６／４であ
った。 (7) 電子部品の実装 次に、このアディティブ型のはんだプリコート配線基板
を加熱処理することなく、 0.3, 0.5mm ＱＦＰの場合
は、それを該当箇所に搭載したのちリフロー機にて加熱
することにより実装し、一方、 0.15mm ＴＡＢの場合
は、それを該当箇所に搭載したのちホットバー（パルス
ヒート方式）にて加熱することにより実装した。
【００３１】（実施例２） (1) 実施例１の(1) 〜(6) に示す各工程と同じ処理を行
い、電子部品を実装するための金属（溶融後のはんだ：
Sn／Pb比が６／４）をめっきによりCuパッド上に供給し
てなるアディディブ型のはんだプリコート配線基板を得
た。 (2) 次に、この配線基板を有機熱媒体中にて210 ℃で５
秒間、浸漬し、銅上に供給されたSnおよびPbを溶融し合
金化した。この時、溶融により合金化したはんだ（Sn／
Pb比：６／４）は、Cuリード幅あるいは同一高さのレジ
スト壁部を弦とする弧を描いた形状となった。 (3) 次に、実施例１の(7) に示す工程と同じ処理を行
い、各種電子部品を実装した。
い、電子部品を実装するための金属（溶融後のはんだ：
Sn／Pb比が６／４）をめっきによりCuパッド上に供給し
てなるアディディブ型のはんだプリコート配線基板を得
た。 (2) 次に、この配線基板を有機熱媒体中にて210 ℃で５
秒間、浸漬し、銅上に供給されたSnおよびPbを溶融し合
金化した。この時、溶融により合金化したはんだ（Sn／
Pb比：６／４）は、Cuリード幅あるいは同一高さのレジ
スト壁部を弦とする弧を描いた形状となった。 (3) 次に、実施例１の(7) に示す工程と同じ処理を行
い、各種電子部品を実装した。
【００３２】（実施例３） (1) 実施例１の(5) に示す工程において、Pb置換めっき
液に２分間浸漬すること以外は、実施例１の(1) 〜(6)
に示す各工程と同じ処理を行い、アディディブ型のはん
だプリコート配線基板を得た。 (2) 次に、この配線基板を加熱処理し、合金化した後
（Sn／Pb比：９／１）、実施例１の(7) に示す工程と同
じ処理を行い、各種電子部品を実装した。
液に２分間浸漬すること以外は、実施例１の(1) 〜(6)
に示す各工程と同じ処理を行い、アディディブ型のはん
だプリコート配線基板を得た。 (2) 次に、この配線基板を加熱処理し、合金化した後
（Sn／Pb比：９／１）、実施例１の(7) に示す工程と同
じ処理を行い、各種電子部品を実装した。
【００３３】（実施例４） (1) 銅張積層板（圧延銅箔層厚み18μｍ）を、常法であ
るエッチドホイル法により、各種リードピッチ（0.15，
0.3, 0.5mm）の電子部品を実装するためのCuパッドを形
成したサブトラクティブ型プリント配線基板を得た。 (2) 次に、実施例１の(3) 〜(6) に示す各工程と同じ処
理を行い、銅上および銅側壁上に電子部品を実装するた
めの金属（はんだ）をめっきにより供給してなるサブト
ラクティブ型のはんだプリコート配線基板を得た。 (3) 次に、この配線基板を有機熱媒体中にて210 ℃で５
秒間、浸漬し、銅上および銅側壁上に供給されたSnおよ
びPbを溶融し合金化した。この時、溶融により合金化し
たはんだ（Sn／Pb比：６／４）は、Cuパッドを包んだ形
状となった。 (4) 次に、実施例１の(7) に示す工程と同じ処理を行
い、各種電子部品を実装した。
るエッチドホイル法により、各種リードピッチ（0.15，
0.3, 0.5mm）の電子部品を実装するためのCuパッドを形
成したサブトラクティブ型プリント配線基板を得た。 (2) 次に、実施例１の(3) 〜(6) に示す各工程と同じ処
理を行い、銅上および銅側壁上に電子部品を実装するた
めの金属（はんだ）をめっきにより供給してなるサブト
ラクティブ型のはんだプリコート配線基板を得た。 (3) 次に、この配線基板を有機熱媒体中にて210 ℃で５
秒間、浸漬し、銅上および銅側壁上に供給されたSnおよ
びPbを溶融し合金化した。この時、溶融により合金化し
たはんだ（Sn／Pb比：６／４）は、Cuパッドを包んだ形
状となった。 (4) 次に、実施例１の(7) に示す工程と同じ処理を行
い、各種電子部品を実装した。
【００３４】（比較例１） (1) 実施例１の(1) に示す各工程と同じ処理を行い、各
種パッドピッチのCu導体部を形成したアディディブ型プ
リント配線基板を得た。 (2) 次に、この配線基板をはんだ印刷機（横田製作所
製）にて、粒径20〜38μｍのはんだペースト（タムラ製
作所製）を、メタルマスクを介して、スキージ速度２〜
３cm／ｓにて印刷し、50μｍのはんだ（Sn／Pb比：６／
４）を供給した。なお、0.3mm ピッチ以下のCuパッド上
には、精度良くはんだを供給することはできなかった。
また、リードピッチによりはんだ厚のバラツキが生じ
た。 (3) 次に、実施例１の(7) に示す工程と同じ処理を行
い、各種電子部品を実装した。
種パッドピッチのCu導体部を形成したアディディブ型プ
リント配線基板を得た。 (2) 次に、この配線基板をはんだ印刷機（横田製作所
製）にて、粒径20〜38μｍのはんだペースト（タムラ製
作所製）を、メタルマスクを介して、スキージ速度２〜
３cm／ｓにて印刷し、50μｍのはんだ（Sn／Pb比：６／
４）を供給した。なお、0.3mm ピッチ以下のCuパッド上
には、精度良くはんだを供給することはできなかった。
また、リードピッチによりはんだ厚のバラツキが生じ
た。 (3) 次に、実施例１の(7) に示す工程と同じ処理を行
い、各種電子部品を実装した。
【００３５】（比較例２） (1) 実施例１の(1) に示す各工程と同じ処理を行い、各
種パッドピッチのCu導体部を形成したアディディブ型プ
リント配線基板を得た。なお、全てのパッドに、予め通
電用リードを設けた。 (2) 次に、この配線基板を常法により、電解はんだめっ
きを行い、Cuパッド上に50μｍのはんだ（Sn／Pb比：６
／４）を供給した。 (3) 次に、実施例１の(7) に示す工程と同じ処理を行
い、各種電子部品を実装した。
種パッドピッチのCu導体部を形成したアディディブ型プ
リント配線基板を得た。なお、全てのパッドに、予め通
電用リードを設けた。 (2) 次に、この配線基板を常法により、電解はんだめっ
きを行い、Cuパッド上に50μｍのはんだ（Sn／Pb比：６
／４）を供給した。 (3) 次に、実施例１の(7) に示す工程と同じ処理を行
い、各種電子部品を実装した。
【００３６】（比較例３） (1) 実施例１の(1) に示す各工程と同じ処理を行い、各
種パッドピッチのCu導体部を形成したアディディブ型プ
リント配線基板を得た。 (2) 次に、この配線基板を前処理後、常温の無電解はん
だめっき（Cu置換型）を行ったが、Cuパッド上には10〜
15μｍのはんだ（Sn／Pb比：６／４）しか供給できなか
った。これは、めっきによるはんだ形成が、パッドであ
るCuとの置換反応を利用することから、はんだ厚は前記
供給厚が限界であった。 (3) 次に、実施例１の(7) に示す工程と同じ処理を行
い、各種電子部品を実装した。
種パッドピッチのCu導体部を形成したアディディブ型プ
リント配線基板を得た。 (2) 次に、この配線基板を前処理後、常温の無電解はん
だめっき（Cu置換型）を行ったが、Cuパッド上には10〜
15μｍのはんだ（Sn／Pb比：６／４）しか供給できなか
った。これは、めっきによるはんだ形成が、パッドであ
るCuとの置換反応を利用することから、はんだ厚は前記
供給厚が限界であった。 (3) 次に、実施例１の(7) に示す工程と同じ処理を行
い、各種電子部品を実装した。
【００３７】（比較例４） (1) 実施例４の(1) に示す各工程と同じ処理を行い、各
種パッドピッチのCu導体部を形成したサブトラクティブ
型プリント配線基板を得た。 (2) 次に、この配線基板を比較例１の(2) に示す工程と
同じ処理を行い、基板上にはんだペーストを印刷し、各
種リードピッチのCuパッド上にはんだを供給した。ま
た、同様に0.3mm ピッチ以下のCuパッド上には、精度良
くはんだを供給することはできず、供給厚バラツキが生
じた。 (3) 次に、実施例１の(7) に示す工程と同じ処理を行
い、各種電子部品を実装した。
種パッドピッチのCu導体部を形成したサブトラクティブ
型プリント配線基板を得た。 (2) 次に、この配線基板を比較例１の(2) に示す工程と
同じ処理を行い、基板上にはんだペーストを印刷し、各
種リードピッチのCuパッド上にはんだを供給した。ま
た、同様に0.3mm ピッチ以下のCuパッド上には、精度良
くはんだを供給することはできず、供給厚バラツキが生
じた。 (3) 次に、実施例１の(7) に示す工程と同じ処理を行
い、各種電子部品を実装した。
【００３８】（比較例５） (1) 実施例４の(1) に示す各工程と同じ処理を行い、各
種パッドピッチのCu導体部を形成したサブトラクティブ
型プリント配線基板を得た。なお、全てのパッドに、予
め通電用リードを設けた。 (2) 次に、この配線基板を比較例２の(2) に示す工程と
同じ処理を行い、電解はんだめっきにより基板Cuパッド
上に50μｍのはんだ（Sn／Pb比：６／４）を供給した。 (3) 次に、実施例１の(7) に示す工程と同じ処理を行
い、各種電子部品を実装した。
種パッドピッチのCu導体部を形成したサブトラクティブ
型プリント配線基板を得た。なお、全てのパッドに、予
め通電用リードを設けた。 (2) 次に、この配線基板を比較例２の(2) に示す工程と
同じ処理を行い、電解はんだめっきにより基板Cuパッド
上に50μｍのはんだ（Sn／Pb比：６／４）を供給した。 (3) 次に、実施例１の(7) に示す工程と同じ処理を行
い、各種電子部品を実装した。
【００３９】（比較例６） (1) 実施例４の(1) に示す各工程と同じ処理を行い、各
種パッドピッチのCu導体部を形成したサブトラクティブ
型プリント配線基板を得た。 (2) 次に、この配線基板を比較例３の(2) に示す工程と
同じ処理を行い、無電解はんだめっきにより、基板Cuパ
ッド上に10〜15μｍのはんだ（Sn／Pb比：６／４）を供
給した。 (3) 次に、実施例１の(7) に示す工程と同じ処理を行
い、各種電子部品を実装した。
種パッドピッチのCu導体部を形成したサブトラクティブ
型プリント配線基板を得た。 (2) 次に、この配線基板を比較例３の(2) に示す工程と
同じ処理を行い、無電解はんだめっきにより、基板Cuパ
ッド上に10〜15μｍのはんだ（Sn／Pb比：６／４）を供
給した。 (3) 次に、実施例１の(7) に示す工程と同じ処理を行
い、各種電子部品を実装した。
【００４０】上述のようにして、各種はんだ供給法（本
発明法，はんだペースト印刷法，電解はんだめっき法お
よび無電解置換はんだめっき法）を単独に用いて、Cuパ
ッド上にはんだを供給したはんだプリコート配線基板上
に、各種リードピッチの電子部品（0.15ＴＡＢ，0.3 Ｑ
ＦＰ，0.5 ＱＦＰ）を混載実装した結果、その実装信頼
性を表５に示す。この表に示す結果から明らかなよう
に、本発明のはんだプリコート配線基板を用いた実装で
は、広い範囲（ラフピッチ，ファインピッチ）で表面実
装が可能であることを確認した。なお、表５の比較例に
おける電解はんだめっきの場合は、通電用リードが必要
であり、配線密度の低下を招くとともに生産性が非常に
悪いという問題がある。また、無電解置換はんだめっき
の場合は、はんだ層の厚膜化が困難であり、ラフピッチ
Cuパッド上にさらに何らかの方法ではんだを供給する必
要があり生産性が非常に悪いという問題がある。さら
に、はんだペースト印刷法の場合は、ファインピッチCu
パッド（0.3mm 以下）上への信頼性の高いはんだ供給が
困難であるという問題がある。この点、本発明法の場合
は、上述した各種問題を生ずることはなく、非常に有益
な技術であることが判る。
発明法，はんだペースト印刷法，電解はんだめっき法お
よび無電解置換はんだめっき法）を単独に用いて、Cuパ
ッド上にはんだを供給したはんだプリコート配線基板上
に、各種リードピッチの電子部品（0.15ＴＡＢ，0.3 Ｑ
ＦＰ，0.5 ＱＦＰ）を混載実装した結果、その実装信頼
性を表５に示す。この表に示す結果から明らかなよう
に、本発明のはんだプリコート配線基板を用いた実装で
は、広い範囲（ラフピッチ，ファインピッチ）で表面実
装が可能であることを確認した。なお、表５の比較例に
おける電解はんだめっきの場合は、通電用リードが必要
であり、配線密度の低下を招くとともに生産性が非常に
悪いという問題がある。また、無電解置換はんだめっき
の場合は、はんだ層の厚膜化が困難であり、ラフピッチ
Cuパッド上にさらに何らかの方法ではんだを供給する必
要があり生産性が非常に悪いという問題がある。さら
に、はんだペースト印刷法の場合は、ファインピッチCu
パッド（0.3mm 以下）上への信頼性の高いはんだ供給が
困難であるという問題がある。この点、本発明法の場合
は、上述した各種問題を生ずることはなく、非常に有益
な技術であることが判る。
【００４１】
【表５】
【００４２】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、困
難とされていたピッチ幅0.3mm の実装はもとより、さら
に狭ピッチの実装も信頼性よく行うことができ、よりフ
ァインピッチな実装が可能で、かつ生産性に優れるはん
だプリコート配線基板を安定して提供できる。特に、ア
ディティブ基板は特有の永久レジストを有するので、こ
の永久レジストのもつセルフアライメント効果が利用で
き、表面実装部品のアセンブル時の位置合わせが容易に
なる他、部品搭載後のはんだリフロー時にはソルダーダ
ム効果によるはんだブリッジ防止が可能となる。
難とされていたピッチ幅0.3mm の実装はもとより、さら
に狭ピッチの実装も信頼性よく行うことができ、よりフ
ァインピッチな実装が可能で、かつ生産性に優れるはん
だプリコート配線基板を安定して提供できる。特に、ア
ディティブ基板は特有の永久レジストを有するので、こ
の永久レジストのもつセルフアライメント効果が利用で
き、表面実装部品のアセンブル時の位置合わせが容易に
なる他、部品搭載後のはんだリフロー時にはソルダーダ
ム効果によるはんだブリッジ防止が可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に用いるプリント配線板の一実施例を示
す製造工程図である。
す製造工程図である。
【図２】本発明方法におけるはんだ供給の一実施例を示
す製造工程図である。
す製造工程図である。
１ 基板 ２ 接着剤層（絶縁層） ３ レジスト ４ Cuパッド ５ Sn薄膜層 ６ Sn結晶層 ７ Sn−Pb被覆結晶層
Claims (5)
- 【請求項１】 配線基板の電子部品接続用導体上に、実
装に必要なはんだ層を予め設けてなるはんだプリコート
配線基板において、上記はんだ層を、Sn薄膜層と, 少な
くともSn結晶の一部がPbで被覆されてなるSn−Pb被覆結
晶層とで形成したことを特徴とするはんだプリコート配
線基板。 - 【請求項２】 配線基板の電子部品接続用導体上に、実
装に必要なはんだ層を予め設けてなるはんだプリコート
配線基板において、上記はんだ層を、Sn薄膜層と, 少な
くともSn結晶の一部がPbで被覆されてなるSn−Pb被覆結
晶層とで形成し、かかるはんだ層を加熱溶融し、その
後、冷却して合金層を形成してなることを特徴とするは
んだプリコート配線基板。 - 【請求項３】 配線基板の電子部品接続用導体上に、実
装に必要なはんだ層を予め設けてなるはんだプリコート
配線基板の製造方法に当たり、 上記はんだ層を下記(a) 〜(c) 工程； (a) 導体回路を形成した配線基板の電子部品接続用導体
上に、Sn薄膜層を形成する工程、 (b) 前記Sn薄膜層上に、Sn上への選択的析出に基づくSn
の不均化反応により、Sn結晶層を形成する工程、 (c) 前記Sn結晶層におけるSn結晶の少なくとも一部を、
イオン化傾向に基づくSn−Pb置換反応によってPbで置換
被覆し、Sn−Pb被覆結晶層を形成する工程、 を経て形成することを特徴とするはんだプリコート配線
基板の製造方法。 - 【請求項４】 配線基板の電子部品接続用導体上に、実
装に必要なはんだ層を予め設けてなるはんだプリコート
配線基板の製造方法に当たり、 上記はんだ層を下記(a) 〜(d) 工程； (a) 導体回路を形成した配線基板の電子部品接続用導体
上に、Sn薄膜層を形成する工程、 (b) 前記Sn薄膜層上に、Sn上への選択的析出に基づくSn
の不均化反応により、Sn結晶層を形成する工程、 (c) 前記Sn結晶層におけるSn結晶の少なくとも一部を、
イオン化傾向に基づくSn−Pb置換反応によってPbで置換
被覆し、Sn−Pb被覆結晶層を形成する工程、 (d) 上記工程で形成したSn薄膜層と，少なくともSn結晶
の一部がPbで被覆されてなるSn−Pb被覆結晶層とを、加
熱することにより溶融し、次いでこれを冷却して合金層
とする工程、 を経て形成することを特徴とするはんだプリコート配線
基板の製造方法。 - 【請求項５】 上記電子部品接続用導体上にSn薄膜層を
形成する方法が、チオ尿素のCu錯体形成に基づくCu−Sn
置換反応であることを特徴とする請求項３または請求項
４に記載のはんだプリコート配線基板の製造方法。
Priority Applications (7)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3208593A JPH06252536A (ja) | 1993-02-22 | 1993-02-22 | はんだプリコート配線基板およびその製造方法 |
| DE69327163T DE69327163T2 (de) | 1992-06-02 | 1993-06-01 | Mit loetmetall vorbeschichtete leiterplatte und verfahren zur herstellung |
| US08/338,531 US5532070A (en) | 1992-06-02 | 1993-06-01 | Solder-precoated conductor circuit substrate and method of producing the same |
| DE0644713T DE644713T1 (de) | 1992-06-02 | 1993-06-01 | Mit loetmetall vorbeschichtete leiterplatte und verfahren zur herstellung. |
| JP6500401A JP2883204B2 (ja) | 1992-06-02 | 1993-06-01 | はんだプリコート配線基板およびその製造方法 |
| PCT/JP1993/000736 WO1993025060A1 (fr) | 1992-06-02 | 1993-06-01 | Tableau de connexions pre-etame et son procede de production |
| EP93910425A EP0644713B1 (en) | 1992-06-02 | 1993-06-01 | Solder-precoated wiring board and method for manufacturing the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3208593A JPH06252536A (ja) | 1993-02-22 | 1993-02-22 | はんだプリコート配線基板およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06252536A true JPH06252536A (ja) | 1994-09-09 |
Family
ID=12349046
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3208593A Pending JPH06252536A (ja) | 1992-06-02 | 1993-02-22 | はんだプリコート配線基板およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06252536A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5597110A (en) * | 1995-08-25 | 1997-01-28 | Motorola, Inc. | Method for forming a solder bump by solder-jetting or the like |
| JP2010050271A (ja) * | 2008-08-21 | 2010-03-04 | Seiko Instruments Inc | 回路基板 |
-
1993
- 1993-02-22 JP JP3208593A patent/JPH06252536A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5597110A (en) * | 1995-08-25 | 1997-01-28 | Motorola, Inc. | Method for forming a solder bump by solder-jetting or the like |
| JP2010050271A (ja) * | 2008-08-21 | 2010-03-04 | Seiko Instruments Inc | 回路基板 |
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